CN112457791A - 耐高温保护膜及其制备工艺、ito导电膜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种耐高温保护膜及其制备工艺、ITO导电膜,耐高温保护膜包括保护膜基材层、覆盖于所述保护膜基材层上的胶黏剂层,所述胶黏剂层为丙烯酸类胶黏剂层,所述胶黏剂层为掺杂了2‑8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者2‑8wt%四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层,厚度为4‑30μm。耐高温保护膜与使用同材质基材的ITO导电膜具有较相匹配的热收缩率,可大大提高制程良率,确保ITO导电膜应用制程的平整性,保障ITO导电膜应用制程顺畅;并具有优异的耐温性能,经过ITO导电膜应用制程高温,避免耐高温保护膜分离或撕除困难,无残胶转移到ITO膜上,确保产品质量,且确保ITO导电膜HC面表面能衰减较小,保障优异的印刷性能,制程良率高,产品性能更好。
Description
技术领域
本发明涉及导电膜领域,尤其涉及耐高温保护膜及其制备工艺、ITO导电膜。
背景技术
导电膜是指采用磁控溅射的方法,在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品;导电膜分为ITO导电玻璃、ITO导电膜及非ITO导电膜三大类;其中,ITO导电膜应用最为广泛。在制作工艺中,ITO导电膜的主体基材表面不耐划伤、易受污染,因此在制作导电膜的时候需要通过一个特定的保护膜对其表面起防止划伤和污染的作用。
ITO导电膜由于制作工艺的特殊性,制程中需经受高温处理,高温处理过程对于产品是一个极其严格的考验,第一,高温处理的时候保护膜的胶水容易产生残胶和颗粒状不良导致成品质量不合格,第二,高温处理过程极易造成ITO导电膜发生翘曲,严重影响产品质量甚至造成残次品。所以,要推广ITO导电膜,克服上述不利已经迫在眉睫。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种耐高温保护膜的制备工艺。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种ITO导电膜专用的耐高温保护膜的制备工艺,包括如下步骤:
步骤一、放卷将保护膜基材层展开铺平,所述保护膜基材层厚度为23um-188um,高温测试150℃*1h*3次,每次静置30min以上,雾度变化△H≤3%;
步骤二、在保护膜基材层上涂布一层胶黏剂层,胶黏剂为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂,或者为掺杂了 2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂;
步骤三、将涂布了胶黏剂层的保护膜基材层以15-25m/min的速度在30m长的烘道内烘干,30m烘道分为5m*6节,1-6节烘箱的温度阶梯设置,分别为40-50℃、60-70℃、100-110℃、125-130℃、125-130℃、100-110℃,烘干后所述胶黏剂层厚度为4-30μm;
步骤四、在胶黏剂层上再覆盖使用时撕除的离型保护膜,并收卷;
步骤五、收卷后存放在温度为45℃的老化房中熟化72h,制得所述耐高温保护膜。
本发明还要解决的技术问题是提供一种由所述耐高温保护膜的制备工艺制作而出的耐高温保护膜。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种由所述耐高温保护膜的制备工艺制作而出的耐高温保护膜,专用于ITO导电膜制程保护,包括保护膜基材层、覆盖于所述保护膜基材层上的胶黏剂层、覆盖于所述胶黏剂层上使用时撕除的离型保护膜,所述保护膜基材层厚度为23um-188um,高温测试150℃*1h*3次,每次静置30min以上,雾度变化△H≤3%,所述胶黏剂层为丙烯酸类胶黏剂层,所述胶黏剂层为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层,厚度为4-30μm。
在某些实施方式中,所述胶黏剂层厚度为8-15μm。
本发明还要解决的技术问题是提供一种包含所述耐高温保护膜的ITO导电膜。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种ITO导电膜,包含上述任意一项所述的耐高温保护膜,还包括ITO导电膜本体,所述耐高温保护膜贴附于ITO导电膜本体上,ITO导电膜本体包括导电膜基材层、分别覆盖于所述导电膜基材层正反两面的ITO层和HC层,所述胶黏剂层黏结覆盖在所述HC层上,所述保护膜基材层与所述导电膜基材层材质相同。
在某些实施方式中,所述保护膜基材层为PET层、COP层、PI层或PC层。
在某些实施方式中,涂布有所述胶黏剂层的保护膜基材层经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1,与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配:-0.2%≤(TD1-TD2)≤0.3%,-0.2%≤(MD1-MD2)≤0.3%。
在某些实施方式中,涂布有所述胶黏剂层的保护膜基材层经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1,与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配:-0.1%≤(TD1-TD2)≤0.1%,-0.1%≤(MD1-MD2)≤0.1%。
在某些实施方式中,经耐高温测试,150℃*1h*3次,每次静置30min以上,所述胶黏剂层对HC面剥离力5-40g/25mm,HC面表面达因值≥32dyn。
在某些实施方式中,经耐高温测试,150℃*1h*3次,每次静置30min以上,所述胶黏剂层对HC面剥离力为10-30g/25mm,HC面表面达因值≥34dyn。
在某些实施方式中,经耐高温测试,150℃*1h*3次,每次静置30min以上,所述胶黏剂层对HC面剥离无残胶。
本发明的范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:采用了本方案胶黏剂层的耐高温保护膜,用于ITO导电膜的非ITO面制程保护,与使用同材质基材的ITO导电膜具有较相匹配的热收缩率,可大大提高制程良率,确保ITO导电膜应用制程的平整性,保障ITO导电膜应用制程顺畅;并具有优异的耐温性能,经过ITO导电膜应用制程高温,避免耐高温保护膜分离或撕除困难,无残胶转移到ITO膜上,确保产品质量,且确保ITO导电膜HC面表面能衰减较小,保障优异的印刷性能,制程良率高,产品性能更好。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供的一种专用于ITO导电膜的耐高温保护膜,包括保护膜基材层10、覆盖于所述保护膜基材层10上的胶黏剂层11、覆盖于所述胶黏剂层11上使用时撕除的离型保护膜。将离型保护膜撕除后贴附于ITO导电膜后,其层叠结构如图1所示,由下往上层叠设置的保护膜基材层10、胶黏剂层11、HC层12,导电膜基材层13,ITO层14。
一种耐高温保护膜的制备工艺,包括如下步骤:
步骤一、放卷将保护膜基材层展开铺平,所述保护膜基材层厚度为23um-188um,高温测试150℃*1h*3次,每次静置30min以上,雾度变化△H≤3%;
步骤二、在保护膜基材层上通过刮刀、狭缝、凹版等涂布方式涂布一层胶黏剂层,胶黏剂层为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者掺杂了 2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层;
步骤三、将涂布了胶黏剂层的保护膜基材层以15-25m/min的速度在30m长的烘道内烘干,30m烘道分为5m*6节,1-6节烘箱的温度阶梯设置,分别为40-50℃、60-70℃、100-110℃、125-130℃、125-130℃、100-110℃,烘干后所述胶黏剂层厚度为4-30μm;
步骤四、在胶黏剂层上再覆盖使用时撕除的离型保护膜,收卷;
步骤五、收卷后存放在温度为45℃的老化房中熟化72h,制得所述耐高温保护膜。
胶黏剂层为采用掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者掺杂了 2-8wt%四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层,具有较好的交联固化作用,并采用阶梯烘干温度后,有效避免了涂层表观缺陷。
通过对各层材料、或组成含量、或厚度搭配不同选择,可以形成多种不同的实施例,下面我们就例举三个实施例对我们的产品及其性能加以说明:
实施例1
一种ITO导电膜,包括75um厚的PET保护膜基材层10、15um厚的掺杂了 5wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯丙烯酸类胶黏剂层11、HC层12, PET导电膜基材层13,ITO层14。这种具有耐高温保护膜的ITO导电膜,经150℃* 1h*3次,每次静置30min后,热收缩率TD1、MD1与ITO导电膜TD2、MD2热收缩率相匹配为0.01%,对HC面剥离力为15g/25mm,HC面表面达因值36dyn。此时ITO用耐高温保护膜具有较佳的平整性、剥离无残胶。
实施例2
一种ITO导电膜,包括125um厚的COP保护膜基材层10、25um厚的掺杂了8wt%四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯丙烯酸类胶黏剂层11、HC层12,COP导电膜基材层13,ITO层14。这种具有耐高温保护膜的ITO导电膜,经150℃* 1h*3次,每次静置30min后,热收缩率TD1、MD1与ITO导电膜TD2、MD2热收缩率相匹配为0.06%,对HC面剥离力21g/25mm,HC面表面达因值36dyn。此时ITO用耐高温保护膜具有较佳的平整性、剥离无残胶。
实施例3
一种ITO导电膜,包括50um厚的PI保护膜基材层10、10um厚的掺杂了2wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯丙烯酸类胶黏剂层11、HC层12、PI导电膜基材层13、ITO层14。这种具有耐高温保护膜的ITO导电膜,经150℃* 1h*3次,每次静置30min后,热收缩率TD1、MD1与ITO导电膜TD2、MD2热收缩率相匹配为0.1%,对HC面剥离力35g/25mm,HC面表面达因值32dyn。此时ITO用耐高温保护膜具有较佳的平整性、剥离无残胶。
下表为耐高温保护膜收缩率实验表:
保护膜 基材层材质 | 厚度 | 胶黏剂层材质 | 厚度 | 保护膜基材层经过涂胶制程后150℃,30minTD1(%) | 保护膜基材层经过涂胶制程后150℃,30minMD1(%) | ITO导电膜TD2(%) | ITO导电膜MD2(%) | TD1-TD2(%) | MD1-MD2(%) | |
实施例1 | PET | 75um | 掺杂了5wt% 六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯 丙烯酸类胶黏剂 | 15um | 0.34 | 0.29 | 0.33 | 0.28 | 0.01 | 0.01 |
实施例2 | COP | 125um | 掺杂了8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯 丙烯酸类胶黏剂 | 25um | 0.45 | 0.52 | 0.39 | 0.46 | 0.06 | 0.06 |
实施例3 | PI | 50um | 掺杂了2wt% 六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯 丙烯酸类胶黏剂 | 10um | 0.47 | 0.53 | 0.37 | 0.43 | 0.1 | 0.1 |
表格中,MD为纵向收缩率(%),TD为横向收缩率(%);
由此表得出结论:绝对值收缩率(%)越小,翘起率越好,其中,若TD1大于TD2,则耐高温保护膜收缩率较大, ITO膜向着耐高温保护膜方向翘,反之为相反。
耐高温保护膜用于ITO导电膜的非ITO面制程保护,与使用同材质基材的ITO导电膜具有较相匹配的热收缩率,可大大提高制程良率,确保ITO导电膜应用制程的平整性,保障ITO导电膜应用制程顺畅;并具有优异的耐温性能,经过ITO导电膜应用制程高温,避免耐高温保护膜分离或撕除困难,无残胶转移到ITO膜上,确保产品质量,且确保ITO导电膜HC面表面能衰减较小,保障优异的印刷性能,制程良率高,产品性能更好。
当然上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明主要技术方案的精神实质所做的修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种ITO导电膜专用的耐高温保护膜的制备工艺,其特征在于:包括如下步骤 :
步骤一、放卷将保护膜基材层展开铺平,所述保护膜基材层厚度为23um-188um,高温测试150℃*1h*3次,每次静置30min以上,雾度变化△H≤3%;
步骤二、在保护膜基材层上涂布一层胶黏剂层,胶黏剂为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂,或者为掺杂了 2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂;
步骤三、将涂布了胶黏剂层的保护膜基材层以15-25m/min的速度在30m长的烘道内烘干,30m烘道分为5m*6节,1-6节烘箱的温度阶梯设置,分别为40-50℃、60-70℃、100-110℃、125-130℃、125-130℃、100-110℃,烘干后所述胶黏剂层厚度为4-30μm;
步骤四、在胶黏剂层上再覆盖使用时撕除的离型保护膜,并收卷;
步骤五、收卷后存放在温度为45℃的老化房中熟化72h,制得所述耐高温保护膜。
2.一种由权利要求1所述的制备工艺制作而出的耐高温保护膜,专用于ITO导电膜制程保护,其特征在于:包括保护膜基材层(10)、覆盖于所述保护膜基材层(10)上的胶黏剂层(11)、覆盖于所述胶黏剂层(11)上使用时撕除的离型保护膜,所述保护膜基材层(10)厚度为23um-188um,高温测试150℃*1h*3次,每次静置30min以上,雾度变化△H≤3%,所述胶黏剂层(11)为丙烯酸类胶黏剂层,所述胶黏剂层(11)为掺杂了2-8wt%六氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯或者2-8wt% 四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯的丙烯酸类胶黏剂层,厚度为4-30μm。
3.根据权利要求2所述的耐高温保护膜,其特征在于:所述胶黏剂层(11)厚度为8-15μm。
4.一种ITO导电膜,使用了权利要求2-3中任意一项所述的耐高温保护膜,其特征在于:还包括ITO导电膜本体,所述耐高温保护膜贴附于ITO导电膜本体上,ITO导电膜本体包括导电膜基材层(13)、分别覆盖于所述导电膜基材层(13)正反两面的ITO层(14)和HC层(12),所述胶黏剂层(11)黏结覆盖在所述HC层(12)上,所述保护膜基材层(10)与所述导电膜基材层(13)材质相同。
5.根据权利要求4所述的ITO导电膜,其特征在于:所述保护膜基材层(10)为PET层、COP层、PI层或PC层。
6.根据权利要求5所述的ITO导电膜,其特征在于:涂布有所述胶黏剂层(11)的保护膜基材层(10)经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1,与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配:-0.2%≤(TD1-TD2)≤0.3%,-0.2%≤(MD1-MD2)≤0.3%。
7.根据权利要求6所述的ITO导电膜,其特征在于:涂布有所述胶黏剂层(11)的保护膜基材层(10)经过150℃*30min后的热收缩率TD1、MD1,与ITO导电膜本体的热收缩TD2、MD2相匹配:-0.1%≤(TD1-TD2)≤0.1%,-0.1%≤(MD1-MD2)≤0.1%。
8.根据权利要求5所述的ITO导电膜,其特征在于:经耐高温测试,150℃*1h*3次,每次静置30min以上,所述胶黏剂层(11)对HC面剥离力5-40g/25mm,HC面表面达因值≥32dyn。
9.根据权利要求8所述的ITO导电膜,其特征在于:经耐高温测试,150℃*1h*3次,每次静置30min以上,所述胶黏剂层(11)对HC面剥离力为10-30g/25mm,HC面表面达因值≥34dyn。
10.根据权利要求9所述的ITO导电膜,其特征在于:经耐高温测试,150℃*1h*3次,每次静置30min以上,所述胶黏剂层(11)对HC面剥离无残胶。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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