CN112485645A - 芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统 - Google Patents

芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统 Download PDF

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CN112485645A CN202011375755.1A CN202011375755A CN112485645A CN 112485645 A CN112485645 A CN 112485645A CN 202011375755 A CN202011375755 A CN 202011375755A CN 112485645 A CN112485645 A CN 112485645A
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Abstract

本发明实施例公开一种芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统，涉及芯片测试技术领域，有利于提高温控效果。包括：获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度；根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态；发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度。本发明适用于芯片测试场景中。

Description

芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统
技术领域
本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统。
背景技术
目前，为了保证芯片的良率及质量，在出厂前通常会进行多道测试工序，其中包括封装完成后重要的一道测试工序-系统级别测试(SLT，Systemleveltest)。而芯片测试，包括系统测试，一般要求在一定温域范围内测试，即对测试环境温度和/或芯片温度有要求，本质上是对芯片测试时的工作温度有要求。
目前，系统级别测试通用的温控方案是由测试温控头上的热电偶传感器通过接触芯片表面，从而感知芯片表面的温度，并基于芯片表面温度作为控制依据，以保持恒温测试条件。
本申请的发明人在实现本发明的过程中发现：现有技术中，由于检测的是芯片表面温度(Package Case Temperature)，主流芯片表面都封装有金属盖子(即封装外壳)，芯片表面温度和芯片内部实际温度存在一定的温差，因此，基于芯片表面温度作为控制依据的温控方案，影响温控效果。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统，有利于提高温控效果。
为达到上述发明目的，采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供一种芯片测试温度控制方法，包括：
获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度；
根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态；
发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度。
结合第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，在获取当前芯片封装壳体内部核温度之前，所述方法还包括设定当前的测试温度模式；
在获取当前芯片封装壳体内部核温度之后，所述方法还包括：根据当前设定的测试温度模式，确定对应的预设温度阈值。
结合第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，所述根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略包括：
若所述核温度高于所述预设温度阈值上限，则确定温控策略为降温；
若所述核温度在所述预设温度阈值内，则确定温控策略为保持当前温度状态；
若所述核温度低于所述预设温度阈值下限，则确定温控策略为升温。
结合第一方面的第一或第二种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，所述获取当前芯片封装壳体内部核温度信息包括：接收基于I2C通信协议传输的核温度信息数据包；
对所述核温度信息数据包进行解析，得到头部及数据负载部的信息；所述数据负载部包括核温度；
从所述数据负载部的信息中获取当前芯片的核温度。
结合第一方面的第一至第三任一种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，若所述核温度高于所述预设温度阈值上限或低于所述预设温度阈值下限，所述方法还包括：发送温度异常反馈信息至服务器。
结合第一方面的第一至第四任一种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，在获取当前芯片封装壳体内部核温度信息之后，所述方法还包括：保存当前的核温度信息至记录文件中。
