KR20130013955A - 발광소자 패키지 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템 - Google Patents

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Abstract

실시 예의 발광소자 패키지 모듈은 복수의 발광소자 패키지 어레이가 배치된 회로기판과, 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이의 일측의 상기 회로기판에 배치된 커넥터 및 상기 커넥터와 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이 각각을 전기적으로 연결하는 제1 배선 및 제2 배선을 포함하고, 상기 제1 배선은 상기 커넥터로부터 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이 각각에 연결된 거리에 따라, 상기 제1 배선의 폭이 서로 다르다.

Description

발광소자 패키지 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템{Light emitting device package module and lighting system including the same}
실시예는 발광소자 패키지 모듈에 관한 것으로서, 발광소자 패키지 모듈의 신뢰성 향상에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다. 또한, 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
발광 소자가 패키지 몸체에 실장되어 전기적으로 연결된 형태로 된 발광소자 패키지는 표시 장치의 광원으로 많이 사용되고 있다. 특히, COB(Chip on Board)형 발광 모듈은 발광 소자, 예를 들어 LED 칩들을 직접 기판에 다이 본딩(die bonding)하고, 와이어 본딩에 의해 전기적 연결을 하는 방식으로, 발광 소자가 기판 상에 여러 개 배열된 발광소자 패키지 어레이 형태로 많이 사용되고 있다.
일반적으로 COB형 발광 모듈은 기판, 기판 상에 일렬로 배열되는 LED 칩들, LED 칩들을 둘러싸는 몰딩부, 및 몰딩부 상에 위치하는 렌즈를 포함할 수 있다.
실시예는 발광소자 패키지 모듈의 신뢰성을 향상시키고자 한다.
실시 예의 발광소자 패키지 모듈은 복수의 발광소자 패키지 어레이가 배치된 회로기판과, 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이의 일측의 상기 회로기판에 배치된 커넥터 및 상기 커넥터와 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이 각각을 전기적으로 연결하는 제1 배선 및 제2 배선을 포함하고, 상기 제1 배선은 상기 커넥터로부터 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이 각각에 연결된 거리에 따라, 상기 제1 배선의 폭이 서로 다르다.
상기 복수의 발광소자 패키지 어레이는 상기 커넥터로부터의 거리에 따라 가장 가까운 제1 발광소자 패키지 어레이 및 가장 먼 제2 발광소자 패키지 어레이로 구분되고, 상기 제1 발광소자 패키지 어레이에 연결된 상기 제1 배선은 제1 구간 및 상기 제2 발광소자 패키지 어레이에 연결된 상기 제1 배선은 제2 구간으로 구분되며, 상기 제1 구간의 상기 제1 배선은 제1 폭으로 형성되고, 상기 제2 구간의 상기 제1 배선은 제2 폭으로 형성될 수 있다.
상기 제1 구간 저항과 상기 제2 구간의 저항이 동일하도록 상기 제1 폭 및 제2 폭이 형성될 수 있다.
상기 제1 폭 및 제2 폭은 상기 제1 배선이 상기 커넥터로부터 연결된 거리에 비례하여 형성될 수 있다.
상기 제2 폭은 상대적으로 제1 폭보다 넓을 수 있다.
상기 제1 배선의 폭은 상기 제1 배선의 단면적의 넓이와 비례할 수 있다.
상기 제1 배선은 애노드 전극의 배선이고, 상기 제2 배선은 캐소드 전극의 배선일 수 있다.
다른 실시 예의 발광소자 패키지 모듈은 제1 배선과 제2 배선이 배치된 회로기판과, 상기 회로기판 상에 배치되고, 제1 배선 및 제2 배선과 각각 연결된 발광소자 패키지 및 상기 발광소자 패키지는 적어도 2개의 발광소자와, 상기 2개의 발광소자를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하고, 상기 제2 배선은 상기 2개의 발광소자와 상기 연결부 사이에 배치될 수 있다.
상기 제2 배선은 캐소드 전극 배선이고, 제1 배선은 애노드 전극 배선일 수 있다.
상기 캐소드 전극 배선은 복수개의 전극 배선이고, 상기 제2 전극 배선은 상기 복수개의 전극 배선 중 상기 발광소자 패키지에 가장 인접한 전극배선일 수 있다.
