CN112368812B - 相位显示光学及x射线半导体计量 - Google Patents

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Abstract

本文所公开的实施例可实现半导体晶片上的目标重构及/或成像。使用晶片计量工具来测量半导体晶片上的目标的表面。所述表面的体素图经固定以匹配几何形状测量且使用预期材料的散射密度。可发生所有固定表面体素的所述散射密度的均匀缩放。

Description

相位显示光学及X射线半导体计量
技术领域
本发明涉及半导体计量。
背景技术
半导体制造业的发展对良率管理且尤其是计量及检验系统提出越来越高要求。临界尺寸不断缩小。经济促使产业缩短实现高良率、高价值生产的时间。最少化从检测到良率问题到将其修复的总时间决定了半导体制造商的投资回报率。
制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包括使用大量制造工艺来处理半导体晶片以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻涉及将图案从光罩转移到布置在半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包括(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。可在单个半导体晶片上以布置制造多个半导体装置且接着将其分离成个别半导体装置。
在半导体制造期间的各个步骤中使用计量过程来监测及控制过程。计量过程不同于检验过程，因为与其中检测晶片上的缺陷的检验过程不同，计量过程用于测量无法使用现有检验工具来确定的晶片的一或多个特性。计量过程可用于测量晶片的一或多个特性，使得可从一或多个特性确定过程的性能。例如，计量过程可测量在过程期间形成在晶片上的特征的尺寸(例如线宽、厚度等等)。另外，如果晶片的一或多个特性不可接受(例如，超出(若干)特性的预定范围)，那么可使用晶片的一或多个特性的测量来更改工艺的一或多个参数，使得由工艺制造的额外晶片具有(若干)可接受特性。
在半导体计量断层成像中，从来自周期性平面目标的衍射光确定自由形式散射密度图(SDM)。对于硬x射线，此散射密度为复数，其表示：实部，其为与折射率的统一性的偏差；及虚部，其为消光指数。在涉及典型电子半径乘以x射线波长平方除以2π的恒定逆缩放之后，SDM的实部等于材料的电子密度。因而，术语“电子密度”通常用作散射密度的代用界定。密度确定为匹配模拟及测量衍射图案且使SDM正规化的优化过程的结果。SDM采用分配给体积元素(体素)的一组散射密度的形式，体积元素拼接x射线目标(通常为平面(x,y)方向上的周期性单位单元及通常垂直于其(z)的非周期性散射区域)的散射体积。此散射体积表示为扩展单位单元。
试图从衍射光强度推断SDM的技术的缺点为测量中无可用的绝对或相对相位信息。因而，不存在唯一确定SDM的机制。实际上，存在可精确产生相同衍射光信号的SDM的许多例子。此外，在硬x射线光谱中，散射体积的位置的高度相依性较弱。因此，在分辨SDM中出现若干模糊性，其包括平移、空间分率及垂直反转模糊性。就平移模糊性来说，SDM可在任何方向上移位且不改变模拟测量以因此对约束无影响。就空间分率模糊性来说，简单结构的两个单独几何形状可产生除零级之外的所有级的相同散射分布。就垂直反转模糊性来说，如果SDM相对于水平面翻转，那么单个散射模型产生相同模拟光谱。
先前技术试图通过在某种意义上从SDM初始条件借用相位及/或惩罚分辨SDM与初始SDM之间的优化差来解决相位不足。然而，从初始条件诱发相位会使估计SDM偏向初始SDM。此可在估计SDM中产生原本不存在的特征或抑制应存在的几何特征。
因此，需要改进计量。
发明内容
在第一实施例中，提供一种方法。所述方法包括：使用晶片计量工具来测量半导体晶片上的目标的表面。使用处理器，所述表面的体素图经固定以匹配几何形状测量且使用预期材料的散射密度。发生所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放。
在一个实例中，所述晶片计量工具为临界尺寸扫描电子显微镜。
在另一实例中，所述晶片计量工具为反射小角度x射线散射计。所述方法可包括使用反射模式中所配置的测量工具来测量所述目标的所述表面。所述测量工具可为透射小角度x射线散射计。
在另一实例中，所述晶片计量工具为光学散射计。所述方法可包括使用经配置以使用透射技术的测量工具来测量所述目标的所述表面。所述测量工具可为透射小角度x射线散射计。
测量所述目标的所述表面可包括测量所述目标的几何形状以提供所述几何形状测量。
所述体素可从与所述目标中的材料相关联的一组值取得散射值。所述散射值可连续浮动。
在第二实施例中，提供一种系统。所述系统包括：晶片计量工具，其经配置以测量半导体晶片上的目标的表面；及处理器，其与所述晶片计量工具电子通信。所述处理器经配置以固定所述表面的体素图来匹配几何形状测量且使用预期材料的散射密度。发生所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放。
