CN112335067A - 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法 - Google Patents

阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112335067A
CN112335067A CN201980000679.5A CN201980000679A CN112335067A CN 112335067 A CN112335067 A CN 112335067A CN 201980000679 A CN201980000679 A CN 201980000679A CN 112335067 A CN112335067 A CN 112335067A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
insulating layer
flexible base
base substrate
buffer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201980000679.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112335067B (zh
Inventor
张锋
吕志军
刘文渠
董立文
宋晓欣
崔钊
孟德天
王利波
徐传祥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN112335067A publication Critical patent/CN112335067A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112335067B publication Critical patent/CN112335067B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种阵列基板，包括：柔性基底基板；缓冲层，其位于柔性基底基板上并且从显示区域连续地延伸至周边区域中，缓冲层包括实质上遍及显示区域延伸的第一部分和位于周边区域中的第二部分，第一部分和第二部分是整体层的部分；有机绝缘层，其实质上遍及但不限于显示区域延伸，并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧；无机绝缘层，其限于周边区域中并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧；平坦化层，其位于有机绝缘层的远离缓冲层的一侧；以及，多个发光元件，其位于平坦化层的远离有机绝缘层的一侧。

Description

阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。
发明内容
一方面，本发明提供了一种具有显示区域和周边区域的阵列基板，包括：柔性基底基板；缓冲层，其位于柔性基底基板上并且从显示区域连续地延伸至周边区域中，所述缓冲层包括实质上遍及显示区域延伸的第一部分和位于周边区域中的第二部分，第一部分和第二部分是整体层的部分；有机绝缘层，其实质上遍及但不限于显示区域延伸，并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧；无机绝缘层，其限于周边区域中并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧；平坦化层，其位于有机绝缘层的远离缓冲层的一侧；以及，多个发光元件，其位于平坦化层的远离有机绝缘层的一侧。
可选地，阵列基板还包括：多个薄膜晶体管，其位于柔性基底基板上；其中，所述多个薄膜晶体管中的对应一个包括：栅电极、有源层、源电极和漏电极；并且，缓冲层位于栅电极和有源层的远离柔性基底基板的一侧。
可选地，源电极和漏电极位于有机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧；源电极贯穿有机绝缘层和缓冲层以与有源层电连接；并且，漏电极贯穿有机绝缘层和缓冲层以与有源层电连接。
可选地，阵列基板还包括：多条第一信号线，其位于周边区域中并且位于无机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧；其中，所述多条第一信号线、源电极和漏电极位于相同层并且包括相同材料。
可选地，阵列基板还包括：多条第二信号线，其位于周边区域中并且位于缓冲层的靠近柔性基底基板的一侧；其中，所述多条第二信号线和栅电极位于相同层并且包括相同材料；并且，所述多条第一信号线通过无机绝缘层和缓冲层而与所述多条第二信号线绝缘。
可选地，源电极与有机绝缘层直接接触；漏电极与有机绝缘层直接接触；并且，所述多条第一信号线与无机绝缘层直接接触。
可选地，第一部分的厚度小于第二部分的厚度。
可选地，有机绝缘层与缓冲层直接接触；并且，无机绝缘层与缓冲层直接接触；
可选地，缓冲层包括氧化硅(SiOx，0＜x≤2)；并且，无机绝缘层包括氮化硅(SiNy，0＜y≤4/3)。
另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的阵列基板以及与阵列基板连接的一个或多个集成电路；
另一方面，本发明提供了一种制造具有显示区域和周边区域的阵列基板的方法，包括：在柔性基底基板上形成从显示区域连续地延伸至周边区域中的缓冲层，缓冲层形成为包括第一部分和第二部分的整体层，第一部分实质上遍及显示区域延伸，第二部分位于周边区域中；形成实质上遍及显示区域延伸并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧的有机绝缘层，有机绝缘层形成为限于显示区域中；在缓冲层的远离柔性基底基板的一侧形成无机绝缘层，无机绝缘层形成为限于周边区域中；在有机绝缘层的远离缓冲层的一侧形成平坦化层；以及，在平坦化层的远离有机绝缘层的一侧形成多个发光元件。
