CN112335044A - 采用半导体发光元件的灯 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及采用半导体发光元件的灯，尤其涉及一种光均匀性高的灯。本发明提供一种灯，其特征在于，包括：配线基板；总线电极，沿一个方向形成在所述配线基板上；复数条电极线，形成在所述配线基板上，从所述总线电极延伸而形成并且具有一个端部；复数个半导体发光元件，沿形成所述电极线的方向平行地配置，并且与相邻的电极线隔开预定间隔而配置；复数个透明电极，将所述电极线与所述半导体发光元件电连接；电流注入部，与所述总线电极平行地沿所述一个方向形成；以及复数个连接电极，在所述总线电极和电流注入部之间沿所述一个方向隔开配置，并且将所述总线电极和电流注入部电连接，所述连接电极中的一部分的电阻值与其余部分的电阻值不同。

Description

采用半导体发光元件的灯
技术领域
本发明涉及采用半导体发光元件的灯，尤其涉及一种光均匀性高的灯。
背景技术
发光的灯用于各种领域。例如，车辆配备有具有照明功能或信号功能的各种车辆用灯。参照图1，一般而言，车辆1上设置有灯装置100，用于在行驶期间周围的照度较低时稳定地确保驾驶员的视线、或者向其他车辆告知车辆1的行驶状态。
车辆用灯装置包括安装于车辆前方的大灯、以及安装于车辆后方的后灯。大灯是用于照亮前方以在夜间行驶期间照亮前方的灯。后灯包括驾驶员执行刹车操作时点亮的刹车灯、以及指示车辆的前进方向的转向灯。
一般而言，主要使用卤素灯或气体放电灯，但是近来，发光二极管(LightEmitting Diode：LED)作为车辆用灯的光源引起了人们的注意。
对于发光二极管而言，不仅通过使尺寸最小化来提高灯的设计自由度，而且由于其半永久性的使用寿命而具有经济实用型，但是目前大多数以封装形式生产。非封装形式的发光二极管本身是将电流转换作为光的半导体发光元件，正在被开发为包括信息通信设备的电子设备的显示图像用光源。
然而，由于迄今为止开发的半导体发光元件灯是采用封装形式的发光二极管，因此批量生产的成品率差并且成本高，而且还存在柔性程度低的缺点。
另一方面，采用半导体发光元件的灯可能具有各种面积，但是当灯形成为较大面积时，存在施加到个别元件的电压不均匀而导致灯的光均匀性降低的问题。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的一个目的在于，提供一种能够向配置在灯中的半导体发光元件施加均匀的电流的结构。
解决问题的技术方案
本发明提供一种灯，其特征在于，包括：配线基板；总线电极，沿一个方向形成在所述配线基板上；复数条电极线，形成在所述配线基板上，从所述总线电极延伸而形成并且具有一个端部；复数个半导体发光元件，沿形成所述电极线的方向平行地配置，并且与相邻的电极线隔开预定间隔而配置；复数个透明电极，将所述电极线与所述半导体发光元件电连接；电流注入部，与所述总线电极平行地沿所述一个方向形成；以及复数个连接电极，在所述总线电极和电流注入部之间沿所述一个方向隔开配置，并且将所述总线电极和电流注入部电连接，所述连接电极中的一部分的电阻值与其余部分的电阻值不同。
一实施例中，还包括：供电部，连接在所述电流注入部的一端，并且向所述电流注入部施加电流，所述连接电极的电阻值可以随着远离所述供电部而减小。
一实施例中，每个所述连接电极可以包括：第一连接部，与所述电流注入部连接；电阻部，从所述第一连接部的一端沿所述一个方向延伸；以及第二连接部，从所述电阻部的一端延伸，并且与所述配线电极连接。
一实施例中，设置在每个所述连接电极中的电阻部的长度可以彼此不同。
一实施例中，设置在每个所述连接电极中的电阻部的长度可以随着远离所述供电部而缩短。
一实施例中，设置在每个所述连接电极中的电阻部的宽度可以随着远离所述供电部而变窄。
一实施例中，所述配线电极包括：第一配线电极，与所述电流注入部平行地配置；以及第二配线电极，与所述第一配线电极隔开预定距离而配置，每个所述半导体发光元件可以配置在从所述第一配线电极延伸而形成的电极线和从所述第二配线电极延伸而形成的电极线之间。
一实施例中，每个所述半导体发光元件包括p型电极和n型电极，p型电极和n型电极中的任意一个连接到从所述第一配线电极延伸的电极线，p型电极和n型电极中的另一个可以连接到从所述第二配线电极延伸的电极线。
一实施例中，从所述第二配线电极延伸的电极线可以包括：第一电极线，沿第一方向延伸；以及第二电极线，从与形成所述第一电极线的点相同的点沿与所述第一方向相反的方向即第二方向延伸。
