CN115279015A - 一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法 - Google Patents

一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115279015A
CN115279015A CN202210916454.8A CN202210916454A CN115279015A CN 115279015 A CN115279015 A CN 115279015A CN 202210916454 A CN202210916454 A CN 202210916454A CN 115279015 A CN115279015 A CN 115279015A
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating shell
shell
lower insulating
power module
grooves
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210916454.8A
Other languages
English (en)
Inventor
斯蒂夫·杨斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Sammailan Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Dongguan Sammailan Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Sammailan Electronic Technology Co ltd filed Critical Dongguan Sammailan Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202210916454.8A priority Critical patent/CN115279015A/zh
Publication of CN115279015A publication Critical patent/CN115279015A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0209—External configuration of printed circuit board adapted for heat dissipation, e.g. lay-out of conductors, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/0004—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus comprising several parts forming a closed casing
    • H05K5/0008—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus comprising several parts forming a closed casing assembled by screws
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/064—Hermetically-sealed casings sealed by potting, e.g. waterproof resin poured in a rigid casing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06—Hermetically-sealed casings
    • H05K5/069—Other details of the casing, e.g. wall structure, passage for a connector, a cable, a shaft

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法，涉及碳化硅功率模块封装技术领域。该半导体碳化硅功率模块高温封装体，包括下绝缘外壳和上绝缘外壳，所述下绝缘外壳上端四角处均开设有第一连接螺纹槽，所述下绝缘外壳上端两侧端部中间均开设有两个第二连接螺纹槽，所述上绝缘外壳上端四角处均开设有通孔，所述上绝缘外壳两端端部中间均开设有凹槽，两个所述凹槽下端均开设有两个定位孔。该封装体结构合理，使用方便，在封装体内部电路板下端连接有导热胶层，提高了内部电路板的散热效果，使封装体使用时间更长，更加耐老化，且该封装体的导电性能更好，使用效果也更好。

Description

一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法
技术领域
本发明涉及碳化硅功率模块封装技术领域，具体为一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法。
背景技术