可选地，形成缓冲层包括：在柔性基底基板上形成从显示区域连续地延伸至周边区域中的缓冲材料层；在缓冲材料层的远离柔性基底基板的一侧形成从显示区域连续地延伸至周边区域中的无机绝缘材料层；以及，使缓冲材料层和无机绝缘材料层退火。
可选地，在使缓冲材料层和无机绝缘材料层退火之后，所述方法还包括：移除位于显示区域中的无机绝缘材料层，同时保持位于周边区域中的无机绝缘材料层，从而形成位于周边区域中的无机绝缘层；以及，减小位于显示区域中的缓冲材料层的厚度，从而形成包括第一部分和第二部分的缓冲层，第一部分遍及显示区域延伸，第二部分位于周边区域中；其中，第一部分的厚度小于第二部分的厚度；并且，利用相同蚀刻剂在相同的构图工艺中执行以下处理：移除位于显示区域中的无机绝缘材料层，以及减小位于显示区域中的缓冲材料层的厚度
可选地，在形成缓冲层、有机绝缘层和无机绝缘层之前，所述方法还包括：在柔性基底基板上形成多个薄膜晶体管；其中，所述多个薄膜晶体管中的对应一个形成为包括：栅电极、有源层、源电极和漏电极；并且，所述缓冲层形成在栅电极和有源层的远离柔性基底基板的一侧。
可选地，在形成缓冲层和无机绝缘层之后，所述方法还包括：在缓冲层和无机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧形成有机绝缘材料层；以及，对有机绝缘材料层进行构图以移除有机绝缘材料层的位于周边区域中的部分，并且形成贯穿位于显示区域中的有机绝缘材料层的第一过孔和第二过孔，从而形成位于显示区域中的有机绝缘层。
可选地，在形成位于显示区域中的有机绝缘层之后，所述方法还包括：形成位于周边区域中的保护层以保护位于周边区域中的无机绝缘层和缓冲层；以及，分别蚀刻第一过孔和第二过孔下方的缓冲层和栅绝缘层，以暴露有源层的源电极接触区域和漏电极接触区域。
可选地，所述方法还包括：移除位于周边区域中的保护层；以及，利用清洁剂清洁源电极接触区域和漏电极接触区域。
可选地，清洁剂包括氟化氢。
可选地，所述方法还包括：在有机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧形成源电极和漏电极，源电极贯穿第一过孔以连接至源电极接触区域，漏电极贯穿第二过孔以连接至漏电极接触区域。
可选地，所述方法还包括在周边区域中并且在无机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧形成多条第一信号线；以及，在周边区域中并且在缓冲层的靠近柔性基底基板的一侧形成多条第二信号线；其中，利用相同掩模板在相同的构图工艺中使用相同材料将所述多条第一信号线、源电极和漏电极形成在相同层；并且，利用相同掩模板在相同的构图工艺中使用相同材料将所述多条第二信号线和栅电极形成在相同层。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。
图2示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的有机绝缘层和无机绝缘层之间的界面。
图3是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。
图4A至图4G示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的方法。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
在制造柔性显示面板时，可在显示区域中使用有机绝缘材料来替代无机绝缘层。在本公开中发现，外部氧气和水分可渗透有机绝缘层，从而劣化显示面板中的发光元件。
因此，本公开特别提供了阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种具有显示区域和周边区域的阵列基板。在一些实施例中，阵列基板包括：柔性基底基板；缓冲层，其位于柔性基底基板上并且从显示区域连续地延伸至周边区域中，所述缓冲层包括实质上遍及显示区域延伸的第一部分和位于周边区域中的第二部分，第一部分和第二部分是整体层的部分；有机绝缘层，其实质上遍及但不限于显示区域延伸，并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧；无机绝缘层，其限于周边区域中并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧；平坦化层，其位于有机绝缘层的远离缓冲层的一侧；以及，多个发光元件，其位于平坦化层的远离有机绝缘层的一侧。
本文使用的术语“显示区域”指的是显示面板中显示基板(例如，对置基板或阵列基板)的实际显示图像的区域。可选地，显示区域可以包括子像素区域和子像素间区域。子像素区域指的是子像素的发光区域，比如液晶显示器中与像素电极对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与发光层对应的区域。子像素间区域指的是相邻子像素区域之间的区域，比如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与像素限定层对应的区域。可选地，子像素间区域是同一像素中相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区域之间的区域。
本文使用的术语“周边区域”指的是显示面板中的显示基板(例如，对置基板或阵列基板)的设置有用于向显示基板发送信号的各种电路和走线的区域。为了增加显示设备的透明度，显示设备的非透明部件或不透明部件(例如，电池、印刷电路板、金属框)可以布置在周边区域中，而非布置在显示区域中。
