CN112372377A - 非规则碲锌镉晶片的抛光方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种非规则碲锌镉晶片的抛光方法。抛光方法基于抛光设备实现，抛光设备包括：相对且间隔设置的上抛光盘和下抛光盘；至少一个游轮片，位于上抛光盘与下抛光盘之间，每个游轮片设有多个通孔，每个通孔适于容纳一个非规则碲锌镉晶片；驱动装置，用于控制游轮片运动；调节装置，用于调节上、下抛光盘对非规则碲锌镉晶片的压力；抛光方法包括：在上抛光盘朝向下抛光盘的一侧固定上抛光布，在下抛光盘朝向上抛光盘的一侧固定下抛光布；将经过研磨工艺后的多个待抛光非规则碲锌镉晶片依次放置于游轮片的通孔内；在上、下抛光布上喷洒抛光液，并设定调节装置的相关参数，启动驱动装置，以实现多片晶片上下表面同时抛光。

Description

非规则碲锌镉晶片的抛光方法

技术领域

本发明涉及碲锌镉抛光技术领域，尤其涉及一种非规则碲锌镉晶片的抛光方法。

背景技术

碲锌镉是一种极具工程意义和战略意义的化合物半导体材料，具有优异的光电性能，被广泛用作碲镉汞红外探测器的衬底材料和室温核辐射探测器等。碲锌镉(CdZnTe)衬底是液相外延碲镉汞(HgCdTe)薄膜的最佳衬底材料。高质量的碲锌镉晶片表面加工对于器件性能有着格外的重要性。碲锌镉衬底材料是将生长完成的碲锌镉晶体经过切割、倒角、研磨、抛光、清洗等工序制备而成，研磨工艺会给衬底表面引入一定的损伤层，需要再进行抛光工艺来去除衬底表面的损伤层，同时优化衬底平整度、表面粗糙度等指标，因此抛光工艺是影响衬底材料质量的主要工艺之一。

由于碲锌镉晶片作为衬底的使用要求，两面都需要进行抛光。相关技术中，碲锌镉晶片为单片单面式抛光加工，在加工前需要进行粘片，工艺过程繁琐，效率低下，加工后的晶片平整度较差，片与片间的一致性也较差。

发明内容

本发明实施例提供一种非规则碲锌镉晶片的抛光方法，用以解决现有技术中碲锌镉晶片抛光效率低的问题。

根据本发明实施例的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，所述抛光方法基于抛光设备实现，所述抛光设备包括：

上抛光盘；

下抛光盘，与所述上抛光盘相对且间隔设置；

至少一个游轮片，位于所述上抛光盘与所述下抛光盘之间，每个所述游轮片设有多个通孔，每个所述通孔适于容纳一个非规则碲锌镉晶片；

驱动装置，用于驱动所述游轮片在所述上抛光盘与所述下抛光盘之间运动并控制所述游轮片的运动速率；

调节装置，用于调节所述上抛光盘与所述下抛光盘对所述非规则碲锌镉晶片的压力；

所述抛光方法包括：

在所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧固定上抛光布，在所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧固定下抛光布；

将经过研磨工艺后的多个待抛光非规则碲锌镉晶片依次放置于所述游轮片的通孔内；

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置。

根据本发明的一些实施例，所述上抛光布与所述下抛光布均为带有绒毛的软性机械抛光布。

根据本发明的一些实施例，所述上抛光盘与所述下抛光盘均为不锈钢件。

根据本发明的一些实施例，所述游轮片为PVC材质件。

根据本发明的一些实施例，所述抛光液包括金刚石颗粒。

根据本发明的一些实施例，所述在所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧固定上抛光布，在所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧固定下抛光布包括：

利用双滚轴工装将所述上抛光布固定至所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧；

利用双滚轴工装将所述下抛光布固定至所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧。

根据本发明的一些实施例，所述在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置，包括：

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第一粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第二粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

所述第二粒径与所述第一粒径不同。

根据本发明的一些实施例，所述在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置，包括：

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第一粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

更换所述上抛光盘上的上抛光布以及所述下抛光盘上的下抛光布；

在更换后的上抛光布和下抛光布上喷洒第二粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

所述第二粒径与所述第一粒径不同。

根据本发明的一些实施例，所述设定所述调节装置的相关参数，包括：

按照30-120g/㎝²的单位压力，控制所述上抛光盘与所述下抛光盘对所述非规则碲锌镉晶片的压力。

根据本发明的一些实施例，所述方法，还包括：

在启动所述驱动装置后，调节所述抛光液的溢出量。

采用本发明实施例，去除了单面式加工过程中碲锌镉晶片的粘接工序，实现多片碲锌镉晶片同时对其上下表面进行机械抛光，从而可以提高抛光效率、提高多片碲锌镉晶片抛光效果一致性。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

