CN112310604A - 电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种电子设备。电子设备包括：设备本体、承载座、第一天线模组及第一透波结构。承载座可相对设备本体运动，承载座可被设备本体遮挡且还可显露于设备本体。第一天线模组承载于承载座，第一天线模组在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号。当承载座被设备本体遮挡而使得第一天线模组被设备本体遮挡时，第一透波结构至少部分位于第一方向范围内。设备本体位于第一预设方向范围内的部分对于第一频段的第一射频信号具有第一透过率，电子设备在第一透波结构对应的区域内，对第一频段的第一射频信号具有第二透过率，第二透过率大于第一透过率。本申请可降低设备本体对第一天线模组辐射性能的影响，有助于提升电子设备的通信性能。

Description

电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备领域，尤其涉及一种电子设备。

背景技术

随着移动通信技术的发展，传统的第四代(4th-Generation，4G)移动通信已经不能够满足人们的要求。第五代(5th-Generation，5G)移动通信由于具有较高的通信速度，可而备受用户青睐。比如，利用5G移动通信传输数据时的传输速度比4G移动通信传输数据的速度快数百倍。毫米波信号是实现5G移动通信的主要手段，然而，当毫米波天线应用于电子设备时，毫米波天线通常设置于电子设备内部的收容空间中，毫米波信号天线透过电子设备而辐射出去的透过率较低，达不到天线辐射性能的要求。由此可见，现有技术中，5G毫米波信号的通信性能较差。

发明内容

本申请提供一电子设备，以解决传统的毫米波信号的通信性能差的技术问题。

本申请提供了一种电子设备，所述电子设备包括：

设备本体；

承载座，所述承载座可相对所述设备本体运动，所述承载座可被所述设备本体遮挡且还可显露于所述设备本体；

第一天线模组，所述第一天线模组承载于所述承载座，所述第一天线模组用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号；

第一透波结构，当所述承载座被所述设备本体遮挡而使得所述第一天线模组被所述设备本体遮挡时，所述第一透波结构至少部分位于所述第一方向范围内；

所述设备本体位于所述第一预设方向范围内的部分对于所述第一频段的第一射频信号具有第一透过率，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。

相较于现有技术，本申请的电子设备中第一天线模组被所述设备本体遮挡时，所述第一透波结构的至少部分位于所述第一方向范围内，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内的透过率提高，从而可降低电子设备的设备本体对所述第一天线模组辐射性能的影响，从而有助于提升电子设备的通信性能。进一步地，本申请的电子设备在所述第一天线模组在所述承载座的带动下而相较于所述设备本体运动时，所述第一天线模组所处的环境的介电常数基本保持不变，可减弱甚至完全消除了由于环境介电常数的变化而导致的第一射频信号的频率偏移问题，进一步提升电子设备的通信性能。本申请的第一天线模组在未被所述设备本体遮挡时以及被所述设备本体遮挡时均可工作。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于一状态下的位置示意图。

图2为本申请一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于另一状态下的位置示意图。

图3为图1中沿I-I线的剖视图。

图4为本申请另一实施方式提供的电子设备的结构示意图。

图5为本申请另一实施方式中第一透波结构承载于所述承载座时一种状态下的结构示意图。

图6为本申请另一实施方式中第一透波集合承载于所述承载座时另一种状态下的结构示意图。

图7为本申请第一天线模组及第二天线模组承载于所述承载座的结构示意图。

图8为本申请提供的电子设备的电路框图。

图9为本申请一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。

图10为本申请另一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。

图11为本申请又一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。

图12为本申请又一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。

图13为本申请又一实施方式中电子设备中第一透波结构的位置示意图。

图14为本申请另一实施方式的电子设备的结构示意图。

图15为本申请又一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于一状态下的位置示意图。

图16为本申请又一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于另一状态下的位置示意图。

图17为又一实施方式提供的电子设备的结构示意图。

图18为本申请一实施方式中第一透波结构结构示意图。

图19为本申请另一实施方式中第一透波结构结构示意图。

图20为本申请另一施方式提供的第一透波结构的示意图。

图21为图20中透波单元的放大示意图。

图22为本申请第又一实施方式提供的第一透波结构的示意图。

图23为本申请又一实施方式提供的第一透波结构的示意图。

图24为图23中透波单元的放大示意图。

图25为本申请一实施方式中的第一天线模组的剖面结构示意图。

图26为本申请另一实施方式中的第一天线模组的剖面结构示意图。

图27为本申请一实施方式中的第一天线模组组成射频天线阵列时的封装结构示意图。

图28为本申请一实施方式中为M×N射频天线阵列示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请提供了一种电子设备1，所述电子设备1包括但不仅限于智能手机、互联网设备(mobile internet device，MID)、电子书、便携式播放站(Play Station Portable,PSP)或个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等具有通信功能的电子设备。

请一并参阅图1、图2及图3，图1为本申请一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于一状态下的位置示意图；图2为本申请一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于另一状态下的位置示意图；图3为图1中沿I-I线的剖视图。所述电子设备1包括设备本体100、承载座300、第一天线模组200、第一透波结构400。所述设备本体100是电子设备1的主体部分，设备本体100作为电子设备1的主体机械结构与电气功能实现部分。设备本体100包括但不限于包括电子设备1中的壳体、电路板组件(电路板及布设在电路板上的器件)、传输线、设在电路板外但与电路板电连接的电子模组(如屏幕等)、支撑电子组件的支撑结构(如中框)等。所述承载座300可相对所述设备本体100运动，所述承载座300可被所述设备本体100遮挡且还可显露于所述设备本体100。所述第一天线模组200承载于所述承载座300，所述第一天线模组200用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号。所述承载座300被所述设备本体100遮挡而使得所述第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时，所述第一透波结构400至少部分位于所述第一方向范围内。所述设备本体100位于所述第一预设方向范围内的部分对于所述第一频段的第一射频信号具有第一透过率，所述电子设备1在所述第一透波结构400对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。

所述射频信号可以为但不仅限于为毫米波频段的射频信号或者太赫兹频段的射频信号。目前，在第五代移动通信技术(5th generation wireless systems，5G)中，根据3GPP TS 38.101协议的规定，5G新空口(new radio，NR)主要使用两段频率：FR1频段和FR2频段。其中，FR1频段的频率范围是450MHz～6GHz，又叫sub-6GHz频段；FR2频段的频率范围是24.25GHz～52.6GHz，属于毫米波(mm Wave)频段。3GPP Release 15版本规范了目前5G毫米波频段包括：n257(26.5～29.5GHz),n258(24.25～27.5GHz),n261(27.5～28.35GHz)和n260(37～40GHz)。

所述第一透波结构400可以具有单频单极化、单频双极化、双频双极化、双频单极化、宽频单极化、宽频双极化等特性中的任意一种特性。相应地，所述第一透波结构400具有双频谐振响应，或者单频谐振响应，或者宽频谐振响应，或者多频谐振响应中的任意一种。所述第一透波结构400的材质可以为金属材质，也可以为非金属导电材质。

一方面，所述第一透波结构400被所述第一频段的第一射频信号的激励，所述第一透波结构400根据所述第一频段的射频信号产生与所述第一频段同频段的射频信号，且穿透所述设备本体100并辐射至自由空间中。由于所述第一透波结构400被激励且产生与所述第一预设频段同频段的射频信号，因此，透过所述设备本体100并辐射至自由空间中的预设频段的射频信号的量较多。

另一方面，所述电子设备1包括了所述第一透波结构400，因此，所述电子设备1对应所述第一透波结构400的部分的介电常数可以等效为预设材料的介电常数，而所述预设材料的介电常数对所述第一频段的射频信号的透过率较高。此外，所述预设材料的等效波阻抗等于或者近似等于自由空间的等效波阻抗，以使得当第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时，仍然可以使得所述第一频段的第一射频信号较好的透过所述电子设备1。

另一方面，当所述第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时，所述第一天线模组200产生的第一频段的第一射频信号较难透射出所述设备本体100；退一步讲，即便所述第一频段的第一射频信号中的部分可透过所述设备本体100，在未设置所述第一透波结构400时，所述第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时相较于所述第一天线模组200未被所述设备本体100遮挡时所述第一天线模组200的环境发生了变化，经由所述设备本体100透射出去的第一射频信号会产生频率偏移，而不再工作在第一频段。所述电子设备1包括了所述第一透波结构400，从而使得当所述第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时所处环境的介电常数接近甚至完全等于第一天线模组200未被设备本体100遮挡时所述第一天线模组200所处的环境，因此，减弱甚至完全消除了第一天线模组200由于所述承载座300相对于所述设备本体100运动而导致第一射频信号的频率偏移。

相较于现有技术，本申请的电子设备1中第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时，所述第一透波结构400的至少部分位于所述第一方向范围内，所述电子设备1在所述第一透波结构400对应的区域内的透过率提高，从而可降低电子设备1的设备本体100对所述第一天线模组200辐射性能的影响，从而有助于提升电子设备1的通信性能。进一步地，本申请的电子设备1在所述第一天线模组200在所述承载座300的带动下而相较于所述设备本体100运动时，所述第一天线模组200所处的环境的介电常数基本保持不变，可减弱甚至完全消除了由于环境介电常数的变化而导致的第一射频信号的频率偏移问题，进一步提升电子设备1的通信性能。本申请的第一天线模组200在未被所述设备本体100遮挡时以及被所述设备本体100遮挡时均可工作。

在本实施方式中，所述第一透波结构400承载于所述承载座300且与所述第一天线模组200间隔设置。当所述第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时，所述电子设备1在所述第一透波结构400对应的区域内可透过的射频信号的带宽为第一带宽；当所述第一天线模组200未被所述设备本体100遮挡时，所述承载座300在所述第一透波结构400对应区域内可透过的射频信号的带宽为第二带宽，其中，所述第二带宽与所述第一带宽存在交叠频段，所述交叠频段包括所述第一频段。

所述第一透波结构400承载于所述承载座300的表面，所述第一透波结构400至少部分内嵌于所述承载座300中。所述第一透波结构400承载于所述承载座300的表面包括所述第一透波结构400直接设置于所述承载座300的表面，或者，所述第一透波结构400通过承载膜设置于所述承载座300的表面。相应地，所述第一天线模组200至少部分内嵌在所述承载座300中，或者，所述第一天线模组200设置所述承载座300背离设置所述第一透波结构400的表面，只要满足所述第一天线模组200与所述第一透波结构400相对且间隔设置即可。在本实施方式中，以所述第一透波结构400及所述第一天线模组200均内嵌于所述承载座300中为例进行示意。

请一并参阅图4，图4为本申请另一实施方式提供的电子设备的结构示意图。相较于前述实施方式，在本实施方式中，所述电子设备1还包括功能器件20，所述功能器件20承载于所述承载座300上。当所述功能器件20随着所述承载座300的运动而显露于所述设备本体100时，所述功能器件20可在控制信号的控制下工作。当所述功能器件20随着所述承载座300的运动而被所述设备本体100所遮挡时，所述功能器件20不可工作。所述功能器件20可以为但不仅限于为摄像头，闪光灯等。

当所述第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时，所述电子设备1在所述第一透波结构400对应的区域内可透过的射频信号的带宽为第一带宽，举例而言，所述第一带宽为26～30GHz。所述第一天线模组200未被所述设备本体100遮挡时，通常是所述承载座300相较于显露于所述设备本体100。当所述第一天线模组200未被所述设备本体100遮挡时，所述承载座300在所述第一透波结构400对应的区域内可透过的射频信号为第二带宽，举例而么言，所述第二带宽为24～28GHz，那，所述第二带宽与所述第一带宽的交叠频段为24～28GHz，所述交叠频段包括所述第一频段，换句话说，所述第一频段位于24～28GHz范围内，举例而言，所述第一频段为24.25～27.5GHz，即为5G毫米波频段中的n258。

可以理解地，当所述第一天线模组200被所述设备本体100遮挡时，所述第一天线模组200辐射第一射频信号的辐射面与自由空间的所有材料等效介电常数相当于第一介电常数，换句话说，此时所述第一天线模组200辐射第一射频信号的辐射面与自由空间之间所有材料等效为具有第一介电常数的第一材料，所述第一材料可通过第一带宽的射频信号。当所述第一天线模组200未被所述设备本体100遮挡时，所述第一天线模组200辐射第一射频信号的辐射面与自由空间之间的所有材料的等效介电常数相当于第二介电常数，换句话说，此时所述第一天线模组200辐射第一射频信号的辐射面与自由空间之间所有材料等效为具有第二介电常数的第二材料，所述第二材料可通过第二带宽的射频信号。

在本实施方式中，由于所述第二带宽与所述第一带宽存在交叠频段，且所述交叠频段包括所述第一频段，从而使得所述第一天线模组200无论是否被所述设备本体100遮挡都可以工作在第一频段，进而提升了所述电子设备1的通信性能。