상기 발광소자들은 동일 평면상에 서로 이격하여 배치되고, 상기 연결부는 상기 발광소자들 사이와 연장되는 수직선상에 상기 발광소자들과 이격하여 배치될 수 있다.
다른 실시 예의 조명 시스템은 상기 언급한 발광소자 패키지 모듈을 포함할 수 있다.
실시 예는 발광소자 패키지 모듈의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이고,
도 2는 실시 예의 발광소자 패키지 어레이를 간략히 도시한 평면도이고,
도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지 모듈의 평면도이고,
도 4는 다른 실시 예의 발광소자 패키지 모듈을 설명하기 위한 발광소자 패키지의 사시도이고,
도 5는 발광소자 패키지를 실장하는 회로기판의 평면도이고,
도 6은 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 7은 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 발광소자 패키지의 일실시예의 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(1)는 몸체(2)와, 상기 몸체(2)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 3) 및 제2 리드 프레임(4)과, 상기 몸체(2)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(3) 및 제2 리드 프레임(4)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(5)와, 상기 발광 소자(5)를 측면 및/또는 상부를 둘러싸는 몰딩부(8)를 포함한다.
몸체(2)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(2)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(2)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(3, 4) 간의 전기전 단락을 방지할 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(3) 및 제2 리드 프레임(4)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(5)에 전류를 공급한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(3) 및 제2 리드 프레임(4)은 상기 발광 소자(5)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(5)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
상기 발광 소자(5)는 수평형 발광소자, 수직형 발광소자 또는 플립형 발광소자일 수 있으며, 상기 몸체(2) 상에 설치되거나 상기 제1 리드 프레임(3) 또는 제2 리드 프레임(4) 상에 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 리드 프레임(3)과 발광소자(5)가 도전성 접착층(6)을 통하여 전기적으로 연결되고, 제2 리드 프레임(4)과 상기 발광소자(5)는 와이어(7)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(5)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 리드 프레임(3, 4)과 연결될 수 있다.
상기 몰딩부(8)는 상기 발광 소자(5)를 둘러싸며 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(8)에는 형광체(9)가 포함되어 상기 발광 소자(5)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 상기 몰딩부(8)는 적어도 발광소자(5)와 와이어(7)를 덮으며 형성될 수 있다.
그리고, 상기 발광소자(5)에서 방출된 제1 파장 영역의 광이 상기 형광체(9)에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시) 등의 광경로 변환 유닛을 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다.
렌즈는 발광소자(5)에서 방출되어, 형광체에서 파장이 변환된 빛의 굴절 등을 통하여 광경로를 변환시킬 수 있으며, 특히 백라이트 유닛 내에서 발광소자 패키지가 사용될 때 지향각을 조절할 수 있다.
렌즈는 광투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 일 예로써 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 또는 레진 사출물로 이루어질 수 있다.
도 2는 실시 예의 발광소자 패키지 어레이를 간략히 도시한 평면도이다.
도 2를 참조하면, 회로기판(10) 상에 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33), 커넥터(40) 및 금속 배선(L)을 배치할 수 있다.
회로기판(10)은 단층 또는 다층 기판으로 구현될 수 있으며, 상기 기판은 FR-4 또는 CEM-3(CEM: Composite Epoxy Materials Grade 3) 등의 레진(resin), 세라믹(ceramic) 계열 재질, 또는 금속 재질을 이용할 수 있다. 상기 기판이 단층 기판인 경우 탑층 즉, 상면에 다수의 배선 라인을 형성할 수 있다. 상기 배선 라인은 Cu 또는 Cu에 도금된 층일 수 있다. 또한, 회로 기판(10)은 일반 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 메탈코어 PCB(Metal core PCB), 연성 PCB(Flexible PCB) 중 적어도 하나일 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
금속배선(L)은 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni)을 포함하는 금속물질 중에서 선택된 적어도 어느 한 물질로 단층 또는 복합층으로 증착, 스퍼터링, 도금과 같은 방법으로 형성될 수 있다.
회로기판(10)의 전면에 다수의 발광소자(1)들이 일렬로 배치될 수 있다. 실시예는 발광소자(1)들이 4개 모인 그룹 단위의 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)를 개시할 수 있다. 예를 들어, 동시에 구동할 수 있는 동일 칼라의 발광소자들이 4쌍씩 마련되도록 4개의 발광소자를 구비할 수도 있지만, 4개 이상의 발광소자가 소정 배열로 배치될 수 있고 이에 한정하지 않는다. 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33) 내의 발광소자(1)들은 서로 직렬로 연결될 수 있다.발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)가 배치된 회로기판(10)의 일측 단부에는 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)에 전원을 공급하기 위한 전기적 통로 수단의 커넥터(40)가 배치될 수 있다. 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)와 커넥터(40)는 금속 배선(L)으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)에 공급하는 애노드 전원을 일체형의 금속 배선(L)으로 연결할 수 있다.
실시 예는 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)에 애노드 전원을 공급하는 일체형의 금속 배선(L)을 커넥터(40)로부터의 거리에 따라 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)별로 다수의 구간으로 나눌 수 있다.
즉, 커넥터(40)로부터 가장 가까운 제1 발광소자 패키지 어레이(31)에 인접한 금속배선(L)은 제1 구간(L1), 중간의 제2 발광소자 패키지 어레이(32)에 인접한 금속배선(L)은 제2 구간(L2) 및 가장 먼 제3 발광소자 패키지 어레이(33)에 인접한 금속배선(L)은 제3 구간(L3)으로 나눌 수 있다.
도 3은 실시 예에 따른 발광소자 패키지 모듈의 평면도를 도시한다.
발광소자 패키지 모듈은 회로기판(10), 적어도 두 개 이상의 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33), 제1 전극 배선(30), 제2 전극 배선(20, 21, 22) 및 커넥터(40)를 포함한다.
커넥터(40)는 외부 전원으로부터 전원을 공급받아 제1 전극배선(30)과 제2 전극배선(20, 21, 22)에 각각 전원을 공급한다.
제1 전극 배선(30)은 커넥터(40)와 전기적으로 연결되어 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)에 전원을 제공할 수 있다. 제1 전극 배선(30)은 회로기판(10) 상에 배선되고, 일단은 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)에 전기적으로 연결되고, 타단은 외부 전원과 연결되는 커넥터(40)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 전극배선(20, 21, 22)은 커넥터(40)와 전기적으로 연결되어 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)에 전원을 제공할 수 있다. 제2 전극 배선(L1, L2, L3)은 회로기판(10) 상에 배선되고, 일단은 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)에 전기적으로 연결되고, 타단은 외부 전원과 연결되는 커넥터(40)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전극 배선(30), 제2 전극 배선(20, 21, 22)은 모두 금속물질 예를 들어, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 은(Ag), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni)을 포함하는 금속물질 중에서 선택된 적어도 어느 한 물질로 단층 또는 복합층으로 증착, 스퍼터링, 도금과 같은 방법으로 형성될 수 있다.
제1 전극배선(30)은 (+)전원이 연결되어 애노드(anode) 전극이 될 수 있고, 제2 전극배선(20, 21, 22)은 (-)전원이 연결되어 캐소드(cathode) 전극이 될 수 있다.
실시 예의 제1 전극배선(30)은 공통 전극으로서발광소자 패키지 어레이들(31, 32, 33)에 일체형으로 형성되어 직렬 연결될 수 있다.
구체적으로, 발광소자 패키지 어레이는 커넥터(40)로부터 이격된 거리순으로 커넥터(40)와 가장 가까운 제1 발광소자 패키지 어레이(31), 중간의 제2 발광소자 패키지 어레이(32) 및 가장 먼 제3 발광소자 패키지 어레이(33)로 구분할 수 있다.
제1 전극 배선(30)은 제1 발광소자 패키지 어레이(31)에 인접한 제1 구간(L1), 제2 발광소자 패키지 어레이(32)에 인접한 제2 구간(L2) 및 제3 발광소자 패키지 어레이(33)에 인접한 제3 구간(L3)로 나눌 수 있다. 제1 구간(L1)은 제1 발광소자 패키지 어레이(31)와 직교하는 방향에 연결된 제1 전극 배선(30)의 일부로서 제1 연결배선(P1)을 통하여 제1 발광소자 패키지 어레이(31)와 전기적으로 연결되고, 제2 구간(L2)은 제2 발광소자 패키지 어레이(32)와 직교하는 방향에 연결된 제1 전극배선(30)의 일부로서 제2 연결배선(P2)을 통하여 제2 발광소자 패키지 어레이(32)와 전기적으로 연결되며, 제3 구간(L3)은 제3 발광소자 패키지 어레이(33)와 직교하는 방향에 연결된 제1 전극배선(30)의 일부로서 제3 연결배선(P3)을 통하여 제3 발광소자 패키지 어레이와 전기적으로 연결될 수 있다.
실시 예는 커넥터(40)로부터 발광소자 패키지 어레이에 멀리 연결된 전극배선(30)의 폭(t)을 넓게 형성할 수 있다.
즉, 커넥터(40)로부터 가장 가까운 제1 발광소자 패키지 어레이(31)에 연결된 제1 구간(L1)의 폭(t1)이 가장 좁게 형성되고, 커넥터(40)로부터 가장 멀리 배치된 제3 발광소자 패키지 어레이(33)에 연결된제3 구간(L3)의 폭(t3)이 가장 넓게 형성될 수 있다.
전극 배선의 저항은 전극배선의 길이에 비례하고, 단면적에 반비례하는 것으로 정의된다.
커넥터(40)로부터 제1 발광소자 패키지 어레이(31)까지의 제1 전극배선(30)의 길이가 가장 짧고, 제2 발광소자 패키지 어레이(32)까지의 제1 전극배선(30)의 길이는 중간, 제3 발광소자 패키지 어레이(33)까지의 제1 전극배선(30)의 길이가 가장 길다.
따라서, 직렬로 연결된 제1 전극배선(30)의 제1 내지 제3 구간(L1~L3) 각각 에서의 저항을 동일하게 유지하기 위해서는 각 구간(L1~L3)에서의 제1 전극배선(30)의 단면적을 서로 다르게 조절할 수 있다.
제1 전극배선(30)의 단면적은 폭(t)의 길이와 비례한다고 볼 수 있다. 제1 전극배선(30)의 단면적은 도시하지 않았지만, 원형, 타원형, 사각형 또는 삼각형의 형태일 수 있으며 이에 한정하지 않는다. 일반적인 전극배선의 단면적이 원형이라 할 때, 전극배선의 폭의 길이는 상기 원형의 지름이라고 할 수 있다.
따라서, 커넥터(40)로부터 가장 짧은 길이로 연결된 제1 전극배선(30)의 제1 구간(L1)의 제1 폭(t1)을 상대적으로 가장 좁게 형성하여 전극배선의 단면적을 줄일 수 있고, 커넥터(40)로부터 가장 긴 길이로 연결된 제1 전극배선(30)의 제3 구간(L3)의 제3 폭(t3)을 상대적으로 가장 넓게 형성하여 전극배선의 단면적을 늘릴 수 있다.
이러한 방법으로, 제1 구간(L1), 제2 구간(L2) 및 제3 구간(L3)에서의 저항값들을 서로 동일하게 유지할 수 있다.
이러한 방법으로, 실시예는 종래의 커넥터(40)로부터 연결된 거리에 따라 발생하는 제1 전극배선(30)의 저항값들의 오차를 줄일 수 있다.
제1 연결배선(P1), 제2 연결배선(P2) 및 제3 연결배선(P3)은 서로 저항값의 오차가 미비하면 서로 전극 배선의 길이와 폭을 동일하게 형성할 수 있다. 또는, 제1 전극배선(30)의 폭을 조절하는 방법과 마찬가지로, 제1 연결배선(P1), 제2 연결배선(P2) 및 제3 연결배선(P3)의 각 배선들의 폭을 조절하여 각 연결배선의 길이와 단면적의 비를 동일하게 유지함으로써, 제1 연결배선(P1) 내지 제3 연결배선(P3)의 저항값을 동일하게 유지할 수 있다.
실시예는 발광소자 패키지 단위별로 연결되는 전극배선의 폭을 조절하기보다, 복수개의의 발광소자 패키지 집합 단위인 발광소자 패키지 어레이를 단위로 전극배선의 폭을 조절함으로써, 거리에 따른 전극배선 간에 단차를 형성하는 공정을 간소화할 수 있어 공정상의 용이한 이점이 있을 수 있다.
결론적으로, 일 실시예는 커넥터(40)와 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33) 사이의 거리에 따른 제1 전극배선(30)의 폭을 조절함으로써, 제1 전극배선(30)의 길이 대비 단면적의 비율을 동일하게 유지함으로써, 직렬 연결된 전극배선들 간 저항값의 오차를 줄여 발광소자 패키지 모듈의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
실시 예에서는 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)와 제1 전극배선(30), 제2 전극배선(20, 21, 22) 및 커넥터(40)를 회로기판(10)의 전면에 모두 배치하였지만, 경우에 따라 발광소자 패키지 어레이(31, 32, 33)는 전면에 배치하고, 제1 전극배선(30) 및 제2 전극배선(20, 21, 22)은 회로기판(10)의 후면에 배치하여, 회로기판(10)의 전면과 후면을 커넥터(40)를 통하여 전기적으로 연결시킬 수 있다.
도 4는 다른 실시 예의 발광소자 패키지 모듈을 설명하기 위한 발광소자 패키지의 사시도이다.
발광 소자 패키지(200)는 몸체(210), 제1 반사컵(222), 제2 반사컵(224), 연결 패드(226), 제1 발광 소자(232), 제2 발광 소자(234), 리드 프레임(242), 제너 다이오드(Zenor diode, 150), 절연 부재(209) 및 와이어들(251 내지 159)을 포함한다.
몸체(210)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
몸체(210)는 전도성을 갖는 도체로 형성될 수도 있다. 몸체(210)가 전기 전도성을 갖는 재질인 경우, 몸체(210)의 표면에는 절연막(미도시)이 형성되어 몸체(210)가 제1 반사컵(222), 제2 반사컵(224), 및 연결 패드(226)와 전기적으로 쇼트(short)되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.
위에서 바라본 몸체(210) 상부면(206)의 형상은 발광 소자 패키지(200)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
몸체(210)는 상면(203) 및 반사벽(202)을 포함한다. 반사벽(202)은 몸체(210)의 상면(203)에 위치하며, 몸체(210)의 상면(203)에서 상방향으로 확장하여 형성될 수 있다.
몸체(210)는 상부가 개방되고, 측면(202)과 바닥(bottom, 103)을 포함하는 캐비티(cavity)(205, 이하 "몸체 캐비티"라 한다)를 갖는다.
캐비티(205)의 바닥(203)은 상부가 개방되고 측면과 바닥으로 이루어지는 제1 캐비티(262)를 가질 수 있으며, 제1 반사컵(222)은 제1 캐비티(262) 내에 배치될 수 있다.
제2 반사컵(224)은 제1 캐비티(262)와 이격하여 캐비티(205)의 바닥 면으로부터 함몰되는 상부가 개방된 구조일 수 있다. 예컨대, 캐비티(205)의 바닥(203)은 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어지는 제2 캐비티(264)를 가질 수 있으며, 제2 반사컵(224)은 제2 캐비티(264) 내에 배치될 수 있다. 이때 제2 캐비티(264)는 제1 캐비티(262)와 이격할 수 있다.
노출되는 제1 반사컵(222)의 일단(242), 및 제2 반사컵(224)의 일단(244)의 형상은 직사각형, 정사각형, 또는 U자 형태 등과 같이 다양하게 형성될 수 있다.
제1 반사컵(222)과 제2 반사컵(224) 사이에는 캐비티(205)의 바닥(203)의 일부분이 위치하며, 바닥(203)의 일부분에 의하여 제1 반사컵(222)과 제2 반사컵(224)은 이격되고 격리될 수 있다.
위에서 바라본 제1 캐비티(262) 및 제2 캐비티(264)의 형상은 컵(cup) 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 각각의 측면은 각각의 바닥에 대하여 수직이거나 경사질 수 있다.
연결 패드(226)는 제1 반사컵(222)과 제2 반사컵(224)으로부터 이격하여 몸체(210) 상면 내에 배치된다. 제2 연결 패드(228)는 제1 반사컵(222), 제2 반사컵(224), 및 연결 패드(226)와 이격하여 몸체(210) 상면 내에 배치될 수 있다.
제1 발광 소자(232)는 제1 캐비티(262)에 배치되고, 제2 발광 소자(234)은 제2 캐비티(264)에 배치될 수 있다.
와이어들(252 내지 258)은 제1 발광 소자(232), 제2 발광 소자(234), 및 연결 패드(226)를 전기적으로 연결한다. 와이어들(259-1,259-2)은 제1 반사컵(222) 및 제2 반사컵(224) 각각과 제너 다이오드(250)를 전기적으로 연결한다.
제1 와이어(252)는 제1 발광 소자(222)과 제1 반사컵(232)을 연결하고, 제2 와이어(254)는 제1 발광 소자(222)과 연결 패드(226)를 연결하며, 제3 와이어(256)는 연결 패드(226)와 제2 발광 소자(224)을 연결하며, 제4 와이어(258)는 제2 발광 소자(224)과 제2 반사컵(234)을 연결할 수 있다.
연결 패드(226)는 제1 반사컵(222) 및 제2 반사컵(224)과 이격하고, 전기적으로 분리되기 때문에 제1 발광 소자(222) 및 제2 발광 소자(224)와는 전기적으로 독립적이다.
도 5는 도 4에 서술된 발광소자 패키지를 실장하는 회로기판의 평면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 실시 예의 회로기판(300)은 발광소자 패키지의 전기적 연결을 위한 전극배선들(C1~C8, a1)을 포함하고, 상기 발광소자 패키지는 개략적으로 제1 발광소자(222), 연결 패드(226) 및 제2 발광소자(224)를 포함한다.
제1 발광소자(222)와 제2 발광소자(224)는 회로기판(300)의 동일 평면상에 서로 이격하여 배치되고, 연결 패드(226)는 제1 발광소자(222)와 제2 발광소자(224) 사이와 연장되는 수직선상에 배치된다.
전극배선들은 제1 배선과(a1)과 N개의 제2 배선(C1~C8)으로 구성될 수 있다. 제1 배선(a1)과 제2 배선(C1~C8)은 발광소자 패키지(222, 224, 226)가 배치된 하부에 소정 배열로 배치될 수 있다.
제1 배선(a1)은 애노드 전극 배선이고, 제2 배선(C1~C8)은 캐소드 전극 배선일 수 있다.
실시 예는 발광소자 패키지(222, 224, 226)에 가장 인접한 제2 배선(C1)을 제1 및 제2 발광소자(222, 224)와 연결패드(226) 사이에 배치한다.
제2 배선(C1)을 제1 및 제2 발광소자(222, 224) 사이의 연결패드(226)와 이격되게 배선하는 레이아웃은 제2 배선(C1)을 종래와 같이 연결패드(226)의 하부에 이하 제2 배선(C2)과 동일하게 일직선상으로 배선하는 레이아웃보다 연결패드(226)와 제2 배선(C1) 간의 단락을 방지하기 더 용이하다.
또한, 최상위의 제2 배선(C1)을 제1 및 제2 발광소자(222, 224)와 연결패드(226) 사이에 배치함으로써, 제2 배선들(C1~C8)이 차지하는 간격을 줄이는 효과가 있어, 회로 기판(300) 내의 마진(margin)을 높일 수 있는 효과가 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 조명장치와 백라이트 유닛을 설명한다.
도 5는 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(600)과 상기 광원(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 광원(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 광원(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.
상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 패키지 바디부(420)를 포함한다. 패키지 바디부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.
상기 하우징(400)의 패키지 바디부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.
상기 광원(600)은 회로 기판(610) 상에 복수 개의 상술한 발광소자 패키지(650)가 구비된다. 여기서, 상기 회로 기판(610)은 상기 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(500)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
상기 광원의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(100)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(100)의 발광소자 패키지(150)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
도 6은 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(800)는 광원 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 도 13에서 설명한 바와 같다.
상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(840)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.
상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 회로기판, 31, 32, 33 : 발광소자 패키지 어레이
30 : 제1 전극배선, L1, L2, L3 : 제1 구간, 제2 구간, 제3 구간
40 : 커넥터, a1 : 애노드 전극 배선
20, 21, 22 : 캐소드 전극 배선

Claims (12)

  1. 복수의 발광소자 패키지 어레이가 배치된 회로기판;
    상기 복수의 발광소자 패키지 어레이의 일측의 상기 회로기판에 배치된 커넥터; 및
    상기 커넥터와 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이 각각을 전기적으로 연결하는 제1 배선 및 제2 배선을 포함하고,
    상기 제1 배선은 상기 커넥터로부터 상기 복수의 발광소자 패키지 어레이 각각에 연결된 거리에 따라, 상기 제1 배선의 폭이 서로 다른 발광소자 패키지 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자 패키지 어레이는 상기 커넥터로부터의 거리에 따라 가장 가까운 제1 발광소자 패키지 어레이 및 가장 먼 제2 발광소자 패키지 어레이로 구분되고,
    상기 제1 발광소자 패키지 어레이에 연결된 상기 제1 배선은 제1 구간 및 상기 제2 발광소자 패키지 어레이에 연결된 상기 제1 배선은 제2 구간으로 구분되며,
    상기 제1 구간의 상기 제1 배선은 제1 폭으로 형성되고, 상기 제2 구간의 상기 제1 배선은 제2 폭으로 형성되는 발광소자 패키지 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 구간 저항과 상기 제2 구간의 저항이 동일하도록 상기 제1 폭 및 제2 폭이 형성되는 발광소자 패키지 모듈.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 폭 및 제2 폭은 상기 제1 배선이 상기 커넥터로부터 연결된 거리에 비례하여 형성되는 발광소자 패키지 모듈.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 폭은 상대적으로 제1 폭보다 넓은 발광소자 패키지 모듈.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 배선의 폭은 상기 제1 배선의 단면적의 넓이와 비례하는 발광소자 패키지 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 배선은 애노드 전극의 배선이고, 상기 제2 배선은 캐소드 전극의 배선인 발광소자 패키지 모듈.
  8. 제1 배선과 제2 배선이 배치된 회로기판;
    상기 회로기판 상에 배치되고, 제1 배선 및 제2 배선과 각각 연결된 발광소자 패키지; 및
    상기 발광소자 패키지는 적어도 2개의 발광소자와, 상기 2개의 발광소자를 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하고,
    상기 제2 배선은 상기 2개의 발광소자와 상기 연결부 사이에 배치된 발광소자 패키지 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 배선은 캐소드 전극 배선이고, 제1 배선은 애노드 전극 배선인 발광소자 패키지 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극 배선은 복수개의 전극 배선이고, 상기 제2 전극 배선은 상기 복수개의 전극 배선 중 상기 발광소자 패키지에 가장 인접한 전극배선인 발광소자 패키지 모듈.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 발광소자들은 동일 평면상에 서로 이격하여 배치되고, 상기 연결부는 상기 발광소자들 사이와 연장되는 수직선상에 상기 발광소자들과 이격하여 배치되는 발광소자 패키지 모듈.
  12. 제1항, 제2항, 제6항 내지 제9항 및 제11항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지 모듈을 포함하는 조명시스템.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020009276A1 (ko) * 2018-07-05 2020-01-09 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 램프
WO2022108307A1 (ko) * 2020-11-20 2022-05-27 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011129646A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Panasonic Corp Ｌｅｄモジュール用配線基板、ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュール用配線基板の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020009276A1 (ko) * 2018-07-05 2020-01-09 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 램프
KR20200005097A (ko) * 2018-07-05 2020-01-15 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 램프
CN112335044A (zh) * 2018-07-05 2021-02-05 Lg电子株式会社 采用半导体发光元件的灯
CN112335044B (zh) * 2018-07-05 2023-10-27 Lg电子株式会社 采用半导体发光元件的灯
US11953168B2 (en) 2018-07-05 2024-04-09 Lg Electronics Inc. Lamp employing semiconductor light-emitting element
WO2022108307A1 (ko) * 2020-11-20 2022-05-27 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 디스플레이 장치 및 그 제조방법

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