CN112399724A - 一种基于键合丝的精细线路修复方法 - Google Patents

一种基于键合丝的精细线路修复方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112399724A
CN112399724A CN202011216935.5A CN202011216935A CN112399724A CN 112399724 A CN112399724 A CN 112399724A CN 202011216935 A CN202011216935 A CN 202011216935A CN 112399724 A CN112399724 A CN 112399724A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bonding wire
groove
circuit
nano copper
nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011216935.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112399724B (zh
Inventor
罗绍根
杨斌
崔成强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong Fozhixin Microelectronics Technology Research Co ltd
Original Assignee
Guangdong Xinhua Microelectronics Technology Co ltd
Guangdong Fozhixin Microelectronics Technology Research Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong Xinhua Microelectronics Technology Co ltd, Guangdong Fozhixin Microelectronics Technology Research Co ltd filed Critical Guangdong Xinhua Microelectronics Technology Co ltd
Priority to CN202011216935.5A priority Critical patent/CN112399724B/zh
Publication of CN112399724A publication Critical patent/CN112399724A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112399724B publication Critical patent/CN112399724B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17—Post-manufacturing processes
    • H05K2203/173—Adding connections between adjacent pads or conductors, e.g. for modifying or repairing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本发明公开一种基于键合丝的精细线路修复方法，包括以下步骤：S10、提供线路已断开的待修复线路板，采用激光在待修复线路板的待连接的两个线路端部分别烧蚀出凹槽；S20、在凹槽中放置纳米铜膏，并将键合丝两端放置在凹槽内的纳米铜膏上；或者，先将键合丝两端分别放置在两个凹槽中，然后再将纳米铜膏涂于键合丝上方；S30、使纳米铜膏烧结，使键合丝固定于凹槽内，实现已断开的线路修复。本发明通过在线路端部烧蚀凹槽，并将键合丝和纳米铜膏限定于凹槽内，纳米铜作为键合丝与线路的互连材料，烧结温度与基于锡基焊接材料熔点温度相差不大，但烧结的电阻率更低，有力保证修复线路的可靠性，同时简化了精细线路修复步骤。

