CN112352198A - 感光性膜及永久遮罩阻剂的形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 14
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 12
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 3
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical class C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 150000007934 α,β-unsaturated carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTTZISZSHSCFRH-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC(CN=C=O)=C1 RTTZISZSHSCFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMWQTUBQTYZJRI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-methoxyphenyl)-n,n-dimethylmethanamine Chemical compound COC1=CC=C(CN(C)C)C=C1 WMWQTUBQTYZJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILBBNQMSDGAAPF-UHFFFAOYSA-N 1-(6-hydroxy-6-methylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1C=CC=CC1(C)O ILBBNQMSDGAAPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRNSUHLEVOUTDT-UHFFFAOYSA-N 10-hydrazinyl-10-oxodecanoic acid Chemical compound NNC(=O)CCCCCCCCC(O)=O XRNSUHLEVOUTDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGIBUEPJJRWWNM-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]phenoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1OCC1CO1 GGIBUEPJJRWWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical class C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 DGUJJOYLOCXENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHLKOHSAWQPOFO-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C=NC=C1C1=CC=CC=C1 XHLKOHSAWQPOFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALEBYBVYXQTORU-UHFFFAOYSA-N 6-hydrazinyl-6-oxohexanoic acid Chemical compound NNC(=O)CCCCC(O)=O ALEBYBVYXQTORU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- BWLUMTFWVZZZND-UHFFFAOYSA-N Dibenzylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CNCC1=CC=CC=C1 BWLUMTFWVZZZND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Chemical group C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N bisphenol F diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 XUCHXOAWJMEFLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KOMDZQSPRDYARS-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene titanium Chemical compound [Ti].C1C=CC=C1.C1C=CC=C1 KOMDZQSPRDYARS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- FRCAGVUKJQCWBD-UHFFFAOYSA-L iodine green Chemical compound [Cl-].[Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(\C=1C=CC(=CC=1)[N+](C)(C)C)=C/1C=C(C)C(=[N+](C)C)C=C\1 FRCAGVUKJQCWBD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- JAOPKYRWYXCGOQ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-1-(4-methylphenyl)methanamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=C(C)C=C1 JAOPKYRWYXCGOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Abstract
本发明的感光性膜具备:具有表面粗糙度为0.1~0.4μm的第1面的载体膜、及形成于所述第1面上的感光层,载体膜的雾度为30~65%,且将具有与感光层的折射率的差为±0.02以内的折射率的透明树脂层设置于第1面上所测得的在405nm波长下的分光雾度为0.1~9.0%。
Description
技术领域
本发明涉及一种感光性膜及永久遮罩阻剂的形成方法。
背景技术
随着各种电子机器的高性能化,正在推进半导体的高集成化。随之,对形成于印刷配线板、半导体封装衬底等的永久遮罩阻剂要求各种性能。
为了形成永久遮罩阻剂,广泛地使用将由感光性树脂组合物所形成而成的层(以下,称为“感光层”)形成于支撑膜(载体膜)上的感光性膜。随着配线间距的微细化,而要求在感光性膜的感光层形成分辨率优异的阻剂图案。
当使用感光性膜形成阻剂图案时,一般是将感光层层压于衬底上后,在未剥离支撑膜的情况下,从支撑膜上对感光层进行曝光。为了应对此类曝光处理,提出使用雾度较小的支撑膜(例如,参照专利文献1~3)。
背景技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平07-333853号公报
专利文献2:国际公开第2008/093643号
专利文献3:日本专利特开2015-166866号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
随着半导体的高集成化,而在永久遮罩阻剂上进一步积层底部填充材等材料,因此,永久遮罩阻剂需与积层的材料的密接性优异。一般来说,为了提高永久遮罩阻剂与底部填充材等的密接性,通过等离子体处理等对阻剂图案的表面实施粗化。因此,使用感光性膜的永久遮罩阻剂的形成步骤变得烦杂。因此,不仅要求形成分辨率优异的阻剂图案,而且要求即便省略对阻剂图案的表面进行粗化处理的步骤,仍可形成密接性优异的永久遮罩阻剂。
本发明的目的在于提供一种能够简易地形成分辨率及密接性优异的阻剂图案的感光性膜、及使用该感光性膜的永久遮罩阻剂的形成方法。
[解决问题的技术手段]
本发明的一形态涉及一种感光性膜,其具备:具有表面粗糙度为0.1~0.4μm的第1面的载体膜、及形成于所述第1面上的感光层,且载体膜的雾度为30~65%,且将具有与感光层的折射率的差为±0.02以内的折射率的透明树脂层设置于第1面上所测得的在405nm波长下的分光雾度为0.1~9.0%。
所述载体膜也可以在第1面侧具有包含无机粒子及粘合剂树脂的树脂层。树脂层也可以包含平均粒径为0.1~3.0μm的无机粒子。
本发明的另一形态涉及一种永久遮罩阻剂的形成方法,其具备如下步骤:将所述感光性膜以感光层、载体膜的顺序积层于衬底上;将活性光线经由载体膜照射至感光层的规定部分,而在感光层形成光硬化部;及将载体膜剥离之后,去除光硬化部以外的部分而形成阻剂图案的步骤;且阻剂图案的表面粗糙度为0.1~0.4μm。
[发明效果]
根据本发明,能提供一种能够简易地形成分辨率及密接性优异的阻剂图案的感光性膜、及使用该感光性膜的永久遮罩阻剂的形成方法。
附图说明
