CN112424910A - 面板的制造方法及激光处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提升了晶体膜的质量。于面板的制造方法当中，通过经由可透射激光的透光性部件4，将激光照射至非晶硅膜3A，以形成多晶硅膜。

Description

面板的制造方法及激光处理装置

技术领域

本发明涉及面板的制造技术及激光处理装置。

背景技术

于日本专利特开2012-54603号公报(专利文献1)及日本专利特开2016-162856号公报(专利文献2)当中，描述了关于存在于照射激光的照射部与被处理物体之间的气体气氛的技术。

日本专利特开2011-204912号公报(专利文献3)当中，描述了一种技术，该技术通过反射镜来将由被处理物体所反射的反射光，再次入射至被处理物体。

日本专利特开2011-204913号公报(专利文献4)当中，描述了一种技术，该技术基于由被处理物体所反射的反射光的功率，来控制从照射部入射至被处理物体的激光的输出。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-54603号公报

专利文献2：日本特开2016-162856号公报

专利文献3：日本特开2011-204912号公报

专利文献4：日本特开2011-204913号公报

发明内容

发明所欲解决问题

近年来，使用于液晶显示器、有机EL显示器等显示装置的基板持续进行大型化。伴随于此，用于施加激光退火处理的激光退火装置的也持续进行大型化，该激光退火处理是用来使形成于基板上的非晶膜转变为晶体膜。于此情况下，由于基板的大型化，导致难以稳定照射激光的照射部与基板之间的气氛，且基于气氛的不稳定性所导致晶体膜的劣化(不均)形成了问题而显现。因此，即使基板持续着大型化，仍然期待稳定气氛，以提升形成于基板上的晶体膜的质量。

根据本说明书的描述及附图，其他问题及新颖特征将变得显而易见。

解决问题的手段

于一实施型态的面板的制造方法当中，通过经由可透射激光的部件，将激光照射至非晶半导体膜，以形成多晶半导体膜。

发明功效

根据一实施型态，可提升晶体膜的质量。

附图说明

图1为表示作为液晶显示装置的大屏幕电视的外观图；

图2为表示作为液晶显示装置的移动通信装置的外观图；

图3为表示制造实施型态1中的显示装置的制造步骤的流程的流程图；

图4为表示实施型态1中的显示装置的配置示例的图；

图5为表示图4所示像素的配置示例的图；

图6为表示薄膜晶体管的器件结构的截面图；

图7为表示薄膜晶体管的制造步骤的流程的流程图；

图8为说明沟道膜的形成步骤的流程的流程图；

图9为表示相关技术中的激光处理装置的示意性配置的图；

图10为表示实施型态1中的激光处理装置的示意性配置的图；

图11为表示变形例1中的激光处理装置的示意性配置的图；

图12为说明变形例1中的激光处理装置中所特有的操作的流程图；

图13为表示变形例2中的激光处理装置的示意性配置的图；

图14为表示变形例3中的激光处理装置中所使用的搬运台的示意性外观构造的图；

图15为示意性表示使用了变形例3中的搬运台的激光处理装置；

图16为说明当使非晶硅膜转变为多晶硅膜时所产生的现象的图；

图17为说明当使非晶硅膜转变为多晶硅膜时所产生的现象的图；

图18为说明当使非晶硅膜转变为多晶硅膜时所产生的现象的图；

图19为表示实施型态2中的激光处理装置的示意性配置的图；

图20为表示实施型态2中的“基板结构体”的配置的平面图；

图21为沿着图20的A-A线所截取的截面图；

图22为表示“基板结构体”的制造步骤的截面图；

图23为表示接续图22的“基板结构体”的制造步骤的截面图；

图24为表示接续图23的“基板结构体”的制造步骤的截面图；

图25为表示接续图24的“基板结构体”的制造步骤的截面图；

图26为表示实施型态2的变形例1中的激光处理装置的配置的图；

图27为表示实施型态2的变形例2中的激光处理装置的配置的图。

具体实施方式

在以下实施型态中，为了方便起见，必要时，分割为多个部分或是实施型态来说明，但是除非另有说明，否则其彼此间并非无关，其中一者与另一者之间存在著作为对方的一部分或是完整的变形例、细节、补充说明等关系。

此外，于以下实施型态当中，当提到要件的数量等(包括数量、数值、量、范围等)时，除了特别明确说明时及原理上显然限定为特定数量时之外，并不限于此特定的数量，可为特定数量以上或是以下。

另外，于以下的实施型态中，除了是认为此构成要件(包含要件步骤等)有特别明确说明时及原理上显然必须时之外，否则理所当然地，其不一定为必须。

同样地，于以下实施型态当中，当提及构成要件等的形状、位置关系等时，除了特别明确说明时及认为原理上显然并非如此时，否则其涵盖实质上近似或是类似其形状等之物等。此情况也适用于上述数值及范围。

此外，于用于说明实施型态的所有附图当中，原则上对于相同的部件标示相同的附图标记，并且省略其重复说明。另外，为使附图易于理解，即使是平面图也可能加上阴影线。

(实施型态1)

＜显示装置的一示例＞

图1为作为液晶显示装置的大屏幕电视的外观图。于图1当中，作为液晶显示装置的大屏幕电视100是本实施型态1当中的显示装置的一示例。另一方面，图2为表示作为液晶显示装置的移动通信装置的外观图。于图2当中，作为移动通信装置的一示例，示出了智能手机200，且此智能手机也是本实施型态1中的显示装置的另一示例。

如上所述，作为本实施型态1的显示装置，从大尺寸的大屏幕电视100至小尺寸的智能手机200等广泛尺寸的显示装置皆属其对象。另外，本实施型态1中的显示装置并不限于液晶显示装置，其对象也包括例如有机EL显示装置。

＜显示装置的制造步骤＞

接着，以液晶显示装置的制造步骤为例，简单地说明本实施型态1的显示装置的制造步骤的概要。

图3为表示制造实施型态1中的显示装置的制造步骤的流程的流程图。

首先，分别形成TFT玻璃基板及彩色滤光片玻璃基板。具体地说，准备玻璃基板，通过反复地对此玻璃基板使用清洗技术、光刻技术、蚀刻技术及灰化技术，以于玻璃基板上形成薄膜晶体管。借此可获得在玻璃基板的表面上形成了薄膜晶体管的TFT玻璃基板(S101)。

接着，例如，将由聚酰亚胺所制成的取向膜，涂布至TFT玻璃基板的表面上(S102)。

之后，摩擦形成有取向膜的TFT玻璃基板的表面(S103)。借此，可于TFT玻璃基板的表面上，形成具有一致沿着预定方向的细痕的取向膜。之后，将密封剂涂布至TFT玻璃基板的表面上(S104)。

另一方面，准备另一玻璃基板，于此玻璃基板上形成黑色矩阵(black matrix)之后，通过使用颜料分散法、染色法、电沉积法或是印刷法等，以于玻璃基板上形成彩色滤光片。借此，可获得在玻璃基板的表面上形成有彩色滤光片的彩色滤光片玻璃基板(S105)。

接着，例如，于彩色滤光片玻璃基板的表面上，涂布由聚酰亚胺膜所制成的取向膜(S106)。之后，摩擦其上形成有取向膜的彩色滤光片玻璃基板的表面(S107)。借此，可于彩色滤光片玻璃基板的表面上，形成具有一致沿着预定方向的细痕的取向膜。之后，于彩色滤光片玻璃基板的表面上涂布间隔物(S108)。

接下来，在将涂布有密封剂的TFT玻璃基板、涂布有间隔物的彩色滤光片玻璃基板进行贴合之后(S109)，对所贴合的TFT玻璃基板及彩色滤光片玻璃基板进行划片(分割)(S110)。借此，将所贴合的TFT玻璃基板及彩色滤光片玻璃基板切割成每个液晶显示装置的尺寸。

之后，将液晶注入至TFT玻璃基板与彩色滤光片玻璃基板之间由密封剂与间隔物所固定的间隙中(S111)。接着，将注入了液晶的间隙(空间)密封(S112)。

接着，贴上一对偏光板，使其包夹所贴合的TFT玻璃基板及彩色滤光片玻璃基板(S113)。以此方式可制造液晶显示面板。并且，将用于驱动液晶显示面板的驱动电路，压接至所制造的液晶显示面板之后(S114)，进一步地，于液晶显示面板上安装背光(S115)。以此方式完成液晶显示装置(S116)。如上所述般，可制造本实施型态1的显示装置。

＜显示装置的详细配置＞

接着，说明本实施型态1的显示装置的详细配置。

图4为表示本实施型态1的显示装置的配置示例的图。如图4所示，本实施型态1的显示装置具有像素部11，于该像素部11当中多个像素10配置为矩阵状(行列状)。而且，本实施型态1的显示装置具有扫描线驱动电路12及讯号线驱动电路13，以作为用来驱动构成像素部11的多个像素10的电路。像素10通过与扫描线驱动电路12电连接的布线14(扫描线)所供给的扫描信号，来决定其每一行处于选择状态还是非选择状态。此外，通过与信号线驱动电路13电连接的布线15(信号线)，来将图像信号(视频信号)提供至通过扫描信号所选择的像素10。

于此，于图4当中示出了多个像素配置为矩阵状的条带配置的示例，但是并不限于此，例如，可对多个像素10采用三角(delta)配置或拜耳(Bayer)配置。

另外，作为像素部11中的显示方式，也可使用渐进式、交错式等。作为显示色彩时，像素10所控制的色元，其并不限于RGB(红绿蓝)三色，例如可为RGBW(红绿蓝白)、于RGB之外还加上黄、靛青、品红等中的一种以上的颜色的配置。此时，显示区域的尺寸(大小)可依色元的点(dot)而不同。另外，本实施型态1中的显示装置并不限于彩色显示的显示装置，也可适用于单色显示的显示装置。

接下来，图5为表示图4所示像素的配置示例的图。如图5所示，像素10当中设置有用作开关元件的薄膜晶体管16、用作显示部的液晶元件17。例如，液晶元件17具有将液晶材料夹在一对电极(像素电极与对向电极)之间的结构。

于薄膜晶体管16当中，栅极与布线14(扫描线)电连接。另一方面，源极及漏极中的其中一者与布线15A(信号线)电连接，且源极及漏极中的另一者与液晶元件17的像素电极电连接。

以此方式构成显示装置的面板具有多个像素区域(多个像素)，且于多个像素区域的每一个当中形成有薄膜晶体管。

＜薄膜晶体管的器件结构＞

接着说明薄膜晶体管16的器件结构。

图6为表示薄膜晶体管的器件结构的截面图。如图6所示的薄膜晶体管16具有底栅型结构。如图6所示，薄膜晶体管16具有形成于具绝缘表面的基板20上的栅极21。接着，形成覆盖此栅极21且形成于基板20上的由例如氧化硅膜所构成的栅极绝缘膜22。另外，于此栅极绝缘膜22上形成有作为多晶半导体膜的多晶硅膜所形成的沟道膜23，并以与沟道膜23接触的方式来形成源极24A及漏极24B。接着，如图6所示，形成保护膜25，以覆盖沟道膜23、源极24A、漏极24B。如上所述，形成薄膜晶体管16。

＜薄膜晶体管的制造步骤＞

接着，说明薄膜晶体管的制造步骤。

图7为表示薄膜晶体管的制造步骤的流程的流程图。

首先，例如，于由玻璃或石英所制成的基板上形成栅极(S201)。作为栅极的材料，例如，可使用诸如钼、钛、铬、钽、钨、铝、铜、钕、钪等金属材料或以这些金属材料为主成分的合金材料。

接着，于栅极上形成栅绝缘膜(S202)。栅绝缘膜由例如氧化硅膜所形成，并且可通过使用化学气相沉积(CVD,Chemical Vapor Deposition)法来形成。

接着，于栅绝缘膜上形成沟道膜(S203)。此沟道膜可由例如多晶硅膜所形成。

接着，于沟道膜上形成源极及漏极(S204)。作为源极及漏极的材料，可使用例如铝、铬、钽、钛、钼、钨等。

之后，形成保护膜，以覆盖沟道膜、源极及漏极(S205)。此保护膜可由例如氧化硅膜所形成。

如上所述，可制造薄膜晶体管。

＜＜沟道膜的形成步骤＞＞

于此，说明沟道膜的形成步骤的细节。

图8为说明沟道膜的形成步骤的流程的流程图。

如图8所示，于沟道膜的形成步骤当中，首先，于栅绝缘膜上形成非晶硅膜(S301)。之后，对非晶硅膜照射激光，并施加激光退火处理(S302)。借此，使得非晶硅膜被加热。其结果为由非晶硅膜形成多晶硅膜(S303)。以上述方式可形成由多晶硅膜所制成的沟道膜，而下文中将说明沟道膜并非由非晶硅膜所构成，而是由多晶硅膜所构成的有用性。

由于沟道膜具有作为电子的通道的功能，因此沟道膜的特性会影响薄膜晶体管的性能。此时，当由非晶硅膜形成沟道膜时，随着经时变化，于非晶硅膜中形成不均匀的晶粒，使得沟道膜产生了不均匀性，结果导致显现出薄膜晶体管的经时劣化，而其以迁徙率的劣化作为代表。也就是说，当由非晶硅膜来形成沟道膜时，由于非晶硅膜的经时劣化，导致难以长期地维持薄膜晶体管的特性。

相对于此，当由多晶硅膜来形成沟道膜时，由于在多晶硅膜当中形成了工整的晶体排列，因此，相较于非晶硅膜，多晶硅膜不易产生经时劣化。也就是说，以长期地维持薄膜晶体管的特性的观点来看，优选为使用比起非晶硅膜还不易产生经时劣化的多晶硅膜，来作为沟道膜。

综上所述，于本实施型态1当中，沟道膜由多晶硅膜所构成。具体地说，如上所述，在形成非晶硅膜之后，通过对非晶硅膜施加激光退火处理，来使非晶硅膜转变为多晶硅膜。因此，为了由多晶硅膜构成沟道膜，需要激光退火处理(加热处理)，为了实施此激光退火处理，需要激光处理装置。

本实施型态1的技术思想是与激光处理装置有关的设计，于下文中，首先，在说明相关技术中的激光处理装置之后，对存在于相关技术中的改进空间进行说明。之后，对本实施型态1的技术思想进行说明，于本实施型态1当中施加了针对存在于相关技术中的改进空间的设计。

＜相关技术中的激光处理装置＞

图9为相关技术中的激光处理装置的示意性配置的图。

于此，于本说明书中所称的“相关技术”是指发明人新发现了问题的技术，意指非公知的常规技术，而是新技术思想的前提技术(未公知技术)而记载的技术。

于图9当中，相关技术当中的激光处理装置500具有激光产生器501、光衰减器502、光学系统模块503、密闭壳体504、处理室505。激光产生部501由输出激光的激光振荡器所构成，激光产生部501的输出目标处配置有用于调整激光的输出的光衰减器(Attenuator)502。光衰减器502具有通过调整激光的透射率来调整激光的输出的功能。

接着，经过光衰减器502调整输出的激光的行进目标处，配置有光学系统模块。此光学系统模块由反射镜503A及透镜(图未示出)等所构成，具有将从光衰减器502输入至光学系统模块503的激光形成为线束状的激光的功能。且，对激光具有透光性的密封窗503B设置于光学系统模块503的输出部，并且经由此密封窗503B，将于光学系统模块503中所形成的激光，从光学系统模块503中输出。

接着，从光学系统模块503所输出的激光的行进目标处上，设置有密闭壳体504。此密闭壳体504的内部为密闭空间，激光于此密闭空间中行进。且，密闭壳体504的输出部中，设置有对激光具有透光性的密封窗504A。

又，从密闭壳体504所输出的激光的行进目标处上，配置有处理室505。密封盒505A附接至此处理室505，且密封盒505A与设置于密闭壳体504的输出部中的密封窗504A连接。例如，以氮气为代表的惰性气体被供给至此密封盒505A当中。此时，如图9所示，密封盒505A的上侧被设置于密闭壳体504中的密封窗504A所密封，另一方面，于密封盒505A的下侧设置有开口部OP，因此，被供给至密封盒505A中的氮气会经由开口部OP而往密封盒505A的下侧排放。于此，如图9所示，于设置于密封盒505A的开口部OP的下方配置有搬运台1，于此搬运台1上配置有例如由玻璃或石英所形成的基板2。于此基板2的表面(上表面)上形成有非晶硅膜3A，使得从设置于密封盒505A的开口部OP所排放出的氮气，被喷射向形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。另外，例如，放置有基板2的搬运台1构成为可沿着图9的箭头方向移动，且可沿着箭头方向来搬运配置于搬运台1上的基板2。

＜相关技术中的激光处理装置的操作＞

如上所述般地构成相关技术中的激光处理装置500，并且于下文中参照图9说明相关技术中的激光处理装置500的操作。

于图9当中，从激光产生部501所输出的激光，在经过由光衰减器502调整光输出之后，被输入至光学系统模块503中。于光学系统模块503当中，通过设置于内部的透镜系统，使得被输入至光学系统模块503的激光形成为线束状。形成为线束状的激光例如在经过配置于光学系统模块503的内部中的反射镜503A反射之后，从密封窗503B入射至密闭壳体504中。入射至密闭壳体504中的激光，在行进于密闭壳体504的内部空间之后，从密封窗504A入射至设置于处理室505中的密封盒505A中。接着，入射至密封盒505A中的激光经由设置于密封盒505A的开口部OP而照射至配置于搬运台1上的基板2。详细地说，激光被照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。此时，供给氮气至密封盒505A中，并从设置于密封盒505A的下部的开口部OP排出氮气。又，从设置于密封盒505A的开口部OP所排出的氮气，被喷射向配置于搬运台1上的基板2。详细地说，对形成于基板2的表面的非晶硅膜3A喷射氮气。如上所述，于相关技术中的激光处理装置500当中，一边对形成于基板2的表面的非晶硅膜3A喷射氮气，一边照射形成为线束状的激光。详细地说，一边使搬运台1沿着箭头方向移动，一边对形成于基板2的表面的非晶硅膜3A喷射氮气，且照射形成为线束状的激光。其结果为使得形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A被局部性地加热，借此可一边使非晶硅膜3A的激光照射区域转变为多晶硅膜，一边扫描非晶硅膜3A中的激光照射区域。以此方式，根据相关技术，可使整个非晶硅膜3A转变为多晶硅膜。

＜改进研究＞

激光处理装置是用于提升诸如以液晶显示装置、有机EL显示装置为代表的高性能显示装置中所用的薄膜晶体管(选择晶体管、开关晶体管)的特性。具体地说，激光处理装置是使用在由不易产生经时劣化的多晶硅膜来构成薄膜晶体管的沟道膜，而非使用在由易于产生经时劣化的非晶硅膜来构成沟道膜。也就是说，激光处理装置是用于对非晶硅膜施加激光退火处理，来将非晶硅膜转变为多晶硅膜。

于此，虽然使用激光处理装置的激光退火处理，是在母玻璃的状态下实施，而近年来为了降低制造成本，持续地增加从单片的母玻璃上所能取得的面板的数量。因此，显示装置的制造步骤中所使用的母玻璃持续地发展大型化。此情况也意味着需要使以母玻璃状态下实施激光退火处理的激光处理装置也大型化。

有关于此，在现有技术中，将激光处理装置的整个处理室形成为真空状态之下来实施激光退火处理，然而由于伴随着母玻璃的大型所所带来的激光处理装置的大型化，会导致将整个处理室形成为真空状态的“真空型”激光处理装置中，激光处理装置的重量增加或生产率变低(处理室抽真空的所需时间增加)，因此有必要研究替代装置。

因此，例如，研究一种激光处理装置，其中如上述相关技术中的激光处理装置(参照图9)般，设置密封盒505A，并且一边将供给至密封盒505A中的氮气局部性地喷射向形成于基板2的表面的非晶硅膜3A，一边将激光局部性的照射至非晶硅膜3A。根据如此的激光处理装置，使得喷射了氮气的非晶硅膜3A的区域上的气氛变成局部性氧浓度低的气氛(接近真空状态的气氛)。也就是说，根据相关技术中的激光处理装置，通过使用密封盒505A，能够将仅只于激光照射区域的上方的气氛变成氧浓度低的气氛(接近真空状态的气氛)，因此，比起“真空型”的激光处理装置，更能够达到减轻激光处理装置的重量以及提升生产率。

然而，根据本发明人的研究，已知伴随着母玻璃进一步的大型化，使得在相关技术中的激光处理装置当中也存在着改进空间。也就是说，当母玻璃的尺寸变大时，对母玻璃的整个表面进行激光扫描的时间也就变长。作为对策，可考虑通过将线束状本身的长度拉长，来缩短扫描时间，然而于此情况下，由于线束状本身的长度变长，使得来将激光形成为线束状的光学系统模块503也会跟着大型化。进一步地，为了使局部气氛稳定的密封盒505A、密封窗504A也跟着变大。又，当密封盒505A变大时，难以维持通过从密封盒505A喷射氮气所形成的局部气氛的稳定性。其结果为，根据本发明人的研究，发现到由于局部气氛的不稳定性，导致多晶硅膜的均匀性降低变得明显。如上所述，当母玻璃进一步地大型化时，于相关技术中的激光处理装置中，由于用作薄膜晶体管的沟道膜的多晶硅膜的均匀性降低，使得难以达到提升薄膜晶体管的特性。

因此，于本实施型态1当中，施加了一种设计，其所针对的改进空间是随着母玻璃的大型化，使得相关技术中于激光处理装置中所显现的薄膜晶体管的特性劣化。于下文当中，参照附图来说明施加了此设计的本实施型态1中的技术思想。

＜实施型态1中的激光处理装置的构成＞

图10为表示本实施型态1中的激光处理装置的示意性配置的图。

于图10当中，本实施型态1中的激光处理装置1000具有激光产生部501、光衰减器502、光学系模块503、处理室505。

激光产生部501是由输出激光的激光振荡器所构成，且于激光产生部501的输出目标处配置有用于调整激光的输出的光衰减器(Attenuator)502。光衰减器502具有通过调整激光的透射率来调整激光的输出的功能。

接着，于经过由光衰减器502调整输出后的激光的行进目标处配置光学系统模块。此光学系统模块是由反射镜503A及透镜(未图示出)等所构成，且具有将从光衰减器502输入至光学系统模块503的激光形成为线束状的激光的功能。又，于光学系模块503的输出部中设置有开口部503C，而在光学系统模块503中所形成的激光经由此开口部503C从光学系统模块503输出。

又，于从光学系统模块503所输出的激光的行进目标处配置有处理室505。于此，如图9所示，于处理室505当中配置有搬运台1，于此搬运台1上配置有例如由玻璃或石英所形成的基板2。于此基板2的表面(上表面)上形成有非晶半导体膜。具体地说，于基板2的表面上，形成有非晶硅膜3A。于此非晶硅膜3A上配置有透光性部件4。此透光性部件4对激光具有透射性，例如是由以玻璃或石英为主成分的材料所构成。尤其是，透光性部件4可由与基板2相同尺寸的母玻璃所构成。此透光性部件4配置为覆盖基板2的整个上表面。又，通过例如静电来固定透光性部件4与基板2。

于本说明书当中，将基板2、形成于基板2上的非晶硅膜3A、透光性部件4统称为“基板结构体50”。

装载了“基板结构体50”的搬运台1例如构成为可沿着图9的箭头方向移动，并可沿着箭头方向来搬运配置于搬运台1上的基板结构体50。

＜实施型态1中的激光处理装置的操作＞

以上述方式构成本实施型态1中的激光处理装置1000，于下文中，参照图10来说明本实施型态1中的激光处理装置1000的操作。

首先，于上表面形成有作为非晶半导体膜的非晶硅膜3A的基板2上，配置可透射激光的透光性部件4。之后，于激光产生部501中产生激光。

接着，于图10当中，从激光产生部501所输出的激光，在经过由光衰减器502调整光输出之后，被输入至光学系统模块503中。于光学系统模块503当中，通过设置于内部的透镜系统，使得被输入至光学系统模块503中的激光成形为线束状。形成为线束状的激光例如在被配置于光学系统模块503的内部中的反射镜503A反射之后，从开口部503C入射至处理室505中。入射至处理室505中的激光在行进于处理室505的内部空间之后，被照射至配置于搬运台1上的“基板结构体50”。详细地说，激光经由构成“基板结构体50”的一部分的透光性部件4，而被照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。以此方式，于本实施型态1中的激光处理装置1000当中，将形成为线束状的激光，经由透光性部件4而照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。详细地说，一边使搬运台1沿着箭头方向移动，一边将形成为线束状的激光，经由透光性部件4而照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。其结果为，形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A被局部性地加热，借此可一边使非晶硅膜3A的激光照射区域转变为多晶硅膜，一边扫描非晶硅膜3A中的激光照射区域。以此方式，根据本实施型态1中的激光处理装置1000，可将整个非晶硅膜3A转变为多晶硅膜。

＜实施型态1的特征＞

接着，说明本实施型态1中的特征点。

本实施型态1中的特征点在于，例如图10所示，于上表面形成有作为非晶半导体膜的非晶硅膜3A的基板2上，配置了对激光具有透光性的透光性部件4的状态下，将激光照射至非晶硅膜3A。借此使得非晶硅膜3A的上表面被透光性部件4所覆盖，并且与透光性部件4紧密接触，因此不会受到非晶硅膜3A的上方的气氛的不稳定性(波动)的影响。其结果为，根据本实施型态1中的特征点，在照射激光而使非晶硅膜3A转变为多晶硅膜时，能够抑制由于气氛的不稳定性所导致的多晶硅膜的均匀性降低(晶粒的偏差不均)。也就是说，根据本实施型态1中的特征点，可抑制作为薄膜晶体管的沟道膜而使用的多晶硅膜的均匀性变低，其结果为可达到提升薄膜晶体管的特性。

如上所述，本实施型态1中的特征点在于，于非晶硅膜3A上配置透光性部件4。也就是说，于本实施型态1当中，通过于非晶硅膜3A上配置透光性部件4，使得即使非晶硅膜3A的上方的气氛不稳定，仍可通过透光性部件4来阻止不稳定的气氛与非晶硅膜3A之间的接触。由此，根据本实施型态1，使得能够在不受气氛的影响之下，提升将非晶硅膜3A转变为多晶硅膜时的多晶硅膜的均匀性。

本实施型态1中的基本思想，并非控制气氛以抑制非晶硅膜3A的上方的气氛的不稳定性的思想，而是寻求发想的转换，通过于非晶硅膜3A上配置部件，阻止不稳定气氛与非晶硅膜3A之间的直接接触的思想。根据如此的本实施型态1中的基本思想，就其做到了能够避免控制气氛这样的难题的同时，还能够抑制由于不稳定气氛所导致的多晶硅膜的均匀性的降低(晶粒的偏差不均)，就此点上是可说是相当优异的思想。又，于本实施型态1当中，由抑制不稳定气氛与非晶硅膜3A之间的直接接触的观点来看，必须在非晶硅膜3A上配置部件，并且对非晶硅膜3A照射激光，因此由对激光具有透光性的透光性部件4来构成部件。也就是说，于本实施型态1当中，于非晶硅膜3A上配置透光性部件4的技术意义在于，在确保激光照射向非晶硅膜3A的同时，还阻止了非晶硅膜3A与不稳定气氛之间的直接接触。以此方式，根据本实施型态1中的特征点，可在使气氛的不稳定性不受影响的情况下，由非晶硅膜3A形成具有高度均匀性的多晶硅膜，因此可达到提升以多晶硅膜为沟道膜的薄膜晶体管的特性，借此可达到提升显示装置的性能。

例如，于图9所示的相关技术中的激光处理装置500当中，于上表面形成有非晶硅膜3A的基板2的上方设置密封盒505A，并从密封盒505A将供给至此密封盒505A中的氮气喷射向基板2。借此，使得于相关技术中的激光处理装置500当中，于基板2上形成喷射气体而产生的低氧浓度的局部气氛的同时，还通过对暴露于此局部气氛的非晶硅膜3A的一部分照射激光，使得将非晶硅膜3A转变为具有均匀性的多晶硅膜。

然而，于以此方式构成的相关技术中的激光处理装置500当中，伴随着基板2的大型化，也必须有密封盒505A的大型化，然而当密封盒505A大型化时，要使基于从密封盒505A所喷射的氮气而产生的局部气氛稳定化(均匀化)变得困难。也就是说，形成于基板2的上方的局部气氛的不稳定性(不均匀性)增加。

关于此点，要做到进行控制，以抑制将经过大型化的密封盒505A的氮气喷射向基板2所产生的局部气氛的不稳定性是困难的。其原因在于，伴随着密封盒505A的大型化，要从设置于密封盒505A的下部的整个开口部OP进行喷射均匀的氮气是困难的，且在对于喷射氮气而产生的局部气氛进行稳定性的提升上，存在着相当高的技术难度(障碍)。

因此，于本实施型态1当中，并非强行进行带有相当高的技术难度的局部气氛的控制，而是寻求转变发想，并且基于从非晶硅膜3A的表面来阻止不稳定气氛的影响的思想，而于非晶硅膜3A上配置透光性部件4。也就是说，本实施型态1中的技术思想是根据以下的方向而完成：即，考虑到由于不稳定气氛与多晶硅膜3A之间的直接接触会导致产生多晶硅膜的均匀性降低(晶粒的偏差不均)，而在此情况下，不去强行形成难以控制的局部气氛，而是阻止不稳定气氛与非晶硅膜3A间的直接接触，基于此方向性而完成。具体地说，此技术思想为，通过于非晶硅膜3A上配置了透光性部件4的状态下，将激光照射至非晶硅膜3上的配置(特征点)来体现。

通过如上述般地使用本实施型态1的激光处理装置1000，来实现含有薄膜晶体管的面板(显示装置)的制造步骤，可达到提升以多晶硅膜为沟道膜的薄膜晶体管的特性，并且借此可达到提升显示装置的性能。

另外，于本实施型态1当中，通过从相关技术中所采用的“局部气氛型”的激光处理装置500的构成(参照图9)脱离，还可获得以下优点。具体地说，于本实施型态1中的激光处理装置1000当中，由于不需要用于将氮气喷射至基板2的密封盒505A，其结果为也不需要密闭壳体504，可达到简化并且小型化整个装置。

又，由于不需要密封盒505A，因此也不需要以定期更换密封盒505A为代表的维护作业。其结果为，于本实施型态1的激光处理装置1000当中，可达到提升显示装置的生产率及降低激光处理装置1000本身的成本。

此外，将“基板结构体50”搬入或是搬出激光处理装置1000的处理室505时，必须打开处理室505。此时，空气从外部进入，使得处理室505的内部的气氛被扰乱。然而，于本实施型态1中的激光处理装置1000中，即使是在处理室505的内部的气氛被扰乱的情况下，由于在非晶硅膜3A上配置了阻止气氛接触的透光性部件4，因此不管气氛是否被扰乱，都可以不用确保等到气氛稳定的等待时间而使激光处理装置1000工作。借此，根据使用了激光处理装置1000的面板的制造方法，可提升生产率。

另外，于本实施型态1中的激光处理装置1000当中，由于在非晶硅膜3A上配置有透光性部件4，因此可防止异物(粉尘)附着于非晶硅膜3A上。也就是说，原本，透光性部件4是设置为用于一边阻挡不稳定气氛与非晶硅膜3A之间的直接接触，一边将激光照射至非晶硅膜3A，但是，如上所述，透光性部件4也具有，例如，抑制由于激光处理装置1000所导致异物附着至非晶硅膜3A，这样的附带性功能。

使用本实施型态1中的激光处理装置1000，对非晶硅膜3A实施激光退火处理之后，从基板2上移除透光性部件4，从而可防止激光处理装置1000所导致的异物对其后的面板制造步骤带来负面影响。借此，根据使用了本实施型态1中的激光处理装置1000的面板的制造方法，可达到提升作为成品的显示装置的良率。

另外，作为透光性部件4，例如，可使用未经任何处理的母玻璃。借此可得到不需要重新制造透光性部件4的优点。然而，透光性部件4并不限于由母玻璃构成的情况，可广泛地由对激光具有透光性的部件所构成。

＜进一步的设计点＞

接着说明进一步的设计点。于本实施型态1的激光处理装置1000当中，例如，如图10所示，由于不需要密封盒，因此于原本配置密封盒的“基板结构体50”的上方空间形成了空出空间510。因此，期望有效地活用此空出空间510。

因此，由于在本实施型态1当中，于非晶硅膜3A上配置了透光性部件4，因此能够有效地抑制由于不稳定气氛与非晶硅膜3A之间的直接接触而导致产生多晶硅膜的均匀性降低(晶粒的偏差不均)。

另一方面，由于经由透光性部件4将激光照射至非晶硅膜3A，因此产生了在透光性部件4的激光的反射。由本实施型态1当中将激光的能量使用于加热非晶硅膜3A的观点来思考此情况，意味着存在进一步改进的空间。也就是说，通过以透光性部件4来反射激光，降低了用于加热非晶硅膜3A的激光的能量。因此，还期望有效活用在透光性部件4的反射光。

综上所述，考虑到有效活用空出空间510的观点，以及有效活用在透光性部件4的反射光的观点，构思了以下所示变形例1～变形例2。

＜＜变形例1＞＞

图11为表示本变形例1中的激光处理装置的示意性配置的图。

由于本变形例1当中的激光处理装置1000的配置(参照图11)与实施型态1中的激光处理装置1000的配置(参照图10)大致为相同的配置，因此以差异点为中心进行说明。

于图11当中，于本变形例1中的激光处理装置1000中，于去除了不需要的密封盒因而产生的空出空间中，配置有测量器506，其用于测量由“基板结构体50”所造成的激光的反射光的能量。也就是说，测量器506配置于搬运台1的上方。又，此测量器506与控制部507电连接，控制部507可根据从测量器506所输出的值来控制激光的能量。此控制部507例如可设置于激光处理装置1000的内部中，但并不限于此，也可构成为设置在激光处理装置1000的外部。如图11所示，此控制部507构成为与光衰减器502连接，且可通过在光衰减器502中调整激光的透射率，来控制激光的输出。

以上述方式构成本变形例1中的激光处理装置1000，于下文中，参照附图说明本变形例1中的激光处理装置1000所特有的操作。图12为用于说明本变形例1中的激光处理装置所特有的操作的流程图。首先，于图11当中，于上表面上形成有作为非晶半导体膜的非晶硅膜3A的基板2上，配置可透射激光的透光性部件4。之后，于激光产生部501中产生激光(激光振荡)(S401)。接着，于图11当中，由激光产生部501所输出的激光入射至光衰减器502中。此时，通过与光衰减器502电连接的控制部507，来预先设定光衰减器502中的激光的透射率。也就是说，通过控制部507，将从光衰减器502所输出的激光的能量设定于预定范围内(S402)。之后，经过于光衰减器502调整光输出的激光，被输入至光学系统模块503中。于光学系统模块503当中，通过设置于内部中的透镜系统，使得被输入至光学系统模块503中的激光成形为线束状。形成为线束状的激光例如在经过被配置于光学系统模块503的内部中的反射镜503A反射之后，从开口部503C入射至处理室505中。入射至处理室505中的激光在行进于处理室505的内部空间之后，被照射至配置于搬运台1上的“基板结构体50”(S403)。详细地说，激光经由构成“基板结构体50”的一部分的透光性部件4，而被照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。

于此，激光的一部分被“基板结构体50”反射。被此“基板结构体50”所反射的反射光，入射至由于去除密封盒而产生的空出空间中所配置的测量器506。接着，于测量器506处测量反射光的能量(S404)。接着，从测量器506将与反射光的能量对应的数据(值)输出至控制部507。此时，被输入了来自测量器506的数据(值)的控制部507，判定此数据是否在预定范围内(S405)。于此，当从测量器506所输出的数据在预定范围内时，控制部507判断具有符合所设定的能量的激光被照射至“基板结构体50”，并继续对“基板结构体50”照射激光(S406)。另一方面，当从测量器506所输出的数据在预定范围之外时，控制部507判断具有符合设定的能量的激光并未被照射至“基板结构体50”(S405)，并重新变更光衰减器502中激光的透射率的设定。具体地说，当从测量器506所输出的数据超过预定范围的上限值时，控制部507变更设定，使得于光衰减器502中的激光的透射率变小。另一方面，当从测量器506所输出的数据低于预定范围的下限值时，控制部507变更设定，使得于光衰减器502中的激光的透射率变大。以此方式，根据本变形例1，可在有效地利用空出空间的同时，也有效利用于透光性部件4中的反射光。具体地说，根据本变形例1，在空出空间中设置测量器506并且设置控制部507，且控制部507是基于来自测量器506的输出来控制于光衰减器502中的激光的透射率，借此可将具有符合设定的能量的激光照射至“基板结构体50”。

＜＜变形例2＞＞

接着，说明实施型态1当中的变形例2。

图13为表示本变形例2当中的激光处理装置的示意性配置的图。

由于本变形例2中的激光处理装置1000的配置(参照图13)与实施型态1中的激光处理装置1000的配置(参照图10)大致为相同的配置，因此以差异点为中心进行说明。

于图13当中，于本变形例2中的激光处理装置1000中，在由于去除了不需要的密封盒而产生的空出空间中配置反射镜508，且反射镜508将“基板结构体50”所造成的激光的反射光，进一步地往“基板结构体50”反射。也就是说，将反射镜508配置于搬运台1的上方。此反射镜508以能够通过被反射镜508反射的激光来将“基板结构体50”预热的角度配置。具体地说，如图13所示，调整反射镜508的角度及位置，使得被反射镜508所反射的激光会被照射至位置L2上，该位置L2是相较于激光照射至“基板结构体50”上的位置L1，在搬运台1的搬运方向上更为后侧的位置。

以上述方式构成本变形例2的激光处理装置1000，于下文中，参照附图说明本变形例2中的激光处理装置1000的操作。首先，于图13中，于上表面上形成有非晶半导体膜的非晶硅膜3A的基板2上，配置可透射激光的透光性部件4。之后，于激光产生部501中产生激光。接着，于图13中，从激光产生部501所输出的激光入射至光衰减器502。之后，经过于光衰减器502调整光输出的激光输入至光学系统模块503中。于光学系统模块503当中，通过设置于内部的透镜系统，将被输入至光学系统模块503中的激光形成为线束状。形成为线束状的激光例如在被配置于光学系统模块503的内部的反射镜503A所反射之后，从开口部503C入射至处理室505中。入射至处理室505中的激光在行进于处理室505的内部空间之后，被照射至配置于搬运台1上的“基板结构体50”的位置R1。详细地说，激光经由构成“基板结构体50”的一部分的透光性部件4，而被照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A的位置R1。借此，使得于非晶硅膜3A的位置R1上，非晶硅膜3A被加热，且非晶硅膜3A转变多晶硅膜。于此，如图13所示，被照射至非晶硅膜3A的位置R1的激光的一部分被“基板结构体50”反射，并入射至反射镜508。又，由反射镜508所反射的反射光(激光)被照射至配置于搬运台1上的“基板结构体50”的位置R2。其结果为，存在于形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A的位置R2处的部分被预热。也就是说，被照射至位置R2的激光(反射光)的强度，比被照射至位置R1的激光的强度小，因此在非晶硅膜3A的位置R2上，会被施加比起使非晶硅膜3A转变为多晶硅膜所需加热量还要小的加热量(预热)。

之后，于图13当中，当沿着箭头方向移动配置有“基板结构体50”的搬运台1时，于位置R2上被预热的非晶硅膜3A的部分移动至位置R1，并被激光所照射。其结果为，于位置R2被预热的非晶硅膜3A的部分，通过于移动后的位置R1上被施加充分的加热，并转变为多晶硅膜。

如上所述，于本变形例2中，也能够在有效利用空出空间的同时，也有效利用“基板结构体50”处的反射光。具体地说，于本变形例2当中，由于构成为使得“基板结构体50”所反射的激光(反射光)，被反射镜508再次照射至“基板结构体50”而预热，因此可降低为了获得良好晶体所需的激光的能量密度。其结果为，能够以多出来的激光的能量密度，来形成更宽的线束，因此可提升处理速度。也就是说，根据本变形例2中的激光处理装置1000，可提升生产率。

＜＜变形例3＞＞

说明于本变形例3当中针对搬运台的设计点。

图14为表示本变形例3中的激光处理装置中使用的搬运台的示意性外观构造的图。如图14所示，于本变形例3的搬运台600具有可配置多个“基板结构体50”的大平面尺寸，配置于搬运台600上的“基板结构体50”于悬浮于固定的搬运台600上的同时被搬运。

例如，如图10所示的实施型态1中的搬运台1，具有大约可配置1张“基板结构体50”的平面尺寸，搬运台1本身配置为可与被装载于搬运台1上的“基板结构体50”一起沿着箭头方向移动。借此，使得装载了“基板结构体50”的搬运台1沿着箭头方向移动，并可对“基板结构体50”的整个面扫描形成为线束状的激光。

另一方面，如图14所示的本变形例3中的搬运台600与图10所示的实施型态1中的搬运台1不同，是固定的。又，于固定的搬运台600上配置有多个“基板结构体50”(于图14当中图示出4张“基板结构体50”)，此多个“基板结构体50”构成为在悬浮于搬运台600上的同时，还可沿着例如图14的箭头方向移动。又，于图14当中，示出了形成为线束状的激光60，当在悬浮于搬运台600上的同时也被搬运的多个“基板结构体50”经过照射此激光60的位置时，激光60被照射至构成“基板结构体50”的一部分的非晶硅膜。借此可对悬浮并被搬运的多个“基板结构体50”扫描激光60。

当使用实施型态1中的搬运台1时，由于仅将一张“基板结构体50”搬入至激光处理装置中，因此，在替换“基板结构体50”时，无法实施激光退火处理。相对于此，当使用本变形例3的搬运台600时，由于同时将多个“基板结构体50”搬入激光处理装置中，因此可对同时搬入的多个“基板结构体50”连续地实施激光退火处理。其结果为，根据使用了本变形例3中的搬运台600的激光处理装置，相较于使用了实施型态1的搬运台1的激光处理装置，更可提升生产率。

图15为示意性地示出使用了本变形例3中的搬运台的激光处理装置的图。如图15所示，于使用了本变形例3中的搬运台600的激光处理装置1000当中，通过从搬运台600的表面所喷射的气体，使“基板结构体50”构成为在悬浮于搬运台600上的同时，还沿着箭头方向而被搬运。借此可对悬浮于搬运台600上且同时沿着箭头方向被搬运的“基板结构体50”照射激光。

(实施型态2)

＜关于激光处理的发现＞

首先，说明通过对非晶硅膜照射激光，以使非晶硅膜转变为多晶硅膜时所产生的现象。

图16示出了对形成于基板2上的非晶硅膜3A照射激光(箭头)的情况。于此情况下，通过对非晶硅膜3A照射激光，使得非晶硅膜3A吸收激光的能量并被加热。其结果为，非晶硅膜3A转变为多晶硅膜。于此，例如，激光作为多次的脉冲而被照射至非晶硅膜3A。此时，图17中示意性地示出例如照射了前几次的脉冲至非晶硅膜3A而形成多晶硅膜3B的状态。于图17当中，于照射了前几次的脉冲的阶段当中，于多晶硅膜3B的表面上，形成有周期性低的微细突起70A。也就是说，当对非晶硅膜3A照射激光时，通过激光的干涉效果，于光的叠加处上晶粒良好的生长，其结果为，与光的叠加的位置相对应地，于多晶硅膜3B的表面上形成了微细的突起70A。也就是说，当从非晶硅膜3A转变为多晶硅膜3B时，于多晶硅膜3B的表面上形成微细的突起70A，且此微细的突起70A是沿着晶粒的晶界形成。关于此点，在照射前几次脉冲的阶段中，由于微细的突起70A的形成位置的周期性低，因此，若考虑到微细的突起70A界定了晶粒的晶界，则意味着在前几次的脉冲的阶段当中，形成于多晶硅膜3B上的晶粒的均匀性低。研判此为在照射前几次脉冲的阶段中，光的叠加的位置的周期性并未明确显现的缘故。

然而，当增加照射的脉冲数时，光的叠加的位置的周期性变得明确，例如，如图18所示，突起70B的形成位置的周期性变高。也就是说，当增加所照射的脉冲的数量时，生长于多晶硅膜3B的表面的突起B的周期性提高，借此提升了构成多晶硅膜3B的晶粒的均匀性。

由此现象可发现，当对非晶硅膜3A照射光脉冲时，非晶硅膜3A转变成多晶硅膜3B，且于多晶硅膜3B的表面上形成突起。并且可发现，通过使突起从微细的突起70A生长为突起70B，使得构成多晶硅膜3B的晶粒的均匀性提高。也就是说，设想突起的尺寸与晶粒的均匀性之间具有一定的相关性。此外也发现，当增加所照射的脉冲的数量时，光的叠加的位置变得明确，其结果为，突起从周期性低的微细突起70A生长为周期性高的突起70B。基于上述的发现，由提升构成多晶硅膜3B的晶粒的均匀性的观点来看，优选为将照射脉冲的数量设定为多次。

于此，于所述实施型态1当中，例如，如图10所示，形成于基板2上的非晶硅膜3A与透光性部件4彼此紧密接触。此情况意味着，于所述实施型态1的“基板结构体50”的配置当中，由于非晶硅膜3A与透光性部件4彼此紧密接触，因此，当使非晶硅膜3A转变为多晶硅膜时所形成的突起难以生长。此外，关于突起难以生长的情况，若考虑到上述发现，即意味着难以提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性。又，难以提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性的情况，即意味着难以提升使用此多晶硅膜作为沟道膜的薄膜晶体管的电流驱动力。其原因在于，构成多晶硅膜的晶粒的均匀性降低，即意味着于多晶硅膜中的迁徙率降低，因此，也意味着薄膜晶体管的电流驱动力降低。因此认为，由寻求提升薄膜晶体管的观点来看，所述实施型态1的“基板结构体50”的配置不能称为最佳的配置。

然而，即使是所述实施型态1的“基板结构体50”的配置，于并不太要求提升薄膜晶体管的迁徙率的应用中，仍然是充分有效的技术思想。具体地说，当设想大屏幕电视以作为显示装置时，于所述实施型态1中的技术思想是有效的。其原因在于，由于在大屏幕电视当中，薄膜晶体管的尺寸不是那么小，因此可轻易地将薄膜晶体管的栅极宽度设计为较大，其结果使得即使没有增加薄膜晶体管的沟道膜的迁徙率，也能够通过增加栅极宽度，来达到提升薄膜晶体管的电流驱动力。

相对于此，当设想为小尺寸的智能手机时，则对于所述实施型态1中的技术思想就需要进一步的设计。其原因在于，于小尺寸的智能手机当中，由于必须缩小薄膜晶体管的尺寸，因此要轻易地将薄膜晶体管的栅极宽度设计成较大是困难的。也就是说，因为难以为了要提升形成于智能手机的薄膜晶体管的电流驱动力而采用增大栅极宽度的手段，其结果为必须提升构成薄膜晶体管的沟道膜的多晶硅膜的迁徙率。也就是说，为了要提升形成于智能手机的薄膜晶体管的电流驱动力，必须尽可能地提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性，以提升迁徙率。

因此，例如，于智能手机等小型移动通信装置应用当中，必须进一步地改进所述实施型态1中的技术思想。于下文中，参照附图，来说明本实施型态2中的技术思想，于本实施型态2当中，基于所述实施型态1中的技术思想进一步地施加了提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性的设计。

＜实施型态2的特征＞

图19为示出本实施型态2的激光处理装置的示意性配置的图。

由于本实施型态2的激光处理装置1000的配置(参照图19)与所述实施型态1的激光处理装置1000的配置(参照图10)为大致相同的配置，因此以差异点为中心进行说明。

本实施型态2中的特征点在于，例如图19所示，在形成于基板2上的非晶硅膜3A、以及配置于非晶硅膜3A的上方的透光性部件4之间，设置了间隙5。也就是说，本实施型态2中的特征点在于，由基板2、形成于此基板2上的非晶硅膜3A、经由间隙5而配置于非晶硅膜3A的上方的透光性部件4，构成了“基板结构体50”。借此，根据本实施型态2，可使在将非晶硅膜3A转变为多晶硅膜时所形成的突起于间隙5中生长。也就是说，于本实施型态2当中，通过于非晶硅膜3A与透光性部件4之间设置间隙5，使得此间隙5成为突起的生长空间。其结果为，根据本实施型态2，使得突起易于生长，因此可提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性。此外，提升构成多晶硅膜的均匀性变得容易，意味着可提升使用此多晶硅膜作为沟道膜的薄膜晶体管的电流驱动力。其原因在于，提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性，意味着于提升了多晶硅膜中的迁徙率，意味着借此可提升薄膜晶体管的电流驱动力。因此，根据本实施型态2中的具有间隙5的“基板结构体50”的配置，可达到提升薄膜晶体管的特性。尤其是，如上所述，于以智能手机为代表的小型移动通信装置当中，在实现提升薄膜晶体管的特性上，提升薄膜晶体管的沟道膜的迁徙率是重要的。有关于此点，根据使用了本实施型态2中的“基板结构体50”的激光处理装置1000，通过实施激光退火步骤(激光处理步骤)，可提升作为薄膜晶体管的沟道膜的多晶硅膜的晶粒的均匀性，因此可提升多晶硅膜的迁徙率。其结果为，根据本实施型态2，尤其是通过提升于小型移动通信装置(显示装置)中所使用的薄膜晶体管的特性，可达到提升显示装置的性能。

于此，在图19当中，形成于非晶硅膜3A与透光性部件4之间的间隙5的高度L(非晶硅膜3A与透光性部件4之间的间隔)，优选为比非晶硅膜3A的膜厚还宽。其原因在于，当间隙5的高度L为与非晶硅膜3A的膜厚为相同程度以下时，容易产生由于此间隙5中的激光的多重反射所导致的不希望的干涉，而此干涉为扰乱突起的周期性的原因。另外，当间隙5的高度L比起非晶硅膜3A的膜厚还要够宽时，则不易形成明显的干涉，也不易产生扰乱突起的周期性的干涉，因此，形成于非晶硅膜3A与透光性部件4之间的间隙5的高度L，优选为比非晶硅膜3A的膜厚还要宽。

＜具体的“基板结构体50”配置示例＞

接着，说明本实施型态2中的“基板结构体50”的配置示例。

图20为示出本实施型态2中的“基板结构体50”的示意性配置的平面图。如图20所示，于本实施型态2中的“基板结构体50”当中，于其平面形状呈矩形的透光性部件4的下层中形成有网目状的突起6，通过此网目状的突起6使得基板2被划分为多个面板区域7。

图21是沿着图20的线A-A所截取的截面图。于图21当中，于基板2上形成有非晶硅膜3A，于此非晶硅膜3A上形成有多个突起部6。接着，于非晶硅膜3A的上方配置透光性部件4，并使其被多个突起部6所支撑。于此，形成了多个间隙5，并且使其被形成有非晶硅膜3A的基板2、透光性部件4、多个突起部6所包围，于此间隙5当中，例如填充有以氮气为代表的惰性气体。尤其是，当对此惰性气体进行静电处理时，通过经过此静电处理的惰性气体，使得形成有非晶硅膜3A的基板2及透光性部件4固定至多个突起部6。然而，不限于此，例如，也可使用可剥离黏合材料，来将形成有非晶硅膜3A的基板2及透光性部件4固定至多个突起部6。

如上所述，构成了本实施型态2中的“基板结构体50”。

＜“基板结构体50”的制造方法＞

本实施型态2中的“基板结构体50”如上述般构成，于下文中参照附图来说明其制造方法。

首先，如图22所示，于基板2上形成作为非晶半导体膜的非晶硅膜3A。接着，如图23所示，于上表面上形成了作为非晶半导体膜的非晶硅膜3A的基板2上，形成多个突起部6。具体地说，可通过于非晶硅膜3A上涂布光阻膜之后，对此光阻膜施加曝光、显影处理来形成多个突起部6。接着，如图24及图25所示，例如，于以氮气为代表的惰性气体8的气氛中，经由多个突起部6，于形成有非晶硅膜3A的基板2上，放置可透射激光的透光性部件。此时，当对惰性气体施加静电处理时，通过静电力使得透光性部件4固定至多个突起部6。

以此方式，于制造本实施型态2中的“基板结构体50”之后，将此“基板结构体50”搬入例如图19所示的激光处理装置1000的处理室505中。又，如图19所示，通过经由形成于透光性部件4的下方的间隙5，对非晶硅膜3A照射激光，以使非晶硅膜转变为多晶硅膜。此时，于本实施型态2中的“基板结构体50”当中，如图25所示，于透光性部件4与非晶硅膜3A之间存在有间隙5，因此可于间隙5中形成足够的突起。据此，根据本实施型态2，可提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性。

＜变形例1＞

接着，说明实施型态2中的变形例1。

图26是示出本变形例1中的激光处理装置的示意性配置的图。

本变形例1中的激光处理装置1000的配置(参照图26)，与实施型态2中的激光处理装置1000的配置(参照图19)为大致相同的配置，因此以差异点为中心进行说明。

于图26当中，本变形例1中的激光处理装置1000具有设置于“基板结构体50”的上方的吸附部800。此吸附部800由：构成为可于上下方向上移位的移位机构801、对“基板结构体50”的透光性部件4进行吸附的吸附机构802所构成。

此吸附部800与控制吸附部800的控制部803电连接。此外，控制部803与设置于泵804与吸附部800之间的阀805电连接。控制部803构成为可控制吸附部800的移位机构801，且构成为可控制阀805的开度。

如上所述构成于本变形例1中的激光处理装置1000，于下文中参照附图来说明本变形例1中的激光处理装置1000的操作。首先，于图26中，控制部803调整阀805的开度。借此，经由阀805来调整来自与泵804连接的吸附部800的吸附机构802的吸附压力，使“基板结构体50”的透光性部件4被吸附至吸附部800。接着，控制部803控制吸附部800的移位机构801。借此，使得吸附“基板结构体50”的透光性部件4的吸附部800于上下方向上移位。其结果为，形成有非晶硅膜3A的基板2与透光性部件4之间的间隙5的高度受到调整。如上所述，通过控制部803所作的对吸附部800及阀805的控制，将形成有非晶硅膜3A的基板2与透光性部件4之间的间隙5的高度设定为期望值。

之后，于激光产生部501中产生激光。

接着，于图26当中，从激光产生部501所输出的激光，在经过于光衰减器502调整光输出之后，被输入至光学系统模块503。于光学系统模块503中，通过设置于内部的透镜系统，将被输入至光学系统模块503中的激光形成为线束状。形成为线束状的激光例如经过受到配置于光学系统模块503的内部中的反射镜503A所反射之后，从开口部503C入射至处理室505。入射至处理室505中的激光在行进于处理室505的内部空间之后，被照射至配置于搬运台1上的“基板结构体50”。详细地说，激光经由构成“基板结构体50”的一部分的透光性部件4及间隙5，而被照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。以此方式，于本变形例1中的激光处理装置1000中，将形成为线束状的激光，经由透光性部件4及间隙5而照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。详细地说，在沿着箭头方向移动搬运台1的同时，将形成为线束状的激光，经由透光性部件4及间隙5而照射至形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A。其结果为，形成于基板2的表面上的非晶硅膜3A被局部性的加热，借此，使得能够一边将非晶硅膜3A的激光照射区域转变为多晶硅膜，一边扫描于非晶硅膜3A中的激光照射区域。以此方式，根据本变形例1中的激光处理装置1000，可将整个非晶硅膜3A转变为多晶硅膜。此时，于本变形例1当中，如图26所示，由于透光性部件4与非晶硅膜3A之间存在间隙5，因此能够于间隙5形成充分的突起。因此，于本变形例1当中也可提升构成多晶硅膜的晶粒的均匀性。

＜＜变形例1的有用性＞＞

如上所述，根据本变形例1的配置，能够改变形成有非晶硅膜3A的基板2与透光性部件4之间的间隙的高度。

于此，如同实施型态2的“＜关于激光处理的发现＞”栏位中所说明，当在将非晶硅膜3A转变为多晶硅膜3B时，于表面上形成突起，且此突起的尺寸与构成多晶硅膜3B的晶粒的尺寸间具有相关性。例如，当突起的尺寸生长得越大，构成多晶硅膜3B的晶粒的尺寸也就越大。因此，例如，通过于本变形例1中设置吸附部800，能够改变形成有非晶硅膜3A的基板2与透光性部件4之间的间隙的高度，而此意味着可以调整构成多晶硅膜3B的晶粒的尺寸。例如，当采用本变形例1的吸附部800的配置时，也可以移除间隙5，使形成有非晶硅膜3A的基板2与透光性部件4紧密接触，另一方面也可增大间隙5。

实际上，当移除间隙5时，可将构成多晶硅膜3B的晶粒的尺寸，形成为约几nm以上且几十nm以下。另一方面，例如，当使间隙5的高度设定为比非晶硅膜3A的膜厚还宽，并且将惰性气体填充至间隙5中时，可将构成多晶硅膜3B的晶粒的尺寸，增大至数百nm的尺寸。

＜变形例2＞

接着，说明实施型态2的变形例2。

图27为表示本变形例2中的激光处理装置的示意性配置的图。

由于本变形例2中的激光处理装置1000的配置(参照图27)，与实施型态2中的激光处理装置1000的配置(参照图19)为大致相同的配置，因此以差异点为中心进行说明。

于图27当中，配置于本变形例2中的激光处理装置1000的搬运台1上的“基板结构体50”当中，设置有形成于非晶硅膜3A的基板2与透光性部件4之间的间隙5，并且，于本变形例2当中，于此间隙5中，流动着以氮气为代表的惰性气体8。通过如上述般使既定流量的惰性气体8流动于间隙5中，使得在设置间隙5时也能够使非晶硅膜3A上的间隙5内的气氛均匀，因此可抑制由于非晶硅膜3A上的气氛不均匀所导致的多晶硅膜特性的劣化。

以上基于实施型态本发明人的发明进行了具体说明，但是本发明并不限于所述实施型态，显而易见地，在不脱离其主旨的范围内可进行各种变更。

附图标记：

1 搬运台

2 基板

3A 非晶硅膜

3B 多晶硅膜

5 间隙

50 基板结构体

70A 微细的突起

70B 突起

506 测量器

507 控制部

508 反射镜

800 吸附部

801 移位机构

802 吸附机构

803 控制部

804 泵

805 阀

1000 激光处理装置

Claims (28)

1.一种面板的制造方法，包括以下步骤：

(a)于上表面形成有非晶半导体膜的基板上，放置可透射激光的部件的步骤；及

(b)经由所述部件对所述非晶半导体膜照射激光，以形成多晶半导体膜的步骤。

2.根据权利要求1所述的面板的制造方法，其中，所述部件是以玻璃或石英为主要成分。

3.根据权利要求1或2所述的面板的制造方法，其中，将所述部件配置为覆盖所述基板的整个所述上表面。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的面板的制造方法，其中，所述部件与所述基板之间通过静电而固定。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的面板的制造方法，其中，将所述基板配置于可移动的平台上。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的面板的制造方法，其中，所述基板在悬浮于被固定的平台上的同时被搬运。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的面板的制造方法，其中，于所述基板与所述部件之间形成间隙，于所述间隙中填充有惰性气体。

8.根据权利要求7所述的面板的制造方法，其中，所述间隙比所述非晶半导体膜的膜厚还宽。

9.根据权利要求7或8所述的面板的制造方法，其中，惰性气体为氮气。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的面板的制造方法，其中，所述惰性气体经过静电处理。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的面板的制造方法，其中，所述部件与所述基板具有相同尺寸。

12.根据权利要求11所述的面板的制造方法，其中，所述部件是母玻璃。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的面板的制造方法，其中，所述非晶半导体膜是非晶硅膜，所述多晶半导体膜是多晶硅膜。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的面板的制造方法，其中，实施多次所述(b)步骤。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的面板的制造方法，其中，

面板具有多个像素区域，

于所述多个像素区域的每一个中形成有薄膜晶体管，

所述多晶半导体膜是所述薄膜晶体管的沟道膜。

16.根据权利要求15所述的面板的制造方法，其中，所述面板是电视用的显示面板。

17.根据权利要求15所述的面板的制造方法，其中，所述面板是移动通信装置用的显示面板。

18.一种面板的制造方法，包括以下步骤：

(a)于上表面形成有非晶半导体膜的基板上，形成多个突起部的步骤；

(b)于惰性气体气氛中，将可透过激光的部件，隔着所述多个突起部，放置于形成有所述非晶半导体膜的所述基板上；及

(c)隔着所述部件，对所述非晶半导体膜照射激光，以形成多晶半导体膜的步骤。

19.一种激光处理装置，其包括以下：

激光振荡器，用于照射激光；

搬运台，用于搬运被所述激光所照射的基板；

测量器，其配置于所述搬运台的上方；及

控制部，其可根据从所述测量器所输出的值来控制激光的能量，

于此，于所述基板的上表面上放置可透过所述激光的部件，

所述测量器测量所述激光被所述部件反射的反射光的能量。

20.一种激光处理装置，其包含以下：

激光振荡器，用于照射激光；

搬运台，用于搬运被所述激光照射的基板；及

反射镜，其配置于所述搬运台的上方，

于此，于所述基板的上表面上放置可透射所述激光的部件，

所述反射镜可将由所述部件所反射的所述激光，反射向所述基板，

并通过被所述反射镜所反射的所述激光，来预热所述基板。

21.根据权利要求19或20所述的激光处理装置，其中，于所述基板的上表面上形成有非晶半导体膜，

通过照射所述激光，使所述非晶半导体膜转变为多晶半导体膜。

22.根据权利要求19至21中任一项所述的激光处理装置，其中，所述部件是以玻璃或石英为主要成分。

23.根据权利要求19至22中任一项所述的激光处理装置，其中，将所述部件配置为覆盖所述基板的整个所述上表面。

24.根据权利要求19至23中任一项所述的激光处理装置，其中，所述部件与所述基板之间通过静电而固定。

25.根据权利要求19至23中任一项所述的激光处理装置，其中，于所述基板与所述部件之间形成间隙，于所述间隙中填充有惰性气体。

26.根据权利要求19至25中任一项所述的激光处理装置，其中，所述搬运台是可移动的，

所述基板是固定于所述搬运台上。

27.根据权利要求19至25中任一项所述的激光处理装置，其中，所述搬运台可使所述基板悬浮并搬运所述基板。

28.一种激光处理装置，其包含以下：

激光振荡器，用于照射激光；

搬运台，用于搬运被所述激光所照射的基板；及

吸附部，其配置于所述基板的上方，且构成为可于上下方向上移位，

于此，于所述基板与所述吸附部之间放置可透射所述激光的部件，

所述吸附部可吸附所述部件。

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