通过阅读下文实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。在附图中：

图1是本发明实施例中抛光设备抛光非规则碲锌镉晶片的示意图。

附图标记：

抛光设备1，

上抛光盘10，上抛光布11，

下抛光盘20，下抛光布21，

游轮片30。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。

根据本发明实施例的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，所述抛光方法基于抛光设备实现，所述抛光设备包括：

上抛光盘；

下抛光盘，与所述上抛光盘相对且间隔设置；

至少一个游轮片，位于所述上抛光盘与所述下抛光盘之间，每个所述游轮片设有多个通孔，每个所述通孔适于容纳一个非规则碲锌镉晶片；

驱动装置，用于驱动所述游轮片在所述上抛光盘与所述下抛光盘之间运动并控制所述游轮片的运动速率；

调节装置，用于调节所述上抛光盘与所述下抛光盘对所述非规则碲锌镉晶片的压力；

所述抛光方法包括：

在所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧固定上抛光布，在所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧固定下抛光布；

将经过研磨工艺后的多个待抛光非规则碲锌镉晶片依次放置于所述游轮片的通孔内；

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置。

采用本发明实施例，去除了单面式加工过程中碲锌镉晶片的粘接工序，实现多片碲锌镉晶片同时对其上下表面进行机械抛光，从而可以提高抛光效率、提高多片碲锌镉晶片抛光效果一致性。

图1为本发明实施例中抛光设备抛光非规则碲锌镉晶片的示意图。如图1所示，抛光设备1包括：

上抛光盘10；

下抛光盘20，与上抛光盘10相对且间隔设置；上抛光盘10朝向下抛光盘20的一侧固定有上抛光布11，下抛光盘20朝向上抛光盘10的一侧设有下抛光布21；

至少一个游轮片30，位于上抛光盘10与下抛光盘20之间，每个游轮片30均设有多个通孔，每个通孔适于容纳一个非规则碲锌镉晶片；游轮片30的通孔可以用于限定非规则碲锌镉晶片。需要说明的是，将非规则碲锌镉晶片置于通孔后，非规则碲锌镉晶片的上表面适于与上抛光布11接触，非规则碲锌镉晶片的下表面适于与下抛光布21接触。

驱动装置，用于驱动游轮片30在上抛光盘10与下抛光盘20之间运动并控制游轮片30的运动速率，以使上抛光布11与下抛光布21分别对非规则碲锌镉晶片的两面进行抛光；可以理解的是，游轮片30相对于上抛光盘10可以运动，则游轮片30可以带动非规则碲锌镉晶片相对于上抛光盘10运动，非规则碲锌镉晶片的上表面与上抛光布11形成相对摩擦，上抛光布11实现对非规则碲锌镉晶片的上表面的抛光。同时，游轮片30相对于下抛光盘20可以运动，则游轮片30可以带动非规则碲锌镉晶片相对于下抛光盘20运动，非规则碲锌镉晶片的下表面与下抛光布21形成相对摩擦，下抛光布21实现对非规则碲锌镉晶片的下表面的抛光。由此，可以同时实现对非规则碲锌镉晶片的两面抛光。例如，上抛光盘10与下抛光盘20可以同轴自转，游轮片30可以自转，非规则碲锌镉晶片在游轮片30的通孔中处于一种游离状态。

调节装置，用于调节上抛光盘10与下抛光盘20对非规则碲锌镉晶片的压力。例如，调节装置可以用于调节上抛光盘10与下抛光盘20之间的距离，由此来调节上抛光盘10与下抛光盘20对非规则碲锌镉晶片的压力。

在上述实施例的基础上，进一步提出各变型实施例，在此需要说明的是，为了使描述简要，在各变型实施例中仅描述与上述实施例的不同之处。

根据本发明的一些实施例，所述上抛光布与所述下抛光布均为带有绒毛的软性机械抛光布。由此，可以避免对非规则碲锌镉晶片造成损坏。

根据本发明的一些实施例，所述上抛光盘与所述下抛光盘均为不锈钢件。

根据本发明的一些实施例，所述游轮片为PVC材质件。游轮片采用较软的PVC材质，并通过大量试验研究得到的工艺参数，能够有效解决非规则碲锌镉晶片在游离态下撞击产生崩边和裂片的问题，使得碲锌镉衬底研磨后的表面平整度和加工产能得到大幅提升。