功率半导体器件广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、工业控制、汽车电子、机车牵引、钢铁冶炼、大功率电源、电力系统等领域，除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用，在发展低碳经济、节能减排、控制气候变暖等方面不可或缺。
模块的封装是功率模块最基本的组成部分,对功率模块的性能，体积和可靠性至关重要。目前功率模块中对功率器件的互连主要有引线键合和压接式。引线键合方式是在功率器件裸芯片的各电极上，以金线或铝线进行各式打线结合，再牵线至模块脚架的内脚处续行打线以完成回路。引线键合技术是目前功率模块封装中主要采用的连接技术，对于大功率器件多采用铝丝键合，工艺简单、成本低。但是引线键合存在键合点面积小、寄生电感大、载流量有限、热应力疲劳、高频电流在引线中形成的机械应力易使其焊点撕裂或脱落等诸多问题。压接式功率模块内部中器件电极通过压力直接连接，具有双面散热、更高的工作结温、高可靠性等特点，在应用环境苛刻和可靠性要求高的应用领域很有竞争优势。但是压接式功率模块结构复杂，成本高，对芯片厚度和压力均匀性要求较高，需要对功率芯片做特殊的设计，压接应力很容易造成芯片损伤甚至撕裂。
为了使碳化硅功率器件能在大电流条件下工作，必须将多个碳化硅芯片并联封装。但是，传统的并联封装技术采用焊接合金把器件的一个端面贴合在衬板上，另外的端面与铝线或金线键合在一起，这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，且不具备足够的机械强度。
发明内容
（一）解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法，能够通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使外力传递到碳化硅功率器件之前得到一个缓冲，从而更好的保护封装体内的碳化硅功率器件，解决了传统的并联封装技术采用焊接合金把器件的一个端面贴合在衬板上，另外的端面与铝线或金线键合在一起，这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性，且不具备足够的机械强度的问题。
（二）技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，包括下绝缘外壳和上绝缘外壳，所述下绝缘外壳上端四角处均开设有第一连接螺纹槽，所述下绝缘外壳上端两侧端部中间均开设有两个第二连接螺纹槽，所述上绝缘外壳上端四角处均开设有通孔，所述上绝缘外壳两端端部中间均开设有凹槽，两个所述凹槽下端均开设有两个定位孔；
所述下绝缘外壳内底部两侧均固定连接有固定座，两个所述固定座上端均固定连接有多个内引脚，多个所述内引脚上端均固定连接有铜头触点，所述下绝缘外壳两侧中部均开设有固定槽，两个所述固定槽内部均固定连接有多个外引脚，多个所述外引脚均贯穿下绝缘外壳外壁伸入其内部并与内引脚相连接；
所述下绝缘外壳内底部四角处均开设有定位安装槽，所述下绝缘外壳内部设置有内部电路板，所述内部电路板四角处均开设有定位安装孔，所述内部电路板上端固定连接有多个电极芯片；
通过上述技术方案，将上绝缘外壳和下绝缘外壳之间进行组装，通过定位密封板进行定位连接，并且进行初步密封，再通过锁紧螺钉将定位孔和第一连接螺纹槽之间进行固定连接，再通过紧固螺栓将通孔和第二连接螺纹槽之间进行固定连接，最后在连接的位置进行凝胶的灌封，实现上绝缘外壳和下绝缘外壳的整体封装，在下绝缘外壳的内底部两侧固定安装固定座，并且在固定座上固定连接多个内引脚，在内引脚的上端连接铜头触点，并且在每个内引脚上均连接外引脚，将每个外引脚均穿过固定槽内部并伸出下绝缘外壳外壁，方便进行封装体的电路连接。
优选的，四个所述定位孔与四个第二连接螺纹槽之间均通过锁紧螺钉固定连接；
通过上述技术方案，通过定位孔和第二连接螺纹槽的设置，方便将上绝缘外壳和下绝缘外壳之间进行定位连接。
优选的，四个所述通孔与四个第一连接螺纹槽之间均通过紧固螺栓固定连接；
通过上述技术方案，通过通孔和第一连接螺纹槽的设置，方便对上绝缘外壳和下绝缘外壳之间的连接进行加固。
优选的，所述上绝缘外壳下端中部固定连接有定位密封板，所述上绝缘外壳通过定位密封板与下绝缘外壳之间卡接配合；
通过上述技术方案，定位密封板方便对上绝缘外壳和下绝缘外壳之间的固定连接进行有效的密封。
优选的，四个所述定位安装孔均通过螺丝与定位安装槽固定连接；
通过上述技术方案，定位安装孔与定位安装槽固定连接，方便将内部电路板固定安装在下绝缘外壳的内部。
优选的，所述内部电路板下端固定连接有导热胶层；
通过上述技术方案，导热胶层的设置提高了内部电路板的散热效果，使封装体使用时间更长，更加耐老化。
优选的，所述上绝缘外壳上端面靠上侧固定设置有铭牌；
通过上述技术方案，铭牌能够对封装体的型号和功率等信息进行展示，方便使用者进行准确的使用。
优选的，一种半导体碳化硅功率模块高温封装体的封装方法，包括以下步骤：
S1.壳体预制
将环氧树脂材料调制好后，放入模具中进行定型，脱模后得到外壳体，外壳体为两部分，分别为下绝缘外壳和上绝缘外壳，所述下绝缘外壳的上端内部预留有用于安装内部电路板的放置槽；
S2.外壳加工处理
在下绝缘外壳的两端开设固定槽，并且在固定槽的内部开设多个通孔，在下绝缘外壳的上端开设第一连接螺纹槽和第二连接螺纹槽,且在上绝缘外壳两端开设凹槽，在凹槽底部开设定位孔，在上绝缘外壳四角处开设通孔；
S3.外壳引脚安装
在下绝缘外壳的内底部两侧固定安装固定座，并且在固定座上固定连接多个内引脚，在内引脚的上端连接铜头触点，并且在每个内引脚上均连接外引脚，将每个外引脚均穿过固定槽内部并伸出下绝缘外壳外壁；
S4.内部电路板安装
将内部电路板通过螺钉固定安装在下绝缘外壳的内底部，并且将内部电路板与每个内引脚的铜头触点均焊接固定连接；
S5.整体封装
将上绝缘外壳和下绝缘外壳之间进行组装，通过定位密封板进行定位连接，并且进行初步密封，再通过锁紧螺钉将定位孔和第一连接螺纹槽之间进行固定连接，再通过紧固螺栓将通孔和第二连接螺纹槽之间进行固定连接，最后在连接的位置进行凝胶的灌封，实现上绝缘外壳和下绝缘外壳的整体封装；
S6.贴铭牌装箱
在上绝缘外壳的上端靠上侧固定粘贴上铭牌，并且进行包装和装箱进行存储。
（三）有益效果
本发明提供了一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法。具备以下有益效果：
1、本发明提供了一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法，该封装体结构合理，使用方便，在封装体内部电路板下端连接有导热胶层，提高了内部电路板的散热效果，使封装体使用时间更长，更加耐老化，下绝缘外壳内部的安装槽设置，使电极芯片卡卧在安装槽内部，对电极芯片的固定更加牢固，还可以防止内部元件震动，提高内部电极芯片的抗冲击、抗震动能力，进而延长内部元件的使用寿命。
2、本发明提供了一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法，通过在内引脚的上端设置铜头触点，铜头触点的导电性能优良，用于连接内电路和外电路，使该封装体的导电性能更好，使用效果也更好。
3、本发明提供了一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法，该封装体的外壳采用环氧树脂预制的壳体，因环氧树脂为热固性材料，所以具有良好的耐高温性能，可以有效支持封装体内部碳化硅功率器件的正常工作，避免封装体容易出现损坏的现象。
附图说明
图1为本发明的装配示意图；
图2为本发明的爆炸图；
图3为本发明的下绝缘外壳内部结构示意图；
图4为本发明的内部电路板结构示意图；
图5为本发明的封装方法流程图。
其中，1、下绝缘外壳；2、上绝缘外壳；3、固定槽；4、外引脚；5、凹槽；6、锁紧螺钉；7、铭牌；8、紧固螺栓；9、定位孔；10、通孔；11、定位密封板；12、内部电路板；13、第一连接螺纹槽；14、第二连接螺纹槽；15、定位安装槽；16、固定座；17、内引脚；18、铜头触点；19、定位安装孔；20、导热胶层；21、电极芯片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例：
如图1-5所示，本发明实施例提供一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，包括下绝缘外壳1和上绝缘外壳2，下绝缘外壳1上端四角处均开设有第一连接螺纹槽13，下绝缘外壳1上端两侧端部中间均开设有两个第二连接螺纹槽14，上绝缘外壳2上端四角处均开设有通孔10，上绝缘外壳2两端端部中间均开设有凹槽5，两个凹槽5下端均开设有两个定位孔9；
下绝缘外壳1内底部两侧均固定连接有固定座16，两个固定座16上端均固定连接有多个内引脚17，多个内引脚17上端均固定连接有铜头触点18，下绝缘外壳1两侧中部均开设有固定槽3，两个固定槽3内部均固定连接有多个外引脚4，多个外引脚4均贯穿下绝缘外壳1外壁伸入其内部并与内引脚17相连接；
下绝缘外壳1内底部四角处均开设有定位安装槽15，下绝缘外壳1内部设置有内部电路板12，内部电路板12四角处均开设有定位安装孔19，内部电路板12上端固定连接有多个电极芯片21；
将上绝缘外壳2和下绝缘外壳1之间进行组装，通过定位密封板11进行定位连接，并且进行初步密封，再通过锁紧螺钉6将定位孔9和第一连接螺纹槽13之间进行固定连接，再通过紧固螺栓8将通孔10和第二连接螺纹槽14之间进行固定连接，最后在连接的位置进行凝胶的灌封，实现上绝缘外壳2和下绝缘外壳1的整体封装，在下绝缘外壳1的内底部两侧固定安装固定座16，并且在固定座16上固定连接多个内引脚17，在内引脚17的上端连接铜头触点18，并且在每个内引脚17上均连接外引脚4，将每个外引脚4均穿过固定槽3内部并伸出下绝缘外壳1外壁，方便进行封装体的电路连接。
四个定位孔9与四个第二连接螺纹槽14之间均通过锁紧螺钉6固定连接，通过定位孔9和第二连接螺纹槽14的设置，方便将上绝缘外壳2和下绝缘外壳1之间进行定位连接，四个通孔10与四个第一连接螺纹槽13之间均通过紧固螺栓8固定连接，通过通孔10和第一连接螺纹槽13的设置，方便对上绝缘外壳2和下绝缘外壳1之间的连接进行加固，上绝缘外壳2下端中部固定连接有定位密封板11，上绝缘外壳2通过定位密封板11与下绝缘外壳1之间卡接配合，定位密封板11方便对上绝缘外壳2和下绝缘外壳1之间的固定连接进行有效的密封，四个定位安装孔19均通过螺丝与定位安装槽15固定连接，定位安装孔19与定位安装槽15固定连接，方便将内部电路板12固定安装在下绝缘外壳1的内部，内部电路板12下端固定连接有导热胶层20，导热胶层20的设置提高了内部电路板12的散热效果，使封装体使用时间更长，更加耐老化，上绝缘外壳2上端面靠上侧固定设置有铭牌7，铭牌7能够对封装体的型号和功率等信息进行展示，方便使用者进行准确的使用。
该半导体碳化硅功率模块高温封装体的封装方法，包括以下步骤：
S1.壳体预制
将环氧树脂材料调制好后，放入模具中进行定型，脱模后得到外壳体，外壳体为两部分，分别为下绝缘外壳1和上绝缘外壳2，下绝缘外壳1的上端内部预留有用于安装内部电路板12的放置槽；
S2.外壳加工处理
在下绝缘外壳1的两端开设固定槽3，并且在固定槽3的内部开设多个通孔，在下绝缘外壳1的上端开设第一连接螺纹槽13和第二连接螺纹槽14,且在上绝缘外壳2两端开设凹槽5，在凹槽5底部开设定位孔9，在上绝缘外壳2四角处均开设通孔10；
S3.外壳引脚安装
在下绝缘外壳1的内底部两侧固定安装固定座16，并且在固定座16上固定连接多个内引脚17，在内引脚17的上端连接铜头触点18，并且在每个内引脚17上均连接外引脚4，将每个外引脚4均穿过固定槽3内部并伸出下绝缘外壳1外壁；
S4.内部电路板安装
将内部电路板12通过螺钉固定安装在下绝缘外壳1的内底部，并且将内部电路板12与每个内引脚17的铜头触点18均焊接固定连接；
S5.整体封装
将上绝缘外壳2和下绝缘外壳1之间进行组装，通过定位密封板11进行定位连接，并且进行初步密封，再通过锁紧螺钉6将定位孔9和第一连接螺纹槽13之间进行固定连接，再通过紧固螺栓8将通孔10和第二连接螺纹槽14之间进行固定连接，最后在连接的位置进行凝胶的灌封，实现上绝缘外壳2和下绝缘外壳1的整体封装；
S6.贴铭牌装箱
在上绝缘外壳2的上端靠上侧固定粘贴上铭牌7，并且进行包装和装箱进行存储。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (8)

1.一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，包括下绝缘外壳（1）和上绝缘外壳（2），其特征在于：所述下绝缘外壳（1）上端四角处均开设有第一连接螺纹槽（13），所述下绝缘外壳（1）上端两侧端部中间均开设有两个第二连接螺纹槽（14），所述上绝缘外壳（2）上端四角处均开设有通孔（10），所述上绝缘外壳（2）两端端部中间均开设有凹槽（5），两个所述凹槽（5）下端均开设有两个定位孔（9）；
所述下绝缘外壳（1）内底部两侧均固定连接有固定座（16），两个所述固定座（16）上端均固定连接有多个内引脚（17），多个所述内引脚（17）上端均固定连接有铜头触点（18），所述下绝缘外壳（1）两侧中部均开设有固定槽（3），两个所述固定槽（3）内部均固定连接有多个外引脚（4），多个所述外引脚（4）均贯穿下绝缘外壳（1）外壁伸入其内部并与内引脚（17）相连接；
所述下绝缘外壳（1）内底部四角处均开设有定位安装槽（15），所述下绝缘外壳（1）内部设置有内部电路板（12），所述内部电路板（12）四角处均开设有定位安装孔（19），所述内部电路板（12）上端固定连接有多个电极芯片（21）。
2.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，其特征在于：四个所述定位孔（9）与四个第二连接螺纹槽（14）之间均通过锁紧螺钉（6）固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，其特征在于：四个所述通孔（10）与四个第一连接螺纹槽（13）之间均通过紧固螺栓（8）固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，其特征在于：所述上绝缘外壳（2）下端中部固定连接有定位密封板（11），所述上绝缘外壳（2）通过定位密封板（11）与下绝缘外壳（1）之间卡接配合。
5.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，其特征在于：四个所述定位安装孔（19）均通过螺丝与定位安装槽（15）固定连接。
6.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，其特征在于：所述内部电路板（12）下端固定连接有导热胶层（20）。
7.根据权利要求1所述的一种半导体碳化硅功率模块高温封装体，其特征在于：所述上绝缘外壳（2）上端面靠上侧固定设置有铭牌（7）。
8.一种半导体碳化硅功率模块高温封装体的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1.壳体预制
将环氧树脂材料调制好后，放入模具中进行定型，脱模后得到外壳体，外壳体为两部分，分别为下绝缘外壳（1）和上绝缘外壳（2），所述下绝缘外壳（1）的上端内部预留有用于安装内部电路板（12）的放置槽；
S2.外壳加工处理
在下绝缘外壳（1）的两端开设固定槽（3），并且在固定槽（3）的内部开设多个通孔，在下绝缘外壳（1）的上端开设第一连接螺纹槽（13）和第二连接螺纹槽（14）,且在上绝缘外壳（2）两端开设凹槽（5），在凹槽（5）底部开设定位孔（9），在上绝缘外壳（2）四角处开设通孔（10）；
S3.外壳引脚安装
在下绝缘外壳（1）的内底部两侧固定安装固定座（16），并且在固定座（16）上固定连接多个内引脚（17），在内引脚（17）的上端连接铜头触点（18），并且在每个内引脚（17）上均连接外引脚（4），将每个外引脚（4）均穿过固定槽（3）内部并伸出下绝缘外壳（1）外壁；
S4.内部电路板安装
将内部电路板（12）通过螺钉固定安装在下绝缘外壳（1）的内底部，并且将内部电路板（12）与每个内引脚（17）的铜头触点（18）均焊接固定连接；
S5.整体封装
将上绝缘外壳（2）和下绝缘外壳（1）之间进行组装，通过定位密封板（11）进行定位连接，并且进行初步密封，再通过锁紧螺钉（6）将定位孔（9）和第一连接螺纹槽（13）之间进行固定连接，再通过紧固螺栓（8）将通孔（10）和第二连接螺纹槽（14）之间进行固定连接，最后在连接的位置进行凝胶的灌封，实现上绝缘外壳（2）和下绝缘外壳（1）的整体封装；
S6.贴铭牌装箱
在上绝缘外壳（2）的上端靠上侧固定粘贴上铭牌（7），并且进行包装和装箱进行存储。
CN202210916454.8A 2022-08-01 2022-08-01 一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法 Pending CN115279015A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210916454.8A CN115279015A (zh) 2022-08-01 2022-08-01 一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210916454.8A CN115279015A (zh) 2022-08-01 2022-08-01 一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115279015A true CN115279015A (zh) 2022-11-01

Family

ID=83747697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210916454.8A Pending CN115279015A (zh) 2022-08-01 2022-08-01 一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115279015A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117096122A (zh) * 2023-10-19 2023-11-21 广东仁懋电子有限公司 一种新能源储能碳化硅功率器件及其封装结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117096122A (zh) * 2023-10-19 2023-11-21 广东仁懋电子有限公司 一种新能源储能碳化硅功率器件及其封装结构
CN117096122B (zh) * 2023-10-19 2024-01-09 广东仁懋电子有限公司 一种新能源储能碳化硅功率器件及其封装结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104604344B (zh) 功率半导体装置
US7859079B2 (en) Power semiconductor device
US7605456B2 (en) Inverter unit
US20030213979A1 (en) Power semiconductor device
US20050035434A1 (en) Module for EPAS/EHPAS applications
KR101278393B1 (ko) 파워 패키지 모듈 및 그의 제조방법
KR101321277B1 (ko) 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법
CN111162051B (zh) 功率端子、功率模块封装结构及封装方法
CN115279015A (zh) 一种半导体碳化硅功率模块高温封装体及其封装方法
JP4906650B2 (ja) パワー半導体モジュール及びその製法
JP2014179376A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2011018736A (ja) 半導体装置
CN216849927U (zh) 一种提高GaN芯片可靠性的封装结构
CN111081457A (zh) 一种星载平面变压器的安装方式
EP4009364A1 (en) Arrangement of a power semiconductor module and a cooler
CN112992818B (zh) 一种功率器件及其制作方法
CN212970226U (zh) 一种主功率板封装一体化结构及电焊机
CN212086657U (zh) 一种基于外壳受力的塑封整流模块
WO2022056679A1 (zh) 功率模组及其制造方法、转换器和电子设备
CN111463177A (zh) 一种功率模块及其应用方法
CN108133925B (zh) 一种绝缘封装大功率三极管
CN110034091A (zh) Igbt集成模块的连接结构
CN106601694B (zh) 堆叠结构及其制造方法
CN218632027U (zh) 一种igbt模块安装结构
CN210467819U (zh) 一种芯片封装件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination