CN116581098B - 电动压缩机控制器 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了电动压缩机控制器，包括铝材外壳、氮化铝陶瓷组件、若干个IGBT功率器件以及压板组件；氮化铝陶瓷组件的底端与铝材外壳的内壁相抵接，若干个IGBT功率器件设置于氮化铝陶瓷组件上；压板组件的一端压接在若干个IGBT功率器件的上表面上以用于将若干个IGBT功率器件固定于氮化铝陶瓷组件的上表面上，压板组件的另一端固定于铝材外壳的内壁上。实现了利用压板来固定IGBT功率器件，增大了接触面，从而增大了受力面积，使IGBT功率器件与氮化铝陶瓷的连接更加紧密，散热性能提升更加显著。

Description

电动压缩机控制器
技术领域
本申请涉及电动压缩机技术领域，尤其涉及一种电动压缩机控制器。
背景技术
目前，现有技术在电动压缩机控制器中固定IGBT功率器件时，往往是通过螺栓将IGBT功率器件固定于散热板上，但是通过螺栓固定IGBT功率器件，需要往往需要在IGBT功率器件上设置一个螺孔，但是在IGBT功率器件上设置一个螺孔往往就需要预先留好位置，减少了IGBT功率器件内部零件的设计空间，且IGBT功率器件与螺栓的受力面积往往受螺栓头的影响，螺栓将IGBT功率器件固定于散热板上时只有螺栓头区域受力大，使得IGBT功率器件与散热板之间的接触不紧密，造成通过螺栓将IGBT功率器件固定于散热板时需要IGBT功率器件预留螺孔，且IGBT功率器件的散热效果不显著的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种电动压缩机控制器，旨在解决现有技术方法中通过螺栓将IGBT功率器件固定于散热板时需要IGBT功率器件预留螺孔，且IGBT功率器件的散热效果不显著的问题。
第一方面，本申请公开了一种电动压缩机控制器，包括铝材外壳、氮化铝陶瓷组件、若干个IGBT功率器件以及压板组件；所述氮化铝陶瓷组件的底端与所述铝材外壳的内壁相抵接，所述若干个IGBT功率器件设置于所述氮化铝陶瓷组件上；所述压板组件的一端压接在所述若干个IGBT功率器件的上表面上以用于将所述若干个IGBT功率器件固定于氮化铝陶瓷组件的上表面上，所述压板组件的另一端固定于所述铝材外壳的内壁上。
本申请公开了一种电动压缩机控制器，包括铝材外壳、氮化铝陶瓷组件、若干个IGBT功率器件以及压板组件；所述氮化铝陶瓷组件的底端与所述铝材外壳的内壁相抵接，所述若干个IGBT功率器件设置于所述氮化铝陶瓷组件上；所述压板组件的一端压接在所述若干个IGBT功率器件的上表面上以用于将所述若干个IGBT功率器件固定于氮化铝陶瓷组件的上表面上，所述压板组件的另一端固定于所述铝材外壳的内壁上。实现了利用压板来固定IGBT功率器件，增大了接触面，从而增大了受力面积，使IGBT功率器件与氮化铝陶瓷的连接更加紧密，散热性能提升更加显著。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的示意图；
图2为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的部分示意图；
图3为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的另一部分示意图；
图4为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的另一部分示意图；
图5为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的另一部分示意图。
其中，图中各附图标记如下：
10、铝材外壳；101、芯片固定区域；102、强电区域；103、弱电区域；104、挡墙；20、氮化铝陶瓷组件；201、第一氮化铝陶瓷；202、第二氮化铝陶瓷；30、若干个IGBT功率器件；301、第一IGBT功率器件；302、第二IGBT功率器件；303、第三IGBT功率器件；304、第四IGBT功率器件；305、第五IGBT功率器件；306、第六IGBT功率器件；40、压板组件；401、第一压板；4010、第一固定压板；4011、第一压接板；4012、第二压接板；4013、第三压接板；402、第二压板；4020、第二固定压板；4021、第四压接板；4022、第五压接板；4023、第六压接板。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/ 或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
请参阅图1至图5，图1为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的示意图；图2为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的部分示意图；图3为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的另一部分示意图；图4为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的另一部分示意图；图5为本申请实施例提供的一种电动压缩机控制器的另一部分示意图。如图1至图5所示，本申请实施例提供了一种电动压缩机控制器，包括铝材外壳10、氮化铝陶瓷组件20、若干个IGBT功率器件30以及压板组件40；所述氮化铝陶瓷组件20的底端与所述铝材外壳10的内壁相抵接，所述若干个IGBT功率器件30设置于所述氮化铝陶瓷组件20上；所述压板组件40的一端压接在所述若干个IGBT功率器件30的上表面上以用于将所述若干个IGBT功率器件30固定于氮化铝陶瓷组件20的上表面上，所述压板组件40的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上。
在本实施例中，所述的电动压缩机控制器，包括铝材外壳10、氮化铝陶瓷组件20、若干个IGBT功率器件30以及压板组件40，其中，所述若干个IGBT功率器件30可以由用户的需求自主设计，在本申请中以所述若干个IGBT功率器件30有六个进行说明，所述铝材外壳10为无盖盒子状，中间凹平、边缘凸起且围合，所述氮化铝陶瓷组件20的底端与所述铝材外壳10的内壁相抵接，其中，氮化铝陶瓷是以氮化铝为主晶相的陶瓷，氮化铝陶瓷具有热导率高、膨胀系数低、强度高、耐高温、耐化学腐蚀、电阻率高、介电损耗小、是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料，所述若干个IGBT功率器件30设置于所述氮化铝陶瓷组件20上，将IGBT功率器件设置于所述氮化铝陶瓷组件20上可以利用氮化铝陶瓷的绝缘性和导热性，使得IGBT功率器件与所述铝材外壳10绝缘，同时也能将IGBT功率器件工作时产生的热量传导到所述氮化铝陶瓷组件20再传导到所述铝材外壳10增大散热面积；所述压板组件40的一端压接在所述若干个IGBT功率器件30的上表面上以用于将所述若干个IGBT功率器件30固定于氮化铝陶瓷组件20的上表面上，所述压板组件40的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上，通过所述压板组件40来将所述若干个IGBT功率器件30固定在氮化铝陶瓷组件20上，就可以不用在IGBT功率器件上预留螺孔，使得IGBT功率器件的结构更加完整，而且压板与IGBT功率器件接触的面积，比通过螺栓固定IGBT功率器件时螺栓头与IGBT功率器件接触的面积更大，增大了固定IGBT功率器件时的受力面积，从而使得所述若干个IGBT功率器件30与所述氮化铝陶瓷组件20的上表面的接触更加紧密，令IGBT功率器件的散热效果显著提升。
在一实施例中，如图1、图2和图4所示，所述氮化铝陶瓷组件20包括第一氮化铝陶瓷201和第二氮化铝陶瓷202；其中，所述第二氮化铝陶瓷202位于所述第一氮化铝陶瓷201的一侧。
在本实施例中，所述氮化铝陶瓷组件20由两个部分组成，分别是第一氮化铝陶瓷201和第二氮化铝陶瓷202，所述第二氮化铝陶瓷202位于所述第一氮化铝陶瓷201的一侧，所述第一氮化铝陶瓷201与所述第二氮化铝陶瓷202相邻设置，同时所述第一氮化铝陶瓷201与所述第二氮化铝陶瓷202不相连。
在一实施例中，如图1、图2和图4所示，所述若干个IGBT功率器件30中包括6个IGBT功率器件，分别记为第一IGBT功率器件301、第二IGBT功率器件302、第三IGBT功率器件303、第四IGBT功率器件304、第五IGBT功率器件305和第六IGBT功率器件306；其中，所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303设置于所述第一氮化铝陶瓷201上；所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306设置于所述第二氮化铝陶瓷202上。
在本实施例中，所述若干个IGBT功率器件30由6个IGBT功率器件组成，分别是第一IGBT功率器件301、第二IGBT功率器件302、第三IGBT功率器件303、第四IGBT功率器件304、第五IGBT功率器件305和第六IGBT功率器件306；所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303设置于所述第一氮化铝陶瓷201上，且所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303的摆放方向相同，所述第一IGBT功率器件301和所述第二IGBT功率器件302之间的距离与所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303之间的距离相同；所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306设置于所述第二氮化铝陶瓷202上，且所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306的摆放方向相同，所述第四IGBT功率器件304和所述第五IGBT功率器件305之间的距离与所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306之间的距离相同。
在一实施例中，如图1、图2和图4所示，所述压板组件40包括第一压板401和第二压板402；所述第一压板401的一端压接在所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303的上表面上，以用于将所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303固定于所述第一氮化铝陶瓷201的上表面上，所述第一压板401的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上；所述第二压板402的一端压接在所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306的上表面上，以用于将所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306固定于所述第二氮化铝陶瓷202的上表面上，所述第二压板402的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上。
在本实施例中，所述压板组件40由两部分组成，分别是第一压板401和第二压板402；所述第一压板401的一端压接在所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303的上表面上，以用于将所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303固定于所述第一氮化铝陶瓷201的上表面上，所述第一压板401的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上，通过将所述第一压板401的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上以使得所述第一压板401的一端能对设置于该端下方的所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303产生向下的压力，使得所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303能够与所述第一氮化铝陶瓷201的上表面紧密接触，以使得所述第一IGBT功率器件301、所述第二IGBT功率器件302和所述第三IGBT功率器件303工作时产生的热量能够更快的传导到所述第一氮化铝陶瓷201，提高了散热效率；所述第二压板402的一端压接在所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306的上表面上，以用于将所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306固定于所述第二氮化铝陶瓷202的上表面上，所述第二压板402的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上，通过将所述第二压板402的另一端固定于所述铝材外壳10的内壁上以使得所述第二压板402的一端能对设置于该端下方的所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306产生向下的压力，使得所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306能够与所述第二氮化铝陶瓷202的上表面紧密接触，以使得所述第四IGBT功率器件304、所述第五IGBT功率器件305和所述第六IGBT功率器件306工作时产生的热量能够更快的传导到所述第二氮化铝陶瓷202，提高了散热效率。
在一实施例中，如图1、图2和图4所示，所述第一压板401包括第一固定压板4010、第一压接板4011、第二压接板4012和第三压接板4013；所述第一压接板4011、所述第二压接板4012和所述第三压接板4013从左到右依次平行设置，且所述第一压接板4011的底端、所述第二压接板4012的底端和所述第三压接板4013的底端均与所述第一固定压板4010连接；所述第二压板402包括第二固定压板4020、第四压接板4021、第五压接板4022和第六压接板4023；所述第四压接板4021、所述第五压接板4022和所述第六压接板4023从左到右依次平行设置，且所述第四压接板4021的底端、所述第五压接板4022的底端和所述第六压接板4023的底端均与所述第二固定压板4020连接。
在本实施例中，所述第一压板401包括第一固定压板4010、第一压接板4011、第二压接板4012和第三压接板4013；所述第一压接板4011的底端、所述第二压接板4012的底端和所述第三压接板4013的底端均与所述第一固定压板4010连接，且所述第一压接板4011、所述第二压接板4012和所述第三压接板4013从左到右依次平行设置，所述第一固定压板4010固定在所述铝材外壳10的内壁上，所述第一压接板4011压接在所述第一IGBT功率器件301上表面，所述第二压接板4012压接在所述第二IGBT功率器件302上表面，所述第三压接板4013压接在所述第三IGBT功率器件303上表面；所述第二压板402包括第二固定压板4020、第四压接板4021、第五压接板4022和第六压接板4023；所述第四压接板4021的底端、所述第五压接板4022的底端和所述第六压接板4023的底端均与所述第二固定压板4020连接，且所述第四压接板4021、所述第五压接板4022和所述第六压接板4023从左到右依次平行设置，所述第二固定压板4020固定在所述铝材外壳10的内壁上，所述第四压接板4021压接在所述第四IGBT功率器件304上表面，所述第五压接板4022压接在所述第五IGBT功率器件305上表面，所述第六压接板4023压接在所述第六IGBT功率器件306上表面。
在一实施例中，如图1至图5所示，所述铝材外壳10为一体成型结构，所述铝材外壳10包括芯片固定区域101、强电区域102和弱电区域103，所述强电区域102的左端与所述弱电区域103的右端连接，所述强电区域102和所述弱电区域103的上端均与所述芯片固定区域101的下端连接。
在本实施例中，所述铝材外壳10为一体成型结构，所述铝材外壳10可以划分为三个区域，分别是芯片固定区域101、强电区域102和弱电区域103；所述的固定芯片的结构设置于所述芯片固定区域101，所述强电区域102和所述弱电区域103左右相邻、相互平行，同时所述强电区域102和所述弱电区域103的上端均与所述芯片固定区域101的下端连接整体形成一个所述铝材外壳10。
在一实施例中，如图1、图2和图4所示，所述芯片固定区域101设有氮化铝陶瓷组件20固定区和压板组件40固定区，所述氮化铝陶瓷组件20固定区位于所述压板组件40固定区的一侧，所述压板组件40固定区的水平面高度大于所述氮化铝陶瓷组件20固定区的水平面高度。
在本实施例中，所述芯片固定区域101划分为所述氮化铝陶瓷组件20固定区和所述压板组件40固定区，所述氮化铝陶瓷组件20固定区位于所述压板组件40固定区的一侧，而且所述压板组件40固定区的水平面高度大于所述氮化铝陶瓷组件20固定区的水平面高度，所述压板组件40固定在所述压板组件40固定区上后，在所述氮化铝陶瓷组件20固定区设置上所述氮化铝陶瓷组件20后，所述氮化铝陶瓷组件20与所述压板组件40之间任留有小于或等于IGBT功率器件的高度的空间，有利用将所述若干个IGBT功率器件30固定于所述氮化铝陶瓷组件20与所述压板组件40之间。
在一实施例中，如图1、图2和图4所示，所述若干个IGBT功率器件30与所述氮化铝陶瓷组件20之间还设有导热硅脂层。
在本实施例中，所述若干个IGBT功率器件30与所述氮化铝陶瓷组件20之间还设有导热硅脂层，其中，导热硅脂是一种高导热绝缘有机硅材料，几乎永远不固化，可在-50℃—+230℃的温度下长期保持使用时的脂膏状态，既具有优异的电绝缘性，又有优异的导热性；所述导热硅脂层设置在所述若干个IGBT功率器件30与所述氮化铝陶瓷组件20之间可以提高所述若干个IGBT功率器件30与所述氮化铝陶瓷组件20之间的导热性以及绝缘性。
在一实施例中，如图1、图3和图5所示，所述强电区域102与所述弱电区域103之间还设有挡墙104，所述挡墙104的水平面高度均大于所述强电区域102的水平面高度和所述弱电区域103的水平面高度。
在本实施例中，所述强电区域102与所述弱电区域103之间还设有挡墙104，所述挡墙104将所述强电区域102与所述弱电区域103分隔开，同时所述挡墙104的水平面高度均大于所述强电区域102的水平面高度和所述弱电区域103的水平面高度，可以使得在所述强电区域102所安装的各种零部件或在所述弱电区域103所安装的各种零部件均不会高出所述挡墙104，所述挡墙104可以隔绝所述强电区域102与所述弱电区域103之间的信号互相干扰，提高所述强电区域102的防干扰性能或提高所述弱电区域103的防干扰性能。
在一实施例中，如图1至图5所示，所述铝材外壳10的铝材外壳10边缘的水平面高度与所述挡墙104的水平面高度相同，且所述铝材外壳10边缘的水平面高度均大于所述芯片固定区域101的水平面高度、所述强电区域102的水平面高度和所述弱电区域103的水平面高度。
在本实施例中，所述铝材外壳10边缘的水平面高度均大于所述芯片固定区域101的水平面高度、强电区域102的水平面高度和弱电区域103的水平面高度，且所述铝材外壳10的铝材外壳10边缘的水平面高度与所述挡墙104的水平面高度相同，可以使得所述芯片固定区域101、所述强电区域102和所述弱电区域103中各区域所需安装的各种零部件的高度均不会超出所述铝材外壳10边缘的水平面高度，使得各区域所安装的各种零部件均在所述铝材外壳10内部。
本申请公开了一种电动压缩机控制器，包括铝材外壳、氮化铝陶瓷组件、若干个IGBT功率器件以及压板组件；所述氮化铝陶瓷组件的底端与所述铝材外壳的内壁相抵接，所述若干个IGBT功率器件设置于所述氮化铝陶瓷组件上；所述压板组件的一端压接在所述若干个IGBT功率器件的上表面上以用于将所述若干个IGBT功率器件固定于氮化铝陶瓷组件的上表面上，所述压板组件的另一端固定于所述铝材外壳的内壁上。实现了利用压板来固定IGBT功率器件，增大了接触面，从而增大了受力面积，使IGBT功率器件与氮化铝陶瓷的连接更加紧密，散热性能提升更加显著。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种电动压缩机控制器，其特征在于，包括铝材外壳、氮化铝陶瓷组件、若干个IGBT功率器件以及压板组件；所述氮化铝陶瓷组件的底端与所述铝材外壳的内壁相抵接，所述若干个IGBT功率器件设置于所述氮化铝陶瓷组件上；所述压板组件的一端压接在所述若干个IGBT功率器件的上表面上以用于将所述若干个IGBT功率器件固定于氮化铝陶瓷组件的上表面上，所述压板组件的另一端固定于所述铝材外壳的内壁上；
所述氮化铝陶瓷组件包括第一氮化铝陶瓷和第二氮化铝陶瓷；其中，所述第二氮化铝陶瓷位于所述第一氮化铝陶瓷的一侧；
所述若干个IGBT功率器件中包括6个IGBT功率器件，分别记为第一IGBT功率器件、第二IGBT功率器件、第三IGBT功率器件、第四IGBT功率器件、第五IGBT功率器件和第六IGBT功率器件；其中，所述第一IGBT功率器件、所述第二IGBT功率器件和所述第三IGBT功率器件设置于所述第一氮化铝陶瓷上；所述第四IGBT功率器件、所述第五IGBT功率器件和所述第六IGBT功率器件设置于所述第二氮化铝陶瓷上；
所述压板组件包括第一压板和第二压板；所述第一压板的一端压接在所述第一IGBT功率器件、所述第二IGBT功率器件和所述第三IGBT功率器件的上表面上，以用于将所述第一IGBT功率器件、所述第二IGBT功率器件和所述第三IGBT功率器件固定于所述第一氮化铝陶瓷的上表面上，所述第一压板的另一端固定于所述铝材外壳的内壁上；所述第二压板的一端压接在所述第四IGBT功率器件、所述第五IGBT功率器件和所述第六IGBT功率器件的上表面上，以用于将所述第四IGBT功率器件、所述第五IGBT功率器件和所述第六IGBT功率器件固定于所述第二氮化铝陶瓷的上表面上，所述第二压板的另一端固定于所述铝材外壳的内壁上；
其中，所述第一压板包括若干个压接板；所述第二压板包括若干个压接板。
2.根据权利要求1所述的电动压缩机控制器，其特征在于，所述第一压板包括第一固定压板、第一压接板、第二压接板和第三压接板；所述第一压接板、所述第二压接板和所述第三压接板从左到右依次平行设置，且所述第一压接板的底端、所述第二压接板的底端和所述第三压接板的底端均与所述第一固定压板连接；所述第二压板包括第二固定压板、第四压接板、第五压接板和第六压接板；所述第四压接板、所述第五压接板和所述第六压接板从左到右依次平行设置，且所述第四压接板的底端、所述第五压接板的底端和所述第六压接板的底端均与所述第二固定压板连接。
3.根据权利要求2所述的电动压缩机控制器，其特征在于，所述铝材外壳为一体成型结构，所述铝材外壳包括芯片固定区域、强电区域和弱电区域，所述强电区域的左端与所述弱电区域的右端连接，所述强电区域和所述弱电区域的上端均与所述芯片固定区域的下端连接。
4.根据权利要求3所述的电动压缩机控制器，其特征在于，所述芯片固定区域设有氮化铝陶瓷组件固定区和压板组件固定区，所述氮化铝陶瓷组件固定区位于所述压板组件固定区的一侧，所述压板组件固定区的水平面高度大于所述氮化铝陶瓷组件固定区的水平面高度。
5.根据权利要求4所述的电动压缩机控制器，其特征在于，所述若干个IGBT功率器件与所述氮化铝陶瓷组件之间还设有导热硅脂层。
6.根据权利要求5所述的电动压缩机控制器，其特征在于，所述强电区域与所述弱电区域之间还设有挡墙，所述挡墙的水平面高度均大于所述强电区域的水平面高度和所述弱电区域的水平面高度。
7.根据权利要求6所述的电动压缩机控制器，其特征在于，所述铝材外壳的铝材外壳边缘的水平面高度与所述挡墙的水平面高度相同，且所述铝材外壳边缘的水平面高度均大于所述芯片固定区域的水平面高度、所述强电区域的水平面高度和所述弱电区域的水平面高度。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270295A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
CN207543020U (zh) * 2017-12-07 2018-06-26 阳光电源股份有限公司 一种电机控制器
CN210780625U (zh) * 2019-11-11 2020-06-16 中山大洋电机股份有限公司 一种电机控制器
CN213419299U (zh) * 2020-09-22 2021-06-11 重庆超力高科技股份有限公司 一种压缩机散热结构和压缩机控制器
CN218482976U (zh) * 2022-09-22 2023-02-14 福州丹诺西诚电子科技有限公司 Igbt的安装结构
CN116033692A (zh) * 2023-03-29 2023-04-28 深圳艾为电气技术有限公司 基于igbt的驱动控制器、高压电动压缩机及装配方式

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270295A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
CN207543020U (zh) * 2017-12-07 2018-06-26 阳光电源股份有限公司 一种电机控制器
CN210780625U (zh) * 2019-11-11 2020-06-16 中山大洋电机股份有限公司 一种电机控制器
CN213419299U (zh) * 2020-09-22 2021-06-11 重庆超力高科技股份有限公司 一种压缩机散热结构和压缩机控制器
CN218482976U (zh) * 2022-09-22 2023-02-14 福州丹诺西诚电子科技有限公司 Igbt的安装结构
CN116033692A (zh) * 2023-03-29 2023-04-28 深圳艾为电气技术有限公司 基于igbt的驱动控制器、高压电动压缩机及装配方式

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