图1是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。参照图1，阵列基板具有显示区域DA和周边区域PA。阵列基板包括位于显示区域DA中的多个发光元件LE。在一些实施例中，阵列基板包括：柔性基底基板10；缓冲层20，其位于柔性基底基板10上并且从显示区域DA连续地延伸至周边区域PA中；有机绝缘层31，其实质上遍及但不限于显示区域DA延伸，并且位于缓冲层20的远离柔性基底基板10的一侧；无机绝缘层32，其限于周边区域PA中并且位于缓冲层20的远离柔性基底基板10的一侧；平坦化层40，其位于有机绝缘层31的远离缓冲层20的一侧；以及，多个发光元件LE，其位于平坦化层40的远离有机绝缘层31的一侧。可选地，缓冲层20包括第一部分21和第二部分22，第一部分21遍及显示区域DA延伸，第二部分22位于周边区域PA中，第一部分21和第二部分22是整体层的部分，例如，第一部分21和第二部分22构成遍及显示区域DA和周边区域PA延伸的单一层。第一部分21实质上限于显示区域DA中，并且第二部分22实质上限于周边区域PA中。有机绝缘层31包括有机绝缘材料，并且无机绝缘层32包括无机绝缘材料。
各种适当的发光元件可用于本显示基板中。适当发光元件的示例包括：有机发光二极管、量子点发光二极管和微发光二极管。
在一些实施例中，阵列基板还包括：多个薄膜晶体管TFT，其位于柔性基底基板10上。所述多个薄膜晶体管TFT中的对应一个包括：有源层ACT；栅绝缘层GI1，其位于有源层ACT上；栅电极G，其位于栅绝缘层GI1的远离有源层ACT的一侧；源电极S和漏电极D，其分别连接至有源层ACT。
在一些实施例中，所述多个发光元件LE中的对应一个包括：第一电极E1；发光层EL，其位于第一电极E1上；以及第二电极E2，其位于发光层EL的远离第一电极E1的一侧。第一电极E1贯穿平坦化层40以电连接至所述多个薄膜晶体管TFT中的对应一个的漏电极D。可选地，阵列基板还包括像素限定层50，其用于限定多个子像素孔Sap，所述多个子像素孔Sap中的对应一个容纳发光层EL。
参照图1，在一些实施例中，缓冲层20位于栅电极G和有源层ACT的远离柔性基底基板10的一侧。可选地，缓冲层20与位于显示区域DA中的有机绝缘层31直接接触，并且与位于周边区域PA中的无机绝缘层32直接接触。
参照图1，在一些实施例中，源电极S和漏电极D位于有机绝缘层31的远离柔性基底基板10的一侧。可选地，源电极S和漏电极D位于有机绝缘层31和平坦化层40之间。例如，源电极S和漏电极D中的每个与有机绝缘层31直接接触，并且与平坦化层40直接接触。源电极S贯穿有机绝缘层31和缓冲层20的第一部分21以与有源层ACT电连接。漏电极D贯穿有机绝缘层31和缓冲层20的第一部分21以与有源层ACT电连接。
各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法可以用于制作有机绝缘层31。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积绝缘材料并对其构图。用于制作有机绝缘层31的适当有机绝缘材料的示例包括聚酰亚胺和酚醛树脂。
各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法可以用于制作无机绝缘层32。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积绝缘材料并对其构图。适于制作无机绝缘层32的无机绝缘材料的示例包括：氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy，例如，Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)。可选地，无机绝缘层32的厚度在约
Figure BDA0002066549410000071
至约
Figure BDA0002066549410000072
(例如，约
Figure BDA0002066549410000073
至约
Figure BDA0002066549410000074
约
Figure BDA0002066549410000075
至约
Figure BDA0002066549410000076
约
Figure BDA0002066549410000077
至约
Figure BDA0002066549410000078
或约
Figure BDA0002066549410000079
至约
Figure BDA00020665494100000710
)的范围内。
各种适当的绝缘材料和各种适当的制造方法可以用于制作缓冲层20。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在基板上沉积绝缘材料并对其构图。用于制作缓冲层20的适当绝缘材料的示例包括但不限于：氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy，例如，Si3N4)、以及氮氧化硅(SiOxNy)。可选地，缓冲层20的厚度在约
Figure BDA00020665494100000711
至约
Figure BDA00020665494100000712
(例如，约
Figure BDA00020665494100000713
至约
Figure BDA00020665494100000714
约
Figure BDA00020665494100000715
至约
Figure BDA00020665494100000716
或约
Figure BDA00020665494100000717
至约
Figure BDA00020665494100000718
)的范围内。
可选地，缓冲层20(包括第一部分21和第二部分22)由氧化硅(SiOx)制成，并且无机绝缘层32由氮化硅(SiNy)制成。