一实施例中，所述p型电极和n型电极中的任意一种电极连接到所述第一电极线，所述p型电极和n型电极中的另一种电极可以连接到所述第二电极线。
发明效果
根据本发明，由于设置在灯中的半导体发光元件被施加均匀的电压，因此设置在灯中的每个半导体发光元件都能够以相同的亮度发光。
附图说明
图1是示出车辆的概念图。
图2是包含在车辆中的灯装置的截面图。
图3是图2的A区域的俯视图。
图4是示出倒装芯片半导体发光元件的概念图。
图5是将图3的B区域放大的放大图。
图6是沿图3的线V-V截取的截面图。
图7是示出图3中描述的灯中根据总线电极和半导体发光元件之间的距离施加到半导体发光元件的电压的大小的曲线图。
图8是示出本发明的灯的一实施例的概念图。
图9是示出本发明的灯的防止电压降的效果的曲线图。
图10是示出本发明的设置在灯中的连接电极的变形实施例的概念图。
图11是示出根据总线电极结构的电压降的有无的概念图。
图12是示出本发明的变形实施例的概念图。
具体实施方式
以下，参照附图对本说明书中公开的实施例进行详细说明，但是相同或相似的构成要素由相同的附图标记表示，而与附图标记无关，并且将省略其重复描述。仅出于易于完成说明书的目的而给出或互换使用在以下描述中使用的用于构成要素的后缀“模块”和“部”，并且它们本身没有明显的含义或作用。另外，在对本说明书中公开的实施例进行说明时，当确定相关的公知技术的详细描述可能使本说明书中公开的实施例的主旨不清楚时，将省略其详细描述。另外，应当注意，附图是为了容易理解本说明书中公开的实施例，并且本说明书中公开的技术思想不应解释为受附图的限制。
另外，当诸如层、区域或基板的要素被描述为存在于另一构成要素“上(on)”时，将理解，其可以直接存在于另一要素上、或者中间要素可以存在于它们之间。
另一方面，本说明书中描述的灯可以包括移动电话、智能手机(smart phone)、膝上型计算机(laptop computer)、数字广播终端、个人数字助理(personal digitalassistants：PDA)、便携式多媒体播放器(portable multimedia player：PMP)、导航仪、触屏平板电脑(Slate PC)、平板电脑(Tablet PC)、超极本(Ultra Book)、数字电视、台式计算机等。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本说明书中描述的实施例的构成即使以日后开发的新产品形式也可以应用于灯。
另一方面，本说明书中描述的灯可以用于车辆。车辆用灯可以包括前照灯(大灯)、尾灯、示宽灯、雾灯、转向灯、刹车灯、应急灯、倒车灯(后灯)等。
图2是包含在车辆中的灯装置的截面图。
本发明一实施例的车辆用灯10包括固定于车身的框架11、以及安装于框架11的光源部12。
框架11上连接有用于向光源部12供电的配线，并且所述框架11可以直接紧固并固定到车身，或者以支架作为媒介来进行固定。根据图示，为了使光源部12发射的光进一步扩散并且鲜明，可以设置有透镜部。
所述光源部12可以是可以通过外力而弯曲、弯折、翘曲、折叠、卷曲的柔性光源部。
在所述光源部12未弯曲的状态(例如，具有无限大的曲率半径的状态，以下，称为第一状态)下，所述光源部12呈平面。在所述第一状态下通过外力而弯曲的状态(例如，具有有限的曲率半径的状态，以下，称为第二状态)下，所述柔性光源部呈至少一部分弯曲或弯折的曲面。
所述光源部12的像素可以由半导体发光元件来实现。在本发明中，例示了发光二极管作为将电流转换为光的一种半导体发光元件。所述发光二极管形成为较小的尺寸，由此，即使在所述第二状态下也可以起到像素的作用。
另一方面，本发明的光源部12包括单元光源、基底基板、连接电极。在下文中，对上述构成要素进行具体的说明。
光源部12可以仅由所述单元光源构成。以下，通过仅由单元光源构成的光源部12，对所述单元光源进行具体的说明。
图3是图2的A区域的俯视图，图4是示出倒装芯片半导体发光元件的概念图，图5是将图3的B区域放大的放大图，图6是沿图3的线V-V截取的截面图。
根据图示，光源部12包括配线基板100、复数条电极线110和120、透明电极130、半导体发光元件150。以下，对上述构成要素进行具体的说明。
参照图3，配线基板上可以配置有复数条电极线。电极线110和120中的每一条可以从总线电极110'和120'凸出并且沿一个方向延伸而形成为条形状。另一方面，电极线110和120中的每一条具有形成于与总线电极相反的一侧的一端部。