图1是表示本实施方式的载体膜的示意剖视图。
图2是表示本实施方式的感光性膜的示意剖视图。
图3是表示本实施方式的永久遮罩阻剂的形成步骤的示意剖视图。
具体实施方式
以下,视需要一面参照附图一面对实施方式详细地进行说明。但,本发明并不受以下实施方式限定。另外,所谓用语“层”,以俯视图观察时,除了整个面所形成的形状的构造以外,也包含局部所形成的形状的构造。另外,使用“~”表示的数值范围表示分别包含“~”的前后所记载的数值作为最小值及最大值之范围。另外,本说明书中阶段性地记载的数值范围中,某阶段的数值范围的上限值或下限值也可以替换为另一阶段的数值范围的上限值或下限值。另外,本说明书中所记载的数值范围中,其数值范围的上限值或下限值也可以替换为实施例中所示的值。
[感光性膜]
本实施方式的感光性膜具备:具有表面粗糙度为0.1~0.4μm的第1面的载体膜、及形成于所述第1面上的感光层,且载体膜的雾度为30~65%,且将具有与感光层的折射率的差为±0.02以内的折射率的透明树脂层设置于第1面上所测得的在405nm波长下的分光雾度为0.1~9.0%。通过使用此类感光性膜,不仅可形成分辨率优异的阻剂图案,而且即便省略对阻剂图案的表面进行粗化处理的步骤,仍可制作密接性优异的永久遮罩阻剂。
(载体膜)
本实施方式的载体膜于与感光层相接的面(第1面)的一侧具有表面粗糙度为0.1~0.4μm的凹凸。图1是用于对本实施方式的载体膜的一例进行说明的示意剖视图。如图1所示,载体膜1可具有:基材层1b、及形成于基材层1b的一面上的树脂层1a。在成为所述第1面的树脂层1a的表面形成有凹凸。
图2是用于对本实施方式的感光性膜的一例进行说明的示意剖视图。图2所示的感光性膜10具备:包含基材层1b及树脂层1a的载体膜1、及设置于载体膜1的树脂层1a上的感光层2。
作为基材层1b,可使用具有透光性的聚合物膜。基材层1b的全光线透过率优选为85%以上,更优选为90%以上。基材层1b的雾度优选为4%以下,更优选为2%以下,进一步优选为1%以下。作为此类聚合物膜,例如可列举:聚对苯二甲酸乙二酯膜等聚酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜等聚烯烃膜。
基材层1b的厚度例如为5~250μm。基材层1b的厚度就操作性及分辨率的观点来看,优选为5~100μm,更优选为10~70μm,进一步优选为15~40μm,特别优选为20~35μm。基材层1b的厚度如果为5μm以上,那么操作性优异,如果为250μm以下,那么可调节光罩到感光层的距离,从而更容易抑制因衍射现象的影响导致分辨率下降的情况。
树脂层1a可包含无机粒子及粘合剂树脂。就将表面粗糙度调整为目标范围的观点来看,无机粒子在树脂层1a中优选含有1~20质量%,更优选含有1~10质量%。通过使树脂层1a包含无机粒子,从而更容易在载体膜的与感光层相接的面(第1面)上形成表面粗糙度为0.1~0.4μm的凹凸。并且,容易将该凹凸的形状转印至感光层的表面。
作为无机粒子,例如可列举:二氧化硅粒子、碳酸钙粒子、氧化铝粒子、氧化钛粒子及硫酸钡粒子。就缩小无机粒子与粘合剂树脂的折射率差的观点来看,优选使用二氧化硅粒子作为无机粒子。树脂层1a也可以包含平均粒径为0.1~3.0μm的无机粒子。为了容易调整表面粗糙度,树脂层1a中所包含的无机粒子的平均粒径也可为0.5~3.0μm或1.0~2.8μm。
作为粘合剂树脂,可使用热硬化性树脂,例如可为丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂等。就分辨率的观点来看,粘合剂树脂的折射率与以光学方式相接于树脂层1a而设置的感光层2的折射率的差越小越好。具体而言,树脂层1a与感光层2的折射率的差的绝对值优选为0.2以下,更优选为0.1以下,进一步优选为0.05以下,特别优选为0.02以下。
就树脂层的膜强度及防止无机粒子脱落的观点来看,树脂层1a的厚度例如可为0.5~8μm、1~5μm或2.5~4.5μm。本说明书中,树脂层1a的厚度可依据JIS K5600-1-7:2014,从载体膜的总厚度减去基材层1b的厚度而求得。载体膜的总厚度可使用测定面平坦的测微计、或具有测定面为平面状的测定子的针盘量规来测定,以基材层1b的未形成树脂层1a的面与具有凹凸的树脂层1a的凸顶部之间的距离的形式获得。
本实施方式的载体膜的制作方法并无特别限定。载体膜例如也可如下所述般进行制作:将包含无机粒子及粘合剂树脂的涂布液涂布于作为基材层1b的聚合物膜上之后,一边加热一边使其干燥。作为涂布方法,例如可采用公知方法:辊涂、缺角轮涂布、凹版涂布、气刀涂布、模嘴涂布、棒式涂布等。干燥条件例如可为80~140℃、0.5~10分钟。
作为载体膜的第1面的树脂层1a的表面粗糙度为0.1~0.4μm,优选为0.1~0.35μm,更优选为0.1~0.3μm。树脂层1a的表面粗糙度如果超过0.4μm,那么存在阻剂图案的分辨率下降的倾向。树脂层1a的表面粗糙度如果小于0.1μm,那么存在所形成的永久遮罩阻剂对底部填充材等的密接性下降的倾向。载体膜的未与感光层相接的面即第2面优选为平滑。第2面的表面粗糙度例如小于0.1μm。第2面是基材层1b的未形成树脂层1a的一侧的面。本说明书中的表面粗糙度是指依据JIS B0601:2013所测得的算术平均粗糙度(Ra)。
载体膜的雾度为30~65%,也可为31~64%或33~63%。载体膜的雾度如果超过65%,那么存在阻剂图案的分辨率下降的倾向。另外,载体膜的雾度如果小于30%,那么存在所形成的永久遮罩阻剂对底部填充材等的密接性下降的倾向。雾度可依据JIS K7136:2000进行测定。
载体膜的全光线透过率(Tt)就曝光时的能量效率的观点来看,优选为80%以上,更优选为85%以上。全光线透过率可依据JIS K7361-1:1997进行测定。
当使用本实施方式的感光性膜形成阻剂图案时,通过透过载体膜1的活性光线对感光层2进行曝光。一般来说,利用以高压水银灯、超高压水银灯等作为光源的紫外线作为活性光线。这些紫外线是在光源特性上具有可耐受水银的明线的365nm(i射线)、405nm(h射线)、436nm(g射线)的波峰的光线。感光层包含对这些波长的光具有感度的光聚合引发剂。因此,对这些波长的光的散射性实质上会对感光层的分辨率造成较大影响。
另一方面,根据JIS K7136所测得的雾度由于是针对可见光区域(380~780nm)的测定值,因此较难说其是记述针对利用于曝光的特定波长的光的行为。因此,本发明者等人测定各波长下的光散射性(雾度)并求出分光雾度,而详细地研究利用于曝光的波长下的分光雾度对分辨率造成的影响。
各波长下的分光雾度可基于使用分光光度计(岛津制作所股份有限公司制造,商品名“Solid Spec 3700”)所测得的透射光谱(测定区域:350~800nm),依照JIS K7136,根据下述式(1)求得。
雾度=[(τ4/τ2)-(τ3/τ1)]×100 (1)
式中,τ1表示在没有试样的状态下入射至积分球的光束;τ2表示透过试样而入射至积分球的光束;τ3表示在没有试样的状态下,在设置着用于去除平行光的光阱的积分球内所观测到的扩散光;τ4表示透过试样而在设置着用于去除平行光的光阱的积分球内所观测到的扩散光。
本实施方式的感光性膜10中,由于载体膜1的树脂层1a的凹凸以光学方式与感光层2相接,因此,与载体膜1单一体的情况相比,光散射性(雾度)有较大不同。因此,为了探讨感光性膜10中的感光层2的分辨率,可使用在感光性膜10的状态下的雾度(分光雾度)。
然而,为了提高各种特性,感光层2有时包含会对光散射性、透光性等光学特性造成影响的成分(例如无机填料、颜料等),而有难以直接测定感光性膜10的分光雾度的情况。因此,本说明书中,使用载体膜的第1面上形成有包含树脂材料的透明树脂层的积层膜,所述树脂材料不含对光学特性造成影响的成分,从而方便地对分光雾度进行评价。作为该树脂材料,可使用具有与形成感光层2的感光性树脂组合物的折射率的差为±0.02以内的折射率的透明树脂。本说明书中的折射率可依据JIS K7142:2014,使用阿贝折射计进行测定。
通过使用具有与形成感光层2的感光性树脂组合物的折射率几乎相同的折射率的透明树脂,在载体膜的第1面上设置与感光层2对应的透明树脂层,从而可对感光性膜的分光雾度进行评价。透明树脂可根据形成感光层2的感光性树脂组合物的折射率来适当进行选择。透明树脂层的厚度根据感光层2的厚度来进行设定。本实施方式的透明树脂层的全光线透过率优选为90%以上。当在如基材层1b般具有透光性的膜上积层所述透明树脂层时,雾度的上升优选为小于3%,更优选为小于2%,进一步优选为小于1%。
就提高分辨率的观点来看,于载体膜的第1面上设置着所述透明树脂层的积层膜在405nm波长下的分光雾度为0.1~9.0%,优选为0.1~8.5%,更优选为0.1~8.0%。就同样的观点来看,所述积层膜在365nm波长下的分光雾度可以为0.1~9.9%、0.1~9.5%、或0.1~9.1%。进一步而言,所述积层膜在436nm波长下的分光雾度可以为0.1~8.5%、0.1~7.5%、或0.1~6.5%。
(感光层)
感光层2是由感光性树脂组合物所形成的层。作为感光性树脂组合物,只要是可用作阻焊剂的材料,那么并无特别限定。感光性树脂组合物例如也可以含有:酸改性环氧树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂、环氧树脂、及无机填料。以下,例示感光性树脂组合物中所含有的各成分,但感光性树脂组合物的组成并不限定于这些成分。
酸改性环氧树脂例如可为对环氧树脂与含乙烯性不饱和基的单羧酸的酯化物加成多元酸酐而成的化合物。作为酸改性环氧树脂,例如可列举:苯酚酚醛清漆型酸改性环氧丙烯酸酯、双酚F型酸改性环氧丙烯酸酯、及氨基甲酸酯改性双酚A型酸改性环氧丙烯酸酯。
作为光聚合性化合物,只要是具有显示光聚合性的官能基的化合物,那么并无特别限定。作为显示光聚合性的官能基,例如可列举:乙烯基、烯丙基、丙炔基、丁烯基、乙炔基、苯乙炔基、马来酰亚胺基、纳迪克酰亚胺基、(甲基)丙烯酰基等乙烯性不饱和基。就反应性的观点来看,光聚合性化合物优选包含具有(甲基)丙烯酰基的化合物。
作为具有1个(甲基)丙烯酰基的光聚合性化合物,例如可列举:(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等(甲基)丙烯酸羟烷基酯。作为具有2个(甲基)丙烯酰基的光聚合性化合物,例如可列举:双酚A系(甲基)丙烯酸酯化合物、二羟甲基三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、使α,β-不饱和羧酸与含缩水甘油基的化合物反应而获得的化合物、氨基甲酸酯二(甲基)丙烯酸酯化合物。作为具有3个以上的(甲基)丙烯酰基的光聚合性化合物,例如可列举:使α,β-不饱和羧酸与三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多元醇反应而获得的化合物;对三羟甲基丙烷三缩水甘油醚三丙烯酸酯等含缩水甘油基的化合物加成α,β-不饱和羧酸而获得的化合物。
作为光聚合引发剂,只要是符合所使用的曝光机的光波长的光聚合引发剂,那么并无特别限制,可利用公知的光聚合引发剂。作为光聚合引发剂,例如可列举:苯烷酮系光聚合引发剂、酰基氧化膦系光聚合引发剂、具有噻吨酮骨架的化合物及二茂钛系光聚合引发剂。
作为环氧树脂,例如可列举:双酚A二缩水甘油醚等双酚A型环氧树脂、双酚F二缩水甘油醚等双酚F型环氧树脂、双酚S二缩水甘油醚等双酚S型环氧树脂、联苯酚二缩水甘油醚等联苯酚型环氧树脂、联二甲苯酚二缩水甘油醚等联二甲苯酚型环氧树脂、氢化双酚A缩水甘油醚等氢化双酚A型环氧树脂、苯酚联苯芳烷基型环氧树脂及双酚酚醛清漆型环氧树脂。
作为无机填料,例如可列举:二氧化硅、氧化锆、硫酸钡、钛酸钡、滑石、黏土、煅烧高岭土、碳酸镁、碳酸钙、硫酸钙、氧化锌、钛酸镁、氧化铝、氢氧化铝及云母粉。
感光性树脂组合物也可以进一步含有硬化促进剂(硬化催化剂)。作为硬化促进剂,例如可列举:咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑等咪唑化合物;双氰胺、二甲苄胺、4-(二甲胺)-N,N-二甲基苄胺、4-甲氧基-N,N-二甲基苄胺、4-甲基-N,N-二甲基苄胺等胺化合物;己二酸酰肼、癸二酸酰肼等酰肼化合物。
感光性树脂组合物也可以进一步含有颜料。可使用欲遮蔽配线等时可呈现所需颜色的着色剂作为颜料。作为颜料,例如可列举:酞菁蓝、酞菁绿、碘绿、孔雀绿、重氮黄、结晶紫、氧化钛、碳黑、萘黑等公知的着色剂或染料。
当制备感光性树脂组合物时,为了混合所述各成分,也可使用溶剂。作为溶剂,例如可列举:醇、二醇醚、乙二醇烷基醚乙酸酯、酮、酯及二乙二醇。
感光性树脂组合物中,除所述以外,也可以视需要添加硬化促进剂、紫外线吸收剂、硅烷偶合剂、均化剂、增塑剂、消泡剂、阻燃剂、抗氧化剂、聚合抑制剂等。
感光层2可通过将感光性树脂组合物涂布于载体膜的树脂层1a上并加以干燥而形成。所述涂布可利用使用例如辊式涂布机、缺角轮涂布机、凹版涂布机、气刀涂布机、模嘴涂布机、棒式涂布机等的公知方法进行。另外,所述干燥例如可于70~150℃下进行5~30分钟左右。
感光层2的厚度可视用途来适当进行选择。感光层2的厚度例如可为5~200μm、15~60μm或20~50μm。
(保护膜)
感光性膜中,也可以在感光层2的与载体膜1相反的一侧的面具有保护膜。作为保护膜,例如可列举:聚乙烯膜、聚丙烯膜等聚烯烃膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜等聚酯膜。保护膜的厚度为1~100μm左右,也可为5~50μm或10~30μm。
[永久遮罩阻剂的形成方法]
本实施方式的永久遮罩阻剂的形成方法具备如下步骤:将感光性膜以感光层、载体膜的顺序积层于衬底上;将活性光线经由载体膜照射至感光层的规定部分,而在感光层形成光硬化部;及将载体膜剥离之后,去除光硬化部以外的部分而形成阻剂图案。以下,对使用本实施方式的感光性膜的阻剂图案(永久遮罩阻剂)的形成方法进行说明。
首先,如图3(a)所示,在要形成阻剂图案的衬底20上,使用感光性膜10积层感光层2及载体膜1。具体而言,通过层压等将所述感光性膜10的感光层2以覆盖形成于衬底20上的具有电路图案的导体层的方式与其密接。为了提高密接性、跟随性,也可利用在减压下进行积层的方法形成感光层2。
接着,如图3(b)所示,将具有规定图案的光罩30配置于载体膜1上,通过光罩30将活性光线照射至感光层2的规定部分,而使照射部的感光层光硬化。作为活性光线的光源,可使用公知的活性光源,视用途来适当进行选择。照射量根据所使用的光源、感光层的种类、厚度等来适当进行选择。此外,照射活性光线的方式也可为直接刻写方式、投影曝光方式等不使用遮罩的方式。
在感光层形成光硬化部之后,如图3(c)所示,将载体膜1剥离。感光层2的剥离了载体膜1的面上转印有树脂层1a的表面形状,而形成有表面粗糙度为0.1~0.4μm的凹凸。之后,去除感光层的未经光硬化的部分并进行显影,由此形成图3(d)所示的阻剂图案4。阻剂图案的表面粗糙度(Ra)为0.1~0.4μm,更优选为0.1~0.3μm。
作为显影液,可根据感光性树脂组合物的种类使用碱性水溶液、水系显影液、有机溶剂等安全、稳定且操作性良好的显影液。其中,就环境、安全性的观点来看,优选为碱性水溶液。作为显影方法,适当采用喷雾、喷淋、摆动浸渍、刷洗、擦洗等公知方法。
显影步骤结束之后,以提高焊料耐热性、耐化学品性等为目的,也可对阻剂图案进行紫外线照射,或进行加热等。当照射紫外线时,可视需要调节紫外线的照射量,例如,可以0.05~10J/cm2左右的照射量进行照射。另外,当对阻剂图案进行加热时,例如也可于130~200℃左右的范围下进行15~90分钟。
也可进行紫外线照射及加热两种操作。此时,可同时进行紫外线照射及加热,也可在实施了任一操作之后实施另一操作。当同时进行紫外线照射与加热时,为了进一步良好地赋予焊料耐热性及耐化学品性,也可加热至60~150℃。
这样一来,所形成的阻剂图案兼作对衬底实施焊接后的配线的保护膜,具有阻焊剂的诸特性,能够用作印刷配线板用、半导体封装衬底用、或挠性配线板用的阻焊剂。所述阻焊剂例如在对衬底实施镀覆或蚀刻时,可用作镀覆阻剂或蚀刻阻剂,除此以外,可直接残留在衬底上而用作用于保护配线等的保护膜(永久遮罩阻剂)。
在形成有永久遮罩阻剂的衬底上,可形成密封材料、底部填充材、导体等其它部件。本实施方式的永久遮罩阻剂可利用基于所述表面粗糙度的锚定效应,提高与各种部件的密接性。
实施例
以下,通过实施例,对本发明进一步详细地进行说明,但本发明并不限定于这些实施例。
[载体膜的制作]
(实验例1)
利用珠磨机将平均粒径为4.5μm的二氧化硅粒子0.9质量份、热硬化型丙烯酸树脂(固形物成分50质量%)6.0质量份、溶剂20.1质量份、及硬化剂(固形物成分60质量%)1.5质量份混合而制备涂布液。将涂布液涂布于厚度25μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜之后,在110℃下使其加热硬化,获得形成有厚度4μm的树脂层的载体膜。分散于涂布液中的二氧化硅粒子的平均粒径为2.7μm。
(实验例2)
将利用珠磨机进行混合的时间设为实验例1的2倍而制备涂布液,除此以外,与实验例1同样地进行操作,获得载体膜。分散于涂布液中的二氧化硅粒子的平均粒径为1.2μm。
(实验例3)
利用珠磨机将平均粒径为4.5μm的二氧化硅粒子1.0质量份、一次粒径为16nm的二氧化硅粒子1.0质量份、热硬化型丙烯酸树脂(固形物成分50质量%)86.1质量份、溶剂206质量份、及硬化剂(固形物成分60质量%)34.4质量份混合而制备涂布液。将涂布液涂布于厚度50μm的PET膜之后,在110℃下进行加热,获得形成有厚度2μm的树脂层的载体膜。分散于涂布液中的二氧化硅粒子的平均粒径为2.5μm。
(实验例4)
将利用珠磨机进行混合的时间设为实验例1的4倍而制备涂布液,除此以外,与实验例1同样地进行操作,获得载体膜。分散于涂布液中的二氧化硅粒子的平均粒径为0.8μm。
(实验例5)
使用表面具有凹凸的膜(KIMOTO股份有限公司制造,商品名“LIGHT-UP UK2”)作为载体膜。
[载体膜的评价]
分别测定载体膜的形成有树脂层的面(第1面)的表面粗糙度(Ra)、全光线透过率(Tt)、雾度(Hz)、在各波长下的分光雾度(Hz(波长))。将结果示于表1。
[表1]
Ra(μm) | Tt(%) | Hz(%) | Hz(365)(%) | Hz(405)(%) | Hz(436)(%) | |
实验例1 | 0.21 | 89.9 | 60.9 | 71.5 | 69.8 | 68.0 |
实验例2 | 0.12 | 89.0 | 35.0 | 52.4 | 49.4 | 47.0 |
实验例3 | 0.20 | 88.3 | 30.9 | 47.0 | 43.8 | 41.6 |
实验例4 | 0.06 | 88.9 | 13.0 | 27.0 | 24.5 | 22.6 |
实验例5 | 0.66 | 88.2 | 35.6 | 54.5 | 54.2 | 53.5 |
在载体膜的第1面上,使用折射率(nD)为1.56的透明树脂(DIC股份有限公司制造的商品名“ACRYDIC A807”(nD:1.54)与三井化学股份有限公司制造的商品名“Takenate D-110N”(nD:1.58)以固形物成分比1:1混合而成的树脂)设置厚度25μm的透明树脂层,以此方式制作积层膜。分别测定积层膜的线透过率(Tt)、雾度(Hz)、在各波长下的分光雾度。将结果示于表2。
[表2]
Tt(%) | Hz(%) | Hz(365)(%) | Hz(405)(%) | Hz(436)(%) | |
实验例1 | 88.8 | 3.4 | 9.1 | 7.5 | 6.5 |
实验例2 | 88.8 | 2.8 | 7.7 | 6.4 | 5.7 |
实验例3 | 87.4 | 8.1 | 17.1 | 14.1 | 12.4 |
实验例4 | 88.8 | 2.9 | 7.2 | 6.1 | 5.5 |
实验例5 | 90.7 | 4.8 | 10.0 | 9.3 | 8.6 |
[感光性膜的制作]
(实施例1)
在实验例1的载体膜的第1面上涂布折射率(nD)为1.56的感光性树脂组合物(日立化成股份有限公司制造,商品名“SR7200G”),在75℃下使其干燥30分钟,形成厚度25μm的感光层,由此制得感光性膜。
(实施例2)
使用实验例2的载体膜,除此以外,与实施例1同样地进行操作,制得感光性膜。
(比较例1)
使用实验例3的载体膜,除此以外,与实施例1同样地进行操作,制得感光性膜。
(比较例2)
使用实验例4的载体膜,除此以外,与实施例1同样地进行操作,制得感光性膜。
(比较例3)
使用实验例5的载体膜,除此以外,与实施例1同样地进行操作,制得感光性膜。
[感光性膜的评价]
在下述条件下对感光性膜的分辨率及密接性进行评价。将结果示于表3。
(分辨率)
在热压板温度70℃、抽真空时间20秒钟、层压加压时间30秒钟、压力0.4MPa的条件下,获得在衬底上以感光性膜的感光层与衬底相接的方式积层而成的评价用积层体。接着,在载体膜上配置具有70μm的圆形图案的遮罩,从以超高压水银灯作为光源的平行曝光机(清和光学制造作所股份有限公司制造,商品名“PA-1600H-150STP”),以300mJ/cm2的曝光量照射活性光线。照射之后,将载体膜剥离,使用30℃的1质量%碳酸钠水溶液作为显影液,以喷雾压力0.1MPa进行喷雾显影60秒钟,从而形成阻剂图案。通过利用显微镜测定阻剂图案的贯孔开口直径,从而对分辨率进行评价。
(密接性)
对所述评价用积层体的整个面,未设置图案遮罩而在与所述相同的条件下照射活性光线之后,将载体膜剥离,并在160℃下进行加热处理60分钟,制得作为永久遮罩阻剂的硬化膜。接着,在硬化膜上涂布底部填充材(日立化成股份有限公司制造,商品名“CEL-C-3730S”),在170℃下使其硬化2小时。使用DAGE制造的商品名“BT100”,测定室温(25℃)下的硬化膜与底部填充材的晶片剪切强度。
[表3]
实施例1 | 实施例2 | 比较例1 | 比较例2 | 比较例3 | |
开口直径(μm) | 66 | 66 | 53 | 66 | 58 |
开口直径/图案直径 | 0.94 | 0.94 | 0.76 | 0.94 | 0.83 |
粘接强度(MPa) | 22.0 | 19.2 | 19.6 | 16.0 | 27.9 |
根据表1~3确认,本发明的感光性膜通过具备具有特定的表面粗糙度与分光雾度的载体膜,从而可简易地形成分辨率及密接性优异的阻剂图案。
[符号的说明]
1 载体膜
1b 基材层
1a 树脂层
2 感光层
4 阻剂图案
10 感光性膜
20 衬底
30 光罩。
Claims (5)
1.一种感光性膜,其具备:具有表面粗糙度为0.1~0.4μm的第1面的载体膜、及形成于所述第1面上的感光层,且
所述载体膜的雾度为30~65%,且将具有与所述感光层的折射率的差为±0.02以内的折射率的透明树脂层设置于所述第1面上所测得的在405nm波长下的分光雾度为0.1~9.0%。
2.根据权利要求1所述的感光性膜,其中所述载体膜中,在所述第1面侧具有包含无机粒子及粘合剂树脂的树脂层。
3.根据权利要求2所述的感光性膜,其中所述树脂层包含平均粒径为0.1~3.0μm的无机粒子。
4.根据权利要求2或3所述的感光性膜,其中所述树脂层的厚度为0.5~8μm。
5.一种永久遮罩阻剂的形成方法,其具备如下步骤:将根据权利要求1至4中任一项所述的感光性膜以所述感光层、所述载体膜的顺序积层于衬底上;
将活性光线经由所述载体膜照射至所述感光层的规定部分,而在所述感光层形成光硬化部;及
将所述载体膜剥离之后,去除所述光硬化部以外的部分而形成阻剂图案;且
所述阻剂图案的表面粗糙度为0.1~0.4μm。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-094573 | 2018-05-16 | ||
JP2018094573 | 2018-05-16 | ||
PCT/JP2019/018615 WO2019221012A1 (ja) | 2018-05-16 | 2019-05-09 | 感光性フィルム及び永久マスクレジストの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112352198A true CN112352198A (zh) | 2021-02-09 |
Family
ID=68540250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980032059.XA Pending CN112352198A (zh) | 2018-05-16 | 2019-05-09 | 感光性膜及永久遮罩阻剂的形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7345457B2 (zh) |
KR (1) | KR20210039332A (zh) |
CN (1) | CN112352198A (zh) |
TW (1) | TWI816793B (zh) |
WO (1) | WO2019221012A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022138246A1 (ja) * | 2020-12-25 | 2022-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 転写材料及び積層体の製造方法 |
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JP4905465B2 (ja) | 2007-01-31 | 2012-03-28 | 日立化成工業株式会社 | 感光性エレメント |
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KR102375653B1 (ko) | 2014-02-12 | 2022-03-16 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 감광성 엘리먼트 |
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-
2019
- 2019-05-09 KR KR1020207035451A patent/KR20210039332A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-05-09 CN CN201980032059.XA patent/CN112352198A/zh active Pending
- 2019-05-09 JP JP2020519601A patent/JP7345457B2/ja active Active
- 2019-05-09 WO PCT/JP2019/018615 patent/WO2019221012A1/ja active Application Filing
- 2019-05-16 TW TW108116872A patent/TWI816793B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP7345457B2 (ja) | 2023-09-15 |
JPWO2019221012A1 (ja) | 2021-06-17 |
US20210124267A1 (en) | 2021-04-29 |
WO2019221012A1 (ja) | 2019-11-21 |
TWI816793B (zh) | 2023-10-01 |
KR20210039332A (ko) | 2021-04-09 |
TW201947319A (zh) | 2019-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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Address after: Tokyo Applicant after: Lishennoco Co.,Ltd. Applicant after: KIMOTO CO.,LTD. Address before: Tokyo Applicant before: Showa electrical materials Co.,Ltd. Applicant before: KIMOTO CO.,LTD. |