第二方面，本发明实施例提供一种温控板卡，包括数据采集单元、温控策略确定单元及发送单元；
所述数据采集单元，用于获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度；
所述温控策略确定单元，用于根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态；
所述发送单元，用于发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度。
结合第二方面，在第二方面的第一种实施方式中，还包括：温度模式设定单元，用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度之前，接收测试温度模式设定指令，设定当前的测试温度模式；
所述温控策略确定单元，还用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度之后，根据当前的测试温度模式，确定对应的预设温度阈值。
结合第二方面的第一种实施方式，在第二方面的第二种实施方式中，所述温控策略确定单元包括：第一策略确定模块，用于若判断出所述核温度高于所述预设温度阈值上限，则确定温控策略为降温；
第二策略确定模块，用于若判断出所述核温度在所述预设温度阈值内，则确定温控策略为保持当前温度状态；
第三策略确定模块，用于若所述核温度低于所述预设温度阈值下限，则确定温控策略为升温。
结合第二方面的第一或第二种实施方式，在第二方面的第三种实施方式中，
所述数据采集单元包括：接收模块，用于接收基于I2C通信协议传输的核温度信息数据包；
解析模块，用于对所述核温度信息数据包进行解析，得到头部及数据负载部的信息；所述数据负载部包括核温度；
获取模块，用于从所述数据负载部的信息中获取当前芯片的核温度。
结合第二方面的第一至第三任一种实施方式，在第二方面的第四种实施方式中，所述发送单元，还用于若判断出所述核温度高于所述预设温度阈值上限或低于所述预设温度阈值下限，发送温度异常反馈信息至服务器。
结合第二方面的第一至第四任一种实施方式，在第二方面的第五种实施方式中，还包括存储单元，用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度信息之后，保存当前的核温度信息至记录文件中。
第三方面，本发明还实施例提供一种芯片测试温度控制系统，包括服务器、控温单元及第二方面任一所述的温控板卡，所述服务器与所述温控板卡互联，所述温控板卡与所述控温单元互联。
第三方面，本发明还实施例提供一种芯片测试系统，包括测试平台及第三方面所述的温度控制系统，所述测试平台具有电控装置，所述服务器与所述电控装置连接，所述测试平台上具有芯片装载部，在所述芯片装载部周围设有温度调节装置，所述控温单元与所述温度调节装置连接，当所述装载部上装载有芯片时，所述温控板卡用于与所述芯片的内部核温度采样接口连接。
本发明实施例提供的芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统，通过获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度；根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态；发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度。由于获取的是芯片内部核温度，保证了温度数值的准确性，并在此基础上进行温度控制，可以在一定程度上提高控制准确度，并进而有利于提高温控效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明芯片测试温度控制方法一种实施例流程示意图；
图2为本发明芯片测试温度控制方法另一种实施例流程示意图；
图3为本发明芯片测试温度控制方法又一种实施例流程示意图；
图4为本发明温控板卡一实施例结构示意图；
图5为本发明温控板卡又一实施例结构示意图；
图6为本发明温控板卡再一实施例结构示意图；
图7为本发明芯片测试温度控制系统一实施例结构示意图；
图8为本发明芯片测试温度控制系统一实施例温控配置流程示意图；
图9为本发明芯片测试系统一实施例结构示意图；
图10本发明芯片测试系统一实施例工作流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的芯片测试温度控制方法，适用于芯片测试场景中，例如，芯片系统级别测试，WS(Wafer Sort)测试，WS测试也称为CP(Chip Probe)测试，功能测试(Function Test，FT)及老化测试等。便于对测试过程中芯片封装外壳内部温度进行精准控制，从而有利于保证测试结果的准确性，提高测试质量。
实施例一
图1为本发明芯片测试温度控制方法一种实施例流程示意图；参看图1所示，所述方法包括步骤：
S110、获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度(DieJunction Temperature)。
作为本领域技术人员可知，目前主流芯片内部一般都设有温敏传感器，用于采集晶粒Die温度，所述晶粒温度即核温度。当然，根据芯片厂家的不同，芯片内部温敏传感器的数量及布设可能会有所不同，但并不影响核温度的采样。在芯片上还具有核温度采样接口(即引脚或管脚)，该核温度采样接口与芯片内部设置的温敏传感器输出端连接，外部温控设备通过数据线与该采样接口连接，通过所述核温度采样接口就可以获取温敏传感器采样的核温度。
