CN112378546B - 一种检测高温腔体温度的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种检测高温腔体温度的方法，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；对所述硅片进行抛光和清洗；在所述高温腔体内对抛光和清洗后的硅片再次进行指定温度的高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；计算前后两次高温处理中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。本发明提高了高温腔体温度检测的效率与准确率，减少了硅片厚度、电阻率的波动；提高了硅片利用率，减少了成本。

Description

一种检测高温腔体温度的方法
技术领域
本发明涉及高温腔体温度测量领域，具体而言涉及检测高温腔体温度的方法。
背景技术
由于温度传感器的原理或性能受到限制，半导体高温反应腔体内的温度无法得到准确监控。
目前半导体领域比较多的高温温度传感器有两种，红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器。这两种传感器由于受制造或出厂检测标准偏差的影响，不能保持长期的一致和稳定。并且，在高温反应腔体的运行和安装维修过程中，传感器的安装、校温方法也会影响到高温反应腔体的实际温度与传感器显示温度之间的差异。
在高温腔体的运行过程中，腔体的内部状态(例如，灯管或加热器的寿命、腔体壁的粗糙度的变化等)也会造成实际温度与传感器显示温度的差异。
因此，需要提供一种方法来准确监控高温腔体内的温度变化，以及不同高温腔体之间的温度差异。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明的一方面提供一种检测高温腔体温度的方法，包括：
步骤S1，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；
步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；
步骤S3，在所述高温腔体内重复步骤S1以高温处理抛光和清洗后的硅片，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；
步骤S4，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。
进一步地，根据所述差值计算得到高温腔体的实际温度差值包括：用所述差值除以线性系数，得到高温腔体的实际温度差值，其中所述线性系数是线性关系式一和线性关系式二中可决系数更接近于1的线性关系式的线性系数。
进一步地，所述指定温度包括1100℃～1200℃。
进一步地，按照20℃的差值依次设定多个温度点。
进一步地，采用颗粒量测机台量测硅片的Haze值。
进一步地，所述抛光包括机械抛光或化学抛光。
进一步地，所述抛光去除所述硅片表面0.1～0.5um的厚度。
本发明的另一方面提供一种检测高温腔体温度的方法，包括：
步骤S1，在第一高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到第一高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；
步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；
步骤S3，在第二高温腔体内重复步骤S1以高温处理抛光和清洗后的硅片，得到第二高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；
步骤S4，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到不同的高温腔体的实际温度差值。
进一步地，根据所述差值计算得到不同的高温腔体的实际温度差值包括：用所述差值除以线性系数，得到不同的高温腔体的实际温度差值，其中所述线性系数是线性关系式一和线性关系式二中可决系数更接近于1的线性关系式的线性系数。
进一步地，所述指定温度包括1100℃～1200℃。
根据本发明提供的检测高温腔体温度的方法，利用不同时间段获得的硅片在相同温度点的Haze差值来检测高温腔体的温度，提高了高温腔体温度检测的效率与准确率；同时，减少了采用红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器进行高温腔体温度检测时，由于红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器不可控的温度差异会造成硅片厚度、电阻率等参数的波动；并且，由于本发明测试的硅片可以重复使用，提高了硅片的利用率，减少了成本。
附图说明
通过结合附图对本发明实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。
图1示出了现有技术中采用热电偶方式进行高温腔体内温度测量的示意图；
图2示出了现有技术中采用红外温度传感器方式进行高温腔体内温度测量的示意图；
图3示出了根据本发明的一个实施例的检测高温腔体温度的方法的步骤图；
