CN112312254A - 半导体装置封装以及具有半导体装置封装的声学装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体装置封装包括第一衬底、第一电子组件、包封物和馈送结构。所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于所述第一衬底的所述第一表面上。所述包封物将所述第一电子组件包封在所述第一衬底的所述第一表面上。所述馈送结构安置于所述第一衬底的所述第二表面上而不覆盖。

Description

半导体装置封装以及具有半导体装置封装的声学装置
技术领域
本公开大体上涉及一种半导体装置封装,且更确切地说,本公开涉及具有所述半导 体装置封装的声学装置。
背景技术
随着技术进步,各种电路或模块可集成到一个电子装置中,例如声学装置(例如耳机 或无线耳机)以执行多功能。然而,电子装置的小型化可不利地影响电子装置的性能。
发明内容
在一些实施例中,本发明公开一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含第一 衬底、第一电子组件、包封物和馈送结构。所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于衬底的第一表面上。所述包封物将所述第一 电子组件包封在所述第一衬底的第一表面上。所述馈送结构安置于所述第一衬底的第二 表面上而不覆盖。
在一些实施例中,本发明进一步公开一种无线耳机。所述无线耳机包含半导体装置 封装。所述半导体装置封装包含第一衬底、第一电子组件、包封物和馈送结构。所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电子组件安置于衬底的第一表面上。所述包封物将所述第一电子组件包封在所述第一衬底的第一表面上。所述 馈送结构安置于所述第一衬底的第二表面上而不覆盖。
在一些实施例中,本发明公开一种半导体装置封装制造方法。所述方法包含提供具 有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面的衬底。所述方法还包含将第一半导体 装置安置在所述衬底的第一表面上。所述方法进一步包含将所述第一半导体装置包封在 所述衬底的第一表面上。所述方法还包含将馈送结构安置在所述衬底的第二表面上。所述方法进一步包含使所述馈送结构暴露。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下具体实施方式易于理解本公开的一些实施例的各方面。 应注意,各种结构可能未按比例绘制,且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意 增大或减小。
图1说明根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的布局。
图2A说明图1所示的半导体装置封装的线A-A'的横截面图。
图2B说明图1所示的半导体装置封装的线A-A'的横截面图。
图2C说明图1所示的半导体装置封装的线A-A'的横截面图。
图2D-2F说明根据本公开的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
图3说明根据本公开的一些实施例的图1所示的半导体装置封装的应用。
图4A说明根据本公开的一些实施例的声学装置的分解视图。
图4B说明如图4A所示的声学装置的组合件的透视图。
图5A说明根据本公开的一些实施例的声学装置的电子组件的分解视图。
图5B说明根据本公开的一些实施例的声学装置的电子组件的组合件。
图5C说明根据本公开的一些实施例的声学装置的电子组件的组合件的侧视图。
图5D说明根据本公开的一些实施例的声学装置的分解视图。
图5E说明如图5D所示的声学装置的组合件的侧视图。
图6A说明插入人耳中的根据本公开的一些实施例的声学装置。
图6B说明插入人耳中的根据本发明的一些其它实施例的声学装置。
图6C说明图6B中所示的掉出人耳之外的声学装置。
具体实施方式
图1说明半导体装置封装1的布局。半导体装置封装1可具有衬底20、麦克风10、 控制器11、传感器12、连接件13、馈送结构14、接地垫15和电子组件16。
麦克风10、控制器11、传感器12、连接件13、馈送结构14、接地垫15和电子组 件16可形成于半导体装置封装1的同一侧上。
麦克风10在衬底20上暴露。控制器11在衬底20上暴露。传感器12在衬底20上 暴露。连接件13在衬底20上暴露。馈送结构14在衬底20上暴露。接地垫15在衬底 20上暴露。电子组件16在衬底20上暴露。导电垫17安置于衬底20上。导电垫18安 置于衬底20上。导电垫17在衬底20上暴露。导电垫18在衬底20上暴露。导电垫17 可经配置或用以连接电池和半导体装置封装1。导电垫18可经配置或用以连接扬声器和 半导体装置封装1。半导体装置封装1可包含印制线路板组合件。半导体装置或半导体 装置封装可安装在半导体装置封装1上。半导体装置封装1可称为模块上系统(SOM)。
线A-A'可经过半导体装置封装1的中心。线A-A'可经过衬底20的表面(例如顶部表面,在图1中未表示)的中心。线A-A'可经过衬底20的麦克风10。线A-A'可经过衬底 20的馈送结构14。
线B-B'可经过半导体装置封装1的中心。线B-B'可经过衬底20的表面的中心。线B-B'可经过衬底20的麦克风10。如图1所示,麦克风10可安置成与衬底20的表面的 线A-A'相邻。麦克风10可安置成与衬底20的表面的线B-B'相邻。馈送结构14可安置 成与衬底20的表面的线A-A'相邻。
半导体装置封装1的组件的布局的益处之一可包含将麦克风10布置成邻近于衬底20的顶部表面(在图1中未表示)的中心或在所述中心上,其可配合在不同壳体(例如用于右耳的外壳和用于左耳的另一外壳)中或在不同壳体中使用或组装。
半导体装置封装1的组件的布局的益处之一可包含将馈送结构14布置成邻近于衬底20的顶部表面(在图1中未表示)的中心或在所述中心上,其可配合在不同壳体(例如 用于右耳的外壳和用于左耳的另一外壳)中或在不同壳体中使用或组装。
图2A说明跨如图1中所示的线A-A'的横截面图。半导体设备封装1a可包含衬底20、电子组件21、另一电子组件22、包封物23和馈送结构14。
衬底20具有表面20b和与表面20b相对的表面20u。
半导体装置21可安置于衬底20的表面20b上。电子组件22可安置于衬底20的表 面20b上。包封物23可将电子组件21包封在衬底20的表面20b上。包封物23可将电 子组件22包封在衬底20的表面20b上。
馈送结构14可安置于衬底20的表面20u上,且不含包封物或模制材料。馈送结构14在衬底20的表面20u上暴露。衬底20的表面20u不含包封物或模制材料。电子组件 25安置于衬底20的两个表面20b和20u上。麦克风10安置于表面20u上。麦克风10 可包含半导体装置封装。麦克风10可包含微机电系统(MEMS)装置。麦克风10可包含 微机电系统(MEMS)装置封装。麦克风10是暴露的。传感器12安置于衬底20的表面20u 上。连接件13安置于衬底20的表面20u上。表面20b包含用于电池连接的导电垫。表 面20b包含用于扬声器驱动器连接的导电垫。馈送结构14具有高于电子麦克风10的表 面14u。表面14u高于传感器12。表面14u高于连接件13。馈送结构14是安置于衬底 20的表面20u上的元件之中最高的。
电子组件21和22可包含应用处理器、存储器、数字信号处理器、译码器/解码器、电力管理集成电路、DC转换器、低跌落输出或滤波器的一或多者。包封物23可包含不 同种类的模制材料。馈送结构14包含弹簧或导电引脚。馈送结构14包含POGP引脚。 馈送结构14还包含抗氧化层。馈送结构14经配置以且可用以将射频(RF)信号馈送到天 线。电子组件25可包含电阻器、电感器或电容器中的一或多者。传感器12可包含G传 感器或其它传感器。连接件13包含零插入力连接件或板到板连接件,用于外围功能柔 性印刷电路(FPC)连接。
图2B说明图1所示的半导体装置封装的线A-A'的另一横截面图。电子组件21'安置在衬底20'的表面20'b上。电子组件22'安置在衬底20'的表面20'b上。表面20'u与衬底 20'的表面20'b相对。电子组件25安置于衬底20'的两个表面20'b和20'u上。包封物23 环绕安置于衬底20'的表面20'b上的元件。衬底20具有表面20b和与表面20b相对的表 面20u。馈送结构14安置于衬底20的表面20u上。馈送结构14是暴露的。衬底20的 表面20u不含包封物或模制材料。电子组件25安置于衬底20的两个表面20b和20u上。 麦克风10安置于表面20u上。麦克风10也是暴露的。传感器12安置于衬底20的表面 20u上。连接件13安置于衬底20的表面20u上。包封物23环绕安置于衬底20的表面 20b与衬底20'的表面20'u之间的元件。
图2C说明图1所示的半导体装置封装的线A-A'的另一横截面图。电子组件21”安置在衬底20”的表面20”b上。电子组件22”安置在衬底20”的表面20”b上。表面20”u与 衬底20”的表面20”b相对。电子组件25安置于衬底20”的两个表面20”b和20”u上。包 封物23环绕安置于衬底20”的表面20”b上的元件。电子组件21'安置在衬底20'的表面 20'b上。电子组件22'安置在衬底20'的表面20'b上。表面20'u与衬底20'的表面20'b相 对。电子组件25安置于衬底20'的两个表面20'b和20'u上。包封物23环绕安置于衬底 20'的表面20'b上的元件。衬底20具有表面20b和与表面20b相对的表面20u。馈送结 构14安置于衬底20的表面20u上。馈送结构14是暴露的。衬底20的表面20u不含包 封物或模制材料。电子组件25安置于衬底20的两个表面20b和20u上。麦克风10安 置于表面20u上。麦克风10也是暴露的。传感器12安置于衬底20的表面20u上。连 接件13安置于衬底20的表面20u上。包封物23环绕安置于衬底20的表面20b与衬底 20'的表面20'u之间的元件。包封物23还环绕安置于衬底20'的表面20'b与衬底20”的表 面20”u之间的元件。
图2D、2E和2F说明用于制造图2A中所示的半导体装置封装1a的方法。
如图2D所示,提供具有表面20b和与表面20b相对的表面20u的衬底20。
如图2E所示,电子组件21安置于衬底20的表面20b上。另一电子组件22也安置 于衬底20的表面20b上。电子组件25安置于衬底20的两个表面20b和20u上。
如图2F所示,电子组件21通过包封物23包封在衬底20的表面20b上。另一电子 组件22通过包封物23包封在衬底20的表面20b上。电子组件25通过包封物23包封 在衬底20的表面20b上。馈送结构14安置于衬底20的表面20u上。馈送结构14是暴 露的。麦克风10安置于衬底20的表面20u上。麦克风10是暴露的。衬底20的表面20u 也是暴露的。电子组件25安置于衬底20的表面20u上。传感器12安置于衬底20的表 面20u上。连接件13安置于衬底20的表面20u上,以形成如图2A所示的半导体装置 封装。
图3说明耳机的半导体装置封装的应用。声学装置(例如耳机)30R插入到人耳31R中。声学装置30L插入到人耳31L中。右声学装置30R包含半导体装置封装32R。左声 学装置30L包含半导体装置封装32L。半导体装置封装32R的布局与半导体装置封装32L 的布局相同或等同,不同之处在于在组装之后,半导体装置封装32R相对于半导体装置 封装32L旋转大体上180度。因此,对于两个声学装置30R和30L来说,仅需要半导体 装置封装的一个布局,这可降低成本。声学装置30R和30L可包含图1A、1B和1C中 所示的半导体装置封装1a、1b或1c。
图4A说明根据本公开的一些实施例的声学装置4的分解视图。声学装置4包含扬声器40、电池41、半导体装置封装42、互连结构43和外壳44。扬声器具有表面40a 和与表面40a相对的表面40b。电池41具有表面41a、与表面41a相对的表面41b,以 及在表面41a与表面41b之间延伸的表面41c。扬声器40安置成与电池41的表面41a 相邻。扬声器40的表面40a面向电池41的表面41a。半导体装置封装42的结构分别在 图2A-2C中的半导体装置封装1a、1b或1c的横截面图中示出。扬声器40通过线路45 连接到半导体装置封装42。线路45不穿透电池41。扬声器40通过空间S1与电池41 分离。空间S1中不存在扰流。空间S1可影响声学装置4的声学性能。外壳44包封扬 声器40、电池41、半导体装置封装42和互连结构43。互连结构43连接电池41和半导 体装置封装42。互连结构43包含柔性印刷电路(FPC)或其它互连结构。
图4B说明如图4A所示的声学装置4的组合件的透视图。半导体装置封装42安置 成与电池41的表面41c相邻。半导体装置封装42通过互连结构43电连接到电池41的 表面41c。扬声器40通过空间S1与电池41的表面41a分离。空间S1不含电子组件。 空间S1可具有用于分隔扬声器和电池41的板。空间S1中可具有导电线。空间S1中可 仅具有导电线。空间S1可不具有有源组件。空间S1可不具有无源组件。
半导体装置封装42安置于外壳44与电池41的表面41c之间。扬声器40具有面向 电池41的表面41a的表面40a。半导体装置封装42安置于外壳44、电池41的表面41c 和扬声器40的表面40a之间。半导体装置封装42被外壳44、电池41的表面41c和扬 声器40的表面40a环绕。半导体装置封装42安置于由外壳44、电池41的表面41c和 扬声器40界定的空间中。外壳44包封扬声器40、电池41和半导体装置封装42。外壳 44具有端部44a和与端部44a相对的端部44b。天线图案46形成于外壳44上以充当天 线。馈送结构14可与声学装置4的外壳44的天线图案46接触。
再次参考图4B,假定扬声器40可具有大约6mm的宽度或直径,那么端部44a(其 可配合或插入到耳中)与端部44b之间沿z轴的最大距离Z1可等于或小于23mm。举例 来说,假定扬声器40可具有大约6mm的宽度或直径,那么端部44a(其可配合或插入到 耳中)与端部44b之间沿z轴的距离Z1可等于或小于20mm。因此,半导体装置封装42 可促进声学装置4的小型化。半导体装置封装42的布置可促进声学装置4的小型化。
举例来说,假定扬声器40可具有大约10mm的宽度或直径,那么端部44a(其可配 合或插入到耳中)与端部44b之间沿z轴的距离Z1可等于大约23mm。
图5A说明声学装置的电子组件的分解视图。声学装置的电路板51、52和53通过 互连结构54连接。电子组件形成于电路板51、52和53上。互连结构54可包含FPC或 其它互连结构。电池55可提供于声学装置中。
声学装置,其包含电路板51、52和53,可配合或插入到左耳中。然而,将配合或 插入到右耳中的另一声学装置可包含各自具有不同于电路板51、52和53的布局的电路 板,这必然会增加成本。
图5B说明根据本公开的一些实施例的声学装置的电子组件的组合件。电路板51、52和53是堆叠的。所述堆叠的厚度为T1。电路板51和52以及互连结构54环绕电池 55。电路板52和53以及互连结构54环绕机械组件56。
图5C说明声学装置的电子组件的组合件的侧视图。图5C示出电路板51可在电池55上方。电路板52可在电池55之下。电路板51和52以及互连结构54环绕电池55。 电路板53与电池55分离。如图5C所示,机械组件56可省略。
图5D说明包含图5C中所示的堆叠的声学装置5的分解视图。声学装置5可包含扬声器50、电路板51、52和53、互连结构54、电池55和外壳57。电路板53安置于扬 声器50与电池55之间,这导致对扬声器50的电磁干扰,且因此使声学装置5的声学 性能降级。外壳57封围扬声器50、电路板51、52和53、互连结构54和电池55。天线 图案58形成于外壳57上。电路板53上的馈送点(图5D中未表示)与天线图案58接触。
图5E说明图5D中所示的声学装置5的组合件的侧视图。在一些实施例中,假定声学装置5内部的扬声器的直径为6mm,那么端部57a(其可配合或插入到耳中)与端部57b 之间的最大距离Z2等于或大于23mm。因为图5B中所示的厚度T1大于半导体装置封 装42的端部42a与电池41的端部41a之间沿图4B中的z轴的距离,所以声学装置5 的最大距离Z2大于声学装置4的最大距离Z1。
参看图6A,图4B中所示的声学装置4插入到人耳中。重心CM1可邻近或靠近端 部44b。归因于声学装置4的小型化,当将声学装置4插入到耳中时,声学装置4可与 耳的点p接触。因此,声学装置4可具有相对良好的对耳的支撑。因此,即使在戴着声 学装置4的人移动或出汗时,声学装置4也将不容易掉出。
参看图6B,图5E中所示的声学装置5插入到人耳中。重心CM2可邻近或靠近端 部57b。
可具有相对较大尺寸的声学装置5可具有浮动的主要部分(插塞除外)。声学装置5可与人耳的点P隔开。距离D1在声学装置5的顶部表面与人耳之间。
图6C说明当戴着声学装置5的人出汗、移动或改变位置时,声学装置5开始从耳 朵掉落。声学装置5的掉下可归因于如图6B所示的不稳定状态,其中重心CM2可致使 缺乏耳朵支撑的声学装置5相对容易从耳朵掉出。
预期从声学装置5的顶部表面与人耳的距离D2归因于声学装置5的掉落而增加。距离D2大于距离D1。
除非另外指定,否则例如“上方”、“下方”、“上”、“左”、“右”、“下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧面”、“高于”、“低于”、“上部”、“在……上”、“在……下” 等等的空间描述是相对于图中所示的取向来指示的。应理解,本文中所使用的空间描述 仅出于说明的目的,且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何取向或方式在空间 上布置,其限制条件为本公开的实施例的优点是不会因这类布置而有偏差。
如本文中所使用,术语“大致”、“大体上”、“大体”和“约”用以描述和考虑小的 变化。当与事件或情形结合使用时,所述术语可以指其中事件或情形明确发生的情况以 及其中事件或情形极接近于发生的情况。举例来说,当结合数值使用时,术语可指代小 于或等于所述数值的±10%的变化范围,例如小于或等于±5%、小于或等于±4%、小于或 等于±3%、小于或等于±2%、小于或等于±1%、小于或等于±0.5%、小于或等于±0.1%、 或小于或等于±0.05%。举例来说,如果第一数值在第二数值的小于或等于±10%的变化 范围内,例如小于或等于±5%,小于或等于±4%,小于或等于±3%,小于或等于±2%, 小于或等于±1%,小于或等于±0.5%,小于或等于±0.1%,或小于或等于±0.05%,那么第一数值可被认为“大体上”或“约”相同于或等于第二数值。举例来说,“基本上”垂 直可指相对于90°的小于或等于±10°(例如小于或等于±5°、小于或等于±4°、小于或等于 ±3°、小于或等于±2°、小于或等于±1°、小于或等于±0.5°、小于或等于±0.1°、或小于或 等于±0.05°)的角度变化范围。
如果两个表面之间的位移不大于5μm、不大于2μm、不大于1μm或不大于0.5μm, 那么可认为这两个表面共面或大体上共面。如果表面的最高点与最低点之间的移位不大 于5μm,不大于2μm,不大于1μm,或不大于0.5μm,那么可认为所述表面大体上平 坦。
如本文中所使用,除非上下文另外明确规定,否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含多个指示物。
如本文所使用,术语“导电(conductive)”、“导电(electrically conductive)”和“电导 率”指代传递电流的能力。导电材料通常指示对电流流动呈现极少或零对抗的那些材料。 电导率的一个量度是西门子每米(S/m)。通常,导电材料是电导率大于约104S/m(例如 至少105S/m或至少106S/m)的一种材料。材料的电导率有时可随温度变化。除非另外 规定,否则在室温下测量材料的导电性。
另外,有时在本文中按范围格式呈现量、比率和其它数值。将理解,此类范围格式是为了便利和简洁起见而使用,且应灵活地理解,不仅包含明确地指定为范围限制的数值,而且包含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围,如同明确地指定每一数值和 子范围一般。
虽然已参考本公开的特定实施例描述并说明了本公开,但这些描述和说明并非限制 性的。所属领域的技术人员应理解,可在不脱离如由所附权利要求书界定的本公开的真实精神和范围的情况下,作出各种改变且取代等效物。图解可能未必按比例绘制。归因 于制造工艺和公差,本公开中的艺术再现与实际设备之间可存在区别。可存在并未特定 说明的本公开的其它实施例。应将说明书和图式视为说明性的,而非限制性的。可做出 修改,以使特定情形、材料、物质组成、方法或过程适应于本公开的目标、精神以及范 围。所有此类修改既定在所附权利要求书的范围内。虽然本文中所公开的方法已参考按 特定次序执行的特定操作加以描述,但应理解,可在不脱离本公开的教示的情况下组合、 细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此,除非本文中特别指示,否则操作的次 序和分组并非本发明的限制。
如本文中所使用,空间上相对的术语,例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左”、“右”等,在本文中是为了方便描述而使用,来描述一个元件或特 征与另一元件或特征的关系,如图中所说明。除图中所描绘的定向之外,空间上相对的 术语意在涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或 处于其它定向),且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解,当 元件被称为“连接到”或“耦合到”另一元件时,其可直接连接或耦合到所述另一元件, 或可存在介入元件。
如本文中所使用,术语“大致”、“实质上”、“实质”以及“约”用以描述和考虑小 的变化。当与事件或情况结合使用时,所述术语可指事件或情况精确发生的情形以及事 件或情况极接近于发生的情形。如本文中相对于给定值或范围所使用,术语“约”通常 表示在给定值或范围的±10%、±5%、±1%或±0.5%内。范围可在本文中表达为从一个端 点到另一端点或在两个端点之间。除非另外指定,否则本文中所公开的所有范围包括端 点。术语“大体上共面”可指两个表面在数微米内处于沿同一平面,例如在10μm内、 在5μm内、在1μm内或在0.5μm内处于沿同一平面。当参考“基本上”相同的数值 或特征时,术语可指处于所述值的平均值的±10%、±5%、±1%或±0.5%内的值。
前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地 用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或实现本文所引 入的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围,并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和更改。

Claims (21)

1.一种半导体装置封装,其包括:
第一衬底,其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
第一电子组件,其安置于所述衬底的所述第一表面上;
包封物,其将所述第一电子组件包封在所述第一衬底的所述第一表面上;以及
馈送结构,其安置于所述第一衬底的所述第二表面上而不覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括安置于所述第一衬底的所述第二表面上的多个第二电子组件。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第二电子组件包括MEMS装置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述MEMS装置是暴露的。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一衬底的所述第二表面不含包封物或模制材料。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述馈送结构具有高于所述多个第二电子组件的第一表面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述馈送结构包括弹簧或导电引脚。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述馈送结构经配置以将射频RF信号馈送到天线。
9.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述MEMS装置安置成在平面视图中与所述第一衬底的所述第二表面的一侧的中心轴相邻。
10.根据权利要求3所述的半导体装置,其中在平面视图中,所述第一衬底的所述第二表面的一侧的中心轴经过所述MEMS装置。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述馈送结构安置成在平面视图中与所述第一衬底的所述第二表面的一侧的中心轴相邻。
12.根据权利要求1所述的半导体装置,其中在平面视图中,所述第一衬底的所述第二表面的一侧的中心轴经过所述馈送结构。
13.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步包括:
第二衬底,其具有第一表面和第二表面;
多个第三电子组件,其安置于所述第二衬底的所述第一表面上;
多个第四电子组件,其安置于所述第二衬底的所述第二表面上;
所述包封物,其将所述多个第三电子组件包封在所述第二衬底的所述第一表面上,且将所述多个第四电子组件包封在所述第二衬底的所述第二表面上。
14.根据权利要求13所述的半导体装置,其进一步包括:
第三衬底,其具有第一表面和第二表面;
多个第五电子组件,其安置于所述第三衬底的所述第一表面上;
多个第六电子组件,其安置于所述第三衬底的所述第二表面上;
所述包封物将所述多个第五电子组件包封在所述第三衬底的所述第一表面上,且将所述多个第六电子组件包封在所述第三衬底的所述第二表面上。
15.一种无线耳机,其包括:
根据权利要求1所述的半导体装置封装。
16.根据权利要求15所述的无线耳机,其进一步包括:
电池,其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面,以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的第三表面;以及;
扬声器,其安置成与所述电池的所述第一表面相邻,
其中所述衬底包含:
连接件,其经配置以连接柔性印刷电路FPC,所述FPC安置于所述衬底的所述第二表面上;
第一导电垫,其经配置以连接所述电池,所述电池安置于所述衬底的所述第二表面上;以及
第二导电垫,其经配置以连接所述扬声器,所述扬声器安置于所述衬底的所述第二表面上。
17.根据权利要求15所述的无线耳机,其中所述半导体装置封装安置成与所述电池的所述第三表面相邻。
18.根据权利要求16所述的无线耳机,其中所述扬声器通过空间与所述电池分离。
19.根据权利要求16所述的无线耳机,其中所述扬声器通过空间与所述电池的所述第一表面分离。
20.根据权利要求16所述的无线耳机,其中不存在安置于所述扬声器与所述电池之间的电子组件。
21.一种半导体装置封装制造方法,其包括:
提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底;
将第一半导体装置安置在所述衬底的所述第一表面上;
将所述第一半导体装置包封在所述衬底的所述第一表面上;以及
将馈送结构安置在所述衬底的所述第二表面上;以及
使所述馈送结构暴露。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001352212A (ja) 2000-06-08 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ装置およびそれを用いた無線装置
US6798057B2 (en) * 2002-11-05 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Thin stacked ball-grid array package
EP1699277A4 (en) 2003-12-26 2007-08-15 Murata Manufacturing Co CERAMIC MULTILAYER SUBSTRATE
JP4749795B2 (ja) 2005-08-05 2011-08-17 新光電気工業株式会社 半導体装置
US20070080360A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Url Mirsky Microelectronic interconnect substrate and packaging techniques
US9118990B2 (en) 2007-01-06 2015-08-25 Apple Inc. Connectors designed for ease of use
TWI327357B (en) 2007-01-10 2010-07-11 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone package and method thereof
KR20120020983A (ko) 2010-08-31 2012-03-08 삼성전자주식회사 패키지 온 패키지
JP2012074505A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体搭載装置用基板、半導体搭載装置
US9060225B2 (en) * 2013-01-17 2015-06-16 Dexin Corporation Wireless earphone
EP3070711B1 (en) 2013-11-11 2018-03-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Smart entry system
EP2953377B1 (en) * 2014-06-03 2020-05-06 GN Audio A/S Monaural wireless headset
EP4360552A3 (en) * 2014-08-06 2024-07-10 Yukka Magic LLC Optical physiological sensor modules with reduced signal noise
US9491880B2 (en) * 2014-08-12 2016-11-08 Google Technology Holdings LLC Circuit assembly for compact acoustic device
US9532128B2 (en) * 2014-09-05 2016-12-27 Earin Ab Charging of wireless earbuds
DE102015101440B4 (de) * 2015-02-02 2021-05-06 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit unter dem Package angeordnetem Chip und Verfahren zur Montage desselben auf einer Anwendungsplatine
US10872879B2 (en) 2015-11-12 2020-12-22 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US20170195466A1 (en) 2016-01-02 2017-07-06 Erato (Cayman) Holdings Co., Ltd. Radiofrequency communication device
EP3190811B1 (en) * 2016-01-04 2019-02-27 LG Electronics Inc. Portable sound equipment
US10049893B2 (en) 2016-05-11 2018-08-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device with a conductive post
CN107623881A (zh) 2016-07-13 2018-01-23 珠海卓音科技有限公司 一种蓝牙耳机
US9932221B1 (en) * 2017-03-02 2018-04-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with multiple compartments
EP3439321B1 (en) * 2017-08-03 2020-05-27 LG Electronics Inc. Portable sound device
KR102364455B1 (ko) 2017-08-25 2022-02-18 삼성전자주식회사 전자 부품 및 이어폰 잭 어셈블리를 포함하는 전자 장치
CN208754499U (zh) 2018-08-08 2019-04-16 深圳市冠旭电子股份有限公司 一种蓝牙耳机及真无线耳机
US11115745B2 (en) * 2019-01-04 2021-09-07 Bose Corporation Systems and methods for antenna and ground plane mounting schemes for in-ear headphone

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