当电极线110和120中的每一条被描述为具有两个端部的条形状时，电极线的一端部连接到总线电极，而另一端部形成于与总线电极相反的一侧。另一方面，在本说明书中，将所述两个端部之间的中间部位称为电极线的中央部。
另一方面，配线基板上可以配置有两种总线电极110'和120'。具体地，施加到所述两个总线电极110'和120'之间的电压被施加到每个半导体发光元件150。由此，每个半导体发光元件150将发光。从所述两个总线电极110'和120'中的每一个延伸的电极线110和120与半导体发光元件150电连接，以使得施加到所述两个总线电极110'和120'之间的电压被施加到每个半导体发光元件150。
此时，个别半导体发光元件150需要与所述两种电极线110'和120'分别电连接。在对半导体发光元件150与电极线电连接的结构进行说明之前，首先对半导体发光元件150的结构进行说明。
参照图4，所述半导体发光元件150可以是倒装芯片型(flip chip type)发光元件。
例如，所述半导体发光元件包括：p型电极156；p型半导体层155，形成有p型电极156；有源层154，形成在p型半导体层155上；n型半导体层153，形成在有源层154上；以及n型电极152，在n型半导体层153上与p型电极156沿水平方向隔开配置。在这种情况下，p型电极156可以与从所述两个总线电极中的任意一个延伸的电极线110电连接，而n型电极152可以与从所述两个总线电极中的另一个延伸的电极线120电连接。
参照图6，在本发明的灯中，所述p型电极和n型电极配置在发光面的方向。即，从本发明的灯发射的光穿过所述p型电极和n型电极发射到外部。由于这种结构特征，为了增大灯的光量，需要使与半导体发光元件重叠的结构物最小化。
另一方面，为了使灯的光量最大化，在半导体发光元件中与发光面相反的一侧可以配置有反射层160。所述反射层对从半导体发光元件发射并朝向灯的下侧的光进行反射，以增大灯的光量。另一方面，所述反射层160可以形成在基底基板170上。
另一方面，当由金属或合金制成的电极线直接电连接到半导体发光元件时，由于电极线遮挡半导体发光元件的发光面，因此可能会减少灯的光量。为了防止这种情况，参照图5和6，电极线110和120中的每一条通过透明电极130与半导体发光元件电连接。
透明电极130可以由透光性高且具有导电性的材料制成。例如，所述透明电极130可以是氧化铟锡(Indium tin oxide：ITO)。所述透明电极130的透光性大大高于所述电极线，但是导电率较差。如图6所示，当半导体发光元件150与透明电极重叠时，可以使灯的光量减少最小化。
本发明的灯可以包括向所述半导体发光元件150施加电流的供电部。所述供电部向总线电极施加电流，并且所施加的电流沿着复数条电极线流向半导体发光元件。然而，当供电部向总线电极的一端施加电流时，流向配置成一排的电极线中的每一条的电流量将彼此不同。这是由于在每条电极线上产生电压降。因此，会发生如图7所示的电压不均匀。
图7是示出图3中描述的灯中根据总线电极和半导体发光元件之间的距离施加到半导体发光元件的电压的大小的曲线图。
根据图示，随着半导体发光元件远离总线电极而逐渐减小，然后再次增大。即，施加到邻近电极线中央部的半导体发光元件的电压小于施加到邻近电极线的两端部的半导体发光元件的电压。因此，从半导体发光元件发射的光的量根据半导体发光元件的位置而变化。随着灯的面积增加，这种光量的差异将变得明显。
本发明提出一种结构，用于解决由于电压降而导致半导体发光元件的光量根据半导体发光元件的位置而变化的问题。本发明的灯可以包括图3至6中描述的所有构成要素。
图8是示出本发明的灯的一实施例的概念图，图9是示出本发明的灯的防止电压降的效果的曲线图。
尽管在图8中未示出上述透明电极，但是如图5中所描述的，电极线通过透明电极与半导体发光元件电连接。下面将描述的所有附图中省略了透明电极，但是所有电极线都通过透明电极与半导体发光元件电连接。
本发明的灯具有配线基板、总线电极、复数条电极线、复数个半导体发光元件、复数个透明电极和电流注入部。所述配线基板、复数个发光元件和复数个透明电极被替换为图1至7的描述。
在本发明中，不是从供电部直接向配线电极220a施加电流，而是利用电流注入部210a。参照图8，电流注入部210a沿所述总线电极220a延伸的一个方向延伸而形成，并且与所述总线电极220a平行地配置。
所述电流注入部210a与所述总线电极220a电连接，为此，本发明具有复数个连接电极280。所述连接电极280配置在所述总线电极220a与电流注入部210a之间。复数个连接电极280沿所述总线电极220a延伸的一个方向隔开预定距离而配置。从供电部施加的电流沿着所述复数个连接电极280中的每一个施加到总线电极220a。
另一方面，每个所述连接电极280的电阻值可以彼此不同。具体地，每个所述连接电极280的电阻值可以随着远离供电部而减小。这是为了补偿随着远离供电部而产生的电压降。由此，本发明能够使从配线电极220a延伸的所有电极线221a中的每一条都被施加相同的电流。
当施加到每条所述电极线221a的电流相同时，如图9所示，施加到每个半导体发光元件250的电压将相同。由此，本发明能够发射相同量的光，而与配置半导体发光元件250的位置无关。
另一方面，本发明提供用于依次改变所述连接电极的电阻值的各种变形实施例。
图10是示出本发明的设置在灯中的连接电极的变形实施例的概念图。
参照图10，本发明的连接电极280'可以包括：第一连接部，与电流注入部210a连接；电阻部，从所述第一连接部的一端沿所述一个方向延伸；以及第二连接部，从所述电阻部的一端延伸，并且与所述配线电极连接。
本发明通过改变所述电阻部的形状来改变连接电极的电阻值。一实施例中，设置在每个所述连接电极280'中的电阻部的长度L可以彼此不同。具体地，设置在每个所述连接电极280'中的电阻部的长度可以随着远离所述供电部而缩短。所述连接电极280'的电阻值随着所述电阻部的长度缩短而减小。根据上述结构，配置了越远离所述供电部电阻值越小的连接电极。
另一实施例中，所述电阻部的宽度可以随着远离所述供电部而变窄。所述连接电极280'的电阻值随着所述电阻部的宽度变窄而减小。根据上述结构，配置了越远离所述供电部电阻值越小的连接电极。
如上所述，本发明通过利用所述配线电极与所述电流注入部之间的空间来不同地调节连接电极的电阻值。由此，本发明能够使灯的不发光区域的面积最小化，同时提高灯的光均匀性。
另一方面，本发明通过使连接到半导体发光元件的配线交叉来提高灯的光均匀性。
图11是示出根据总线电极结构的电压降的有无的概念图，图12是示出本发明的变形实施例的概念图。
本发明的设置在灯中的配线电极包括：第一配线电极，与所述电流注入部平行地配置；以及第二配线电极，与所述第一配线电极隔开预定距离而配置。
这里，第一配线电极对应于图4的上侧所示的配线电极110，而第二配线电极对应于图4的中央部分所示的配线电极120。在所述第二配线电极中，其所有区域都应当形成为等电位面，但是参照图11的(a)，在V1和V2之间产生了电压降。这对灯的光均匀性带来了不利的影响。
为了防止这种问题，在本发明中，如图11的(b)所示，电极线在配线电极的同一点处沿两个方向延伸。此时，沿第一方向延伸的电极用作阴极(Cathode)，沿与所述第一方向相反的方向即第二方向延伸的电极用作阳极(Anode)。为此，以所述配线电极为基准，配置在上侧的半导体发光元件和配置在下侧的半导体发光元件以彼此翻转180度的状态配置。
具体地，配置在图11(b)的配线电极的上侧的半导体发光元件的p型电极与配置在半导体发光元件的左侧的电极线电连接。相反，配置在图11(b)的配线电极的下侧的半导体发光元件的p型电极与配置在半导体发光元件的右侧的电极线电连接。
当图11(b)的结构应用于整个灯时，将获得如图12所示的结构。如图所示，第一配线电极220a与所述电流注入部210a电连接，并且在第二总线电极240上形成两种电极线。具体地，在第二总线电极240上形成沿第一方向延伸的第一电极线、以及沿与所述第一方向相反的方向即第二方向延伸的第二电极线。这里，第二电极线从形成第一电极线的同一个点延伸而形成。
所述第一和第二电极线从第二总线电极240的一个点处沿两个方向延伸而形成。半导体发光元件的p型电极连接到所述第一和第二电极线中的任意一条上，并且n型电极连接到另一条上。由此，能够防止在第二配线电极240中发生电压偏差。
如上所述，根据本发明，由于设置在灯中的半导体发光元件被施加均匀的电压，因此设置在灯中的每个半导体发光元件都能够以相同的亮度发光。
使用上述半导体发光元件的显示装置不限于上述实施例的构成和方法，而是可以通过选择性地组合各个实施例的全部或部分来构成上述实施例，从而可以进行各种修改。

Claims (10)

1.一种灯，其特征在于，包括：
配线基板；
总线电极，沿一个方向形成在所述配线基板上；
复数条电极线，形成在所述配线基板上，从所述总线电极延伸而形成，并且具有一个端部；
复数个半导体发光元件，沿形成复数条所述电极线的方向平行地配置，并且与相邻的电极线隔开预定间隔而配置；
复数个透明电极，将复数条所述电极线与复数个所述半导体发光元件电连接；
电流注入部，与所述总线电极平行地沿所述一个方向形成；以及
复数个连接电极，在所述总线电极和电流注入部之间沿所述一个方向隔开配置，并且将所述总线电极和电流注入部电连接，
复数个所述连接电极中的一部分连接电极的电阻值与其余部分连接电极的电阻值不同。
2.根据权利要求1所述的灯，其特征在于，还包括：
供电部，连接在所述电流注入部的一端，并且向所述电流注入部施加电流，
复数个所述连接电极的电阻值随着远离所述供电部而减小。
3.根据权利要求2所述的灯，其特征在于，
每个所述连接电极包括：
第一连接部，与所述电流注入部连接；
电阻部，从所述第一连接部的一端沿所述一个方向延伸；以及
第二连接部，从所述电阻部的一端延伸，并且与所述配线电极连接。
4.根据权利要求3所述的灯，其特征在于，
设置在每个所述连接电极中的电阻部的长度彼此不同。
5.根据权利要求4所述的灯，其特征在于，
设置在每个所述连接电极中的电阻部的长度随着远离所述供电部而缩短。
6.根据权利要求4所述的灯，其特征在于，
设置在每个所述连接电极中的电阻部的宽度随着远离所述供电部而变窄。
7.根据权利要求1所述的灯，其特征在于，
所述配线电极包括：
第一配线电极，与所述电流注入部平行地配置；以及
第二配线电极，与所述第一配线电极隔开预定距离而配置，
每个所述半导体发光元件配置在从所述第一配线电极延伸而形成的电极线与从所述第二配线电极延伸而形成的电极线之间。
8.根据权利要求7所述的灯，其特征在于，
每个所述半导体发光元件包括p型电极和n型电极，
p型电极和n型电极中的任意一个连接到从所述第一配线电极延伸的电极线，
p型电极和n型电极中的另一个连接到从所述第二配线电极延伸的电极线。
9.根据权利要求8所述的灯，其特征在于，
从所述第二配线电极延伸的电极线包括：
第一电极线，沿第一方向延伸；以及
第二电极线，从与形成所述第一电极线的点相同的点沿与所述第一方向相反的方向即第二方向延伸。
10.根据权利要求9所述的灯，其特征在于，
所述p型电极和所述n型电极中的任意一种电极连接到所述第一电极线，
所述p型电极和所述n型电极中的另一种电极连接到所述第二电极线。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080018567A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Sony Corporation Display
KR20110095772A (ko) * 2010-02-19 2011-08-25 삼성엘이디 주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
JP2011243614A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sanken Electric Co Ltd 発光素子
JP2012209475A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sanken Electric Co Ltd 発光素子
KR20130013955A (ko) * 2011-07-29 2013-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
CN102956785A (zh) * 2011-08-23 2013-03-06 斯坦雷电气株式会社 能够减小不均匀亮度分布的led阵列
JP2013055186A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
US20180138157A1 (en) * 2016-11-15 2018-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and fabricating method thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0852817A1 (en) * 1995-09-25 1998-07-15 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Surface light-emitting element and self-scanning type light-emitting device
KR20050032850A (ko) * 2003-10-02 2005-04-08 엘지전자 주식회사 투사형 디스플레이 장치의 발광 다이오드 구동회로
US9564070B2 (en) * 2006-10-05 2017-02-07 GE Lighting Solutions, LLC LED backlighting system for cabinet sign
KR20110058602A (ko) * 2009-11-26 2011-06-01 박기용 백라이트 및 그 전원의 연결방법
US20130057460A1 (en) 2011-09-06 2013-03-07 Dongsheng Guo LCD driving circuit, data-driven chip, liquid crystal panel and liquid crystal display device
US9627351B2 (en) * 2012-10-22 2017-04-18 Sensor Electronic Technology, Inc. Device electrode formation using metal sheet
CN103337233B (zh) 2013-06-09 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 显示驱动芯片、显示驱动芯片组件、显示装置
US9379166B2 (en) * 2014-11-04 2016-06-28 Atom Nanoelectronics, Inc. Active matrix light emitting diodes display module with carbon nanotubes control circuits and methods of fabrication
KR102428681B1 (ko) 2015-08-13 2022-08-04 주성엔지니어링(주) 조명 장치
KR101852436B1 (ko) * 2016-06-22 2018-04-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프
KR20180061928A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 에스엘 주식회사 차량용 램프
US11631786B2 (en) * 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080018567A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 Sony Corporation Display
KR20110095772A (ko) * 2010-02-19 2011-08-25 삼성엘이디 주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
CN102169933A (zh) * 2010-02-19 2011-08-31 三星Led株式会社 具有多单元阵列的半导体发光器件、发光模块和照明设备
JP2011243614A (ja) * 2010-05-14 2011-12-01 Sanken Electric Co Ltd 発光素子
JP2012209475A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sanken Electric Co Ltd 発光素子
KR20130013955A (ko) * 2011-07-29 2013-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템
CN102956785A (zh) * 2011-08-23 2013-03-06 斯坦雷电气株式会社 能够减小不均匀亮度分布的led阵列
JP2013055186A (ja) * 2011-09-02 2013-03-21 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
US20180138157A1 (en) * 2016-11-15 2018-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and fabricating method thereof

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