一些实施例中，所述温敏传感器为数字(DSP)温度传感器，其具有I2C、SPI和/或传号空号(mark-space)接口，便于与外部温控设备通信。其内部集成了ADC模块，即模数转换器，可以把采集的经过与标准量(或参考量)比较处理后的温度模拟量转换成以二进制数值表示的离散信号。
本实施例中的芯片测试温度控制方法应用于芯片测试工序中，在芯片在测试平台(也称为测试机)上装载好之后，上电测试过程中，利用芯片内部的温敏传感器监测芯片内部核温度，并通过温度采样接口输出至温控系统，以使温控系统监测并自动控制芯片内部核温度。
可以理解的是，目前的一些基于热电偶侦测芯片表面温度信号的温控方案，热电偶采集到温度模拟信号，发送至外部温控设备，经过外部温控设备再转换成数字信号，容易造成延迟效应，温度控制不够及时，进而影响测试效果。
而本实施例中，通过设置于芯片内部的温敏传感器，可以将温度模拟信号在芯片内部就转换成数字信号输出至外部温控设备，外部温控设备无需进行模数转换，即可捕获温度的数字量信号，并快速及时作出温控响应，在一定程度上可降低延迟效应。
S120、根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态。
本实施例中，在芯片测试前，会在测试设备程序中预设温度阈值，以在测试过程中，作为测试温度是否异常的判定参考标准。所述温度阈值的设定应尽可能与芯片运行在客户环境中的温度一致，这样，芯片状态才更接近真实运行环境下芯片状态，测试结果更具有参考价值。
可以理解的是，根据芯片测试类型的不同，芯片测试时需要维持的温度也有所不同，相应的，温度阈值的设定就会有所区别。因此，参看图2所示，在一些实施例中，步骤S110中，在获取当前芯片封装壳体内部核温度之前，所述方法还包括：S100、设定当前的测试温度模式。
测试温度是测试环境中的重要参数，对于芯片不同的测试项目，所要求的温度模式也会有所不同，例如，有些要求在室温下测试；有些要求在低温或高温下进行测试；还有些要求既在室温下测试，还在低温和高温下测试。而在不同的测试温度模式下，温度阈值的设定也是不同的。根据芯片测试项目的不同，每种测试温度模式至少对应一种温度阈值；对于不同的测试项目，同一种温度模式温度阈值也可能不同。
在一些实施例中，所述测试温度模式包括室温、低温和高温三种，与系统级芯片测试项对应的三种温度模式，分别对应一个温度阈值。
另外，在本实施例中，测试温度模式还包括芯片内部温控与芯片外部测试环境温控等模式。
在本发明一种应用于系统级芯片测试的场景中，设定的测试温度模式为芯片内部温控模式，芯片内部温控模式又分别对应室温、低温和高温三种测试温度模式。
参看图2所示，步骤S110，在获取当前芯片封装壳体内部核温度之后，所述方法还包括：S115、根据当前设定的测试温度模式，确定对应的预设温度阈值。
S130、发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度。
本实施例中，在确定温控策略之后，将当前需要采取的温控策略发送至控温单元，控温单元根据所述温控策略自动实现对芯片内部核温度的调整控制，以保持恒温测试环境，保证测试结果的可靠性。
本发明实施例提供的芯片测试温度控制方法，由于获取的是芯片内部核温度，保证了温度数值的准确性，并在此基础上进行温度控制，可以在一定程度上提高控制准确度，并进而有利于提高温控效果。
其中，步骤S120、所述根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略包括：若所述核温度高于所述预设温度阈值上限，则确定温控策略为降温；若所述核温度在所述预设温度阈值内，则确定温控策略为保持当前温度状态；若所述核温度低于所述预设温度阈值下限，则确定温控策略为升温。
本实施例中，在确定出相应的温控策略之后，发送对应的温控策略给控温单元对芯片进行升温、降温或保持当前温度不变。
参看图3所示，具体地，若所述核温度高于所述预设温度阈值上限或低于所述预设温度阈值下限，一方面，发送温控策略至温控单元，以使所述温控单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度；另一方面，所述方法还包括步骤S230：发送温度异常反馈信息至服务器。
本实施例中，通过在确定出核温度异常后，反馈温度异常及报警等异常反馈信息给服务器，使服务器根据温度异常反馈信息采取紧急保护措施，例如切断电源，从而达到保护硬件的目的。
在一些实施例中，步骤S110中，获取当前芯片封装壳体内部核温度信息包括：接收基于I2C通信协议传输的核温度信息数据包；对所述核温度信息数据包进行解析，得到数据包头部及数据负载部的信息；所述数据负载部包括核温度；从所述数据负载部的信息中获取当前芯片的核温度。
其中，所述核温度信息还包括当前测试温度模式，所述数据包头部中包括当前测试温度模式，根据核温度信息中包含的当前测试温度模式，便于后续测试记录的查看追踪。
在一些实施例中，在获取当前芯片封装壳体内部核温度信息之后，所述方法还包括：保存当前的核温度信息至记录文件中。
可以理解的是，在芯片测试工序中，当出现测试异常或有其它需要时，需要对测试数据进行查看追踪，本实施例中，通过将获取的核温度信息存储在记录文件中，便于后续查看追踪当次测试记录。
实施例二
本发明还实施例提供一种温控板卡，适用于芯片测试场景中对芯片内部核温度控制，使芯片内部核温度保持在恒定的温域内，以有利于提高测试结果的可靠性。
图4为本发明温控板卡一实施例结构示意图；参看图4所示，温控板卡包括：数据采集单元20、温控策略确定单元30及发送单元40。
其中，数据采集单元，用于获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度；
温控策略确定单元，用于根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态；
发送单元，用于发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元(准确说是自动控温单元，英文简称ATC)根据所述温控策略控制芯片内部核温度。
本发明实施例提供的温控板卡，通过所述数据采集单元获取的是芯片内部核温度，保证了温度数值的准确性，并在此基础上利用温控策略确定单元确定温控策略，基于该温控策略进行温度控制，可以在一定程度上提高控制准确度，并进而有利于提高温控效果。
进一步地，由于有利于提高温控效果，在一定程度上也能保证芯片测试结果的可靠性及参考价值。
如图5所示，在一些实施例中，所述温控板卡还包括：温度模式设定单元，用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度之前，接收测试温度模式设定指令，设定当前的测试温度模式；
所述温控策略确定单元，还用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度之后，根据当前的测试温度模式，确定对应的预设温度阈值。
在又一些实施例中，所述温控策略确定单元包括：第一策略确定模块，用于若判断出所述核温度高于所述预设温度阈值上限，则确定温控策略为降温；
第二策略确定模块，用于若判断出所述核温度在所述预设温度阈值内，则确定温控策略为保持当前温度状态；
第三策略确定模块，用于若所述核温度低于所述预设温度阈值下限，则确定温控策略为升温。
参看图6所示，在一些实施例中，所述数据采集单元包括：接收模块，用于接收基于I2C通信协议传输的核温度信息数据包；
解析模块，用于对所述核温度信息数据包进行解析，得到头部及数据负载部的信息；所述数据负载部包括核温度；
获取模块，用于从所述数据负载部的信息中获取当前芯片的核温度。
在一些实施例中，所述发送单元，还用于若判断出所述核温度高于所述预设温度阈值上限或低于所述预设温度阈值下限，发送温度异常反馈信息至服务器。
在一些实施例中，所述温控板卡还包括存储单元，用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度信息之后，保存当前的核温度信息至记录文件中。
对于本发明提供的各实施例而言，由于与实施例一基于相同的技术构思，其技术方案与技术效果基本相同，相关之处可以相互参见，为叙述清楚、简要起见，就不再赘述。
实施例三
图7为本发明芯片测试温度控制系统一实施例结构示意图；参看图7所示，本发明实施例提供的芯片测试温度控制系统，包括服务器、控温单元及第二方面任一所述的温控板卡，所述服务器与所述温控板卡互联，所述温控板卡与所述控温单元互联。
图8为本发明芯片测试温度控制系统一实施例温控配置流程示意图；参看图8所示，在芯片需要测试时，将芯片装载于测试平台上，将服务器、控温单元及温控板卡通过数据线连接组成芯片测试温度控制系统，将服务器及控温单元分别与测试平台连接，将温控板卡至少与待测芯片的核温度采样接口连接。
在芯片未上电测试前，服务器会进行温控板卡的状态验证，其中，温控板卡状态验证包括温控板卡是否处于正常状态，温控板卡程序是否存在异常等，若验证温控板卡状态正常，则开始设置测试温度模式，并将测试温度模式在服务器与温控板卡中分别存储，如图8所示。
在温控配置完成后，即可开始进入芯片测试流程，具体测试过程中进行芯片温度控制的方法流程可以参看图1至图6及实施例一、实施例二中的描述，在此就不再赘述。
本发明实施例提供的芯片测试温度控制系统，基于与实施例二相同的技术构思，服务器在对温控板卡温控模式配置完成后，发出控制信号给测试平台和温控板卡，测试平台开始测试，温控板卡实时获取测试平台上芯片内部的核温度，并基于设定的温控模式及核温度确定温控策略，并将得到的准确的核温度及温控策略发送给自动控制单元，自动控制单元接受核温度及温控策略信号后快速响应，并反馈到测试平台进行相应的升、降温或保持当前温度处理，从而达到恒温控制的效果，进而保证芯片恒温测试的目的。
温控板卡也会将温度异常反馈信息反馈至服务器，服务器响应异常反馈信息发送控制信号到达测试平台进行相应处理，例如断电，从而达到保护硬件的目的。
实施例四
图9为本发明芯片测试系统一实施例结构示意图；基于与前述实施例具有相同的技术构思，参看图9所示，本发明实施例提供的芯片测试系统，包括测试平台及实施例三所述温度控制系统，所述测试平台具有电控装置，所述服务器与所述电控装置连接，所述测试平台上具有芯片装载部，在所述芯片装载部周围设有温度调节装置，所述控温单元与所述温度调节装置连接，当所述装载部上装载有芯片时，所述温控板卡用于与所述芯片的内部核温度采样接口连接。
图10本发明芯片测试系统一实施例工作流程示意图，参看图10所示，在芯片上电后，初始化设定为芯片内部测试温度控制模式，简称为芯片内部温控模式，验证当前是否设定为芯片内部温控模式；若是，则开始测试，测试过程中具体的温控方法可参看图1至图6及实施例一、实施例二中的描述，在此就不再赘述，直至测试结束，停止测试并退出；若否，则停止测试并退出。
本发明实施例提供的芯片测试系统，具有芯片内部核温度控温模式，可以准确地达到恒温控制的效果，进而保证芯片恒温测试的目的，有利于保证测试结果的可靠性与参考价值。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同或相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。
为了描述的方便，描述以上继电器控制系统是以功能分为各种功能单元/电路/模块分别描述。当然，在实施本发明时可以把各单元/模块的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质还可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)等。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种芯片测试温度控制方法，其特征在于，所述方法包括：
获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度；
根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态；
发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，在获取当前芯片封装壳体内部核温度之前，所述方法还包括设定当前的测试温度模式；
在获取当前芯片封装壳体内部核温度之后，所述方法还包括：根据当前设定的测试温度模式，确定对应的预设温度阈值。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略包括：
若所述核温度高于所述预设温度阈值上限，则确定温控策略为降温；
若所述核温度在所述预设温度阈值内，则确定温控策略为保持当前温度状态；
若所述核温度低于所述预设温度阈值下限，则确定温控策略为升温。
4.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述获取当前芯片封装壳体内部核温度信息包括：接收基于I2C通信协议传输的核温度信息数据包；
对所述核温度信息数据包进行解析，得到头部及数据负载部的信息；所述数据负载部包括核温度；
从所述数据负载部的信息中获取当前芯片的核温度。
5.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，若所述核温度高于所述预设温度阈值上限或低于所述预设温度阈值下限，所述方法还包括：发送温度异常反馈信息至服务器。
6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，在获取当前芯片封装壳体内部核温度信息之后，所述方法还包括：保存当前的核温度信息至记录文件中。
7.一种温控板卡，其特征在于，包括数据采集单元、温控策略确定单元及发送单元；
所述数据采集单元，用于获取当前芯片封装壳体内部核温度信息；所述核温度信息包括核温度；
所述温控策略确定单元，用于根据所述核温度与预设温度阈值进行比较，确定温控策略；所述温控策略包括升温、降温或保持当前温度状态；
所述发送单元，用于发送所述温控策略至控温单元，以使所述控温单元根据所述温控策略控制芯片内部核温度。
8.根据权利要求7所述的温控板卡，其特征在于，还包括：温度模式设定单元，用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度之前，接收测试温度模式设定指令，设定当前的测试温度模式；
所述温控策略确定单元，还用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度之后，根据当前的测试温度模式，确定对应的预设温度阈值。
9.根据权利要求7所述的温控板卡，其特征在于，所述温控策略确定单元包括：第一策略确定模块，用于若判断出所述核温度高于所述预设温度阈值上限，则确定温控策略为降温；
第二策略确定模块，用于若判断出所述核温度在所述预设温度阈值内，则确定温控策略为保持当前温度状态；
第三策略确定模块，用于若所述核温度低于所述预设温度阈值下限，则确定温控策略为升温。
10.根据权利要求9所述的温控板卡，其特征在于，所述数据采集单元包括：接收模块，用于接收基于I2C通信协议传输的核温度信息数据包；
解析模块，用于对所述核温度信息数据包进行解析，得到头部及数据负载部的信息；所述数据负载部包括核温度；
获取模块，用于从所述数据负载部的信息中获取当前芯片的核温度。
11.根据权利要求9所述的温控板卡，其特征在于，所述发送单元，还用于若判断出所述核温度高于所述预设温度阈值上限或低于所述预设温度阈值下限，发送温度异常反馈信息至服务器。
12.根据权利要求7所述的温控板卡，其特征在于，还包括存储单元，用于在获取当前芯片封装壳体内部核温度信息之后，保存当前的核温度信息至记录文件中。
13.一种芯片测试温度控制系统，其特征在于，包括：服务器、控温单元及权利要求7至12任一所述的温控板卡，所述服务器与所述温控板卡互联，所述温控板卡与所述控温单元互联。
14.一种芯片测试系统，其特征在于，包括：测试平台及权利要求13所述温度控制系统，所述测试平台具有电控装置，所述服务器与所述电控装置连接，所述测试平台上具有芯片装载部，在所述芯片装载部周围设有温度调节装置，所述控温单元与所述温度调节装置连接，当所述装载部上装载有芯片时，所述温控板卡用于与所述芯片的内部核温度采样接口连接。
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