在一个实例中，所述晶片计量工具为临界尺寸扫描电子显微镜。
在另一实例中，所述晶片计量工具为反射小角度x射线散射计。所述系统可包括与所述处理器电子通信的经配置以使用反射模式的测量工具。所述测量工具可为透射小角度x射线散射计。
在另一实例中，所述晶片计量工具为光学散射计。所述系统可包括与所述处理器电子通信的经配置以使用透射技术的测量工具。所述测量工具可为透射小角度x射线散射计。
所述系统可包括与所述处理器电子通信的经配置以使用透射技术的测量工具。所述晶片计量工具可进一步经配置以测量所述目标的几何形状。在一个实例中，所述晶片计量工具为反射小角度x射线散射计或光学散射计，且所述测量工具为透射小角度x射线散射计。所述系统可包括经配置以存储与所述目标中的材料相关联的多个散射值的电子数据存储单元。所述电子数据存储单元可与所述处理器电子通信。所述处理器可经配置以从所述体素的所述一组值取得散射值。所述散射值可连续浮动。
附图说明
为更完全理解本发明的本质及目的，应参考结合进行附图的以下详细描述，其中：
图1为根据本发明的方法的实施例的流程图；
图2说明具有类似散射但在周期性单位单元内具有不同界定的示范性2D结构；
图3说明通过辅助测量的相位显示；
图4说明通过先前测量的相位显示；
图5为根据本发明的系统的框图；
图6为硅中的示范性2D周期性孔阵列；
图7为使用用于体素化叠加的网格线所测量或成像的示范性表面；
图8为2D周期性阵列内的一个单位单元的示范性3D图；
图9为使用与网格线对准的体素化边缘来体素化之后所测量或成像的示范性表面；
图10为粗糙体素化之后2D周期性阵列内的一个单位单元的示范性3D图；及
图11为根据本发明的另一系统的框图。
具体实施方式
尽管将根据特定实施例来描述所主张的标的物，但包括仅提供本文中所阐述的益处及特征的子集的实施例的其它实施例也在本发明的范围内。可在不脱离本发明的范围的情况下进行各种结构、逻辑、过程步骤及电子改变。因此，仅通过参考所附权利要求书来界定本发明的范围。
本文中所揭示的实施例描述两种类型的相位复原或部分复原。第一类型来自成像法，其中可测量物体的一部分。接着，可使用此测量来修正初始条件或为优化提供额外惩罚项。第二类型使用散射测量法，其中额外测量光谱含有有助于至少分辨垂直模糊性的额外信息。这两种类型的相位复原或部分复原可组合使用以提供特定结构的改进结果。本文中所揭示的实施例可实现依比仅使用透射-小角度X射线散射(T-SAXS)散射测量更有效的方式重构及/或成像目标。本文中所描述的运算方法的实施例也可减少用于断层成像的结果的时间。
使用本文中所描述的相位复原，在确定SDM的部分之后，可从测量信号获得SDM的剩余未知部分的唯一解。描述其中详细说明扩展单位单元的SDM图的顶层的方法。其它实施例确定SDM的其它区段。
固定SDM的任何部分未必保证仅来自测量衍射信号的SDM的唯一解。然而，可鉴于足够数目个测量配置及来自SDM的固定部分的足够散射量来获得唯一解。
图1为方法100的流程图。使用方法100，可分配目标的顶层的SDM且可确定顶层下方的SDM。在101中，使用晶片计量工具来测量半导体晶片上的目标的表面。例如，晶片计量工具可为临界尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)、反射小角度x射线散射计或光学散射计。
在测量确定目标的顶面的几何形状之后，使用目标的表面的预期存在的材料的散射密度，基于测量几何形状来分配体素的顶层的SDM。如果在散射运算中不独立考虑入射辐射通量，那么可使用所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放来考虑辐射通量的不固定性。例如，在102中，固定表面的体素图以匹配通过其它测量所获得的几何形状且使用预期材料的散射密度。可发生所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放。例如，可仅发生所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放或可发生所有固定表面体素的散射密度的至少一些均匀缩放。
一般来说，由于材料的入射通量及散射密度两者的不固定性，可能难以将其设定为固定值。在一个例子中，替代地应用比例因子。如果表面中存在多个材料，那么每一材料需要单独比例因子。
体素为小规则体积，通常为长方柱。体素的几何形状准许拼接扩展单位单元，即，完全无重叠覆盖扩展单位单元的这些体积的有限集。在一个例子中，呈现系统可基于其相对于其它体素的位置(即，其在构成单个体积图像的数据结构中的位置)来推断体素的位置。体素可表示非均匀填充的规则取样空间。
