CN112449519A - 壳体及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种壳体及其制备方法，壳体的制备方法包括以下步骤：步骤S110，提供陶瓷基材，陶瓷基材包括相背设置的外表面和内表面，外表面为曲面；步骤S120，在外表面镀膜形成膜层；步骤S130，在膜层的部分区域通过喷涂形成遮蔽层；步骤S140，清除未被遮蔽层覆盖的膜层；及步骤S150，清除遮蔽层，未被清除的膜层形成图案；其中，图案的面积小于或等于外表面的面积的二分之一。通过喷涂的方式设置遮蔽层，可以在弧面处绘制任何形状的遮蔽层。通过光学镀膜形成膜层的方式成本交底，而喷胶形成遮蔽层成本较高，所以减小遮蔽层的面积能够节省成本。针对图案的面积小于或等于外表面的面积的二分之一的情况，上述制造成本低，且可实现曲面的膜层的装饰效果。

Description

壳体及其制备方法

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，特别是涉及一种壳体及其制备方法。

背景技术

电子设备的壳体的外表面存在2.5D或3D曲面，对该外表面进行镀膜时，成本较高且在弧面处易形成断面现象。

发明内容

本申请的第一方面，一实施例提供一种壳体的制备方法，以解决上述在曲面上镀膜时成本较高且易形成断面的技术问题。

一种壳体的制备方法，包括以下步骤：

步骤S110，提供陶瓷基材，所述陶瓷基材包括相背设置的外表面和内表面，所述外表面为曲面；

步骤S120，在所述外表面镀膜形成膜层；

步骤S130，在所述膜层的部分区域通过喷涂形成遮蔽层；

步骤S140，清除未被所述遮蔽层覆盖的所述膜层；及

步骤S150，清除所述遮蔽层，未被清除的所述膜层形成图案；

其中，所述图案的面积小于或等于所述外表面的面积的二分之一。

上述壳体的制备方法，陶瓷基材的外表面为曲面，在陶瓷基材的外表面镀膜形成膜层，在膜层的部分位置通过喷涂形成遮蔽层以保护该位置的膜层，清洗未被遮蔽层覆盖的膜层，之后清洗遮蔽层，被遮蔽层覆盖的膜层形成图案。由于陶瓷基材的外表面为曲面，若采用丝印的方式设置遮蔽层，则在陶瓷基材的弧面处，丝网的网版的张力有限，很难在弧面处完整的印刷出需要的遮蔽层，容易在弧面处形成断面，从而得到的图案与预设图案不同。而通过喷涂的方式设置遮蔽层，可以绘制任何需要的形状的遮蔽层。因光学镀膜的容器比如炉体内一次可以放置多个陶瓷基材，比如几百或上千个陶瓷基材，而喷胶形成遮蔽层则需要用喷胶机的胶枪对陶瓷基材进行单个喷胶，所以通过光学镀膜形成膜层的方式成本交底，而喷胶形成遮蔽层的方式成本较高，所以减小遮蔽层的面积能够节省成本。针对图案的面积小于或等于外表面的面积的二分之一的情况，若先在外表面喷胶再进行光学镀膜，则喷胶形成的遮蔽层的面积大于外表面的面积的二分之一，因喷胶成分较高，则增加了壳体的制造成本。而通过首先设置膜层，在膜层上喷涂遮蔽层，之后再分别清洗膜层和遮蔽层的方式得到图案，喷胶形成的遮蔽层的面积不大于外表面的面积的二分之一，该方法制造成本较低，且可以实现外表面为曲面时在弧面处的膜层的装饰效果。

在其中一个实施例中，所述步骤S110包括：

采用原材料通过干压成型或流延成型或注射成型制备陶瓷坯料；

将所述陶瓷坯料进行排胶、烧结制得所述陶瓷基材。

在其中一个实施例中，所述步骤S120中，所述在所述外表面镀膜形成膜层的步骤包括：

将所述陶瓷基材进行辉光清洗；

采用离子束分别清洗靶材和所述陶瓷基材；

在所述外表面沉积膜层。

在其中一个实施例中，在所述将所述陶瓷基材进行辉光清洗的步骤之前还包括如下步骤：

将所述陶瓷基材进行镀前处理；

将所述陶瓷基材进行预热；

将所述陶瓷基材所在的容器进行抽真空。

在其中一个实施例中，所述步骤S130中，所述在所述膜层的部分区域通过喷涂形成遮蔽层的步骤包括：

按照程序设定将胶水喷涂于所述膜层的背向所述外表面的一侧，形成遮蔽层，所述遮蔽层的形状和尺寸与所述图案的形状和尺寸相同。

在其中一个实施例中，所述按照程序设定将胶水喷涂于所述膜层的背向所述外表面的一侧，形成遮蔽层的步骤之前，还包括如下步骤：

清洗所述陶瓷基材；

将所述陶瓷基材固定；及

设定喷涂采用的喷枪的参数。

在其中一个实施例中，所述按照程序设定将胶水喷涂于所述膜层的背向所述外表面的一侧，形成遮蔽层的步骤之后，还包括如下步骤：

将所述遮蔽层烘干。

在其中一个实施例中，所述步骤S140中，所述清除未被所述遮蔽层覆盖的所述膜层的步骤包括：

将所述陶瓷基材置于第一清洗液中，所述第一清洗液能够清洗所述膜层而不损伤所述遮蔽层。

在其中一个实施例中，所述步骤S150中，所述清除所述遮蔽层的步骤包括：

将所述陶瓷基材置于第二清洗液中，所述第二清洗液能够清洗所述遮蔽层而不损伤所述膜层。

本申请的第二方面，一实施例提供一种壳体，以解决上述在曲面上镀膜时成本较高且易形成断面的技术问题。

一种壳体，所述壳体由所述的壳体的制备方法制得。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一实施例提供的电子设备的立体图；

图2为图1所示电子设备的壳体的主视图；

图3a为图2所示壳体的侧视图；

图3b为图2所示壳体的仰视图；

图3c为图2所示壳体的截面图；

图4为一实施例提供的壳体的制备方法的流程图；

图5为一实施例提供的陶瓷基材的制备方法的流程图；

图6为一实施例提供的膜层的制备方法的流程图；

图7为一实施例提供的去除膜层和去除遮蔽层的流程图；

图8为一实施例提供的壳体的主视图，其中，壳体的外表面设置膜层；

图9为图8所示壳体的主视图，其中，膜层上设置遮蔽层；

图10为图9所示壳体的主视图，其中，未被遮蔽的膜层被去除。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。

如图1和图2所示，在一实施例中，提供一种电子设备10，电子设备10可以为智能手机、电脑、平板或手表等。电子设备10包括显示屏组件200、壳体100和电路板(图未示)。壳体100为3D结构，显示屏组件200固定于壳体100，显示屏组件200和壳体100一起形成电子设备10的外部结构。在另一实施例中，壳体100为2.5D结构，电子设备10还包括中框300，显示屏组件200和壳体100分别固定于中框300的相背的两侧，显示屏组件200、中框300和壳体100一起形成电子设备10的外部结构。电路板位于电子设备10内部，电路板上集成有控制器、存储单元、电源管理单元、基带芯片等电子元件。显示屏组件200用来显示画面或字体，电路板可以控制电子设备10的运行。

在一实施例中，显示屏组件200采用LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)屏用于显示信息，LCD屏可以为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)屏幕或IPS(In-Plane Switching，平面转换)屏幕或SLCD(Splice Liquid Crystal Display，拼接专用液晶显示)屏幕。在另一实施例中，显示屏组件200采用OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机电激光显示)屏用于显示信息，OLED屏可以为AMOLED(Active Matrix OrganicLight Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体)屏幕或Super AMOLED(Super ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode，超级主动驱动式有机发光二极体)屏幕或SuperAMOLED Plus(Super Active Matrix Organic Light Emitting Diode Plus，魔丽屏)屏幕。在控制器的控制下，显示屏组件200能够显示信息且能够为用户提供操作界面。

如图2、图3a和图3b所示，在一实施例中，壳体100包括陶瓷基材110和图案120。陶瓷基材110包括相背设置的外表面101和内表面102，外表面101为曲面结构，即外表面101的边缘处存在平滑过渡的弧面结构103。图案120位于外表面101，图案120沿壳体100的长度方向或宽度方向延伸至壳体100的边缘，即图案120的部分结构位于弧面结构103处。图案120的形状可以为条形，也可以为其它形状，在此不做限定。图案120的内容可以为字体或图画，在此不做限定。图案120由光学镀膜制得，可以为透明结构，也可以为彩色结构，在不同角度观察壳体100，图案120呈现的颜色不同，随着光线入射角度的不同，图案120能够呈现流光溢彩的效果。图案120的面积不大于外表面101的面积的一半，图案120在不同位置的厚度可以相同也可以不同。陶瓷基材110的内表面102形成壳体100的内表面，图案120的外表面与陶瓷基材110的未被图案120覆盖的外表面101一起形成壳体100的外表面。

可以理解的是，如图3c所示，光线照射图案120时，图案120的外表面和图案120的内表面均能够反射光线，且图案120的外表面反射的光线与图案120的内表面反射的光线存在相遇的情况，如果光波的波峰与波峰重叠，则叠加后的波峰更高；如果两个波谷重叠，则叠加后的波谷加深；如果波峰与波谷重叠，则波峰与波谷重叠后消失。由于阳光包括多种颜色的光波，不同颜色的光波的波长不同，则图案120的某一位置的内外表面反射的光波叠加后呈现某一种颜色。图案120的厚度不同时，则在图案120的厚度不同的位置呈现的颜色不同，呈现绚丽多彩的颜色。比如，图案120的厚度沿一定方向上递增或递减时，图案120外表面的反射光线干扰图案120内表面的发射光线，就会产生光的干涉，可以形成特定的彩虹色光带。

在一实施例中，图案120包括至少一层沉积层，沉积层的材质为氧化铝、铟或氧化钛中的任意一种。可以理解的是，图案120可以包括一层沉积层，也可以包括两层沉积层或N层沉积层，每层沉积层的材质为氧化铝、铟或氧化钛中的任意一种。比如，N层沉积层可以为氧化铝、铟或氧化钛中任意两种材质或三种材质的叠加。各层沉积层叠加设计并且在陶瓷基材110的不同位置厚度存在差异，从而在颜色上形成单色或渐变效果。此外，图案120不会影响用户的陶瓷手感，使得壳体100具有陶瓷触感。

如图4所示，在一实施例中，提供一种壳体100的制备方法，该制备方法在批量生产壳体100时，能够缩减制造成本，该制备方法包括以下步骤：

步骤S110，提供陶瓷基材110，陶瓷基材110包括相背设置的外表面101和内表面102，外表面101为曲面；

步骤S120，在外表面101镀膜形成膜层130；

步骤S130，在膜层130的部分区域通过喷涂形成遮蔽层140；

步骤S140，清除未被遮蔽层140覆盖的膜层130；及

步骤S150，清除遮蔽层140，未被清除的膜层130形成图案120。

如图5所示，在一实施例中，步骤S110包括如下内容，配置原材料。原材料包括陶瓷粉料和粘接剂，将陶瓷粉料与粘结剂混合，进行注射成型或流延成型或干压成型，制得陶瓷坯料。具体的，根据陶瓷种类，陶瓷粉料可以包括氧化铝粉末、氧化锆粉末或氮化锆粉末以及相应混合物，且粉末纯度在99.99％以上。粘结剂可以使用石蜡、聚乙二醇、硬脂酸、邻苯二甲酸二辛脂、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲醛中的一种或多种。陶瓷粉料的质量百分含量为70％～99％，粘结剂的质量百分含量为1％～30％，具体依据所选择的陶瓷制备工艺为准。

如图5所示，在一实施例中，将陶瓷坯料放到排胶箱中排胶或脱脂，排胶或脱脂温度控制在400℃以下，时间控制在0.5h～4h。排胶或脱脂后，样品无扭曲变形、无开裂、无异色等问题。将排胶后的陶瓷坯料放入烧结炉中，在还原或者氧化或者惰性气氛中进行烧结制得陶瓷基材110。烧结温度大于1200℃，烧结时间为0.5h～10h。在上述排胶和脱脂的工艺参数下制得的陶瓷基材110可达到气孔较小、收缩率较大、产品较致密、性能较优良的状态。将陶瓷基材110进行后处理，后处理包括将烧结后得到的陶瓷基材110进行打磨、抛光，并进行CNC加工使得陶瓷基材110符合尺寸要求，并检测陶瓷基材110的表面质量。陶瓷基材110可以根据需要制备为2.5D结构或3D结构，使得外表面101为曲面。

步骤S120，在外表面101镀膜形成膜层130。

如图6和图8所示，在一实施例中，对陶瓷基材110的外表面101进行光学镀膜形成膜层130。具体的，将陶瓷基材110进行镀前处理，依次用去油洗液、有机溶剂、超声波去离子水清洗陶瓷基材110，清洗结束后，人工擦拭然后迅速吹干，防止水汽影响光学镀膜，然后将干燥的陶瓷基材110装入能够光学镀膜的容器内，比如炉体。可以理解的是，单个容器内可以放置较多的陶瓷基材110，比如几百或几千个陶瓷基材110，即较多的陶瓷基材110可以一起光学镀膜，降低陶瓷基材110的光学镀膜的成本，使得单个陶瓷基材110的光学镀膜的成本较低。将陶瓷基材110在容器内预热10min～20min，使得陶瓷基材110的温度到达80℃～100℃。使陶瓷基材110表面的杂质气体被释放并通过抽真空将杂质气体排出，避免在陶瓷基材110镀膜过程中杂质气体被释放而影响光学镀膜的膜层130的纯度，或影响膜层130与陶瓷基材110的结合力及耐磨性。将容器内进行抽真空，抽真空时间30min～40min，使得容器内的真空度达2×10^-3～5×10^-3Pa范围内。容器内的真空环境越高，光学镀膜形成的膜层130的纯度越高，增透效果越明显，且膜层130的色相发黄的效果更弱。

如图6和图8所示，在一实施例中，让真空容器内通入氩气，并开启容器的脉冲偏压电源，辉光清洗陶瓷基材110，通过氩离子轰击陶瓷基材110的表面，以去除陶瓷基材110表面的碳、氧及碳氢化合物杂质。辉光清洗结束后，采用容器内的离子束对靶材表面进行清洁。通入少量氩气，开启金属靶材，关闭靶材屏蔽罩，对靶材表面进行去污处理，去除靶材表面金属氧化物薄层，减小对后续光学镀膜产生的膜层130的污染。之后采用离子束对陶瓷基材110进行表面清洗，关系磁控靶材，开启弧靶电源，关闭屏蔽罩，开启吸极电源，高强度等离子体清洗陶瓷基材110及活化表面化学键，清洗时间为5min～10min。

如图6和图8所示，在一实施例中，对处理后的陶瓷基材110的外表面101进行光学镀膜，开启磁控靶材，打开磁控靶材屏蔽罩，通入气体在陶瓷基材110的外表面101沉积至少一层沉积层形成膜层130，沉积层的材质包括氧化铝、铟或氧化钛等材料中的任意一种。不同材质的沉积层交替沉积，每层沉积层的厚度通过沉积时间和测膜厚装置控制厚度，实现膜层130的厚度的精准控制。光学镀膜结束后，冷却至室温，取出陶瓷基材110，真空容器恢复至真空。膜层130的面积与陶瓷基材110的外表面101相同，即膜层130完全覆盖陶瓷基材110的外表面101。可以理解的是，沉积层的材质不同，则沉积层的折射率和透光率不同，阳光照射后产生不同的颜色。可以根据实际需要对膜层130的沉积层的叠层设置及厚度进行设计，使得膜层130被阳光照射后达到需要的颜色显示效果。

步骤S130，在膜层130的部分区域通过喷涂形成遮蔽层140。

如图7和图9所示，在一实施例中，首先，预处理陶瓷基材110，通过去离子水、超声波和中性清洗剂将陶瓷基材110清洗干净。其次，检查喷胶机的喷枪，确保喷枪通畅以及气压正常，正常气压的范围为3MPa～6MPa。之后将陶瓷基材110放置在样品台上，设有膜层130的一侧背向样品台的台面，并通过摄像头孔位或闪光灯孔位等进行定位，避免陶瓷基材110在样品台上发生移动。

通过画图软件比如CAD设计图案120的形状和尺寸，并将画图软件设计的图案120导入程序控制系统中，程序控制系统设定喷枪的参数并控制喷枪按照程序设定的参数进行工作，喷枪按照图案120确定移动轨迹，即喷枪的移动轨迹与图案120相同。程序设定的参数包括喷枪的气压、胶水粘度、喷胶线宽等。在一实施例中，设定气压为3MPa；胶水粘度为2000CPS～20000CPS，且胶水粘度可调；喷胶线宽为0.05mm以内。选择胶水并置于喷枪内。胶水的液滴应在喷涂后不扩散，从而保证形成精细的图案120，并且在清洗的过程中，不翘起从而避免药液渗入。在一实施例中，胶水可以为油墨。

按照图案120和程序控制系统设定的喷枪的参数来控制喷枪工作，从而在膜层130的背向陶瓷基材110的一侧喷涂胶水形成遮蔽层140。遮蔽层140的形状和尺寸与画图软件设计的图案120的形状和尺寸相同，且遮蔽层140的面积不大于膜层130的面积的一半。之后将陶瓷基材110放置在烘箱中，设定烘箱的温度为60℃～100℃，烘烤时间为10min～30min，从而使得遮蔽层140固化在膜层130的表面。

可以理解的是，与光学镀膜形成膜层130的步骤相比，使用喷枪在膜层130的表面形成遮蔽层140的步骤单次只能处理单个陶瓷基材110，即喷涂形成遮蔽层140的步骤无法单次处理较多的陶瓷基材110，使得单个陶瓷基材110的喷涂遮蔽层140的成本较高，高于单个陶瓷基材110进行光学镀膜的成本。所以，针对大批量制备壳体100时，需要重点考虑的是如何将降低喷涂遮蔽层140的成本，遮蔽层140的面积较小时，成本较低，即设计壳体100的制备工艺路线时，减小遮蔽层140的面积即可以降低壳体100的制造成本。所以针对图案120的面积小于等于外表面101的面积的二分之一时，则考虑遮蔽层140的面积等于图案120的面积，即在外表面101上完全覆盖膜层130，采用遮蔽层140遮蔽部分膜层130，经过清洗未被遮蔽的膜层130以及清洗遮蔽层140，剩余的膜层130即为图案120。

步骤S140，清除未被遮蔽层140覆盖的膜层130。

如图7和图10所示，在一实施例中，将设有遮蔽层140的陶瓷基材110浸入第一清洗液内进行浸泡。第一清洗液能够清洗膜层130且不伤害遮蔽层140。经过第一清洗液的浸泡，膜层130被清洗去除，遮蔽层140不会受到损伤，且遮蔽层140覆盖的膜层130同样不会受到损伤。经第一清洗液清洗后，得到如图10所示的结构。遮蔽层140覆盖的膜层130的形状和尺寸与画图软件设计的图案120的形状和尺寸相同。

步骤S150，清除遮蔽层140，未被清除的膜层130形成图案120。

如图2和图7所示，在一实施例中，首先，将经第一清洗液处理后的陶瓷基材110采用清水进行冲洗，以洗去第一清洗液，避免第一清洗液污染后续的第二清洗液而导致第二清洗液损伤遮蔽层140覆盖的膜层130。其次，将清洗后的陶瓷基材110放置于第二清洗液内浸泡。第二清洗液能够清洗遮蔽层140且不会伤害膜层130。经第二清洗液的浸泡，遮蔽层140被清洗去除，遮蔽层140覆盖的膜层130不会受到损伤。经第二清洗液清洗后，得到如图2所示的结构。膜层130暴露于陶瓷基材110的外表面101的一侧，且膜层130的形状和尺寸与画图软件设计的图案120的形状和尺寸相同。

本申请的壳体100的制备方法，陶瓷基材110的外表面101为曲面，在陶瓷基材110的外表面101镀膜形成膜层130，在膜层130的部分位置通过喷涂形成遮蔽层140以保护该位置的膜层130，清洗未被遮蔽层140覆盖的膜层130，之后清洗遮蔽层140，被遮蔽层140覆盖的膜层130形成图案120。由于陶瓷基材110的外表面101为曲面，若采用丝印的方式设置遮蔽层140，则在陶瓷基材110的弧面处，丝网的网版的张力有限，很难在弧面处完整的印刷出需要的遮蔽层140。本申请通过喷涂的方式设置遮蔽层140，可以绘制任何需要的形状的遮蔽层140。可以理解的是，因光学镀膜的容器比如炉体内一次可以放置多个陶瓷基材110，比如几百或上千个陶瓷基材110，而喷胶形成遮蔽层140则需要用喷胶机的胶枪对陶瓷基材110进行单个喷胶，所以通过光学镀膜形成膜层130的方式成本交底，而喷胶形成遮蔽层140的方式成本较高，所以减小遮蔽层140的面积能够节省成本。针对图案120的面积小于或等于外表面101的面积的二分之一的情况，若先在外表面101喷胶再进行光学镀膜，则喷胶形成的遮蔽层140的面积大于外表面101的面积的二分之一，因喷胶成分较高，则增加了壳体100的制造成本。所以针对图案120的面积小于或等于外表面101的面积的二分之一的情况，通过首先设置膜层130，在膜层130上喷涂遮蔽层140，之后再分别清洗膜层130和遮蔽层140的方式得到图案120，喷胶形成的遮蔽层140的面积不大于外表面101的面积的二分之一，该方法制造成本较低，且可以实现外表面101为曲面时在弧面处的膜层130的装饰效果。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种壳体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S110，提供陶瓷基材，所述陶瓷基材包括相背设置的外表面和内表面，所述外表面为曲面；

步骤S120，在所述外表面镀膜形成膜层；

步骤S130，在所述膜层的部分区域通过喷涂形成遮蔽层；

步骤S140，清除未被所述遮蔽层覆盖的所述膜层；及

步骤S150，清除所述遮蔽层，未被清除的所述膜层形成图案；

其中，所述图案的面积小于或等于所述外表面的面积的二分之一。

2.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述步骤S110包括：

采用原材料通过干压成型或流延成型或注射成型制备陶瓷坯料；

将所述陶瓷坯料进行排胶、烧结制得所述陶瓷基材。

3.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述步骤S120中，所述在所述外表面镀膜形成膜层的步骤包括：

将所述陶瓷基材进行辉光清洗；

采用离子束分别清洗靶材和所述陶瓷基材；

在所述外表面沉积膜层。

4.根据权利要求3所述的壳体的制备方法，其特征在于，在所述将所述陶瓷基材进行辉光清洗的步骤之前还包括如下步骤：

将所述陶瓷基材进行镀前处理；

将所述陶瓷基材进行预热；

将所述陶瓷基材所在的容器进行抽真空。

5.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述步骤S130中，所述在所述膜层的部分区域通过喷涂形成遮蔽层的步骤包括：

按照程序设定将胶水喷涂于所述膜层的背向所述外表面的一侧，形成遮蔽层，所述遮蔽层的形状和尺寸与所述图案的形状和尺寸相同。

6.根据权利要求5所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述按照程序设定将胶水喷涂于所述膜层的背向所述外表面的一侧，形成遮蔽层的步骤之前，还包括如下步骤：

清洗所述陶瓷基材；

将所述陶瓷基材固定；及

设定喷涂采用的喷枪的参数。

7.根据权利要求5所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述按照程序设定将胶水喷涂于所述膜层的背向所述外表面的一侧，形成遮蔽层的步骤之后，还包括如下步骤：

将所述遮蔽层烘干。

8.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述步骤S140中，所述清除未被所述遮蔽层覆盖的所述膜层的步骤包括：

将所述陶瓷基材置于第一清洗液中，所述第一清洗液能够清洗所述膜层而不损伤所述遮蔽层。

9.根据权利要求1所述的壳体的制备方法，其特征在于，所述步骤S150中，所述清除所述遮蔽层的步骤包括：

将所述陶瓷基材置于第二清洗液中，所述第二清洗液能够清洗所述遮蔽层而不损伤所述膜层。

10.一种壳体，其特征在于，所述壳体由权利要求1～9任一项所述的壳体的制备方法制得。

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