各种适当的弹性体聚合物材料可用于制作柔性基底基板10。适当弹性聚合物的示例包括：聚酰亚胺、有机硅聚合物、聚硅氧烷、聚环氧化物、硅基聚合物(例如，聚二甲基硅氧烷类材料，如聚二甲基硅氧烷、六甲基二硅氧烷和聚苯基甲基硅氧烷)、聚氨酯类材料(例如聚氨酯、丙烯酸聚氨酯、聚醚聚氨酯和聚碳酸酯-聚氨酯弹性物)、聚氟乙烯、聚氯乙烯、丙烯酸酯聚合物、丙烯酸酯三元共聚物、橡胶(例如氯丁橡胶，丙烯酸类橡胶和丁腈橡胶)、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、醋酸丙酸纤维素、聚甲基丙烯酸酯、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯腈、聚糠醇、聚苯乙烯、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚碳酸酯、聚己内酯、及其任何组合。
在一些实施例中，阵列基板还包括多条第一信号线SL1，其位于周边区域PA中并且位于无机绝缘层32的远离柔性基底基板10的一侧。可选地，所述多条第一信号线SL1、源电极S和漏电极D位于相同层并且利用相同掩模板在相同的构图工艺中由相同材料制成。可选地，所述多条第一信号线SL1包括多条数据线信号引线。位于周边区域PA中的所述多条数据线信号引线中的对应一条的一端连接至位于显示区域DA中的多条数据线中的对应一条，并且可选地，位于周边区域PA中的所述多条数据线信号引线中的所述对应一条的另一端电连接至集成电路。
在一些实施例中，阵列基板还包括多条第二信号线SL2，其位于周边区域PA中并且位于缓冲层20的靠近柔性基底基板10的一侧。可选地，所述多条第二信号线SL2和栅电极G位于相同层并且利用相同掩模板在相同的构图工艺中由相同材料制成。可选地，所述多条第二信号线SL2包括多条栅线信号引线。位于周边区域PA中的所述多条栅线信号引线中的对应一条的一端连接至位于显示区域DA中的多条栅线中的对应一条，并且可选地，位于周边区域PA中的所述多条栅线信号引线中的所述对应一条的另一端电连接至集成电路。
可选地，所述多条第一信号线SL1通过无机绝缘层32和缓冲层20的第二部分22而与所述多条第二信号线SL2绝缘。可选地，所述多条第一信号线SL1与无机绝缘层32直接接触。
在一些实施例中，第一部分21的厚度小于第二部分22的厚度。图2示出了根据本公开的一些实施例中的阵列基板中的有机绝缘层和无机绝缘层之间的界面。参照图2，在一些实施例中，第一部分21具有第一厚度t1，第二部分22具有第二厚度t2。可选地，t2＞t1。通过在显示区域DA中具有更薄的第一部分21，阵列基板可制作得更柔性或可折叠。通过在显示区域中在有机绝缘层31与有源层ACT之间保持第一部分21，可以使薄膜晶体管TFT的特性和性能稳定。可选地，t1在约
Figure BDA0002066549410000081
至约
Figure BDA0002066549410000082
的范围内，并且t2在约
Figure BDA0002066549410000083
至约
Figure BDA0002066549410000091
的范围内。可选地，t2与t1之比在约3:1至约3:2的范围内，例如，2:1。
图3是根据本公开的一些实施例中的阵列基板的截面图。参照图3，在一些实施例中，阵列基板还包括第二栅绝缘层GI2，其位于栅电极G的远离柔性基底基板10的一侧并且位于栅电极G和缓冲层20之间。可选地，第二栅绝缘层GI2与位于显示区域DA中的有机绝缘层31直接接触，并且与位于周边区域PA中的无机绝缘层32直接接触。
在一些实施例中，阵列基板还包括多条第三信号线SL3，其位于周边区域PA中并且位于栅绝缘层GI1和第二栅绝缘层GI2之间。可选地，阵列基板还包括电容器电极，其位于显示区域DA中并且位于栅绝缘层GI1和第二栅绝缘层GI2之间。可选地，所述多条第三信号线SL3和电容器电极位于相同层并且利用相同掩模板在相同的构图工艺中由相同材料制成。
参照图1和图3，在一些实施例中，阵列基板还包括用于封装所述多个发光元件LE的封装层60。可选地，封装层60包括：第一无机封装子层61；有机封装子层62，其位于第一无机封装子层61的远离柔性基底基板10的一侧；以及，第二无机封装子层63，其位于有机封装子层62的远离柔性基底基板10的一侧。可选地，封装层60封装显示区域DA和周边区域PA两者。可选地，封装层60封装有机绝缘层31的侧面，从而防止外部氧气和水分通过有机绝缘层31的侧面进入阵列基板。可选地，封装层60封装位于周边区域PA中的所述多条第一信号线SL1。可选地，在与显示区域DA和周边区域PA之间的界面直接相邻的区域中，不存在平坦化层40，并且封装层60填充在有机绝缘层31上方的空间中。
另一方面，本公开提供了一种制造具有显示区域和周边区域的阵列基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在柔性基底基板上形成从显示区域连续地延伸至周边区域中的缓冲层；形成实质上遍及显示区域延伸并且位于缓冲层的远离柔性基底基板的一侧的有机绝缘层，有机绝缘层形成为限于显示区域中；在缓冲层的远离柔性基底基板的一侧形成无机绝缘层，无机绝缘层形成为限于周边区域中；在有机绝缘层的远离缓冲层的一侧形成平坦化层；以及，在平坦化层的远离有机绝缘层的一侧形成多个发光元件。可选地，缓冲层形成为包括第一部分和第二部分的整体层(例如，单一层)，其中第一部分遍及显示区域延伸，第二部分位于周边区域中。
在一些实施例中，形成缓冲层的步骤包括：在柔性基底基板上形成从显示区域连续地延伸至周边区域中的缓冲材料层；在缓冲材料层的远离柔性基底基板的一侧形成从显示区域连续地延伸至周边区域中的无机绝缘材料层；以及，使缓冲材料层和无机绝缘材料层退火。
