CN112479733A - 一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，包括如下过程：在陶瓷构件表面进行磁控溅射镀膜，使陶瓷构件表面镀上金属镀膜；利用氢化钛粉对表面镀有金属镀膜陶瓷构件在真空条件下进行氢化钛烧结，在金属镀膜表面生成钛层，氢化钛烧结时，用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实；氢化钛烧结结束后，陶瓷/金属一体化构件制备的陶瓷结合区表面改性完成。使用该方法可在陶瓷与金属的结合区形成一层合金化过渡层，可以显著提高陶瓷结合区的表面能，改善陶瓷表面对金属材料的润性，从而提高陶瓷/金属一体化构件的接头性能和稳定性。

Description

一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法
技术领域
本发明涉及陶瓷金属连接技术领域，尤其涉及一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法。
背景技术
通过将陶瓷与金属连接为一体，以使用陶瓷与金属各自的优势所制作复合材料结构件的技术，是目前常用的一种先进的结构零件制造技术。
一般来说，陶瓷拥有极好的化学稳定性，较高的阻热性，极好的耐磨性和较高的熔点，这些优势是常规金属所难以企及的。而金属则拥有较好的综合力学性能和强度，但其高温性能有限。因而，若以金属作为基体，覆盖一层陶瓷作为保护，则可以大幅度提高金属基体的上述性能，从而达到理想的应用性能。
然而，该技术的其中一个难点在于，陶瓷与金属是两种理化特性截然不同的材料，在连接成为一体化构件时，往往会因为二者的理化特性差异(尤其是金属对于陶瓷的润湿性较差)过大，导致接头存在残余应力过大，使得金属与陶瓷之间难以产生致密的结合，接头连接强度较低、接头稳定性较差，从而减弱了金属与陶瓷的结合强度。针对这一问题，本领域内通常使用钎焊的方式进行解决。其基本思想是，依据所选择的金属与陶瓷的具体材料，选择一种合适的钎料，这些钎料应当对陶瓷和金属均有较好的附着性，以提供一层合理，致密的过渡层，达到强化金属与陶瓷连接的目的。该技术的一个主要问题在于，针对不同的金属与陶瓷材料复合，满足要求的钎焊材料并不易选取，从而制约了陶瓷与金属复合材料中，金属的材料选取的多样性，限制了有些具有良好性能的金属材料在陶瓷与金属复合材料中的应用。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供了一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，本发明通过对陶瓷表面进行改性，以使得陶瓷获得高活性表面，增强陶瓷的表面能，使得与陶瓷复合的金属材料能够更好的附着于陶瓷的表面，经本发明改性后，使得在与陶瓷复合的金属材料的选取上，不会因为该金属与陶瓷以及钎焊材料的润湿性良好与否而受到限制，大大拓宽了与陶瓷复合的金属材料的选取范围，使得具有良好性能的金属材料在陶瓷与金属复合材料中能够得到较好的应用，同时避免了钎焊材料选取困难的问题。
为达到上述目的，本发明拟采用以下技术方案予以实现。
一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，包括如下过程：
在陶瓷构件表面进行磁控溅射镀膜，使陶瓷构件表面镀上金属镀膜；
利用氢化钛粉对表面镀有金属镀膜陶瓷构件在真空条件下进行氢化钛烧结，在金属镀膜表面生成钛层，氢化钛烧结时，用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实；
氢化钛烧结结束后，陶瓷/金属一体化构件制备的陶瓷结合区表面改性完成。
优选的，本发明面向陶瓷/金属一体化构件制备的陶瓷结合区表面改性方法还包括：对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理，使经磁控溅射镀膜后的陶瓷构件表面的金属镀膜晶化。
优选的，真空烧结热处理的温度为所述金属镀膜熔点的70％-90％。
优选的，对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理时，在烧结炉内放置有海绵钛，海绵钛用于与烧结炉内的残余氧反应。
优选的，陶瓷构件表面镀上金属镀膜的熔点在1000-1670摄氏度。
优选的，金属镀膜为钛镀膜或高熔点的含钛合金镀膜。
优选的，进行氢化钛烧结时，真空度不大于10-3Pa，烧结温度为800-900℃，时间为1-2h。
优选的，氢化钛烧结时，在一个能耐受高温的容器中装入足量氢化钛粉，并将陶瓷构件浸没在氢化钛粉堆当中，用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实，将氢化钛粉的填实压紧至氢化钛粉相对密度的60％-65％，氢化钛粉的粒度在38-250μm。
优选的，所述陶瓷构件为碳化硅陶瓷构件或氧化铝陶瓷构件、金属镀膜为NiTi镀膜。
优选的，氢化钛烧结时，在烧结炉内放置有海绵钛，海绵钛用于与烧结炉内的残余氧反应。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
本发明中，在陶瓷构件表面进行磁控溅射镀膜是为了在陶瓷表面沉积一层致密的金属层，以利于后续钛层的生长与附着，由于磁控溅射在常温环境进行，这使得溅射镀膜由于高温引起的氧化污染的可行性大幅度降低，因而可以获得相比于其他工艺污染更低的初始层；除此之外，这层磁控溅射层的主要作用是为了利于后续钛层的生长。本发明中利用氢化钛粉对表面镀有金属镀膜陶瓷构件在真空条件下进行氢化钛烧结，在金属镀膜表面生成钛层，是利用金属钛的高活性和高塑性的特性，获得表面能高润湿性好韧性高的过渡金属层，以缓解陶瓷与金属之前由弹性模量差异较大和热膨胀系数差异较大所引起的开裂，并且同时使用该过程的高温以让磁控溅射膜达到晶化，增强结合。本发明通过磁控溅射镀膜和氢化钛烧结对陶瓷表面进行改性，使得陶瓷构件表面获得了高活性表面，增强陶瓷构件的表面能，使得与陶瓷构件复合的金属材料能够更好的附着于陶瓷构件的表面，经本发明改性后，使得在与陶瓷构件复合的金属材料的选取上，不会因为该金属与陶瓷以及钎焊材料的润湿性良好与否而受到限制，大大拓宽了与陶瓷复合的金属材料的选取范围，使得具有良好性能的金属材料在陶瓷与金属复合材料中能够得到较好的应用，同时避免了钎焊材料选取困难的问题。
进一步的，当氢化钛烧结过程的温度与时间不足以使得磁控溅射膜彻底晶化时，需要对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理，使经磁控溅射镀膜后的陶瓷构件表面的金属镀膜更彻底晶化，以使其表面能提高更利于钛层生长(晶体的表面能通常比非晶更大)，并促使其与陶瓷基体结合增强。
进一步的，在对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理时，在烧结炉内放置有海绵钛，放置的海绵钛在高温时与残余氧反应，从而进一步提高金属镀膜的纯净度与可靠性。
进一步的，陶瓷构件表面镀上金属镀膜的熔点在1000-1670摄氏度之间，大大高于现有钎焊方法的钎料的一般熔点，从而能够大幅度提高连接层在高温条件下的可靠性。
进一步的，金属镀膜为钛镀膜或高熔点的含钛合金镀膜，这是由于钛以及钛合金，拥有较低的弹性模量，较好的塑性韧性以适用于金瓷链接层的应力过度；此外，钛作为一种活性金属其表面能较大(这意味着它的润湿特性好)，且相对于其他活性金属(如铝镁等)其熔点非常高，因而更适合在高温环境中服役。
进一步的，进行氢化钛烧结时，真空度不大于10-3Pa，烧结温度为800-900℃，时间为1-2h，从效果上来说，氢化钛烧结时的温度越高，保温时间越长，则钛层生长更为致密，但过高的温度与保温时间，会导致氢化钛粉烧结脱氢成金属钛后出现严重的板结，从而导致深埋在氢化钛之中的样品在最终的烧结成的多孔包裹钛体之中无法被取出(由于烧结体钛的强度很大)。因而，必须选用合理的烧结温度和保温时间，以保证足量钛层的生成，并保证样品可以在烧结后在不损坏的情况下取出。
进一步的，氢化钛烧结时，用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实，将氢化钛粉的填实压紧至氢化钛粉相对密度的60％-65％，从理论来说，初始压紧的相对密度越大越利于烧结，但过紧的相对密度通常意味着样品也同样承受较大压力，这容易使得样品被破坏，因而所选择的压紧密度必须考量压制的质量以及样品的安全性。
进一步的，氢化钛烧结时，在烧结炉内放置有海绵钛，放置的海绵钛在高温时与残余氧反应，从而进一步提高金属镀膜的纯净度与可靠性。
附图说明
图1为SiC陶瓷基体对纯水的润湿状态图；
图2为本发明实施例1和实施例2中，在SiC陶瓷基体溅射NiTi金属镀膜后(未晶化)的表面对纯水的润湿状态图；
图3(a)为本发明实施例1中，在真空烧结后NiTi金属镀膜(发生晶化)的表面对纯水的润湿状态图；
图3(b)为本发明实施例2中，在真空烧结后NiTi金属镀膜(发生晶化)的表面对纯水的润湿状态图；
图4(a)为本发明实施例1中，在氢化钛烧结后NiTi金属镀膜(发生晶化)的表面对纯水的润湿状态图；
图4(b)为本发明实施例2中，在氢化钛烧结烧结后NiTi金属镀膜(发生晶化)的表面对纯水的润湿状态图。
具体实施方式
现在对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明面向陶瓷/金属一体化构件制备的陶瓷结合区表面改性方法包含两大方案：
方案一包含两大步骤：步骤一磁控溅射镀膜、步骤二氢化钛钛化烧结；
方案二包含三大步骤：步骤一磁控溅射镀膜、步骤二真空烧结和步骤三氢化钛钛化烧结。
在上述两种方案中，磁控溅射镀膜时，通过直流磁控溅射技术，使用金属材料的靶材，安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空与直流电和室温条件下，将靶材原子溅射至陶瓷构件的表面，在陶瓷构件表面形成金属镀膜；磁控溅射镀膜的靶材可选用纯钛靶材或高熔点含钛合金靶材。
真空烧结时，使用具有一定真空度的烧结炉，在给定真空(尽可能低，以防止或降低氧化)、温度、时间(根据金属镀层的金属种类确定，要确保金属镀层晶化)下的保温；真空烧结热处理的温度为所述金属镀膜熔点的70％-90％。
氢化钛烧结时，将表面镀有金属镀膜的陶瓷构件放在耐高温容器中，并使用氢化钛粉将陶瓷构件与耐高温容器的间隙填实，将氢化钛粉的填实压紧至氢化钛粉相对密度的60％-65％，然后将装有陶瓷构件的该耐高温容器放在具有一定真空度(尽可能低，以防止或降低氧化)的烧结炉中，在给定真空/温度/时间下的保温；其中，烧结温度为800-900℃，时间为1-2h。
本发明的上述工艺中，磁控溅射镀膜安排在低温或常温环境进行，这使得镀膜过程中所发生的金属靶材(块体)-溅射粒子(微粒)-镀层(薄膜)的变化过程中，由表面积增大而导致的氧化污染由于温度较低的限制大大减少，而传统的热喷涂过程则在雾化阶段经历了较高的温度，这使得获得纯净表面(低氧化)的效率大大降低了。真空烧结安排在真空高温环境之中，通过高温使得界面结合被强化。相对于传统的喷涂过程，该过程在高温状态下已经处于镀层状态，因而比离散的雾化颗粒拥有更低的表面积，因而在同等高温条件下，拥有更少的界面氧化污染程度。氢化钛钛化烧结安排在磁控溅射镀膜或者真空烧结之后，通过将陶瓷样品埋在氢化钛粉末当中，氢化钛会在随后的高温真空之中自然发生脱氢反应，裸露纯净度较高的纯钛，这些纯钛会和已经附着在陶瓷表面的金属镀层产生较好的结合，从而大幅度增厚结合的表面。此外，氢化钛脱氢时产生的还原性氢同时对镀层有自洁作用，从而大幅度降低最终镀层的界面污染，获得高活性表面。
在上述真空烧结时，可以在实施时，额外在给定的烧结炉内放置一定量的海绵钛，海绵钛随炉烧结进一步控制高温过程的氧化。
在上述氢化钛钛化烧结时，可以在实施时，额外在给定的烧结炉的炉内放置有一定量的海绵钛，海绵钛随炉烧结进一步控制高温过程的氧化。
实施例1
本实施例采用上述方案二进行，包含：步骤一磁控溅射镀膜、步骤二真空烧结和步骤三氢化钛钛化烧结这三个阶段；
步骤一，磁控溅射镀膜，通过直流磁控溅射技术，金属靶材(既磁控溅射镀膜的材料)选择NiTi35合金，其名义熔点1141℃，将靶材安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空(真空度不大于10-3Pa)与直流电和室温(25℃)条件下，将靶材原子溅射至SiC陶瓷样品的表面，薄膜厚度控制在100nm；
步骤二，真空烧结，使用具有真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉，在该组分NiTi合金熔点的90％(按热力学温标K计算)既1000℃下保温0.5h，并在周围放置海绵钛；
步骤三，氢化钛烧结，将SiC陶瓷样品放在刚玉坩埚中，并使用粒度38-250微米的氢化钛粉将样品与刚玉坩埚的间隙填实压紧至粉末相对密度65％，在SiC陶瓷样品周围埋放海绵钛，将装有SiC陶瓷样品的该刚玉坩埚放在真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉中，于800℃保温1.5h。完成上述流程后，取得的SiC陶瓷样品表面，表面获得了1.5μm厚的致密的金属层，以及10μm向SiC基体的扩散层。
实施例2
本实施例与实施例2的过程相同，不同点在于，在步骤二的真空烧结和步骤三的氢化钛烧结时，在未放置海绵钛。
由图1可以看出，SiC陶瓷样品的表面对纯水的润湿性较差，SiC陶瓷样品的表面能较低。
由图2可以看出经过磁控溅射镀膜后，由于NiTi镀膜的存在，NiTi镀膜的表面能更低，对纯水的润湿性明显降低了。
由图3(a)和图3(b)可以看出，经过真空烧结后，实施例1中，由于加入了海绵钛做保护，防止了NiTi镀膜的表面氧化，同时NiTi镀膜发生了晶化，NiTi镀膜的表面能大大提高，与水的润湿性明显提高了；实施例2中，由于未加入海绵钛做保护，NiTi镀膜的表面发生了氧化，同时NiTi镀膜发生了晶化，NiTi镀膜的表面能整体上有所提高，由于氧化膜的存在，降低了NiTi镀膜的表面能，因此实施例2的NiTi镀膜(发生晶化)相对于实施例的NiTi镀膜(发生晶化)表面能要低，与水的润湿性也相对较差，但是经真空烧结后，NiTi镀膜(发生晶化)的表面能整体上是要高于磁控溅射得到的NiTi镀膜(未发生晶化)的表面能，与水的润湿性有所提高。
由图4(a)和图4(b)可以看出，经过氢化钛结后，由于在NiTi镀膜表面生成一层致密的金属层，表面能提高明显，薄膜的润湿效果大大提高了。该步骤中，实施例1和实施例2的不同之处在于，实施例1中，由于加入了海绵钛做保护，防止了致密的金属层的表面氧化，而对实施例2中，由于未加入了海绵钛做保护，致密的金属层的表面发生了氧化，由于氧化膜的存在，降低了致密金属层的表面能，因此实施例2的致密的金属层相对于实施例的致密的金属层表面能要低，与水的润湿性也相对较差，但是经氢化钛烧结后，致密的金属层的表面能整体上是要高于经真空烧结后NiTi镀膜的表面能，与水的润湿性大大提高。
实施例3
本实施例采用上述方案一进行，包含步骤一磁控溅射镀膜和步骤二真空烧结这两个阶段；
步骤一，磁控溅射镀膜，通过直流磁控溅射技术，金属靶材(既磁控溅射镀膜的材料)选择NiTi35合金，其名义熔点1141℃，将靶材安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空(真空度不大于10-3Pa)与直流电和室温(25℃)条件下，将靶材原子溅射至SiC陶瓷样品的表面，薄膜厚度控制在300nm；
步骤二，氢化钛烧结，将SiC陶瓷样品放在刚玉坩埚中，并使用粒度38-250微米的氢化钛粉将样品与刚玉坩埚的间隙填实压紧至粉末相对密度60％，将装有SiC陶瓷样品的该刚玉坩埚放在真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉中，于800℃保温2h。完成上述流程后，取得的SiC陶瓷样品表面，表面获得了1.6μm厚的致密的金属层，以及12μm向SiC基体的扩散层，但烧结钛已经出现了部分板结。
实施例4
本实施例采用上述方案一进行，包含步骤一磁控溅射镀膜和步骤二氢化钛钛化烧结这两个阶段；
步骤一，磁控溅射镀膜，通过直流磁控溅射技术，使用NiTi35金属靶材，其名义熔点1141℃，安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空(真空度不大于10-3Pa)与直流电和室温(25℃)条件下，将靶材原子溅射至SiC陶瓷样品的表面，薄膜厚度控制在500nm；
步骤二，氢化钛烧结，将SiC陶瓷样品放在刚玉坩埚中，并使用粒度38-250微米的氢化钛粉将SiC陶瓷样品与刚玉坩埚的间隙填实压紧至粉末相对密度65％，将装有SiC陶瓷样品的该刚玉坩埚放在真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉中，于800℃保温1h。完成上述流程后，取得的SiC陶瓷样品表面，表面获得了1μm厚的致密的金属层。
实施例5
本实施例采用上述方案一进行，包含步骤一磁控溅射镀膜和步骤二氢化钛钛化烧结这两个阶段；
步骤一，磁控溅射镀膜，通过直流磁控溅射技术，使用NiTi35金属靶材，其名义熔点1141℃，安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空(真空度不大于10-3Pa)与直流电和室温(25℃)条件下，将靶材原子溅射至SiC陶瓷样品的表面，薄膜厚度控制在500nm；
步骤二，氢化钛烧结，将SiC陶瓷样品放在刚玉坩埚中，并使用粒度38-250微米的氢化钛粉将SiC陶瓷样品与刚玉坩埚的间隙填实压紧至粉末相对密度65％，将装有SiC陶瓷样品的该刚玉坩埚放在真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉中，于900℃保温1h。完成上述流程后，取得的SiC陶瓷样品表面，表面获得了1.2μm厚的致密的金属层。
实施例6
本实施例采用上述方案二进行，包含：步骤一磁控溅射镀膜、步骤二真空烧结和步骤三氢化钛钛化烧结这三个阶段；
步骤一，磁控溅射镀膜，通过直流磁控溅射技术，金属靶材(既磁控溅射镀膜的材料)选择NiTi22合金，其名义熔点1000℃，将靶材安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空(真空度不大于10-3Pa)与直流电和室温(25℃)条件下，将靶材原子溅射至SiC陶瓷样品的表面，薄膜厚度控制在100nm；
步骤二，真空烧结，使用具有真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉，在该组分NiTi合金熔点的70％(按热力学温标K计算)既620℃下保温1.5h；
步骤三，氢化钛烧结，将SiC陶瓷样品放在刚玉坩埚中，并使用粒度38-250微米的氢化钛粉将样品与刚玉坩埚的间隙填实压紧至粉末相对密度62.5％，将装有SiC陶瓷样品的该刚玉坩埚放在真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉中，于850℃保温1.5h。完成上述流程后，取得的SiC陶瓷样品表面，表面获得了1.2μm厚的致密的金属层，以及7μm向SiC基体的扩散层。
实施例7
本实施例采用上述方案一进行，包含步骤一磁控溅射镀膜和步骤二氢化钛钛化烧结这两个阶段；
步骤一，磁控溅射镀膜，通过直流磁控溅射技术，使用纯钛靶材，其名义熔点1670℃，安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空(真空度不大于10-3Pa)与直流电和室温(25℃)条件下，将靶材原子溅射至Al2O3陶瓷样品的表面，薄膜厚度控制在500nm；
步骤二，氢化钛烧结，将Al2O3陶瓷样品放在刚玉坩埚中，并使用粒度38-250微米的氢化钛粉将Al2O3陶瓷样品与刚玉坩埚的间隙填实压紧至粉末相对密度65％，将装有SiC陶瓷样品的该刚玉坩埚放在真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉中，于900℃保温1h。完成上述流程后，取得的Al2O3陶瓷样品表面，表面获得了2μm厚的致密的金属层。
实施例8
本实施例采用上述方案二进行，包含：步骤一磁控溅射镀膜、步骤二真空烧结和步骤三氢化钛钛化烧结这三个阶段；
步骤一，磁控溅射镀膜，通过直流磁控溅射技术，金属靶材(既磁控溅射镀膜的材料)选择纯钛，其名义熔点1670℃，将靶材安装在磁控溅射设备的阴极上，在氩气真空(真空度不大于10-3Pa)与直流电和室温(25℃)条件下，将靶材原子溅射至Al2O3陶瓷样品的表面，薄膜厚度控制在100nm；
步骤二，真空烧结，使用具有真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉，在该组分纯钛熔点的80％(按热力学温标K计算)既1280℃下保温1.5h；
步骤三，氢化钛烧结，将Al2O3陶瓷样品放在刚玉坩埚中，并使用粒度38-250微米的氢化钛粉将样品与刚玉坩埚的间隙填实压紧至粉末相对密度60％，将装有Al2O3陶瓷样品的该刚玉坩埚放在真空度为(真空度不大于10-3Pa)的烧结炉中，于800℃保温1.5h。完成上述流程后，取得的SiC陶瓷样品表面，表面获得了2.5μm厚的致密的金属层。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，包括如下过程：
在陶瓷构件表面进行磁控溅射镀膜，使陶瓷构件表面镀上金属镀膜；
利用氢化钛粉对表面镀有金属镀膜陶瓷构件在真空条件下进行氢化钛烧结，在金属镀膜表面生成钛层。
2.根据权利要求1所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，还包括：在生成钛层之前，可以对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理，使经磁控溅射镀膜后的陶瓷构件表面的金属镀膜晶化。
3.根据权利要求2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，真空烧结热处理的温度为所述金属镀膜熔点的70％-90％。
4.根据权利要求2或3所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，对表面镀有金属镀膜陶瓷构件进行真空烧结热处理时，在烧结炉内放置有海绵钛。
5.根据权利要求1或2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，陶瓷构件表面镀上金属镀膜的熔点在1000-1670摄氏度。
6.根据权利要求1或2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，金属镀膜为钛镀膜或高熔点的含钛合金镀膜，金属镀膜的厚度为100-500nm。
7.根据权利要求1或2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，进行氢化钛烧结时，真空度不大于10-3Pa，烧结温度为800-900℃，时间为1-2h。
8.根据权利要求1或2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，氢化钛烧结时，氢化钛粉的粒度为38-250μm，用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实，将氢化钛粉的填实压紧至氢化钛粉相对密度的60％-65％。
9.根据权利要求1或2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，所述陶瓷构件为碳化硅陶瓷构件或氧化铝陶瓷构件。
10.根据权利要求1或2所述的一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法，其特征在于，氢化钛烧结时，在烧结炉内放置有海绵钛。
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