体素可从与目标中的材料相关联的一组值取得散射值，其可包括这些材料的散射或电子密度。在本文所描述的计量方案中，散射值可连续变动，其允许目标内的形状缩减到体素的离散化水平。此呈现类似于x射线图像的呈现，其中每一图片元素(像素)具有与目标材料对从点状源发射的x射线锥的透射率成比例的亮度。
图6到10为方法100的实例。图6为硅中示范性2D周期性孔阵列。图7为使用用于体素化叠加的网格线所测量或成像的示范性表面。图7可对应于图6。图8为2D周期性阵列内的单位单元的示范性3D图。图9为使用与网格线对准的体素化边缘来体素化之后所测量或成像的示范性表面。图9可对应于图8。图10为粗糙体素化之后2D周期性阵列内的一个单位单元的示范性3D图。图10展示3×3×6体素阵列。通过辅助测量来确定9个体素的顶层，且可通过x射线散射断层成像法来唯一地确定剩余者。
在一个实施例中，可使用经配置以使用反射技术的测量工具(特别是具有目标的相对较小穿透深度的系统)来测量目标的表面。测量工具也可为另一晶片计量工具或某个其它测量系统。在一个实例中，晶片计量工具可为反射x射线散射计且测量工具可为透射小角度x射线散射计。在另一实例中，晶片计量工具为光学散射计且测量工具可为透射小角度x射线散射计。单独或协同使用这些工具，可将目标的表面固定为由这些计量工具指示的几何形状，以所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放为模。
在混合成像实施例中，例如CD-SEM成像或同调衍射成像的成像法可提供目标的表面的测量。使用所述图像，可使用预期材料的散射密度来将表面的体素图固定为成像的几何形状，以所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放为模。
在混合散射测量实施例中，例如反射-小角度x射线散射(R-SAXS)或光学散射测量的方法可结合透射技术(例如T-SAXS)来提供目标的几何形状的测量。通常，将依赖这些测量来给出目标的给定深度的准确结果。此在VNAND通道孔测量中特别有用，因为通道孔的几何形状在装置的顶部处相对简单，但在装置的底部处具有更复杂几何形状。可受益于此方法的其它实例装置/结构为DRAM装置、W-凹部结构、阵列下CMOS且一般为任何相对较高半导体装置。仅可探测装置的顶部的散射测量结果可产生比仅T-SAXS更准确的上几何形状的测量。
另外，如果在多个处理步骤上建立目标，那么可使用先前处理步骤中的测量来固定目标的下部分的几何形状。
使用顶面附近的反射散射测量结果，可使用预期材料的散射密度来将体素图的上部分的体素图固定为单独测量的顶部几何形状以仅允许所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放。
在使用T-SAXS来运算目标的断层图像的实施例中，可使用优化技术，其中依使得与散射密度的分布相关联的模拟T-SAXS信号匹配测量T-SAXS信号的方式变动与未固定的体素相关联的散射密度的值。因此，优化最小化拟合测量。如果T-SAXS信号具有比SDM少的自由度，或如果SDM到频谱图为秩亏(本文中的技术试图消除或减少的性质)，那么可将额外正则化项添加到减少SDM的熵测度的优化。此熵测度为有限差分材料梯度的L1范数，即，总变差。
混合整数法可容许体素从与目标的已知材料相关联的一组值取得散射值。混合整数法可使用材料图。可基于材料来将来自有限可数集的数字分配给图的每一区域。可容许材料的散射值连续浮动以最小化相同或相似范数。算法可并行化，因为若干单独处理器可在唯一整数材料图上工作且标准优化可遍及相对较少散射密度值。因此，可与其它技术相比来最少化处理时间。
可(例如)通过在初始整数体素图与所提出的整数图之间应用视差的离散测量且优化组合先接近来采用试探法降低问题的组合复杂度。
混合整数法可与成像法或提供关于目标的额外信息的其它方法一起有效工作。
SAXS测量可包括仅测量远场强度中固有的模糊性。完整空间信息携载于复数值场振幅而非实数值强度(其经界定为场振幅的平方的绝对值)中。另外，可由于弱x射线散射而发生垂直模糊性。在T-SAXS断层成像中，物体可垂直翻转且归因于硬x射线的弱散射特性而具有大致相同光谱匹配。可由于实际无法测量零衍射级(其可消除简单矩形光栅的情况中的光谱的歧义)而发生空间分率模糊性。在T-SAXS断层成像中，具有40％的线/空间分率的2D光栅可由具有60％的线/空间分率且与相同测量信号匹配的另一光栅表示。平移模糊性为测量强度而非振幅的直接结果。图2说明具有类似散射但在周期性单位单元内具有不同界定的示范性2D结构。
图3说明通过辅助测量的相位显示。可通过经由辅助测量获知结构的一部分、将其固定在周期性单位单元内及取得各种照射角处的足够数目个测量以确定结构的剩余者来确定模型中的未知相位。
图4说明通过先前测量的相位显示。可通过独立制造或放置目标结构下方或目标结构上方的额外已知结构来确定相位。也可通过在目标制造工艺的不同步骤中测量其部分来确定相位。
相位显示(如图4中的相位显示)可从结构的底部进行到结构的顶部。
图5为晶片计量工具200的实施例的框图。晶片计量工具200包括经配置以固持晶片205或其它工件的卡盘204。卡盘204可经配置以在一个、两个或三个轴中移动或旋转。卡盘204也可经配置以(例如)绕Z轴自旋。
晶片计量工具200也包括经配置以测量晶片205上的表面、装置、特征或层的部分的测量系统201。例如，晶片计量工具200可经配置以测量半导体晶片上的目标的表面。晶片计量工具200可为CD-SEM、反射小角度x射线散射计或光学散射计。例如，晶片计量工具200可具有类似于第7,933,026号美国专利中所展示的硬件配置，所述专利的全部内容以引用的方式并入本文中。
如果晶片计量工具200为反射小角度x射线散射计或光学散射计，那么经配置以使用透射技术的测量工具(图5中未说明)可与处理器202电子通信。测量工具可为透射小角度x射线散射计。晶片计量工具200可进一步经配置以测量目标的几何形状。
图11为系统300的框图。晶片计量工具200及测量工具301两者可使晶片205成像或用于测量晶片205的方面。晶片计量工具200及测量工具301两者与处理器202及电子数据存储单元203电子通信。晶片计量工具200及测量工具301可为相同系统的部分或晶片205可转移到晶片计量工具200与测量工具301之间。
返回到图5，测量系统201可产生光束、电子束、宽带等离子体，或可使用其它技术来测量晶片205的表面。在一个实例中，测量系统201包括激光。在另一实例中，晶片计量工具200为宽带等离子体检验工具。测量系统201可提供晶片205上的目标的图像或可提供用于形成晶片205上裸片的图像的信息。
特定来说，晶片计量工具200或测量系统201可经配置以提供旋转偏振器旋转补偿器光谱椭偏测量数据、全穆勒(Mueller)矩阵分量数据、旋转偏振器光谱椭偏测量数据、反射测量数据、激光驱动光谱反射测量数据或X射线数据的一或多者。
在一个例子中，晶片计量工具200使用宽带光源、测量光源如何与目标相互作用的测量系统201及提取目标的相关参数的处理算法来提供光谱椭偏测量。光源可为激光驱动光源，与Xe灯相比，其可提供高强度且提高检测器处的信噪比。在一个实例中，收集系统包括为列偏振器(旋转或固定)、补偿器(旋转或固定)、检测器、光谱仪、摄像机、透镜、反射镜及/或准直器。为增强目标特征，系统可使用N2或Ar气体清洗来将波长范围扩展到170nm或更低。
晶片计量工具200与处理器202及与处理器202电子通信的电子数据存储单元203通信。例如，处理器202可与测量系统201或晶片计量工具200的其它组件通信。处理器202实际上可由硬件、软件及固件的任何组合实施。此外，本文中所描述的其功能可由一个单元执行或分到不同组件中，所述组件中的每一者又可由硬件、软件及固件的任何组合实施。使处理器202实施各种方法及功能的程序代码或指令可存储在控制器可读存储媒体(例如电子数据存储单元203中的存储器)中、处理器202内、处理器202外或其组合。
尽管仅说明一个处理器202及电子数据存储单元203，但可包括一个以上处理器202及/或一个以上电子数据存储单元203。每一处理器202可与一或多个电子数据存储单元203电子通信。在一个实施例中，通信地耦合一或多个处理器202。在此方面，一或多个处理器202可接收测量系统201处所接收的读数且将读数存储在处理器202的电子数据存储单元203中。处理器202及/或电子数据存储单元203可为晶片计量工具200本身的部分或可与晶片计量工具200分离(例如独立控制单元或在集中式质量控制单元中)。
处理器202可以任何适合方式耦合到晶片计量工具200的组件(例如，经由可包括有线及/或无线传输媒体的一或多个传输媒体)，使得处理器202可接收由晶片计量工具200产生的输出，例如来自测量系统201的输出。处理器202可经配置以使用输出来执行若干功能。例如，处理器202可经配置以测量晶片205上的层。在另一实例中，处理器202可经配置以将输出发送到电子数据存储单元203或另一存储媒体且无需重检输出。处理器202可进一步如本文中所描述那样配置。
本文中所描述的处理器202、(若干)其它系统或(若干)其它子系统可采用各种形式，其包括个人计算机系统、图像计算机、大型计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。(若干)子系统或系统也可包括本技术中已知的任何适合处理器，例如并行处理器。另外，(若干)子系统或系统可包括具有高速处理及软件的平台作为独立或网络工具。例如，处理器202可包括微处理器、微控制器或其它装置。
如果系统包括一个以上子系统，那么不同子系统可彼此耦合，使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等等。例如，子系统可通过可包括本技术中已知的任何适合有线及/或无线传输媒体的任何适合传输媒体来耦合到(若干)额外子系统。这些子系统的两者或更多者也可由共享计算机可读存储媒体(未展示)有效耦合。
处理器202也可为缺陷重检系统、检验系统、计量系统或一些其它类型的系统的部分。因此，本文中所揭示的实施例描述可以多种方式为具有几乎适合于不同应用的不同能力的系统定制的一些配置。
处理器202可与测量系统201或晶片计量工具200的其它组件电子通信。处理器202可根据本文中所描述的任何实施例来配置。处理器202也可经配置以使用测量系统201的输出或使用来自其它源的图像、测量或数据来执行其它功能或额外步骤。
额外实施例涉及非暂时性计算机可读媒体，其存储可在控制器上执行以执行本文中所揭示的计算机实施方法的程序指令。特定来说，如图5中所展示，处理器202可包括电子数据存储单元203中的存储器或具有非暂时性计算机可读媒体(其包括可在处理器202上执行的程序指令)的其它电子数据存储媒体。计算机实施方法可包括本文中所描述的(若干)任何方法的(若干)任何步骤。例如，处理器202可经编程以执行方法100的一些或所有步骤。电子数据存储单元203中的存储器或其它电子数据存储媒体可为存储媒体，例如磁盘或光盘、磁带或本技术中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体。
在一个例子中，处理器202可经配置以执行一或多个软件模块。例如，处理器202可经配置以使用预期材料的散射密度来将表面的体素图固定为来自晶片计量工具200的测量的几何形状。仅可发生所有固定表面体素的散射密度的均匀缩放。电子数据存储单元203可经配置以存储与目标中的材料相关联的多个散射值。处理器202可经配置以从体素的值组取得散射值。散射值可连续浮动。
可以各种方式中的任一者实施程序指令，其尤其包括基于过程的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术。例如，可视需要使用ActiveX控件、C++目标、JavaBeans、微软基础类(MFC)、流式传输SIMD扩展(SSE)或其它技术或方法来实施程序指令。
在另一实施例中，处理器202可以本技术中已知的任何方式通信地耦合到晶片计量工具200的各种组件或子系统中的任一者。此外，处理器202可经配置以通过可包括有线及/或无线部分的传输媒体来自其它系统接收及/或获取数据或信息(例如来自检验系统(例如重检工具、另一测量工具、包括设计数据的远程数据库及其类似者)的重检结果)。依此方式，传输媒体可用作处理器202与晶片计量工具200的其它子系统或晶片计量工具200外的系统之间的数据链路。
在一些实施例中，本文中所揭示的晶片计量工具200及方法的各个步骤、功能及/或操作由以下的一或多者执行：电子电路、逻辑门、多路复用器、可编程逻辑装置、ASIC、模拟或数字控制/开关、微控制器或运算系统。实施方法(例如本文中所描述的方法)的程序指令可在载体媒体上传输或存储在载体媒体上。载体媒体可包括存储媒体，例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、非易失性存储器、固态存储器、磁带及其类似者。载体媒体可包括传输媒体，例如电线、电缆或无线传输链路。例如，本发明中所描述的各个步骤可由单处理器202(或计算机系统)或替代地，多个处理器202(或多个计算机系统)执行。此外，晶片计量工具200的不同子系统可包括一或多个运算或逻辑系统。因此，以上描述不应被解译为本发明的限制，而是仅为说明。
在一个例子中，图5中的晶片计量工具200可包括：照明系统，其照射目标；测量系统201，其检索通过照明系统与晶片205上的目标、装置或特征相互作用(或无相互作用)所提供的相关信息；及处理器202，其使用一或多个算法来分析收集信息。
晶片计量工具200可包括可用于测量各种半导体结构及材料特性的一或多个硬件配置。这些硬件配置的实例包括(但不限于)光谱椭偏仪(SE)、具有多个照明角的SE、测量穆勒矩阵元素(例如，使用(若干)旋转补偿器)的SE、单波长椭偏仪、光束分布椭偏仪(角分辨椭偏仪)、光束分布反射仪(角分辨反射仪)、宽带反射光谱仪(光谱反射仪)、单波长反射仪、角分辨反射仪、成像系统或散射计(例如散斑分析仪)。硬件配置可分离成离散操作系统或可组合成单个工具。
特定硬件配置的照明系统可包括一或多个光源。光源可产生仅具有一种波长的光(即，单色光)、具有多种离散波长的光(即，多色光)、具有多种波长的光(即，宽带光)及/或连续或在波长之间跳跃扫过波长的光(即，可调谐源或扫频源)。适合光源的实例为白光源、紫外线(UV)激光、弧光灯或无电极灯、激光维持等离子体(LSP)源、超连续源(例如宽带激光源)、较短波长源(例如X射线源)、极UV源或其某一组合。光源也可经配置以提供具有足够亮度的光，在一些情况中，亮度可为大于约1W/(nm cm2Sr)的亮度。晶片计量工具200也可包括对光源的快速反馈用于稳定其功率及波长。光源的输出可经由自由空间传播来传递，或在一些情况中，经由任何类型的光纤或光导来传递。
晶片计量工具200可经设计以进行与半导体制造相关的许多不同类型的测量。例如，在特定实施例中，晶片计量工具200可测量一或多个目标的特性，例如临界尺寸、重叠、侧壁角、膜厚度或工艺相关参数(例如焦点及/或剂量)。目标可包括具周期性的特定关注区域，例如存储器裸片中的光栅。目标可包括其厚度可由晶片计量工具200测量的多个层(或膜)。目标可包括放置在(或已存在于)半导体晶片上以供使用的目标设计，例如使用对准及/或重叠配准操作。特定目标可位于半导体晶片上的各个位置处。例如，目标可位于切割道内(例如，在裸片之间)及/或位于裸片本身中。在特定实施例中，由相同或多个计量工具测量(同时或在不同时间)多个目标。可组合来自这些测量的数据。来自计量工具的数据可用于半导体制造工艺中(例如)以前馈、反馈及/或侧馈校正到工艺(例如光刻、蚀刻)且因此可产生完整工艺控制解决方案。
为提高测量准确度及与实际装置特性的匹配且改进裸片中或装置上的测量，已提出各种计量实施方案。例如，可使用基于主要反射光学器件的聚焦光束椭偏测量。可使用变迹器来减轻引起照射光斑扩散超过由几何光学器件界定的大小的光学衍射的效应。使用具有同时多入射角照明的高数值孔径工具为实现小目标能力的另一方式。其它测量实例可包括测量半导体堆叠的一或多个层的组合物、测量晶片上(或晶片内)的特定缺陷及测量暴露在晶片的光刻辐射量。在一些情况中，计量工具及算法可经配置用于测量非周期性目标。
关注参数的测量通常涉及若干算法。例如，入射光束与样品的光学相互作用可使用电磁(EM)求解器来建模且可使用算法，例如严格耦合波分析(RCWA)、有限元法(FEM)、矩量法、表面积分法、体积积分法、时域有限差分法(FDTD)及其它。关注目标通常使用几何引擎或在一些情况中，工艺建模引擎或两者的组合来建模(参数化)。可实施几何引擎，例如科磊公司(KLA-Tencor)的AcuShape软件产品。
可通过包括以下每一者的许多数据拟合及优化技艺及技术来分析所收集的数据：库；快速降阶模型；回归；机器学习算法，例如神经网络及支持向量机(SVM)；降维算法，例如主成分分析(PCA)、独立成分分析(ICA)及局部线性嵌入(LLE)；稀疏表示，例如傅里叶或小波变换；卡尔曼(Kalman)滤波；用于促进相同或不同工具类型的匹配的算法；及其它。也可通过不包括建模、优化及/或拟合的算法来分析所收集的数据。
通常针对计量应用来优化运算算法，其中使用一或多个方法，例如运算硬件的设计及实施、并行化、运算分布、负载平衡、多服务支持或动态负载优化。可在硬件、软件、现场可编程门阵列(FPGA)及可编程光学组件等等中完成算法的不同实施方案。
数据分析及拟合步骤通常追求一或多个目标。例如，目标可为CD、侧壁角(SWA)、形状、应力、成分、膜、带隙、电性质、焦点/剂量、重叠、产生工艺参数(例如抗蚀剂状态、分压、温度及聚焦模型)及/或其任何组合的测量。目标可为计量系统的建模及/或设计。目标也可为计量目标的建模、设计及/或优化。
本发明的实施例涉及半导体计量的领域且不受限于上文所概述的硬件、算法/软件实施方案及架构及使用情况。
可如本文中所描述那样执行方法的每一步骤。方法也可包括可由本文中所描述的控制器及/或(若干)计算机子系统或系统执行的(若干)任何其它步骤。步骤可由可根据本文中所描述的任何实施例来配置的一或多个计算机系统执行。另外，上文所描述的方法可由本文中所描述的任何系统实施例执行。
尽管已相对于一或多个特定实施例来描述本发明，但应了解，可在不脱离本发明的范围的情况下制作本发明的其它实施例。因此，可认为本发明仅受所附权利要求书及其合理解释限制。

Claims (20)

1.一种测量方法，其包含：
使用晶片计量工具来测量半导体晶片上的目标的表面；及
使用处理器来固定所述表面的体素图以匹配几何形状测量且使用预期材料的散射密度，其中发生所有固定表面体素的所述散射密度的均匀缩放。
2.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述晶片计量工具为临界尺寸扫描电子显微镜。
3.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述晶片计量工具为反射小角度x射线散射计，且其中所述方法进一步包含使用反射模式中所配置的测量工具来测量所述目标的所述表面。
4.根据权利要求3所述的测量方法，其中所述测量工具为透射小角度x射线散射计。
5.根据权利要求1所述的测量方法，其中所述晶片计量工具为光学散射计，且其中所述方法进一步包含使用经配置以使用透射技术的测量工具来测量所述目标的所述表面。
6.根据权利要求5所述的测量方法，其中所述测量工具为透射小角度x射线散射计。
7.根据权利要求1所述的测量方法，其中测量所述目标的所述表面包括测量所述目标的几何形状以提供所述几何形状测量。
8.根据权利要求1所述的测量方法，其中体素从与所述目标中的材料相关联的一组值取得散射值。
9.根据权利要求8所述的测量方法，其中所述散射值连续浮动。
10.一种测量系统，其包含：
晶片计量工具，其经配置以测量半导体晶片上的目标的表面；及
处理器，其与所述晶片计量工具电子通信，其中所述处理器经配置以固定所述表面的体素图以匹配几何形状测量且使用预期材料的散射密度，其中发生所有固定表面体素的所述散射密度的均匀缩放。