Description

一种基于键合丝的精细线路修复方法
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基于键合丝的精细线路修复方法。
背景技术
印刷线路板是电子元器件的支撑体和电气连接的载体，电子设备采用印制板后，同类印制板具有一致性，可减小人工接线的差错，并可实现电子元器件自动插装或贴装、自动焊锡、自动检测，保证了电子设备的质量，提高了劳动生产率、降低了成本，并便于维修。随着电子产品朝着小型化、数字化发展，印制电路板也朝着高密度，高精度，细孔径，细导线，细间距，高可靠，多层化，高速传输，轻量，薄型方向发展，对精细线路的制备及修复提出了更高的要求。
对精细线路的缺陷修复可以采用基于键合机原理与装备的方法，传送键合丝于线路缺陷位置并通过激光照射键合丝，完成线路缺陷修复。然而键合丝质地较为柔软在激光照射下或键合丝传送过程中容易产生变形，对线路缺陷修复的操作造成一定困难。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于键合丝的精细线路修复方法，可以快速、有效地修复断开的精细线路。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
提供一种基于键合丝的精细线路修复方法，包括以下步骤：
S10、提供线路已断开的待修复线路板，采用激光在所述待修复线路板的待连接的两个线路端部分别烧蚀出凹槽；
S20、在所述凹槽中放置纳米铜膏，并将键合丝两端放置在所述凹槽内的所述纳米铜膏上；或者，先将所述键合丝两端分别放置在两个所述凹槽中，然后再将纳米铜膏涂于所述键合丝上方；
S30、使所述纳米铜膏烧结，使所述键合丝固定于所述凹槽内，实现已断开的线路修复。
本发明通过在线路端部烧蚀凹槽，并将键合丝和纳米铜膏限定于凹槽内，然后将键合丝采用纳米铜膏通过烧结固定于凹槽内，从而实现两个断开线路的修复。本发明通过在待连接的精细线路端部开设凹槽，再采用键合丝连接，纳米铜作为键合丝与线路的互连材料，烧结温度与基于锡基焊接材料熔点温度相差不大，但烧结的电阻率更低，有力保证修复线路的可靠性，同时简化了精细线路修复步骤，同时提高了精细线路修复效果。
其中，每个线路上的凹槽的数量可以为一道，也可以同时为两道或者三道，对应的，每道凹槽对应一根键合丝。
所述键合丝的材料为纯铜丝、镀钯铜丝、镀金铜丝或镀金钯铜丝，所述键合丝可经过酸洗去除表面油污及氧化物。
进一步地，在开设凹槽之后还包括去胶渣的步骤：例如通过等离子清洗、去钻污去除凹槽、线路表面，以及基板表面的胶渣及碳。
作为基于键合丝的精细线路修复方法的一种优选方案，在步骤1中，当所述线路的厚度小于所述键合丝的直径时，采用激光在其中一个所述线路端部烧蚀出贯穿至所述待修复线路板的基板内部的凹槽，随后在所述基板上烧蚀出一连通槽，并延伸至另一个所述线路、将该线路端部烧蚀出贯穿所述基板内部的凹槽，使两个所述凹槽通过所述连通槽相连通。
其中，凹槽可以位于线路端部靠近其中间位置，也可以靠近线路左侧或者右侧。
该凹槽结构由一个线路上的凹槽经基板上的连通槽延伸至另一个线路上的凹槽，整个凹槽结构(由凹槽和连通槽组成)近似于直线型(也可以为折线型)，将键合丝的两端置于凹槽内，键合丝中部位于连通槽内，凹槽和连通槽共同对键合丝和纳米铜膏起限位作用，在键合丝烧结固定过程中，凹槽和连通槽的结构设计可以防止键合丝发生变形，提高了两个断开线路的连接稳定性。
本发明中，所述纳米铜膏由粒径为50～500nm的纳米铜与乙二醇溶液混合制作成。
其中，乙二醇溶液由无水乙醇和乙二醇(75％)混合而成。
具体低，先用5％的稀硫酸对粒径为50～500nm的纳米铜颗粒进行酸洗，去除颗粒表面的氧化物，干燥后加入乙二醇溶液，通过搅拌、超声振荡使纳米铜颗粒与乙二醇溶液混合均匀。乙二醇可以使配制后的纳米铜膏具有一定的粘度，便于将键合丝初步粘结于凹槽内；且乙二醇的沸点为197℃，在烧结纳米铜时会完全蒸发，纳米铜膏烧结后与键合丝致密且结合力好，不会残留任何杂质在凹槽中；现有技术中添加的其他助焊剂包括松香等其他物质，烧结后有机物有残留，造成孔洞，烧结的纳米铜和键合丝及线路结合力较弱，也使得线路修复后电阻率高。
其中，所述纳米铜的颗粒形状为球形、方形、条状中的一种或者由其中至少两种不同形状的颗粒混合而成。
优选地，所述纳米铜与乙二醇溶液的质量配比为2～5:1，例如2:1、2.2:1、2.5:1、2.8:1、3:1、3.5:1、4:1、4.5:1、5:1。
进一步优选地，所述纳米铜与乙二醇溶液的质量配比为4:1。
作为基于键合丝的精细线路修复方法的一种优选方案，步骤S30中，采用热炉进行烧结，热炉烧结温度为250～350℃，例如250℃、255℃、260℃、265℃、270℃、275℃、280℃、290℃、300℃、310℃、320℃、330℃、340℃、350℃。
作为基于键合丝的精细线路修复方法的另一种优选方案，步骤S30中，采用激光进行烧结，所述激光为连续激光或脉冲激光，所述激光的光束为高斯光束或平顶光束。
具体地，激光的光束类型为高斯光束或经过光束整形器处理的平顶光束，平顶光束是一种在圆形区域内有几乎一致通量(能量密度)的激光光束，使得线路宽度范围内受激光作用更均匀，纳米铜烧结程度也更均匀，跟键合丝结合力更好，整体上烧结线路质量更好。
本发明的有益效果：本发明通过在线路端部烧蚀凹槽，并将键合丝和纳米铜膏限定于凹槽内，然后将键合丝采用纳米铜膏通过烧结固定于凹槽内，从而实现两个断开线路的修复。本发明中，纳米铜作为键合丝与线路的互连材料，烧结温度与基于锡基焊接材料熔点温度相差不大，但烧结的电阻率更低，有力保证修复线路的可靠性，同时简化了精细线路修复步骤，提高了精细线路修复效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一所述的待修复线路板的结构示意图。
图2是本发明实施例一所述的待修复线路板开设有凹槽和连通槽的结构示意图。
图3是本发明实施例一所述的凹槽和连通槽内铺设有纳米铜膏的结构示意图。
图4是本发明实施例一所述的键合丝通过烧结固定于凹槽和连通槽内的结构示意图。
图5是本发明实施例一所述的线路修复后的线路板的侧视图。
图中：
1、待修复线路板；11、基板；12、线路；2、凹槽；3、连通槽；4、纳米铜膏；5、键合丝。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系，该术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例一
本实施例提供一种基于键合丝的精细线路修复方法，包括以下步骤：
S10、提供如图1所示的线路已断开的待修复线路板1，如图2所示，采用激光在其中一个所述线路12端部烧蚀出一道贯穿至所述待修复线路板1的基板11内部的凹槽2，随后在所述基板11上烧蚀出一连通槽3，并延伸至另一个所述线路12、将该线路12端部烧蚀出另一道贯穿所述基板11内部的凹槽2，使两道所述凹槽2通过所述连通槽3相连通；然后通过等离子清洗、去钻污去除凹槽2、线路12表面以及基板11表面的胶渣及碳；
S20、如图3所示，在所述凹槽2和连通槽3中放置纳米铜膏4(粒径为50～500nm的球型纳米铜与乙二醇溶液按质量配比4:1混合)，并将键合丝5中部放在连通槽3的纳米铜膏4上，键合丝5两端放置在凹槽2内的纳米铜膏4上；
S30、如图4和图5所示，通过300℃的热炉使所述纳米铜膏4烧结，使所述键合丝5固定于所述凹槽2内，实现已断开的线路修复。
其中，线路12的厚度小于键合丝5的直径。
实施例二
本实施例与上述实施例一基本相同(参考上述实施例一的附图，且相同的部件名称沿用相同的附图标记)，区别在于凹槽2是否贯穿基板12。
本实施例中的基于键合丝的精细线路修复方法包括以下步骤：
S10、提供线路已断开的待修复线路板1，采用激光在待连接的两个线路12端部分别烧蚀出一道凹槽2；然后通过等离子清洗、去钻污去除凹槽2、线路12表面以及基板11表面的胶渣及碳；
S20、在所述凹槽2中放置纳米铜膏4(粒径为50～500nm的方形纳米铜与乙二醇溶液按质量配比4:1混合)，先将所述键合丝5两端分别放置在两个所述凹槽2中，然后再将纳米铜膏4涂于所述键合丝5上方，使纳米铜膏4自动流入凹槽2内；
S30、通过平顶光束型脉冲激光使所述纳米铜膏4烧结，使所述键合丝5固定于所述凹槽2内，实现已断开的线路修复。
本实施例中，线路12的厚度大于键合丝5的直径，因此，采用激光烧蚀凹槽2时，凹槽2无需贯穿键合丝5至基板11内。
上述实施例中，烧结固定后的键合丝5表面稍微凸出于线路12表面。
需要声明的是，上述具体实施方式仅仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等。但是，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。另外，本申请说明书和权利要求书所使用的一些术语并不是限制，仅仅是为了便于描述。