请结合图1至图3，再结合图5及图6，图5为本申请另一实施方式中第一透波结构承载于所述承载座时一种状态下的结构示意图；图6为本申请另一实施方式中第一透波集合承载于所述承载座时另一种状态下的结构示意图。在本实施方式中，所述第一透波结构400承载于所述承载座300且与所述第一天线模组200间隔设置。所述第一天线模组200可相对所述第一透波结构400转动。当所述设备本体100的至少部分位于所述第一预设方向范围内时，所述第一天线模组200辐射所述第一射频信号的方向朝向所述第一透波结构400，以使得所述第一透波结构400至少部分位于所述第一预设方向范围内。当所述承载座300显露于所述设备本体100而使得所述设备本体100位于所述第一预设方向范围之外时，所述第一天线模组200辐射所述第一射频信号的方向背离所述第一透波结构400。

在本实施方式的示意图中，第一透波结构400承载于所述承载座300时一种状态下的示意图示意出了所述第一透波结构400位于所述第一天线模组200辐射第一频段的第一射频信号的第一预设方向范围内；另一种状态下的示意图示意出了所述第一透波结构400位于所述第一天线模组200位于所述第一预设方向范围之外。在本实施方式中，所述第一天线模组200可相对于所述第一透波结构400转动包括：所述第一透波结构400不动，所述第一天线模组200可动；或者，所述第一天线模组200不同，所述第一透波结构400可动；或者，所述第一透波结构400及所述第一天线模组200均可动，只要满足所述第一天线模组200可相对于所述第一透波结构400转动即可。当所述设备本体100的至少部分位于所述第一方向范围内时，所述第一天线模组200透波结构至少部分位于所述第一预设方向范围内，由于所述第一透波结构400的作用使得所述电子设备1在所述第一透波结构400对应的区域内具有较高的透过率。当所述承载座300显露于所述设备本体100上而使得所述设备本体100位于所述第一预设方向范围之外时，所述第一天线模组200辐射所述第一射频信号的方向背离所述透波结构，从而可保证所述设备本体100位于所述第一预先方向范围之外时，所述第一透波结构400对所述第一射频信号的影响。

请结合图1至图3，再结合图7及图8，图7为本申请第一天线模组及第二天线模组承载于所述承载座的结构示意图；图8为本申请提供的电子设备的电路框图。在本实施方式中，所述第一透波结构400承载于所述承载座300且与所述第一天线模组200间隔设置。所述电子设备1还包括第二天线模组500及处理器600。所述第二天线模组500承载于所述承载座300，所述第二天模组500用于在第二预设方向范围内收发第二频段的第二射频信号，其中，所述第二预设方向范围位于所述第一预设方向范围之外，且所述第一透波结构400位于所述第二预设方向范围之外。当所述承载座300显露于所述设备本体100而使得所述设备本体100位于所述第一预设方向范围之外时，所述处理器600控制所述第一天线模组200停止工作且控制所述第二天线模组500工作。所述第一透波结构400及所述第一天线模组200之间的相对位置关系可参阅前面相关描述，在此不再赘述。所述处理器600可设置于所述设备本体100内，也可以位于所述承载座300上。所述处理器600分别与所述第一天线模组200及所述第二天线模组500电连接。

请结合图1至图3，再结合图9，图9为本申请一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。所述设备本体100包括电池盖700，当所述电池盖700的材质包括导电材质时，所述第一透波结构400的至少部分承载于所述电池盖700。

所谓电池盖700，也称为后盖，所述电池盖700通常具有收容空间，所述收容空间通常用于收容电子设备1中的其他部件，比如主板等。

所述导电材质包括金属材质和非金属导电材质。当所述第一透波结构400包括一层透波层时，所述第一透波结构400完全承载于所述电池盖700；当所述第一透波结构400包括两层及以上透波层400a时，其中，至少一层透波层400a承载于所述电池盖700上。在本实施方式以所述第一透波结构400包括两层透波层400a为例进行示意，其中一层透波层400a承载于所述电池盖700，另一层透波层400a承载于所述承载座300上为例进行示意。可以理解地，在其他实施方式中，当所述第一透波结构400包括两层透波层400a时，其中一层透波层400a承载于所述电池盖700，另一层透波层400a未承载于所述承载座300而是设置在所述承载座300和所述电池盖700之间。