11.根据权利要求10所述的测量系统，其中所述晶片计量工具为临界尺寸扫描电子显微镜。
12.根据权利要求10所述的测量系统，其中所述晶片计量工具为反射小角度x射线散射计，且其中所述系统进一步包含与所述处理器电子通信的经配置以使用反射模式的测量工具。
13.根据权利要求12所述的测量系统，其中所述测量工具为透射小角度x射线散射计。
14.根据权利要求10所述的测量系统，其中所述晶片计量工具为光学散射计，且其中所述系统进一步包含与所述处理器电子通信的经配置以使用透射技术的测量工具。
15.根据权利要求14所述的测量系统，其中所述测量工具为透射小角度x射线散射计。
16.根据权利要求10所述的测量系统，其中所述系统进一步包含与所述处理器电子通信的经配置以使用透射技术的测量工具，且其中所述晶片计量工具进一步经配置以测量所述目标的几何形状。
17.根据权利要求16所述的测量系统，其中所述晶片计量工具为反射小角度x射线散射计或光学散射计，且其中所述测量工具为透射小角度x射线散射计。
18.根据权利要求16所述的测量系统，其中所述系统进一步包含经配置以存储与所述目标中的材料相关联的多个散射值的电子数据存储单元，其中所述电子数据存储单元与所述处理器电子通信。
19.根据权利要求18所述的测量系统，其中所述处理器经配置以从所述体素的一组值取得散射值。
20.根据权利要求19所述的测量系统，其中所述散射值连续浮动。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11610297B2 (en) 2019-12-02 2023-03-21 Kla Corporation Tomography based semiconductor measurements using simplified models
WO2021179290A1 (en) 2020-03-13 2021-09-16 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Systems and methods for semiconductor chip hole geometry metrology

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101359611A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 东京毅力科创株式会社 对光学计量系统的选定变量进行优化
CN103946889A (zh) * 2011-10-14 2014-07-23 因格瑞恩股份有限公司 用于生成样品的多维图像的双图像方法和系统
CN104583872A (zh) * 2012-07-10 2015-04-29 科磊股份有限公司 用于组合式x-射线及光学计量的模型建立及分析引擎
CN107316793A (zh) * 2016-04-26 2017-11-03 Fei 公司 带电粒子显微术中的三维成像
WO2018100239A1 (en) * 2016-12-01 2018-06-07 Varjo Technologies Oy Imaging system and method of producing images for display apparatus

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06160064A (ja) * 1992-11-16 1994-06-07 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 表面の検査方法および検査装置
US5608526A (en) 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
US5859424A (en) 1997-04-08 1999-01-12 Kla-Tencor Corporation Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications
US6429943B1 (en) 2000-03-29 2002-08-06 Therma-Wave, Inc. Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements
JP4733252B2 (ja) 2000-09-05 2011-07-27 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 ウエハの表面検査装置及び検査方法
US7478019B2 (en) 2005-01-26 2009-01-13 Kla-Tencor Corporation Multiple tool and structure analysis
US7567351B2 (en) 2006-02-02 2009-07-28 Kla-Tencor Corporation High resolution monitoring of CD variations
JP2010025836A (ja) 2008-07-23 2010-02-04 Hitachi High-Technologies Corp 外観検査方法および外観検査装置、半導体検査装置ならびに半導体ウェハの断面検査装置
CN104364605B (zh) * 2012-04-18 2017-06-06 科磊股份有限公司 针对极紫外线光罩的临界尺寸均匀性监测
WO2014062972A1 (en) 2012-10-18 2014-04-24 Kla-Tencor Corporation Symmetric target design in scatterometry overlay metrology
US9581430B2 (en) 2012-10-19 2017-02-28 Kla-Tencor Corporation Phase characterization of targets
JP5974840B2 (ja) 2012-11-07 2016-08-23 ソニー株式会社 シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレータ、加工装置、半導体装置の製造方法
US10769320B2 (en) 2012-12-18 2020-09-08 Kla-Tencor Corporation Integrated use of model-based metrology and a process model
US9291554B2 (en) 2013-02-05 2016-03-22 Kla-Tencor Corporation Method of electromagnetic modeling of finite structures and finite illumination for metrology and inspection
US10101670B2 (en) 2013-03-27 2018-10-16 Kla-Tencor Corporation Statistical model-based metrology
US9915522B1 (en) 2013-06-03 2018-03-13 Kla-Tencor Corporation Optimized spatial modeling for optical CD metrology
US9494535B2 (en) 2014-04-21 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Scatterometry-based imaging and critical dimension metrology
US9874526B2 (en) 2016-03-28 2018-01-23 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for polarized wafer inspection
TWI752100B (zh) * 2016-10-17 2022-01-11 美商克萊譚克公司 用於訓練檢查相關演算法之系統、非暫時性電腦可讀媒體及電腦實施方法
US10775323B2 (en) * 2016-10-18 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Full beam metrology for X-ray scatterometry systems

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101359611A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 东京毅力科创株式会社 对光学计量系统的选定变量进行优化
CN103946889A (zh) * 2011-10-14 2014-07-23 因格瑞恩股份有限公司 用于生成样品的多维图像的双图像方法和系统
CN104583872A (zh) * 2012-07-10 2015-04-29 科磊股份有限公司 用于组合式x-射线及光学计量的模型建立及分析引擎
CN107316793A (zh) * 2016-04-26 2017-11-03 Fei 公司 带电粒子显微术中的三维成像
WO2018100239A1 (en) * 2016-12-01 2018-06-07 Varjo Technologies Oy Imaging system and method of producing images for display apparatus

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