在一些实施例中，在使缓冲材料层和无机绝缘材料层退火之后，所述方法还包括：移除位于显示区域中的无机绝缘材料层，同时保持位于周边区域中的无机绝缘材料层，从而形成位于周边区域中的无机绝缘层；以及，减小位于显示区域中的缓冲材料层的厚度，从而形成包括第一部分和第二部分的缓冲层，其中第一部分实质上遍及显示区域延伸，第二部分位于周边区域中。可选地，第一部分的厚度小于第二部分的厚度。可选地，利用相同蚀刻剂在相同构图工艺中执行以下处理：移除位于显示区域中的无机绝缘材料层，以及减小位于显示区域中的缓冲材料层的厚度。
在一些实施例中，在形成缓冲层、有机绝缘层和无机绝缘层之前，所述方法还包括：在柔性基底基板上形成多个薄膜晶体管。可选地，所述多个薄膜晶体管中的对应一个形成为包括：栅电极、有源层、源电极和漏电极。可选地，所述缓冲层形成在栅电极和有源层的远离柔性基底基板的一侧。
在一些实施例中，在形成缓冲层和无机绝缘层之后，所述方法还包括：在缓冲层和无机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧形成有机绝缘材料层；以及，对有机绝缘材料层进行构图以移除有机绝缘材料层的位于周边区域中的部分，并且形成贯穿位于显示区域中的有机绝缘材料层的第一过孔和第二过孔，从而形成位于显示区域中的有机绝缘层。
在一些实施例中，在形成位于显示区域中的有机绝缘层之后，所述方法还包括：形成位于周边区域中的保护层以保护位于周边区域中的无机绝缘层和缓冲层；以及，分别蚀刻第一过孔和第二过孔下方的缓冲层和栅绝缘层，以暴露有源层的源电极接触区域和漏电极接触区域。可选地，所述方法还包括：移除位于周边区域中的保护层；以及，利用清洁剂清洁所述源电极接触区域和漏电极接触区域。可选地，清洁剂包括氟化氢。
在一些实施例中，所述方法还包括：在有机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧形成源电极和漏电极，其中源电极贯穿第一过孔以连接至源电极接触区域，漏电极贯穿第二过孔以连接至漏电极接触区域。
在一些实施例中，所述方法还包括：在周边区域中并且在无机绝缘层的远离柔性基底基板的一侧形成多条第一信号线；以及，在周边区域中并且在缓冲层的靠近柔性基底基板的一侧形成多条第二信号线。可选地，利用相同掩模板在相同的构图工艺中使用相同材料将所述多条第一信号线、源电极和漏电极形成在相同层。可选地，利用相同掩模板在相同的构图工艺中使用相同材料将所述多条第二信号线和栅电极形成在相同层。
图4A至图4G示出了根据本公开的一些实施例中的制造阵列基板的方法。参照图4A，在支承基板100(例如，玻璃支承件)上形成柔性基底基板10(例如，聚酰亚胺基板)，在柔性基底基板10的远离支承基板100的一侧形成有源层ACT，在有源层ACT的远离柔性基底基板10的一侧形成栅绝缘层GI1，利用相同掩膜板在相同的构图工艺中使用相同材料在相同层形成栅电极G和多条第二信号线SL2，所述栅电极G和所述多条第二信号线SL2位于栅绝缘层GI1的远离柔性基底基板10的一侧，在栅电极G和所述多条第二信号线SL2的远离柔性基底基板10的一侧形成第二栅绝缘层GI2，在第二栅绝缘层GI2的远离柔性基底基板10的一侧形成缓冲材料层20'，并且在缓冲材料层20'的远离柔性基底基板10的一侧形成无机绝缘材料层30'。缓冲材料层20'形成为从显示区域DA延伸至周边区域PA。无机绝缘材料层30'形成为从显示区域DA延伸至周边区域PA。可选地，利用氧化硅(SiOx，0＜x≤2)形成缓冲材料层20'；并且，利用氮化硅(SiNy，0＜y≤4/3)形成无机绝缘材料层30'。可选地，缓冲材料层20'的厚度形成为在约
Figure BDA0002066549410000121
至约
Figure BDA0002066549410000122
(例如，约
Figure BDA0002066549410000123
至约
Figure BDA0002066549410000124
约
Figure BDA0002066549410000125
至约
Figure BDA0002066549410000126
或约
Figure BDA0002066549410000127
至约
Figure BDA0002066549410000128
)的范围内。可选地，无机绝缘材料层30'的厚度形成为在约
Figure BDA0002066549410000129
至约
Figure BDA00020665494100001210
(例如，约
Figure BDA00020665494100001211
至约
Figure BDA00020665494100001212
约
Figure BDA00020665494100001213
至约
Figure BDA00020665494100001214
约
Figure BDA00020665494100001215
至约
Figure BDA00020665494100001216
或约
Figure BDA00020665494100001217
至约
Figure BDA00020665494100001218
)的范围内。
在形成缓冲材料层20'之后(例如，在形成缓冲材料层20'和无机绝缘材料层30'之后)，执行退火工艺。在一个示例中，以450摄氏度的退火温度执行退火处理约90分钟的退火持续时间。
参照图4B，在周边区域PA中形成第一光刻胶层70以保护该区域的各层。在显示区域DA中，执行蚀刻工艺以完全移除位于显示区域DA中的无机绝缘材料层，从而形成位于周边区域PA中的无机绝缘层32。可选地，对位于显示区域DA中的缓冲材料层进行过蚀刻以减小位于显示区域DA中的缓冲材料层的厚度，从而形成包括位于显示区域DA中的第一部分21和位于周边区域PA中的第二部分22的缓冲层20。可选地，第一部分21的厚度小于第二部分22的厚度。可选地，第一部分21具有第一厚度t1，第二部分22具有第二厚度t2。可选地，t2＞t1。可选地，t1在约
Figure BDA00020665494100001219
至约