Claims (8)

1.一种基于键合丝的精细线路修复方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10、提供线路已断开的待修复线路板，采用激光在所述待修复线路板的待连接的两个线路端部分别烧蚀出凹槽；
S20、在所述凹槽中放置纳米铜膏，并将键合丝两端放置在所述凹槽内的所述纳米铜膏上；或者，先将所述键合丝两端分别放置在两个所述凹槽中，然后再将纳米铜膏涂于所述键合丝上方；
S30、使所述纳米铜膏烧结，使所述键合丝固定于所述凹槽内，实现已断开的线路修复。
2.根据权利要求1所述的基于键合丝的精细线路修复方法，其特征在于，步骤1中，当所述线路的厚度小于所述键合丝的直径时，采用激光在其中一个所述线路端部烧蚀出贯穿至所述待修复线路板的基板内部的凹槽，随后在所述基板上烧蚀出一连通槽，并延伸至另一个所述线路、将该线路端部烧蚀出贯穿所述基板内部的凹槽，使两个所述凹槽通过所述连通槽相连通。
3.根据权利要求1所述的基于键合丝的精细线路修复方法，其特征在于，所述纳米铜膏由粒径为50～500nm的纳米铜与乙二醇溶液混合制作成。
4.根据权利要求3所述的基于键合丝的精细线路修复方法，其特征在于，所述纳米铜的颗粒形状为球形、方形、条状中的一种或者由其中至少两种不同形状的颗粒混合而成。
5.根据权利要求3所述的基于键合丝的精细线路修复方法，其特征在于，所述纳米铜与乙二醇溶液的质量配比为2～5:1。
6.根据权利要求5所述的基于键合丝的精细线路修复方法，其特征在于，所述纳米铜与乙二醇溶液的质量配比为4:1。
7.根据权利要求1所述的基于键合丝的精细线路修复方法，其特征在于，步骤S30中，采用热炉进行烧结，所述热炉烧结温度为250～350℃。
8.根据权利要求1所述的基于键合丝的精细线路修复方法，步骤S30中，采用激光进行烧结，所述激光为连续激光或脉冲激光，所述激光的光束为高斯光束或平顶光束。
CN202011216935.5A 2020-11-04 2020-11-04 一种基于键合丝的精细线路修复方法 Active CN112399724B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011216935.5A CN112399724B (zh) 2020-11-04 2020-11-04 一种基于键合丝的精细线路修复方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011216935.5A CN112399724B (zh) 2020-11-04 2020-11-04 一种基于键合丝的精细线路修复方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112399724A true CN112399724A (zh) 2021-02-23
CN112399724B CN112399724B (zh) 2022-03-22

Family

ID=74597469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011216935.5A Active CN112399724B (zh) 2020-11-04 2020-11-04 一种基于键合丝的精细线路修复方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112399724B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113286441A (zh) * 2021-03-23 2021-08-20 广东工业大学 一种三明治结构式金属线路成型方法和金属线路清洗方法

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992008337A1 (en) * 1990-10-31 1992-05-14 International Business Machines Corporation A novel method and structure for repairing electrical lines
CN1154576A (zh) * 1995-11-02 1997-07-16 国际商业机器公司 在集成电路上形成导电路径的导体和方法
CN101203091A (zh) * 2006-12-12 2008-06-18 华通电脑股份有限公司 电路板修复方法
CN101394710A (zh) * 2008-10-10 2009-03-25 华中科技大学 一种三维模塑互连器件导电线路的制作和修复方法
CN101598752A (zh) * 2009-05-14 2009-12-09 福建华映显示科技有限公司 薄膜晶体管阵列电路缺陷修补的实时检测方法
WO2013021750A1 (ja) * 2011-08-11 2013-02-14 古河電気工業株式会社 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置
CN103517572A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 揖斐电株式会社 布线板及其断开修复方法、布线形成方法和制造方法
CN104684267A (zh) * 2015-03-25 2015-06-03 竞陆电子(昆山)有限公司 内层线路开路缺口补线结构
WO2015104954A1 (ja) * 2014-01-10 2015-07-16 古河電気工業株式会社 電子回路装置
CN106825998A (zh) * 2017-02-28 2017-06-13 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法
CN109664048A (zh) * 2018-12-30 2019-04-23 北京康普锡威科技有限公司 纳米铜膏的制备方法、纳米铜膏及其应用
CN110508973A (zh) * 2019-09-11 2019-11-29 重庆群崴电子材料有限公司 一种纳米颗粒掺杂实现高温服役焊锡膏及其制备方法
CN110753454A (zh) * 2019-12-04 2020-02-04 广东工业大学 一种用于精细线路的成型及修复方法
CN110972406A (zh) * 2019-12-04 2020-04-07 广东工业大学 一种用于精细线路的修复方法
CN111146182A (zh) * 2020-02-14 2020-05-12 深圳第三代半导体研究院 一种微细线路修复材料及其修复方法
CN111446045A (zh) * 2020-05-27 2020-07-24 北京康普锡威科技有限公司 混合尺寸纳米铜膏及其制备方法
CN111490027A (zh) * 2020-03-19 2020-08-04 深圳第三代半导体研究院 一种骨架支撑金属膜及制备方法、烧结方法

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992008337A1 (en) * 1990-10-31 1992-05-14 International Business Machines Corporation A novel method and structure for repairing electrical lines
CN1154576A (zh) * 1995-11-02 1997-07-16 国际商业机器公司 在集成电路上形成导电路径的导体和方法
CN101203091A (zh) * 2006-12-12 2008-06-18 华通电脑股份有限公司 电路板修复方法
CN101394710A (zh) * 2008-10-10 2009-03-25 华中科技大学 一种三维模塑互连器件导电线路的制作和修复方法
CN101598752A (zh) * 2009-05-14 2009-12-09 福建华映显示科技有限公司 薄膜晶体管阵列电路缺陷修补的实时检测方法
WO2013021750A1 (ja) * 2011-08-11 2013-02-14 古河電気工業株式会社 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置
CN103517572A (zh) * 2012-06-25 2014-01-15 揖斐电株式会社 布线板及其断开修复方法、布线形成方法和制造方法
WO2015104954A1 (ja) * 2014-01-10 2015-07-16 古河電気工業株式会社 電子回路装置
CN104684267A (zh) * 2015-03-25 2015-06-03 竞陆电子(昆山)有限公司 内层线路开路缺口补线结构
CN106825998A (zh) * 2017-02-28 2017-06-13 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种用作大功率芯片封装的无氧化纳米铜焊膏及其制备方法
CN109664048A (zh) * 2018-12-30 2019-04-23 北京康普锡威科技有限公司 纳米铜膏的制备方法、纳米铜膏及其应用
CN110508973A (zh) * 2019-09-11 2019-11-29 重庆群崴电子材料有限公司 一种纳米颗粒掺杂实现高温服役焊锡膏及其制备方法
CN110753454A (zh) * 2019-12-04 2020-02-04 广东工业大学 一种用于精细线路的成型及修复方法
CN110972406A (zh) * 2019-12-04 2020-04-07 广东工业大学 一种用于精细线路的修复方法
CN111146182A (zh) * 2020-02-14 2020-05-12 深圳第三代半导体研究院 一种微细线路修复材料及其修复方法
CN111490027A (zh) * 2020-03-19 2020-08-04 深圳第三代半导体研究院 一种骨架支撑金属膜及制备方法、烧结方法
CN111446045A (zh) * 2020-05-27 2020-07-24 北京康普锡威科技有限公司 混合尺寸纳米铜膏及其制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113286441A (zh) * 2021-03-23 2021-08-20 广东工业大学 一种三明治结构式金属线路成型方法和金属线路清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112399724B (zh) 2022-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11212921B2 (en) Method for repairing a fine line
CN103404239B (zh) 多层配线基板及其制造方法
Gilleo Assembly with conductive adhesives
EP0653905A1 (en) Direct chip attach module
US7870663B2 (en) Method for manufacturing multilayer wiring board
US9999137B2 (en) Method for forming vias on printed circuit boards
CN107484408B (zh) 电子装置、及电子装置的制造方法
JP5093766B2 (ja) 導電性ボール等搭載半導体パッケージ基板の製造方法
JP2009158593A (ja) バンプ構造およびその製造方法
KR20090021090A (ko) 다층 와이어링 기판 및 그의 제조 방법, 및 ｉｃ 검사 장치에 사용하기 위한 기판 및 그의 제조 방법
US20120228013A1 (en) Defective conductive surface pad repair for microelectronic circuit cards
CN112399724B (zh) 一种基于键合丝的精细线路修复方法
WO2024045411A1 (zh) 激光制导电图案并电气互连不同面的制造多层电路板方法
Liu Reliability of Surface‐mounted Anisotropically Conductive Adhesive Joints
WO2013141392A1 (ja) 電子部品の製造方法
KR20160101066A (ko) 아디프산, 옥살산 및 아민 성분을 포함하는 솔더 페이스트
JP2006303356A (ja) 電子部品実装方法
CN114974656A (zh) 一种纳米复合低温浆料、制备方法及其应用
CN111774682B (zh) 异形多孔印制板焊接方法
JP2018181605A (ja) 金属製部材接合用シート、金属製部材の接合方法および金属製部材接合体
JP2017130623A (ja) 充填用ペースト材料、それを用いたビアホール導体の製造方法および多層基板の製造方法
CN117677074A (zh) 多层电路板焊接方法
JP2009188063A (ja) 端子間の接続方法、および半導体素子の実装方法
Illyefalvi-Vitez et al. Laser soldering for lead-free assembly
JP5526818B2 (ja) プリント配線板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230414

Address after: Room A107, scientific research building, block a, neifo high tech think tank center, Nanhai Software Science Park, Shishan town, Nanhai District, Foshan City, Guangdong Province, 528225

Patentee after: Guangdong fozhixin microelectronics technology research Co.,Ltd.

Address before: Room A107, scientific research building, block a, neifo high tech think tank center, Nanhai Software Science Park, Shishan town, Nanhai District, Foshan City, Guangdong Province, 528225

Patentee before: Guangdong fozhixin microelectronics technology research Co.,Ltd.

Patentee before: Guangdong Xinhua Microelectronics Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right