CN112466387A - 一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法 - Google Patents

一种nand flash芯片读写寿命的快速测试方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，S1、芯片筛分：首先将所需检测的芯片进行归类，通过芯片的检测仪器，首先判断芯片是否能够正常进行使用，将不能使用或是存在较大的故障的芯片进行剔除，对留下来较好的芯片进行检测；S2、建立模型：先建立第一个温度加速模型，本发明涉及芯片检测技术领域。该NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，通过建立不同的加速模型，基于到实际的NAND FLASH芯片运行环境，计算出加速因子，从而测算出NAND FLASH芯片的读写寿命，不仅可以将一些外接因素纳入进来，而且使得测算的结果也更快一些，极大的提高了该测试方法的准确性，同时降低了NAND FLASH芯片测算步骤的难度，便于技术人员更好的进行监测。

Description

一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法
技术领域
本发明涉及芯片检测技术领域，具体为一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法。
背景技术
Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等，flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
现有的测试技术大多数为对NAND FLASH芯片先进行擦写，然后再进行编程序进行操作，所需要花费的时间，精力和成本都比较高，而且测算的结果存在一定的偏差，为此，本发明提供了一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，解决了现有的NAND FLASH芯片测试技术所需要花费的时间，精力和成本都比较高，以及测算的结果存在一定的偏差的问题。
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，具体包括以下步骤：
S1、芯片筛分：首先将所需检测的芯片进行归类，通过芯片的检测仪器，首先判断芯片是否能够正常进行使用，将不能使用或是存在较大的故障的芯片进行剔除，对留下来较好的芯片进行检测；
S2、建立模型：先建立第一个温度加速模型，基于到实际的NAND FLASH芯片运行环境，从而可以测算出温度加速因子；
一次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立电压和温度的加速模型；并对NAND FLASH芯片进行实时的检测，测算出电压温度加速因子；
二次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立湿度和温度的加速模型；并对NAND FLASH芯片进行实时的检测，测算出湿度温度加速因子；
三次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，对温度的高低进行调整，从而来测算出温度变化加速因子；
S3、形成综合模型：当NAND FLASH芯片的工作环境同时存在温度、湿度和电压的应力时，假设应力之间没有相互的影响，测算出温度、湿度、电压加速因子；
S4、寿命计算：根据S1-S3中的对应数据，根据所对应的实际情况选取对应合适的加速模型，计算出NAND FLASH芯片的失效率，并通过所测算的数据计算出对应的NANDFLASH芯片平均使用寿命。
优选的，所述S2中温度加速模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000021
其中AF(T)为温度加速因子，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度。
优选的，所述S2中一次扩展模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000031
其中AF(T，V)为温度、电压加速因子，Va为试验时施加的电压，Vuse为实际使用的电压，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度，B为系数，根据不同的失效机理，默认值为1。
优选的，所述S2中二次扩展模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000032
其中AF(T,rh)为湿度、温度加速因子，rha为试验湿度，rhuse为实际使用湿度，n为系数，一般取值为3，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度。
优选的，所述S2中三次扩展模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000033
其中AF(ΔT)为温度变化加速因子，ΔTa为试验温度变化值，ΔTuse为实际使用的温度变化值，c为材料特性系数，在1到9之间取值，在无法得知详细情况下时，一般取值为4。
优选的，所述S3中综合模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000034
其中AF(T,V,rh)为温度、电压、湿度加速因子，Va为试验时施加的电压，Vuse为实际使用的电压，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度，B为系数，根据不同的失效机理，默认值为1，rha为试验湿度，rhuse为实际使用湿度，n为系数，一般取值为3。
优选的，所述S4中NAND FLASH芯片的失效率的计算式为：
Figure BDA0002820889420000041
其中
Figure BDA0002820889420000042
里面的χ2的分布，根据置信度和自由度查GB/T,其中CL为置信度，2f+f为自由度，f为失效数，t为实验的时间，ss为实验样本量，AF为加速因子。
优选的，所述S4中NAND FLASH芯片的平均使用寿命的计算式为：MTTF＝1/λ,其中MTTF为NAND FLASH芯片的平均使用寿命，λ为NAND FLASH芯片的失效率。
有益效果
本发明提供了一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法。与现有技术相比具备以下有益效果：该NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，通过在S1、芯片筛分：首先将所需检测的芯片进行归类，通过芯片的检测仪器，首先判断芯片是否能够正常进行使用，将不能使用或是存在较大的故障的芯片进行剔除，对留下来较好的芯片进行检测；S2、建立模型：先建立第一个温度加速模型，基于到实际的NAND FLASH芯片运行环境，从而可以测算出温度加速因子；一次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立电压和温度的加速模型；并对NAND FLASH芯片进行实时的检测，测算出电压温度加速因子；二次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立湿度和温度的加速模型；并对NANDFLASH芯片进行实时的检测，测算出湿度温度加速因子；三次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，对温度的高低进行调整，从而来测算出温度变化加速因子；S3、形成综合模型：当NAND FLASH芯片的工作环境同时存在温度、湿度和电压的应力时，假设应力之间没有相互的影响，测算出温度、湿度、电压加速因子；S4、寿命计算：根据S1-S3中的对应数据，根据所对应的实际情况选取对应合适的加速模型，计算出NAND FLASH芯片的失效率，并通过所测算的数据计算出对应的NAND FLASH芯片平均使用寿命，通过建立不同的加速模型，基于到实际的NAND FLASH芯片运行环境，得到对应的加速因子，从而测算出最后NANDFLASH芯片的读写寿命，不仅可以将一些外接因素纳入进来，而且使得测算的结果也更快一些，极大的提高了该测试方法的准确性，同时降低了NAND FLASH芯片测算步骤的难度，便于技术人员更好的进行监测。
附图说明
图1为本发明测试方法的工艺流程图；
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明提供一种技术方案：一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，具体包括以下步骤：
S1、芯片筛分：首先将所需检测的芯片进行归类，通过芯片的检测仪器，首先判断芯片是否能够正常进行使用，将不能使用或是存在较大的故障的芯片进行剔除，对留下来较好的芯片进行检测；
S2、建立模型：先建立第一个温度加速模型，基于到实际的NAND FLASH芯片运行环境，从而可以测算出温度加速因子；
一次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立电压和温度的加速模型；并对NAND FLASH芯片进行实时的检测，测算出电压温度加速因子；
二次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立湿度和温度的加速模型；并对NAND FLASH芯片进行实时的检测，测算出湿度温度加速因子；
三次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，对温度的高低进行调整，从而来测算出温度变化加速因子；
S3、形成综合模型：当NAND FLASH芯片的工作环境同时存在温度、湿度和电压的应力时，假设应力之间没有相互的影响，测算出温度、湿度、电压加速因子；
S4、寿命计算：根据S1-S3中的对应数据，根据所对应的实际情况选取对应合适的加速模型，计算出NAND FLASH芯片的失效率，并通过所测算的数据计算出对应的NANDFLASH芯片平均使用寿命。
本发明中，S2中温度加速模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000061
其中AF(T)为温度加速因子，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度。
本发明中，S2中一次扩展模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000062
其中AF(T，V)为温度、电压加速因子，Va为试验时施加的电压，Vuse为实际使用的电压，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度，B为系数，根据不同的失效机理，默认值为1。
本发明中，S2中二次扩展模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000071
其中AF(T,rh)为湿度、温度加速因子，rha为试验湿度，rhuse为实际使用湿度，n为系数，一般取值为3，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度。
本发明中，S2中三次扩展模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000072
其中AF(ΔT)为温度变化加速因子，ΔTa为试验温度变化值，ΔTuse为实际使用的温度变化值，c为材料特性系数，在1到9之间取值，在无法得知详细情况下时，一般取值为4。
本发明中，S3中综合模型的模型计算式为：
Figure BDA0002820889420000073
其中AF(T,V,rh)为温度、电压、湿度加速因子，Va为试验时施加的电压，Vuse为实际使用的电压，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度，B为系数，根据不同的失效机理，默认值为1，rha为试验湿度，rhuse为实际使用湿度，n为系数，一般取值为3。
本发明中，S4中NAND FLASH芯片的失效率的计算式为：
Figure BDA0002820889420000081
其中
Figure BDA0002820889420000082
里面的χ2的分布，根据置信度和自由度查GB/T,其中CL为置信度，2f+f为自由度，f为失效数，t为实验的时间，ss为实验样本量，AF为加速因子。
本发明中，S4中NAND FLASH芯片的平均使用寿命的计算式为：MTTF＝1/λ,其中MTTF为NAND FLASH芯片的平均使用寿命，λ为NAND FLASH芯片的失效率。
综上所述，通过建立不同的加速模型，基于到实际的NAND FLASH芯片运行环境，得到对应的加速因子，从而测算出最后NAND FLASH芯片的读写寿命，不仅可以将一些外接因素纳入进来，而且使得测算的结果也更快一些，极大的提高了该测试方法的准确性，同时降低了NAND FLASH芯片测算步骤的难度，便于技术人员更好的进行监测。
同时本说明书中未作详细描述的内容均属于本领域技术人员公知的现有技术。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
S1、芯片筛分：首先将所需检测的芯片进行归类，通过芯片的检测仪器，首先判断芯片是否能够正常进行使用，将不能使用或是存在较大的故障的芯片进行剔除，对留下来较好的芯片进行检测；
S2、建立模型：先建立第一个温度加速模型，基于到实际的NAND FLASH芯片运行环境，从而可以测算出温度加速因子；
一次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立电压和温度的加速模型；并对NAND FLASH芯片进行实时的检测，测算出电压温度加速因子；
二次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，建立湿度和温度的加速模型；并对NAND FLASH芯片进行实时的检测，测算出湿度温度加速因子；
三次模型扩展：在第一个温度加速模型的基础上进行扩展，对温度的高低进行调整，从而来测算出温度变化加速因子；
S3、形成综合模型：当NAND FLASH芯片的工作环境同时存在温度、湿度和电压的应力时，假设应力之间没有相互的影响，测算出温度、湿度、电压加速因子；
S4、寿命计算：根据S1-S3中的对应数据，根据所对应的实际情况选取对应合适的加速模型，计算出NAND FLASH芯片的失效率，并通过所测算的数据计算出对应的NAND FLASH芯片平均使用寿命。
2.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：所述S2中温度加速模型的模型计算式为：
Figure FDA0002820889410000011
其中AF(T)为温度加速因子，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度。
3.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：所述S2中一次扩展模型的模型计算式为：
Figure FDA0002820889410000021
其中AF(T，V)为温度、电压加速因子，Va为试验时施加的电压，Vuse为实际使用的电压，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度，B为系数，根据不同的失效机理，默认值为1。
4.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：所述S2中二次扩展模型的模型计算式为：
Figure FDA0002820889410000022
其中AF(T,rh)为湿度、温度加速因子，rha为试验湿度，rhuse为实际使用湿度，n为系数，一般取值为3，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度。
5.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：所述S2中三次扩展模型的模型计算式为：
Figure FDA0002820889410000023
其中AF(ΔT)为温度变化加速因子，ΔTa为试验温度变化值，ΔTuse为实际使用的温度变化值，c为材料特性系数，在1到9之间取值，在无法得知详细情况下时，一般取值为4。
6.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：所述S3中综合模型的模型计算式为：
Figure FDA0002820889410000031
其中AF(T,V,rh)为温度、电压、湿度加速因子，Va为试验时施加的电压，Vuse为实际使用的电压，Ea为活化能，根据不同的失效机理，在0.2ev到1.2ev之间的取值，k为波尔兹曼常数，Tuse为实际使用的环境温度，Ta为试验温度，B为系数，根据不同的失效机理，默认值为1，rha为试验湿度，rhuse为实际使用湿度，n为系数，一般取值为3。
7.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：所述S4中NAND FLASH芯片的失效率的计算式为：
Figure FDA0002820889410000032
其中
Figure FDA0002820889410000033
里面的χ2的分布，根据置信度和自由度查GB/T,其中CL为置信度，2f+f为自由度，f为失效数，t为实验的时间，ss为实验样本量，AF为加速因子。
8.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH芯片读写寿命的快速测试方法，其特征在于：所述S4中NAND FLASH芯片的平均使用寿命的计算式为：MTTF＝1/λ,其中MTTF为NAND FLASH芯片的平均使用寿命，λ为NAND FLASH芯片的失效率。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113779884A (zh) * 2021-09-14 2021-12-10 慧镕电子系统工程股份有限公司 一种回收芯片使用寿命的检测方法
CN114067901A (zh) * 2022-01-17 2022-02-18 深圳市安信达存储技术有限公司 嵌入式存储芯片的集群测试方法、测试终端及存储介质
CN114460829A (zh) * 2022-02-18 2022-05-10 中科启迪光电子科技(广州)有限公司 一种芯片原子钟的加速老化可靠性试验装置及方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005346748A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体メモリ装置の信頼性試験方法
CN101751978A (zh) * 2008-12-01 2010-06-23 研祥智能科技股份有限公司 一种基于nand flash的电子盘及其运行控制方法
CN102252898A (zh) * 2011-03-09 2011-11-23 北京航空航天大学 基于“寿命－应力”模型的电子产品加速寿命试验方法
CN102721934A (zh) * 2011-03-29 2012-10-10 海洋王照明科技股份有限公司 一种驱动电源使用寿命的加速检测方法
CN108847267A (zh) * 2018-05-23 2018-11-20 武汉忆数存储技术有限公司 一种基于错误模式的闪存寿命测试方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005346748A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 強誘電体メモリ装置の信頼性試験方法
CN101751978A (zh) * 2008-12-01 2010-06-23 研祥智能科技股份有限公司 一种基于nand flash的电子盘及其运行控制方法
CN102252898A (zh) * 2011-03-09 2011-11-23 北京航空航天大学 基于“寿命－应力”模型的电子产品加速寿命试验方法
CN102721934A (zh) * 2011-03-29 2012-10-10 海洋王照明科技股份有限公司 一种驱动电源使用寿命的加速检测方法
CN108847267A (zh) * 2018-05-23 2018-11-20 武汉忆数存储技术有限公司 一种基于错误模式的闪存寿命测试方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨跃胜;傅霖煌;武岳山;: "基于芯片产品的加速寿命试验研究综述", 中国集成电路, no. 09, 5 September 2020 (2020-09-05) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113779884A (zh) * 2021-09-14 2021-12-10 慧镕电子系统工程股份有限公司 一种回收芯片使用寿命的检测方法
CN114067901A (zh) * 2022-01-17 2022-02-18 深圳市安信达存储技术有限公司 嵌入式存储芯片的集群测试方法、测试终端及存储介质
CN114460829A (zh) * 2022-02-18 2022-05-10 中科启迪光电子科技(广州)有限公司 一种芯片原子钟的加速老化可靠性试验装置及方法
CN114460829B (zh) * 2022-02-18 2022-08-02 中科启迪光电子科技(广州)有限公司 一种芯片原子钟的加速老化可靠性试验装置及方法

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