Figure BDA00020665494100001220
的范围内，并且t2在约
Figure BDA00020665494100001221
至约
Figure BDA00020665494100001222
的范围内。可选地，t2与t1之比在约3:1至约3:2的范围内，例如，2:1。
参照图4C，在显示区域DA中形成有机绝缘层31，并且移除位于周边区域PA中的第一光刻胶层70。形成多个第一过孔v1以贯穿有机绝缘层31，从而暴露缓冲层20的第一部分21的表面。例如，通过烘烤固化有机绝缘层31。
参照图4D，形成第二光刻胶层80以保护周边区域PA，例如，以保护位于周边区域PA中的缓冲层的第二部分22以及无机绝缘层32。通过由所述多个第一过孔v1暴露的第一部分的表面来蚀刻缓冲层20的第一部分21、第二栅绝缘层GI2和栅绝缘层GI1。蚀刻缓冲层20的第一部分21、第二栅绝缘层GI2和栅绝缘层GI1产生第二过孔v2，其贯穿缓冲层20的第一部分21、第二栅绝缘层GI2和栅绝缘层GI1，从而暴露有源层ACT的表面。
参照图4E，随后，移除第二光刻胶层80。使用诸如含氟化氢的清洁剂之类的清洁剂来清洁有源层ACT的暴露表面。通过清洁有源层ACT的暴露表面，例如，通过移除由多晶硅制成的有源层的表面氧化物，可以确保有源层ACT与待形成在所述多个第二过孔v2中的源电极和漏电极之间的优异的欧姆接触。
参照图4F，源电极S和漏电极D形成为贯穿所述多个第二过孔v2以连接至有源层ACT，从而形成多个薄膜晶体管TFT。可选地，利用相同掩模板在相同构图工艺中使用相同材料将多条第一信号线SL1、源电极S和漏电极D形成在相同层。所述多条第一信号线SL1形成在周边区域PA中并且位于无机绝缘层32的远离柔性基底基板10的一侧。
参照图4G，随后，形成多个发光元件LE，并且形成封装层60以封装所述多个发光元件LE。
参照图3，随后移除支承基板100，从而形成阵列基板。
另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的阵列基板以及与阵列基板连接的一个或多个集成电路。可选地，显示设备包括显示面板。可选地，显示面板包括本文所述的或者通过本文所述的方法制造的阵列基板、以及对置基板。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是明显的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (20)

1.一种阵列基板，其具有显示区域和周边区域，包括：
柔性基底基板；
缓冲层，其位于所述柔性基底基板上并且从所述显示区域连续地延伸至所述周边区域中，所述缓冲层包括实质上遍及所述显示区域延伸的第一部分和位于所述周边区域中的第二部分，所述第一部分和所述第二部分是整体层的部分；
有机绝缘层，其实质上遍及但不限于所述显示区域延伸，并且位于所述缓冲层的远离所述柔性基底基板的一侧；
无机绝缘层，其限于所述周边区域中并且位于所述缓冲层的远离所述柔性基底基板的一侧；
平坦化层，其位于所述有机绝缘层的远离所述缓冲层的一侧；以及
多个发光元件，其位于所述平坦化层的远离所述有机绝缘层的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括：多个薄膜晶体管，其位于所述柔性基底基板上；
其中，所述多个薄膜晶体管中的对应一个包括：栅电极、有源层、源电极和漏电极；并且
所述缓冲层位于所述栅电极和所述有源层的远离所述柔性基底基板的一侧。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述源电极和所述漏电极位于所述有机绝缘层的远离所述柔性基底基板的一侧；
所述源电极贯穿所述有机绝缘层和所述缓冲层以与所述有源层电连接；并且
所述漏电极贯穿所述有机绝缘层和所述缓冲层以与所述有源层电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，还包括：多条第一信号线，其位于所述周边区域中并且位于所述无机绝缘层的远离所述柔性基底基板的一侧；
其中，所述多条第一信号线、所述源电极和所述漏电极位于相同层并且包括相同材料。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，还包括：多条第二信号线，其位于所述周边区域中并且位于所述缓冲层的靠近所述柔性基底基板的一侧；
其中，所述多条第二信号线和所述栅电极位于相同层并且包括相同材料；并且
所述多条第一信号线通过所述无机绝缘层和所述缓冲层而与所述多条第二信号线绝缘。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述源电极与所述有机绝缘层直接接触；
所述漏电极与所述有机绝缘层直接接触；并且
所述多条第一信号线与所述无机绝缘层直接接触。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板，其中，所述有机绝缘层与所述缓冲层直接接触；并且
所述无机绝缘层与所述缓冲层直接接触。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，其中，所述缓冲层包括氧化硅(SiOx，0＜x≤2)；并且
并且，所述无机绝缘层包括氮化硅(SiNy，0＜y≤4/3)。
10.一种显示设备，包括权利要求1至9中任一项所述的阵列基板、以及与所述阵列基板连接的一个或多个集成电路。
11.一种制造具有显示区域和周边区域的阵列基板的方法，包括：
在柔性基底基板上形成从所述显示区域连续地延伸至所述周边区域中的缓冲层，所述缓冲层形成为包括第一部分和第二部分的整体层，所述第一部分实质上遍及所述显示区域延伸，所述第二部分位于所述周边区域中；
形成实质上遍及所述显示区域延伸并且位于所述缓冲层的远离所述柔性基底基板的一侧的有机绝缘层，所述有机绝缘层形成为限于所述显示区域中；
在所述缓冲层的远离所述柔性基底基板的一侧形成无机绝缘层，所述无机绝缘层形成为限于所述周边区域中；
在所述有机绝缘层的远离所述缓冲层的一侧形成平坦化层；以及
在所述平坦化层的远离所述有机绝缘层的一侧形成多个发光元件。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成缓冲层包括：
在所述柔性基底基板上形成从所述显示区域连续地延伸至所述周边区域中的缓冲材料层；
在所述缓冲材料层的远离所述柔性基底基板的一侧形成从所述显示区域连续地延伸至所述周边区域中的无机绝缘材料层；以及
使所述缓冲材料层和所述无机绝缘材料层退火。
13.根据权利要求12所述的方法，在使所述缓冲材料层和所述无机绝缘材料层退火之后，还包括：
移除位于所述显示区域中的所述无机绝缘材料层，同时保持位于所述周边区域中的所述无机绝缘材料层，从而形成位于所述周边区域中的所述无机绝缘层；以及
减小位于所述显示区域中的所述缓冲材料层的厚度，从而形成包括所述第一部分和所述第二部分的所述缓冲层，所述第一部分遍及所述显示区域延伸，所述第二部分位于所述周边区域中；
其中，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度；并且
利用相同蚀刻剂在相同构图工艺中执行以下处理：移除位于所述显示区域中的所述无机绝缘材料层，以及减小位于所述显示区域中的所述缓冲材料层的厚度。
14.根据权利要求13所述的方法，在形成所述缓冲层、所述有机绝缘层和所述无机绝缘层之前，还包括：在所述柔性基底基板上形成多个薄膜晶体管；
其中，所述多个薄膜晶体管中的对应一个形成为包括：栅电极、有源层、源电极和漏电极；并且
所述缓冲层形成在所述栅电极和所述有源层的远离所述柔性基底基板的一侧。
15.根据权利要求14所述的方法，在形成所述缓冲层和所述无机绝缘层之后，还包括：在所述缓冲层和所述无机绝缘层的远离所述柔性基底基板的一侧形成有机绝缘材料层；以及
对所述有机绝缘材料层进行构图以移除所述有机绝缘材料层的位于所述周边区域中的部分，并且形成贯穿位于所述显示区域中的所述有机绝缘材料层的第一过孔和第二过孔，从而形成位于所述显示区域中的所述有机绝缘层。
16.根据权利要求15所述的方法，在形成位于所述显示区域中的所述有机绝缘层之后，还包括：
形成位于所述周边区域中的保护层，以保护位于所述周边区域中的所述无机绝缘层和所述缓冲层；以及
分别蚀刻所述第一过孔和所述第二过孔下方的所述缓冲层和栅绝缘层，以暴露所述有源层的源电极接触区域和漏电极接触区域。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
移除位于所述周边区域中的所述保护层；以及
利用清洁剂清洁所述源电极接触区域和所述漏电极接触区域。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述清洁剂包括氟化氢。
19.根据权利要求17所述的方法，还包括：在所述有机绝缘层的远离所述柔性基底基板的一侧形成源电极和漏电极，所述源电极贯穿所述第一过孔以连接至所述源电极接触区域，所述漏电极贯穿所述第二过孔以连接至所述漏电极接触区域。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：在所述周边区域中并且在所述无机绝缘层的远离所述柔性基底基板的一侧形成多条第一信号线；以及
在所述周边区域中并且在所述缓冲层的靠近所述柔性基底基板的一侧形成多条第二信号线；
其中，利用相同掩模板在相同的构图工艺中使用相同材料将所述多条第一信号线、所述源电极和所述漏电极形成在相同层；并且
利用相同掩模板在相同的构图工艺中使用相同材料将所述多条第二信号线和所述栅电极形成在相同层。
CN201980000679.5A 2019-05-20 2019-05-20 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法 Active CN112335067B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2019/087610 WO2020232598A1 (en) 2019-05-20 2019-05-20 Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112335067A true CN112335067A (zh) 2021-02-05
CN112335067B CN112335067B (zh) 2024-04-02

Family

ID=73459555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980000679.5A Active CN112335067B (zh) 2019-05-20 2019-05-20 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11296165B2 (zh)
CN (1) CN112335067B (zh)
WO (1) WO2020232598A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106206945A (zh) * 2016-09-08 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置
CN107768406A (zh) * 2017-09-16 2018-03-06 合肥惠科金扬科技有限公司 一种oled显示面板
KR20180036853A (ko) * 2016-09-30 2018-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US20180226613A1 (en) * 2015-09-15 2018-08-09 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
CN108962026A (zh) * 2018-06-28 2018-12-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置
CN109427249A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板及其制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102430806B1 (ko) * 2017-12-07 2022-08-09 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린을 구비하는 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180226613A1 (en) * 2015-09-15 2018-08-09 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
CN106206945A (zh) * 2016-09-08 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置
KR20180036853A (ko) * 2016-09-30 2018-04-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
CN109427249A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN107768406A (zh) * 2017-09-16 2018-03-06 合肥惠科金扬科技有限公司 一种oled显示面板
CN108962026A (zh) * 2018-06-28 2018-12-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220037433A1 (en) 2022-02-03
WO2020232598A1 (en) 2020-11-26
CN112335067B (zh) 2024-04-02
US11296165B2 (en) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11532686B2 (en) Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate
JP7064062B2 (ja) 液晶表示装置
US10658612B2 (en) Display panel having passivation layer with protruding portions in peripheral area for sealant
CN110494985B (zh) 可拉伸显示面板、可拉伸显示设备和制造可拉伸显示面板的方法
WO2018010351A1 (en) Flexible display panel, flexible display apparatus having the same, and fabricating method thereof
US11362303B2 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating display substrate
US9245938B2 (en) Organic EL display device and method of manufacturing the same
US20190115373A1 (en) Display device
KR101320787B1 (ko) 기판 및 그 제조방법, 표시장치
CN102790094A (zh) 器件和显示单元
JP2018194600A (ja) 表示装置
CN112335067B (zh) 阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法
US20210135153A1 (en) Display substrate, display apparatus, method of fabricating display substrate
KR100647631B1 (ko) 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법 및 상기방법을 이용한 평판 디스플레이 장치의 제조방법
CN112119498B (zh) 制造阵列基板的方法、阵列基板、显示设备
US11177356B2 (en) Thin film transistor, array substrate, display apparatus, and method of fabricating thin film transistor
JP2009031393A (ja) 電子装置及び光共振器
TW200933270A (en) LCD panel with light-shielding structure and image display system using the same
US11374036B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof, and display device
TW202226890A (zh) 有機el面板之製造方法及有機el面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant