CN112311251A - 整流模块 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种整流模块，包括底板、基板、芯片组件、压紧组件、固定件和外壳；其中，所述底板为碳化硅铝材料；所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件由下至上呈层状依次设置在所述底板的上方，所述固定件贯穿并伸出所述底板的板面，并与所述压紧组件套接，以使所述压紧组件将所述芯片组件压接在所述基板上；所述外壳罩设在所述底板的上方，与所述底板形成闭合腔体，所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件均封装在所述闭合腔体中；所述外壳上嵌装有外设电极，所述芯片组件与所述外设电极电连接。其具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。

Description

整流模块

技术领域

本公开涉及功率半导体整流器件领域，尤其涉及一种整流模块。

背景技术

整流二极管及可控硅是一种能够将交流电转变为直流电的功率半导体器件，具有明显的单向导向性。高压大功率整流二极管通常用高纯单晶硅制造，这种器件的PN结面积较大，能够通过数千安培的电流，重要用于各种高压电子装置的整流电路中。

整流模块通常采用铜材料作为散热底板，具有体积小、可靠性高、安装使用方便等特点，是中小功率电力电子装置中很受欢迎的整流二极管及可控硅封装形式，应用十分的广泛。但是受现有通用模块的结构设计、封装材料以及制造工艺的限制，高压大功率的电力电子装置通常使用常规的分立器件整流组件，存在体积大、重量大的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种整流模块，其具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。

根据本公开的一方面，提供了一种整流模块，包括底板、基板、芯片组件、压紧组件、固定件和外壳；

其中，所述底板为碳化硅铝材料；

所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件由下至上呈层状依次设置在所述底板的上方，所述固定件贯穿并伸出所述底板的板面，并与所述压紧组件套接，以使所述压紧组件将所述芯片组件压接在所述基板上；

所述外壳罩设在所述底板的上方，与所述底板形成闭合腔体，所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件均封装在所述闭合腔体中；

所述外壳上嵌装有外设电极，所述芯片组件与所述外设电极电连接。

在一种可能的实现方式中，所述固定件为紧固螺栓，所述底板上开设有沉孔，所述紧固螺栓以倒置方式置于所述底板上所开设的沉孔中；

所述紧固螺栓的螺杆贯穿所述沉孔并伸入所述外壳的空腔内部，所述紧固螺栓的螺杆贯穿并伸出所述压紧组件设置；

所述紧固螺栓的螺杆伸出所述压紧组件的一侧螺接有紧固螺母，所述紧固螺母用于通过压紧所述压紧组件紧固所述芯片组件。

在一种可能的实现方式中，所述基板包括叠加设置的氮化硅陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片；

所述氮化硅陶瓷基片设置在所述底板的上方，所述氮化硅陶瓷基片与所述底板相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片位于所述氮化硅陶瓷基片的上方，所述氮化铝陶瓷基片与所述氮化硅陶瓷基片背离所述底板的一侧相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述芯片组件相贴合。

在一种可能的实现方式中，所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片之间涂覆有导热硅脂；

所述芯片组件设有两个以上，各所述芯片组件以独立引出或者内部连接后引出中的任一种方式电连接至所述外部电极；

所述芯片组件包括第一电极、整流管芯片和第二电极，所述第一电极、所述整流管芯片和所述第二电极由下至上依次设置；且

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述第一电极相贴合，所述第二电极朝向所述压紧组件的一侧与所述压紧组件贴合；

所述第一电极与所述整流管芯片的第一管脚电连接，所述第二电极与所述整流管芯片的第二管脚电连接；

所述外设电极包括第三电极和第四电极，所述第三电极与所述第一电极电连接，所述第四电极与所述第二电极电连接。

在一种可能的实现方式中，所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片叠加后的厚度D的范围为：2mm≤D≤4mm。

在一种可能的实现方式中，所述底板的朝向所述基板的一侧设有凸台，所述基板设置在所述凸台上；

所述凸台的横截面积小于所述基板的横截面积。

在一种可能的实现方式中，所述底板朝向所述基板的一侧板面上设有缓冲层。

在一种可能的实现方式中，所述缓冲层包括渗铝层，所述外壳的空腔内部填充有硅凝胶密封材料。

在一种可能的实现方式中，所述压紧组件包括平垫、弹力件和压板；

所述平垫设置在所述芯片组件的上方，所述弹力件设置在所述平垫的顶部，且所述弹力件的一端与所述平垫抵接，所述弹力件的另一端与所述压板抵接，所述压板与所述固定件套接。

在一种可能的实现方式中，还包括绝缘套管，所述绝缘套管设置在所述压紧组件和所述芯片组件之间；

所述绝缘套管与所述固定件套接，所述绝缘套管的一端与所述芯片组件抵接，所述绝缘套管的另一端与压紧组件抵接。

本申请实施例采用了压接型的整流模块，将固定件安装在底板上，将基板、芯片组件和压紧组件由下至上呈层状依次设置在底板的上方，并通过压紧组件将处于中间位置处的芯片组件压紧，并将底板安装在外壳的开口处即完成组装的过程。本申请实施例整流模块的外壳可以采用标准的低压压接整流模块的壳型，且其中，底板作为散热板采用碳化硅铝材料，碳化硅铝材料具有高导热性、与芯片组件相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度特性，是作为功率半导体模块的最佳底板材料。底板采用碳化硅铝材料使得模块底板的厚度比起标准的低压压接整流模块来说减小了30％到50％，重量减少了三分之二左右，同时也达到了同级别高压整流器件的设计标准要求，可以替换现有同电流、电压级别的国产分立器件整流组件和进口焊接工艺的高压整流模块。综上所述，本申请实施例整流模块具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。

根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本公开的其它特征及方面将变得清楚。

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本公开的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本公开的原理。

图1示出本公开实施例的整流模块的模块结构图；

图2示出本公开实施例的整流模块的紧固螺栓倒置工艺示意图；

图3示出本公开实施例的整流模块的模块功率拓扑电路图；

图4示出本公开实施例的整流模块的底板与基板的结构示意图；

图5示出本公开实施例的整流模块的另一种模块结构图。

具体实施方式

以下将参考附图详细说明本公开的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。

其中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明或简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。

另外，为了更好的说明本公开，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本公开同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本公开的主旨。

图1示出根据本公开一实施例的整流的模块结构图。图2示出本公开一实施例的整流模块的紧固螺栓倒置工艺示意图。图3示出本公开一实施例的整流模块的模块功率拓扑电路图。图4示出根据本公开一实施例的整流的底板100与基板200的结构示意图。图5根据本公开一实施例的整流的另一种模块结构图。如图1、图2、图3、图4或图5所示，该整流模块包括：底板100、基板200、芯片组件300、压紧组件400、固定件500和外壳600，其中，底板100采用的是碳化硅铝材质，固定件500贯穿并伸出底板100的板面设置。基板200设置在底板100的上方板面，芯片组件300设置在基板200的背离底板100的一侧板面上，压紧组件400设置在芯片组件300的上方，压紧组件400套接在固定件500伸出芯片组件300的一侧，用于压紧芯片组件300。固定件500贯穿并伸出底板100的板面设置，且固定件500与压紧装置套接，以使固定件500固定稳固基板200、芯片组件300和压紧组件400。外壳600内有空腔且底部设有开口，底板100设置在外壳600的开口处，底板100覆盖外壳600的开口，且此时，基板200、芯片组件300和压紧组件400均位于外壳600的空腔内部。根据外壳600空腔的内部空间的大小，当外壳600的空腔空间充足时(即，外壳600可以为标准的低压压接整流模块壳型)，固定件500以可以依次贯穿底板100、基板200、芯片组件300和压紧组件400，由此，使得本申请实施例整流模块的结构更加的稳固。外壳600上嵌装有外设电极，外设电极与芯片组件300电连接。

本申请实施例采用了压接型的整流模块，将固定件500安装在底板100上，将基板200、芯片组件300和压紧组件400由下至上呈层状依次设置在底板100的上方，并通过压紧组件400将处于中间位置处的芯片组件300压紧，并将底板100安装在外壳600的开口处即完成组装的过程。本申请实施例整流模块的外壳600可以采用标准的低压压接整流模块的壳型，且其中，底板100作为散热板采用碳化硅铝材料，碳化硅铝材料具有高导热性、与芯片组件300相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻，以及高硬度和高抗弯强度特性，是作为功率半导体模块的最佳底板材料。底板100采用碳化硅铝材料使得模块底板100的厚度比起标准的低压压接整流模块底板厚度来说减小了30％到50％，重量减少了三分之二左右，同时也达到了同级别高压整流器件的设计标准要求，可以替换现有同电流、电压级别的国产分立器件整流组件和进口焊接工艺的高压整流模块。综上所述，本申请实施例整流模块具有体积小、重量轻、可靠性高的特点。

此处，应当指出的是，在一个实施例中采用两个整流管芯片组串联的方式来形成一个高压大功率的半桥整流模块；

在另一个实施例中采用两个整流管芯片组电极独立引出的方式来形成一个高压大功率的全波整流模块。

在一种可能的实现方式中，固定件500可以采用紧固螺栓，底板100上开设有沉孔，紧固螺栓以倒置方式置于底板100上开设的沉孔中。紧固螺栓的螺杆贯穿沉孔并伸入外壳600的空腔内部，紧固螺栓的螺栓贯穿并伸出压紧组件400设置。紧固螺栓的螺杆伸出压紧组件400的一侧螺接有紧固螺母1000，紧固螺母1000通过压紧压紧组件400紧固芯片组件300。

上述采用螺栓倒置紧固的方法，即紧固螺栓的螺杆穿过沉孔，通过压紧组件400上部的紧固螺母将夹在中间的基板200、芯片组件300紧固，由此避免了在碳化硅铝的底板100上进行攻丝，减少了生产的工艺流程和减低了生产难度，使碳化硅铝的底板100可以较为经济的应用在压接半导体模块上。沉孔的设置可以使得紧固螺栓的头部沉入沉孔内，以使紧固螺栓的头部隐藏在底板100内部，保证底板100底平面的平整度。同时，由于碳化硅铝的硬度较高，减少了本申请实施例整流模块的厚度。

此处，应当指出的是，在固定件500为紧固螺栓时，基板200、芯片组件300和压紧组件400的安装方式可以为：基板200、芯片组件300和压紧组件400上均开设有与紧固螺栓的螺杆间隙配合/过盈配合/过渡配合的通孔，或者基板200、芯片组件300和压紧组件400上均开设有与紧固螺栓的螺杆相匹配的螺栓孔。

更进一步的，在一种可能的实现方式中，紧固螺栓为与沉孔相匹配的沉头螺栓，以使得紧固螺栓与底板100上的沉孔更加的匹配。

此处，应当指出的是，沉头螺栓设有两个以上，沉孔的数量与沉头螺栓的数量相同。更进一步的，沉头螺栓设有四个，沉孔设有四个。四个沉孔较二个沉孔，可以更均匀的承担紧固螺栓传递的拉力，使底板变形更小。

在一种可能的实现方式中，基板200包括叠加设置的氮化硅陶瓷基片210和氮化铝陶瓷基片220，氮化硅陶瓷基片210和氮化铝陶瓷基片220均处于底板100的上方，且氮化硅陶瓷基片210与底板100相贴合。氮化铝陶瓷基片220设置在氮化硅陶瓷基片210背离底板100的一侧上(即氮化硅陶瓷基片210的顶部)，氮化铝陶瓷基片220与氮化硅陶瓷基片210相贴合。当外壳600内的空腔充足时，氮化硅陶瓷基片210与氮化铝陶瓷基片220可以由下至上依次套接在固定件500上。

基板200采用氮化硅陶瓷基片210叠加氮化铝陶瓷基片220的结构型式，其中，氮化铝陶瓷基片220的热导率高、热膨胀系数与芯片组件300相匹配、强度高、耐高温、耐化学腐蚀、电阻率高、介电损小，是理想的大功率半导体器件模块的绝缘散热基板200和封装材料。但鉴于其在用于低压大电流压接模块时，由于要承受底板100上由于大拉力产生的形变，可能导致氮化铝陶瓷基片220出现隐裂或裂纹，造成模块绝缘失效的现象。氮化硅陶瓷基片210具有高强度、低密度、热膨胀系数与整流芯片320相匹配、热导率较高的特性，比较氮化铝陶瓷基片220具有更高的抗弯折能力。但是在单独使用时都会具有各自的问题，相比较而言，氮化硅陶瓷基片210的热阻较大，氮化铝陶瓷基片220的抗弯折能力较差。本申请实施例整流模块采用氮化硅陶瓷基片210叠加氮化铝陶瓷基片220的复合结构，利用氮化硅材料和氮化铝材料的互补特性，同时提高了本申请实施例整流模块的电压和电流的承载能力。氮化硅陶瓷基片210与碳化硅铝底板100接触，承受底板100形变带来的影响。氮化铝陶瓷基片220与芯片组件300接触，传导芯片组件300工作时产生的热量。叠加的厚度保证了芯片组件300与底板100之间的高绝缘强度。

更进一步的，在一种可能的实现方式中，氮化硅陶瓷基片210和氮化铝陶瓷基片220之间涂覆有导热硅脂。芯片组件300可以设有两个以上，各芯片组件300以采用独立引出或者内部连接后引出中的任一种方式电连接至外部电极。芯片组件300包括第一电极310、整流管芯片320和第二电极330，第一电极310设置在基板200的上方，第一电极310与基板200相贴合，整流管芯片320设置在第一电极310的上方，第二电极330设置在二极管芯片320的上方。第一电极310与整流管芯片320的第一管脚电连接，第二电极330与整流管芯片320的第二管脚电连接。且氮化铝陶瓷基片220背离氮化硅陶瓷基片210的一侧与第一电极310相贴合，第二电极330朝向压紧组件400的一侧与压紧组件400贴合。外设电极包括第三电极800和第四电极900，第三电极800与第一电极310电连接，第四电极900与第二电极330电连接。此处，应当指出的是，当外壳600内的空腔充足时，第一电极310、二极管芯片320和第二电极330可以均与固定件500套接。氮化硅陶瓷基片210和氮化铝陶瓷基片220之间涂覆导热硅脂可以起到应力缓冲及加强热传导的作用。

此处，应当指出的是，整流管芯片320为整流二极管芯片或可控硅芯片。此处，还应当指出的是，整流管芯片320(整流二极管芯片或可控硅芯片)为本领域技术人员的常规技术手段，此处，不做赘述。

在一种可能的实现方式中，氮化硅陶瓷基片210和氮化铝陶瓷基片220叠加后的厚度D的范围为：2mm≤D≤4mm。使模块在具有良好的散热性能的前提下，能够承受更高的绝缘电压和具有更高的可靠性。

在一种可能的实现方式中，氮化硅陶瓷基片210和氮化铝陶瓷基片220的结构相同、大小相等，氮化硅陶瓷基片210较氮化铝陶瓷基片220的厚度薄。

在一种可能的实现方式中，底板100朝向基板200的一侧设有凸台，基板200放置在凸台上，且凸台的横截面积小于基板200的横截面积。此处，应当指出的是，凸台可以为圆片状，基板200可以为圆板状，凸台的直径小于基板200的直径。

本申请实施例整流模块中，底板100放置基板200的位置采用了凸台结构，凸台的直径小于基板200的直径，延长了底板100与第一电极310之间的放电距离。

在一种可能的实现方式中，底板100朝向基板200的一侧板面上设有缓冲层。更进一步的，在一种可能的实现方式中，缓冲层包括渗铝层。此处，应当指出的是，渗铝层设置在凸台顶部(朝向基板200的一侧)。在凸台的顶部实施了局部渗铝工艺，渗铝层作为碳化硅铝底板100与基板200中的氮化硅陶瓷基片210的缓冲层，省去常用的缓冲金属片及带来的热阻，获得尽可能大的接触面积和尽可能小的机械变形，提高散热能力和模块可靠性水平。

在一种可能的实现方式中，压紧组件400包括平垫410、弹力件420和压板430，平垫410邻近芯片组件300设置，弹力件420设置在平垫410的顶部，且弹力件420的一端与平垫410抵接，弹力件420的另一端与压板430抵接，压板430与固定件500套接。当固定件500为紧固螺栓时，紧固螺栓伸出压板430的一侧用于与紧固螺母1000螺接。

弹力件420的设置可以方便为芯片组件300的紧固。平垫410的设置可以将芯片组件300和弹力件420隔离开，使得弹力件420产生的弹力不会直接作用于芯片组件300，给弹力件420与芯片组件300之间形成了缓冲层，减少了弹力件420对芯片组件300的损伤。压板430的设置使得通过旋紧紧固螺母1000，挤压压板430，压板430挤压弹力件420，由此来紧固芯片组件300。当外壳600内的空腔空间不充足时(即，外壳600可以为国际通用的欧式壳型)，固定件500可以仅仅与处于最上方的弹性压板430套接，由此，通过弹性压板430向下的压力来稳固芯片组件300。当外壳600内的空腔充足时，固定件500可以依次贯穿平垫410、弹力件420和压板430，由此，使得结构更加的稳固。

此处，应当指出的是，由于碟簧有负荷大、行程短、所需空间小和组合使用方便的特性，弹力件420可以为碟簧。此处，还应当指出的是，碟簧可以设有一个也可以设有两个以上，其数量可以更具实际情况而合理设置。当碟簧的数量为两个以上时，两个以上的碟簧同轴设置。此处，还应当指出的是，平垫410可以采用金属材料，压板430也可以采用金属材料，作为弹性压板430使用时，可以采用弹簧钢材料，由此，增加其使用寿命。

在一种可能的实现方式中，还包括绝缘套管700，绝缘套管700设置在压紧组件400和芯片组件300。绝缘套管700的一端与芯片组件300抵接，绝缘套管700的另一端与压紧组件400抵接(即，绝缘套管700的另一端与压紧组件400中的平垫410抵接)。且当外壳600内的空腔空间充足时，绝缘套管700可以与固定件500套接。通过设置绝缘套管700可以防止芯片组件300所产生的电量通过金属平垫410、碟簧和金属压板430导出，有效了防止了本申请实施例的漏电现象，减少了安全隐患，增加了本申请实施例整流模块的可靠性。

在一种可能的实现方式中，外壳600的空腔内部填充有硅凝胶密封料。硅凝胶密封料具有优异的耐高低温性能，可在零下65～250℃温度下使用，同时具有优良的耐天候老化、耐臭氧性能及优良的电绝缘性能。进一步的增加了本申请实施例整流模块的可靠性。

综上所述，本申请实施例整流模块的标称电压可以提升至六千五百伏，绝缘电压可以提升至一万一千伏，电流可以达到一千二百安。

当外壳600为国际通用(欧式)壳型时，在国际通用壳型(欧式)的焊接工艺的高压快恢复二极管模块的低矮的空间内，实现了压接工艺的高压整流模块的设计方案，应用在工频整流电路中，可以直接替代进口的焊接工艺的快恢复二极管模块。且与现有进口采用高通态压降的快恢复二极管芯片320制造的模块比较，本申请实施例整流模块具有功率损耗低、散热器体积小，芯片技术成熟、耐冲击电流大、可靠性高，国产芯片价格低廉、采购方便、模块性价比更好等特点，质优价廉。

此处，应当指出的是，当外壳600内的空腔空间不充足时，此时外壳600呈长方体状，外壳600的顶部沿长度方向依次设有呈方波状凸起的第一凸起和第二凸起，第一凸起和第二凸起之间设有第一块体和第二块体。第一凸起和第二凸起以外壳600长度方向上的中心线为轴对称分布，第一块体和第二块体以外壳600长度方向上的中心线为轴对称分布。第一凸起的上贯穿有第三电极800，第二凸起上贯穿有第四电极900。底板100的凸台设置在第一凸起和第二凸起之间，以使的基板200、芯片组件300和压紧组件400均位于第一凸起和第二凸起之间，且凸台、基板200、芯片组件300和压紧组件400以外壳600长度方向上的中心线为轴对称分布。

此处，还应当指出的是，当外壳600内的空腔充足时，外壳600的左侧顶部可以嵌装右第三电极800，外壳600的右侧顶部设置有开口，开口处可以嵌装有第四电极900，底板100的凸台可以与外壳600右侧顶部开口相对设置，由此，使得基板200、芯片组件300和压紧组件400邻近外壳600的右侧侧壁设置。在第三电极800和第四电极900之间的外壳600的顶部可以嵌装有辅助电极。

当整流芯片320为可控硅芯片320时，可以通过加装门极、阴极以及对应的引线、端子可以实现高压可控硅模块的设计。此处，应当指出的是，加装门极、阴极以及对应的引线、端子的方式为本领域技术人员的常规技术手段，此处，不做赘述。

本申请实施例整流模块的设计特点是底板100采用了碳化硅铝的材料，并通过紧固螺栓倒置紧固的方式，成功的将碳化硅铝材料应用到压接工艺模块的底板100上。采用氮化硅陶瓷基片210和氮化铝陶瓷基片220的复合绝缘导热技术，兼顾高绝缘和散热要求，同时有效的降低了压接模块因氮化铝陶瓷基片220出现隐裂、破碎而失效的几率。底板100采用了凸台式的结构，增加放电距离，并在凸台顶部实施了局部渗铝工艺，作为碳化硅铝底板100与氮化硅陶瓷基片210件的缓冲层，提高了散热能力和可靠性水平。上述新技术、新材料、新工艺的集合使用，提供了一种耐压高达六千五百伏、电流达一千二百安的大功率整流模块。在此模块的基础上，将其中的整流二极管芯片320转换呈可控硅芯片，加装门极、阴极及其引线、端子，实现了一种高压可控硅整流模块的设计方案。为高压功率电子装置提供了一种新的器件模块选择。同时本申请实施例整流模块具有体积小、重量轻、成本低、可靠性高的特点。

以上已经描述了本公开的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (10)

1.一种整流模块，其特征在于，包括底板、基板、芯片组件、压紧组件、固定件和外壳；

其中，所述底板为碳化硅铝材料；

所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件由下至上呈层状依次设置在所述底板的上方，所述固定件贯穿并伸出所述底板的板面，并与所述压紧组件套接，以使所述压紧组件将所述芯片组件压接在所述基板上；

所述外壳罩设在所述底板的上方，与所述底板形成闭合腔体，所述基板、所述芯片组件和所述压紧组件均封装在所述闭合腔体中；

所述外壳上嵌装有外设电极，所述芯片组件与所述外设电极电连接。

2.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述固定件为紧固螺栓，所述底板上开设有沉孔，所述紧固螺栓以倒置方式置于所述底板上所开设的沉孔中；

所述紧固螺栓的螺杆贯穿所述沉孔并伸入所述外壳的空腔内部，所述紧固螺栓的螺杆贯穿并伸出所述压紧组件设置；

所述紧固螺栓的螺杆伸出所述压紧组件的一侧螺接有紧固螺母，所述紧固螺母用于通过压紧所述压紧组件紧固所述芯片组件。

3.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述基板包括叠加设置的氮化硅陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片；

所述氮化硅陶瓷基片设置在所述底板的上方，所述氮化硅陶瓷基片与所述底板相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片位于所述氮化硅陶瓷基片的上方，所述氮化铝陶瓷基片与所述氮化硅陶瓷基片背离所述底板的一侧相贴合；

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述芯片组件相贴合。

4.根据权利要求3所述的整流模块，其特征在于，所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片之间涂覆有导热硅脂；

所述芯片组件设有两个以上，各所述芯片组件以独立引出或者内部连接后引出中的任一种方式电连接至所述外部电极；

所述芯片组件包括第一电极、整流管芯片和第二电极，所述第一电极、所述整流管芯片和所述第二电极由下至上依次设置；且

所述氮化铝陶瓷基片背离所述氮化硅陶瓷基片的一侧与所述第一电极相贴合，所述第二电极朝向所述压紧组件的一侧与所述压紧组件贴合；

所述第一电极与所述整流管芯片的第一管脚电连接，所述第二电极与所述整流管芯片的第二管脚电连接；

所述外设电极包括第三电极和第四电极，所述第三电极与所述第一电极电连接，所述第四电极与所述第二电极电连接。

5.根据权利要求3所述的整流模块，其特征在于，所述氮化硅陶瓷基片和所述氮化铝陶瓷基片叠加后的厚度D的范围为：2mm≤D≤4mm。

6.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述底板的朝向所述基板的一侧设有凸台，所述基板设置在所述凸台上；

所述凸台的横截面积小于所述基板的横截面积。

7.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述底板朝向所述基板的一侧板面上设有缓冲层。

8.根据权利要求7所述的整流模块，其特征在于，所述缓冲层包括渗铝层，所述外壳的空腔内部填充有硅凝胶密封材料。

9.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，所述压紧组件包括平垫、弹力件和压板；

所述平垫设置在所述芯片组件的上方，所述弹力件设置在所述平垫的顶部，且所述弹力件的一端与所述平垫抵接，所述弹力件的另一端与所述压板抵接，所述压板与所述固定件套接。

10.根据权利要求1所述的整流模块，其特征在于，还包括绝缘套管，所述绝缘套管设置在所述压紧组件和所述芯片组件之间；

所述绝缘套管与所述固定件套接，所述绝缘套管的一端与所述芯片组件抵接，所述绝缘套管的另一端与压紧组件抵接。

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