图4示出了根据本发明的一个实施例的检测高温腔体温度的方法中温度与Haze值的线性拟合示意图；
图5示出了根据本发明的另一实施例的检测高温腔体温度的方法的步骤图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的描述，以说明本发明的检测高温腔体温度的方法。显然，本发明的施行并不限于电子装置技术领域技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
为了使得本发明的目的、技术方案和优点更为明显，下面将参照附图详细描述根据本发明的示例实施例。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是本发明的全部实施例，应理解，本发明不受这里描述的示例实施例的限制。基于本发明中描述的本发明实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动的情况下所得到的所有其它实施例都应落入本发明的保护范围之内。
下面参考图1、图2对现有技术中监控高温腔体内温度的方法进行描述：
如图1、图2所示，高温腔体内设置有硅片支撑基座，硅片设置于该硅片支撑基座上，其中图1中通过热电偶的方式监测高温腔体内的温度，图2中通过红外温度传感器的方式监测高温腔体内的温度；这两种方法测量温度值与高温腔体实际的温度值往往存在较大的偏差，这样会造成高温腔体内温度不均匀，导致工艺异常。因此，提出本发明的检测高温腔体温度的方法。
实施例一：
下面将参考图3、图4来具体描述根据本发明的一方面的检测高温腔体温度的方法：
步骤S1，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；
步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；
步骤S3，在所述高温腔体内重复步骤S1以高温处理抛光和清洗后的硅片，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；
步骤S4，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值。
需要说明的是，上述步骤S1-S4在执行的时机上并不必须是连续地执行，其可以一个连续的过程，也可以是各个单独的过程，只要能够对选定的硅片测量出该硅片在先后两次不同时机的高温处理中所对应的Haze值即可，因此，本领域技术人员应了解上述描述并不旨在对步骤的执行做出限制。
在本实施例中，步骤S1中，选定的硅片可以是一个或更多个硅片，高温处理可以包括但不限于烘烤(bake)等，其中指定温度可以包括1100℃～1200℃，指定温度范围内依次设置多个温度点，温度点可以按照间隔相等的方式进行设置，例如可以按照温度差值为20℃依次设置各个温度点，即各个温度点分别为1120℃、1140℃、1160℃等，依次类推。本领域技术人员也可以根据实际的情况来调整温度间隔差值。
其中，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的第一次高温处理时，可以指定处理的时间，例如但不限于1-20分钟，该第一次高温处理可以在多种气体氛围中进行，气体可以包括H2/N2/TCS/Ar等；可以采用颗粒量测机台(SP1、SP3、SP5、SP7等等)量测硅片的Haze(在DNN(DarkField Narrow Normal：暗场窄法线)通道测试模式下获得的Haze值)值H1，其中每个Haze值与各个温度点一一对应，拟合与各个温度点一一对应的Haze值，可以获得高温腔体温度与硅片的Haze值的线性关系式一。
示例性地，如图4所示，指定烘烤处理的时间为10分钟，根据获得的各个温度点的温度值以及与各个温度值对应的Haze值，拟合得到了第一次高温处理的线性关系式一，线性关系式一表示为Y＝0.0192x-18.369，R2＝0.9957，其中Y表示Haze值，x表示高温温度，R2表示可决系数，该系数越接近1表示线性拟合程度越好。
在本实施例中，步骤S2中，对一个或更多个硅片进行抛光和清洗；其中抛光可以包括但不限于机械抛光或化学抛光，本领域技术人员所熟知的适合的其他抛光方法均可应用于此；对硅片进行抛光是为了去除经过第一次高温处理后的硅片表面生成的物质，示例性地，经过抛光去除但不限于硅片表面0.1～0.5um的厚度，本领域技术人员可以根据实际情况以及需要来控制去除的硅片表面的厚度。其中，清洗的目的是为了去除硅片表面颗粒、金属离子以及有机物等污染；具体地，可以采用例如但不限于机械式清洗、湿式化学清洗、干式化学清洗等清洗方法。由于本实施例中进行抛光和清洗后的硅片可以被重复利用，因而提高了硅片的利用率，降低了成本。
在本实施例中，步骤S3中，重复步骤S1对抛光和清洗后的硅片进行第二次高温处理，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二。
示例性地，如图4所示，指定烘烤处理的时间为10分钟，根据获得的各个温度点的温度值以及与各个温度值对应的Haze值，拟合得到了第二次高温处理的线性关系式二，线性关系式二表示为Y＝0.0191x-18.263，R2＝0.996，其中Y表示Haze值，x表示高温温度，R2表示可决系数，该系数越接近1表示线性拟合程度越好。
在本实施例中，步骤S4中，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点获得的对应的Haze值的差值，并用所述差值除以线性系数，得到高温腔体的实际温度差值，其中线性系数是线性关系式一和线性关系式二中拟合效果更好的线性关系式的线性系数。
示例性地，如上所示线性关系式一中R2＝0.9957，线性关系式二中R2＝0.996，由于R2更接近于1，因此选择线性关系式二的线性系数作为差值的除数，从而计算求得高温腔体的实际温度差值。
在本实施例中，可以重复步骤S2-S4，继续进行同一高温腔体的更多不同时间段的高温腔体温度的检测，该方法易于实施，能够提高操作效率。
本实施例中通过同一高温腔体中不同时间段的获得的硅片的Haze差值来检测高温腔体的温度的方法，提高了高温腔体温度检测的效率与准确率；同时，减少了采用红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器进行高温腔体温度检测时，由于红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器不可控的温度差异会造成硅片厚度、电阻率等参数的波动；并且，由于本发明测试的硅片可以重复使用，提高了硅片的利用率，降低了成本。
实施例二：
下面将参考图5来具体描述根据本发明的另一方面的检测高温腔体温度的方法：
步骤S1，在第一高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到第一高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；
步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；
步骤S3，在第二高温腔体内重复步骤S1以高温处理抛光和清洗后的硅片，得到第二高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；
步骤S4，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到不同的高温腔体的实际温度差值。
本实施例与实施例一的主要区别在于：步骤S1和步骤S3分别在不同的第一高温腔体和第二高温腔体中进行，其他的步骤以及具体的实现方式均参照实施例一，实施例而可以采用实施例一中描述的所有相关的技术内容；
在实施例二中，可以重复步骤S2-S4，继续进行更多不同高温腔体的高温腔体温度的检测，该方法易于实施，能够提高操作效率。
实施例二中可以获得不同腔体的实际温度差值，从而通过不同高温腔体中不同时间段的获得的硅片的Haze差值来检测高温腔体的温度的方法，提高了不同高温腔体温度检测的效率与准确率；同时，减少了采用红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器进行高温腔体温度检测时，由于红外温度传感器(Pyrometer)和热电偶类型传感器不可控的温度差异会造成硅片厚度、电阻率等参数的波动；并且，由于本发明测试的硅片可以重复使用，提高了硅片的利用率，降低了成本。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
尽管这里已经参考附图描述了示例实施例，应理解上述示例实施例仅仅是示例性的，并且不意图将本发明的范围限制于此。本领域普通技术人员可以在其中进行各种改变和修改，而不偏离本发明的范围和精神。所有这些改变和修改意在被包括在所附权利要求所要求的本发明的范围之内。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个设备，或一些特征可以忽略，或不执行。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本发明并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该本发明的的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如相应的权利要求书所反映的那样，其发明点在于可以用少于某个公开的单个实施例的所有特征的特征来解决相应的技术问题。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域的技术人员可以理解，除了特征之间相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
本发明的各个部件实施例可以以硬件实现，或者以在一个或者多个处理器上运行的软件模块实现，或者以它们的组合实现。本领域的技术人员应当理解，可以在实践中使用微处理器或者数字信号处理器(DSP)来实现根据本发明实施例的物品分析设备中的一些模块的一些或者全部功能。本发明还可以实现为用于执行这里所描述的方法的一部分或者全部的装置程序(例如，计算机程序和计算机程序产品)。这样的实现本发明的程序可以存储在计算机可读介质上，或者可以具有一个或者多个信号的形式。这样的信号可以从因特网网站上下载得到，或者在载体信号上提供，或者以任何其他形式提供。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式或对具体实施方式的说明，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种检测高温腔体温度的方法，其特征在于，包括：
步骤S1，在高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；
步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；
步骤S3，在所述高温腔体内重复步骤S1以高温处理抛光和清洗后的硅片，得到高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；
步骤S4，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到所述高温腔体的实际温度差值；
其中，根据所述差值计算得到高温腔体的实际温度差值，包括：用所述差值除以线性系数，得到高温腔体的实际温度差值，其中所述线性系数是线性关系式一和线性关系式二中可决系数更接近于1的线性关系式的线性系数。
2.如权利要求1所述的检测高温腔体温度的方法，其特征在于，所述指定温度包括1100℃～1200℃。
3.如权利要求1所述的检测高温腔体温度的方法，其特征在于，按照20℃的差值依次设定所述多个温度点。
4.如权利要求1所述的检测高温腔体温度的方法，其特征在于，采用颗粒量测机台量测硅片的Haze值。
5.如权利要求1所述的检测高温腔体温度的方法，其特征在于，所述抛光包括机械抛光或化学抛光。
6.如权利要求1所述的检测高温腔体温度的方法，其特征在于，所述抛光去除所述硅片表面0.1～0.5um的厚度。
7.一种检测高温腔体温度的方法，其特征在于，包括：
步骤S1，在第一高温腔体内对选定的硅片进行指定温度的高温处理，其中指定温度包括依次设定的多个温度点，获得与各个所述温度点一一对应的所述硅片的Haze值，拟合得到第一高温腔体温度与所述硅片的Haze值的线性关系式一；
步骤S2，对所述硅片进行抛光和清洗；
步骤S3，在第二高温腔体内重复步骤S1以高温处理抛光和清洗后的硅片，得到第二高温腔体温度与抛光和清洗后的硅片的Haze值的线性关系式二；
步骤S4，计算步骤S1与步骤S3中同一温度点的Haze值的差值，并根据所述差值计算得到不同的高温腔体的实际温度差值；
其中，根据所述差值计算得到不同的高温腔体的实际温度差值，包括：用所述差值除以线性系数，得到不同的高温腔体的实际温度差值，其中所述线性系数是线性关系式一和线性关系式二中可决系数更接近于1的线性关系式的线性系数。
8.如权利要求7所述的检测高温腔体温度的方法，其特征在于，所述指定温度包括1100℃～1200℃。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112378546B (zh) * 2020-10-09 2023-03-24 上海新昇半导体科技有限公司 一种检测高温腔体温度的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010150547A1 (ja) * 2009-06-26 2010-12-29 株式会社Sumco シリコンウェーハの洗浄方法、およびその洗浄方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
CN101934497A (zh) * 2010-08-11 2011-01-05 中国电子科技集团公司第四十五研究所 硅片单面化学机械抛光方法和装置
JP2012204369A (ja) * 2011-03-23 2012-10-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルウェーハの製造方法
CN103144011B (zh) * 2011-12-06 2016-05-18 有研半导体材料有限公司 一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置
CN103938269A (zh) * 2014-04-28 2014-07-23 上海华力微电子有限公司 一种外延工艺腔体温度校准的方法
TWI604522B (zh) * 2014-05-16 2017-11-01 Acm Res (Shanghai) Inc Semiconductor wafer cleaning method and device
JP6432497B2 (ja) * 2015-12-10 2018-12-05 信越半導体株式会社 研磨方法
CN108010838B (zh) * 2016-10-27 2020-09-04 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及硅片温度测量方法
CN109238510B (zh) * 2018-10-25 2020-06-05 上海新昇半导体科技有限公司 一种校准外延腔温度的方法
CN112378546B (zh) * 2020-10-09 2023-03-24 上海新昇半导体科技有限公司 一种检测高温腔体温度的方法

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