根据本发明的一些实施例，所述抛光液包括金刚石颗粒。金刚石具有强度大、不变形的特点，利用金刚石颗粒对非规则碲锌镉晶片进行抛光，可以保障抛光效果。

根据本发明的一些实施例，所述在所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧固定上抛光布，在所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧固定下抛光布包括：

利用双滚轴工装将所述上抛光布固定至所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧；

利用双滚轴工装将所述下抛光布固定至所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧。

双滚轴工装包括两个滚轴，通过将上抛光布粘接在上抛光盘后放置于两个滚轴之间，两个滚轴缓慢推进和压实上抛光布和上抛光盘，使得上抛光布和上抛光盘之间没有气泡，紧密结合。同理，通过将下抛光布粘接在下抛光盘后放置于两个滚轴之间，两个滚轴缓慢推进和压实下抛光布和下抛光盘，使得下抛光布和下抛光盘，之间没有气泡，紧密结合。

根据本发明的一些实施例，所述在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置，包括：

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第一粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第二粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

所述第二粒径与所述第一粒径不同。

根据本发明的一些实施例，所述在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置，包括：

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第一粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

更换所述上抛光盘上的上抛光布以及所述下抛光盘上的下抛光布；

在更换后的上抛光布和下抛光布上喷洒第二粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

所述第二粒径与所述第一粒径不同。

根据本发明的一些实施例，所述设定所述调节装置的相关参数，包括：

按照30-120g/㎝²的单位压力，控制所述上抛光盘与所述下抛光盘对所述非规则碲锌镉晶片的压力。

根据本发明的一些实施例，所述方法，还包括：

在启动所述驱动装置后，调节所述抛光液的溢出量。

抛光布的干湿程度是影响抛光速率和非规则碲锌镉晶片表面质量的关键因素之一。要通过上抛光盘和下抛光盘之间溢出抛光液的情况判断抛光布的干湿情况，通过调节抛光液的流量使得上抛光盘和下抛光盘之间持续有微量的抛光液溢出为最佳。抛光布干湿不当都会造成抛光速率不稳定，如果抛光布过干，非规则碲锌镉晶片受到的摩擦力过大，划道深、损伤严重，严重的话还可能会造成崩边和裂片，如果抛光布过湿，则会导致去除速率极低，晶片表面可能会出现腐蚀坑。

下面参照图1以一个具体的实施例详细描述本发明实施例的非规则碲锌镉晶片的抛光方法。值得理解的是，下述描述仅是示例性说明，而不是对本发明的具体限制。凡是采用本发明的相似结构及其相似变化，均应列入本发明的保护范围。

碲锌镉是一种极具工程意义和战略意义的化合物半导体材料，具有优异的光电性能，被广泛用作碲镉汞红外探测器的衬底材料和室温核辐射探测器等。碲锌镉(CdZnTe)衬底是液相外延碲镉汞(HgCdTe)薄膜的最佳衬底材料。高质量的碲锌镉晶片表面加工对于器件性能有着格外的重要性。碲锌镉衬底材料是将生长完成的碲锌镉晶体经过切割、倒角、研磨、抛光、清洗等工序制备而成，研磨工艺会给衬底表面引入一定的损伤层，需要再进行抛光工艺来去除衬底表面的损伤层，同时优化衬底平整度、表面粗糙度等指标，因此抛光工艺是影响衬底材料质量的主要工艺之一。

由于碲锌镉晶体生长难度较大，很难获得像硅、砷化镓等半导体材料一样的单晶晶棒，因此切割后的碲锌镉晶片需要将多晶部分去除，而为了不造成浪费，去除多晶之后的碲锌镉晶片呈现非规则的外形，并且每片都不是完全一样的，这对于后续的表面加工工艺带来了很大的难度。

由于碲锌镉晶片作为异质外延碲镉汞的衬底的使用要求，A/B两面都需要进行抛光，同时对其厚度均匀性TTV有很高的要求。目前对于碲锌镉晶片来说，几乎都是采用单面抛光工艺，由于晶片需要多次用蜡粘接，粘接蜡层厚度极为影响衬底TTV指标合格率，很难获得较好的TTV，同时反复的粘取会导致晶片应力较大，翘曲严重，最高可达20μm左右，极为影响后续外延所需的碲锌镉衬底的平整度。并且加工后的晶片片间的一致性也较差。

而且，碲锌镉材料是典型的软脆材料，硬度约为0.8～1.5，临界剪切应力为0.1MPa，Si衬底的两种参数分别是其的6倍和19倍，如此小的硬度和临界剪切应力导致碲锌镉材料很软且很脆，因而使得碲锌镉材料机械加工性能很特殊，在加工的过程中非常容易掉渣、崩边、甚至碎裂，尤其是非规则晶片，加工难度特别大。

进入抛光工艺的碲锌镉晶片表面是经过研磨的非光亮的粗糙表面，抛光初始阶段晶片与抛光布之间的摩擦力非常大，晶片在游离状态下极易因为与游轮片撞击产生崩边和裂片。因此，游轮片的选型、抛光布的干湿程度和抛光液的流量都至关重要。

为解决这些问题，本发明实施例提出一种非规则碲锌镉晶片的抛光方法，所述抛光方法基于抛光设备实现，采用双面机械抛光的方式对非规则的碲锌镉晶片进行多片同时双面机械抛光。

如图1所示，本发明实施例的抛光设备1，包括：

上抛光盘10；

下抛光盘20，与上抛光盘10相对且间隔设置。上抛光盘10与下抛光盘20均为不锈钢件。

上抛光盘10朝向下抛光盘20的一侧粘接有上抛光布11，上抛光布11通过双滚轴的工装粘接至上抛光盘10，上抛光布11与上抛光盘10之间没有气泡和间隙。下抛光盘20朝向上抛光盘10的一侧粘接有下抛光布21，下抛光布21通过双滚轴的工装粘接至下抛光盘20，下抛光布21与下抛光盘20之间没有气泡和间隙。

上抛光布11完全覆盖上抛光盘10朝向下抛光盘20的一侧表面，下抛光布21完全覆盖下抛光盘20朝向上抛光盘10的一侧表面。上抛光布11与下抛光布21均为带有绒毛的软性机械抛光布。上抛光布11与下抛光布21均布满含有金刚石的抛光液。在抛光过程中，可以通过上抛光盘10和下抛光盘下抛光盘20之间溢出抛光液的情况判断抛光布的干湿情况。

这里需要注意的是抛光布的粘接，抛光布在粘接到抛光盘的过程中使用双滚轴的工装进行缓慢推进和压实，使得抛光布和抛光盘之间没有气泡，二者紧密结合，这是影响抛光后晶片TTV的关键因素之一，同时如果存在较大气泡也会造成抛光过程中的裂片。

至少一个游轮片30，位于上抛光盘10与下抛光盘20之间，每个游轮片30设有多个通孔，每个通孔适于容纳一个非规则碲锌镉晶片，用于将非规则碲锌镉晶片固定于上抛光盘10和下抛光盘下抛光盘20之间。多个通孔可以为孔径不同的圆孔。游轮片30采用较软的PVC材质制作。游轮片30的材质选择是至关重要的。若采用硬质材料，比如FR4环氧玻璃布层压板或其他相近硬度的材料，非规则碲锌镉晶片在抛光过程中会由于碰撞而产生大量崩边，导致碎片。而PVC材质的则完全解决了崩边的问题。

在抛光时，所用游轮片30的圆孔直径大于非规则碲锌镉晶片的最大圆弧直径，随着抛光盘的旋转和游轮片30的自转，非规则碲锌镉晶片在游轮片30的圆孔中处于一种游离状态。

驱动装置，用于驱动游轮片30在上抛光盘10与下抛光盘20之间运动并控制游轮片30的运动速率，以使上抛光布11与下抛光布21分别对非规则碲锌镉晶片的两面进行抛光；

调节装置，用于调节上抛光盘10与下抛光盘20对非规则碲锌镉晶片的压力。

抛光液调节装置，用于调节上抛光布11上抛光液的溢出量以及下抛光布21上抛光液的溢出量。

采用抛光设备1对非规则碲锌镉晶片进行抛光的过程包括粗抛和精抛两步工序，即分别使用粗细不同粒径的含有金刚石的抛光液或其他特性相似的抛光液，实现对双面研磨后的非规则碲锌镉晶片进行两步机械抛光工序。

这里需要注意的是，为避免不同粒径抛光液交叉污染影响晶片抛光后的表面质量，粗抛和精抛两步工序可以通过两台独立的抛光设备1完成。

下面以粗抛工序为例详细描述一下非规则碲锌镉晶片的抛光过程。

在开始抛光前向上抛光布11、和下抛光布21上喷洒带有金刚石颗粒的抛光液，让上抛光布11、和下抛光布21表面均匀布满含有金刚石的抛光液，然后再将游轮片30和非规则碲锌镉晶片按顺序放置于下抛光盘20上，根据非规则碲锌镉晶片面积和需要去除的厚度设定程序开始抛光。

需要说明的是，抛光布的干湿程度是影响抛光速率和晶片表面质量的关键因素之一。要通过上抛光盘10和下抛光盘下抛光盘20之间溢出抛光液的情况判断抛光布的干湿情况，通过调节抛光液的流量使得上抛光盘10和下抛光盘下抛光盘20之间持续有微量的抛光液溢出为最佳。抛光布干湿不当都会造成抛光速率不稳定，如果抛光布过干，晶片受到的摩擦力过大，划道深、损伤严重，严重的话还可能会造成崩边和裂片，如果抛光布过湿，则会导致去除速率极低，晶片表面可能会出现腐蚀坑。

另外一个影响抛光速率和晶片表面质量的关键因素则是抛光压力。抛光前将单批次的晶片总面积计算出来，按照30-120g/㎝²的单位压力设定单批次工艺的抛光压力。

采用本发明实施例，对于圆弧直径75mm以下的非规则碲锌镉晶片进行多片双面机械抛光，单批次加工数量为10-20片，能够有效解决非规则晶片加工过程中崩边和裂片的问题。并且采用双面抛光由于不需要粘接工艺，同时双面受力均匀，均匀下厚，抛光后的表面平整度TTV≤5μm。而采用单面抛光工艺的晶片需要多次用蜡粘接，抛光后自由状态下通常TTV≤20微米。并且与单面加工相比，加工效率提升50％以上，产能得到大幅提升。

需要说明的是，以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

另外，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述抛光方法基于抛光设备实现，所述抛光设备包括：

上抛光盘；

下抛光盘，与所述上抛光盘相对且间隔设置；

至少一个游轮片，位于所述上抛光盘与所述下抛光盘之间，每个所述游轮片设有多个通孔，每个所述通孔适于容纳一个非规则碲锌镉晶片；

驱动装置，用于驱动所述游轮片在所述上抛光盘与所述下抛光盘之间运动并控制所述游轮片的运动速率；

调节装置，用于调节所述上抛光盘与所述下抛光盘对所述非规则碲锌镉晶片的压力；

所述抛光方法包括：

在所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧固定上抛光布，在所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧固定下抛光布；

将经过研磨工艺后的多个待抛光非规则碲锌镉晶片依次放置于所述游轮片的通孔内；

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置。

2.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述上抛光布与所述下抛光布均为带有绒毛的软性机械抛光布。

3.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述上抛光盘与所述下抛光盘均为不锈钢件。

4.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述游轮片为PVC材质件。

5.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述抛光液包括金刚石颗粒。

6.如权利要求1所述的基于抛光设备的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述在所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧固定上抛光布，在所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧固定下抛光布包括：

利用双滚轴工装将所述上抛光布固定至所述上抛光盘朝向所述下抛光盘的一侧；

利用双滚轴工装将所述下抛光布固定至所述下抛光盘朝向所述上抛光盘的一侧。

7.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置，包括：

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第一粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第二粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

所述第二粒径与所述第一粒径不同。

8.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置，包括：

在所述上抛光布和所述下抛光布上喷洒第一粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

更换所述上抛光盘上的上抛光布以及所述下抛光盘上的下抛光布；

在更换后的上抛光布和下抛光布上喷洒第二粒径的抛光液，并设定所述调节装置的相关参数，启动所述驱动装置；

所述第二粒径与所述第一粒径不同。

9.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述设定所述调节装置的相关参数，包括：

按照30-120g/㎝²的单位压力，控制所述上抛光盘与所述下抛光盘对所述非规则碲锌镉晶片的压力。

10.如权利要求1所述的非规则碲锌镉晶片的抛光方法，其特征在于，所述方法，还包括：

在启动所述驱动装置后，调节所述抛光液的溢出量。

Images