当所述电池盖700的材质包括导电材质时：所述第一透波结构400的至少部分承载于所述电池盖700上时，所述第一透波结构400和所述电池盖700的等效介电常数a比第一透波结构400完全未承载于所述电池盖700上时所述第一透波结构400和所述电池盖700的等效介电常数b更接近自由空间的介电常数。换句话说，当所述电池盖700的材质包括导电材质时：所述第一透波结构400的至少部分承载于所述电池盖700上时，所述第一透波结构400和所述电池盖700的等效介电常数为a；第一透波结构400完全未承载于所述电池盖700上时所述第一透波结构400和所述电池盖700的等效介电常数为b，其中，a比b更接近自由空间的介电常数。第一预设频段的第一射频信号在等效介电常数为a的介质中的透过率大于等效介电常数为b的介质中的透过率。因此，当所述电池盖700包括导电材质时，所述第一透波结构400的至少部分承载于所述电池盖700相较于所述第一透波结构400未承载于所述电池盖700而言，可提高所述第一射频信号的透过率。可以理解地，所述第一射频信号的透过率是指所述第一射频信号透过所述电子设备1的透过率。

当所述电池盖700的材质为非导电材质时，所述第一透波结构400相较于所述电池盖700之间的位置对所述电子设备1对应所述第一透波结构400的区域的透过率的影响不是太大。因此，所述第一透波结构400可完全承载于所述承载座300，或者，所述第一透波结构400可完全承载于所述电池盖700，或者，所述第一透波结构400的部分承载于所述承载座300且所述第一透波结构400的另外部分承载于所述电池盖700。

请参阅图10，图10为本申请另一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。所述设备本体100包括电池盖700，所述电池盖700的材质为非导电材质，所述第一透波结构400完全承载于所述承载座300。在本实施方式的示意图中，以所述第一透波结构400包括两层间隔设置的透波层400a为例进行示意。

请参阅图11，图11为本申请又一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。再本实施方式中，所述第一透波结构400完全承载于所述电池盖700。在本实施方式的示意图中，以所述第一透波结构400包括两层间隔设置的透波层400a为例进行示意。

请参阅图12，图12为本申请又一实施方式中电子设备中的第一透波结构的位置示意图。在本实施方式中，所述第一透波结构400部分承载于所述承载座300且所述第一透波结构400的另外部分承载于所述电池盖700。

请参阅图13，图13为本申请又一实施方式中电子设备中第一透波结构的位置示意图。在本实施方式中，所述设备本体100还包括屏幕800，所述屏幕800包括导电线路830，所述第一透波结构400的至少部分承载于所述屏幕800。在本实施方式的示意图中，以所述电子设备1还包括电池盖700，所述屏幕800设置于所述电池盖700的开口处。

所述屏幕800可以为仅仅具有显示作用的屏幕800，也可以为仅仅具有触控作用的屏幕800，也可以为同时具有显示作用及触控作用的屏幕800。所述屏幕800可以为液晶显示屏，也可以为有机发光二极管显示屏。所述导电线路830为传输所述屏幕800工作所需要的信号的传输线路。比如，所述导电线路830为所述屏幕800中的数据线(data line)、扫描线(Scan line)、公共电极线(Common line)、触控线(touch line)等。

由于所述屏幕800包括导电线路830，所述导电线路830为导电材质的，因此，所述第一透波结构400的至少部分承载于所述屏幕800时，所述第一透波结构400和所述屏幕800的等效介电常数c比第一透波结构400完全未承载于所述屏幕800上时所述第一透波结构400和所述屏幕800的等效介电常数d更接近自由空间的介电常数。因此，所述第一透波结构400的至少部分承载于所述屏幕800相较于所述第一透波结构400未承载于所述屏幕800而言，可提高所述第一射频信号的透过率。

进一步地，所述屏幕800包括依次层叠的屏幕本体810及盖板820。所述屏幕本体810包括所述导电线路830，所述第一透波结构400的至少部分设置于所述屏幕本体810内。

本实施方式中，所述屏幕本体810包括所述导电线路830，所述第一透波结构400的至少部分设置于所述屏幕本体810内时所述第一透波结构400与所述屏幕800的等效介电常数e比第一透波结构400完全未承载于所述屏幕本体810时所述第一透波结构400与所述屏幕800的等效介电常数f更接近自由空间的介电常数。因此，所述第一透波结构400的至少部分承载于所述屏幕本体810相较于所述第一透波结构400未承载于所述所述屏幕本体810而言，可提高所述第一射频信号的透过率。

所述第一透波结构400的至少部分设置于所述屏幕本体810内时，所述第一透波结构400可与所述导电线路830设置于不同层，且所述第一透波结构400与所述导电线路830间隔绝缘设置；或者，所述第一透波结构400与所述导电线路830中的部分线路同层设置。在本实施方式的示意图中以所述第一透波结构400与所述导电线路830位于不同层且间隔绝缘设置为例进行使用。

请参阅图14，图14为本申请另一实施方式的电子设备的结构示意图。在本实施方式中，所述设备本体100包括：第一部分110及第二部分120。所述第二部分120与所述第一部分110相对且间隔设置。所述承载座300可设置于所述第一部分110及所述第二部分120之间，所述承载座300可被所述第一部分110遮挡且还可显露于所述第一部分110，所述第一透波结构400设置于所述第一天线模组200背离所述第二部分120的一侧。

具体地，所述第一透波结构400设置在所述第一天线模组200背离所述第二部分120的一侧包括：所述第一透波结构400设置在承载座300上且位于所述第一天线模组200背离所述第二部分120的一侧；或者，所述第一透波结构400设置在承载座300与所述第一部分110之间；或者，所述第一透波结构400承载于所述第一部分110。所述第一透波结构400承载于所述第一部分110包括：所述第一透波结构400设置于所述第一部分110面对所述承载座300的表面；或者，所述第一透波结构400内嵌于所述第一部分110；或者，所述第一透波结构400设置于所述第一部分110背离所述承载座300的表面。在本实施方式的示意图中，以所述第一透波结构400内嵌于所述第一部分110为例进行示意。

在一实施方式中，所述电池盖700包括背板710及设置在所述背板710周缘且与所述背板710弯折相连的边框720。所述第一部分110包括电子设备1的显示屏800及部分边框720，第二部分120包括电子设备1的剩余部分边框720及电池盖700。在其他实施方式中，所述第一部分100及第二部分200的划分方式并不限于上述实施方式，只要满足所述第一部分110及所述第二部分120相对间隔设置，且承载座300设置在所述第一部分110及所述第二部分120之间，且承载座300可被所述第一部分110遮挡还可显露于所述第一部分110即可。

进一步地，请参阅图15及图16，图15为本申请又一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于一状态下的位置示意图；图16为本申请又一实施方式所示的电子设备的设备本体和承载座处于另一状态下的位置示意图。本实施方式的两种状态的示意图示意出来所述承载座300被所述设备本体100所遮挡以及所述承载座300显露于所述设备本体100的状态示意图。在本实施方式中，所述电子设备1还包括：第二天线模组500及第二透波结构900。所述第二天线模组500承载于所述承载座300，所述第二天线模组500用于在第二方向范围内收发第二频段的第二射频信号，其中，第二方向范围位于所述第一方向范围之外。当所述承载座300被所述第二部分120遮挡时，所述第二透波结构900至少部分位于所述第二方向范围内。所述设备本体100在所述第二预设方向范围内的部分对于所述第二频段的第二射频信号具有第三透过率，所述电子设备1在所述第二透波结构900对应的区域内，对所述第二频段的第二射频信号具有第四透过率，其中，所述第四透过率大于所述第三透过率。

由于所述第二天线模组500承载于所述承载座300，当所述承载座300被所述第二部分120遮挡时，所述第二透波结构900的至少部分位于所述第二方向范围内，所述电子设备1再所述第二透波结构900对应的区域内的透过率提高，从而可降低所述电子设备1的设备本体100对所述第二天线模组500辐射性能的影响，从而有助于提升所述电子设备1的通信性能。进一步地，本申请的电子设备1在所述第二天线模组500在所述承载座300的带动下而相较于所述设备本体100运动时，所述第二天线模组500所处的环境的介电常数基本保持不变，可减弱甚至完全消除了由于环境介电常数的变化而导致的第二射频信号的频率偏移问题，进一步提升电子设备1的通信性能。

进一步地，所述承载座300可被所述第二部分120遮挡且还可显露于所述第二部分120，所述第二透波结构900设置于所述第二天线模组500背离所述第一部分110的一侧。

具体地，所述第二透波结构900设置于所述第二天线模组500背离所述第一部分110的一侧包括：所述第二透波结构900设置在所述承载座300上且位于所述第二天线模组500背离所述第一部分110的一侧；或者，所述第二透波结构900设置再所述承载座300与所述第二部分120之间；或者，所述第二透波结构900承载于所述第二部分120。所述第二透波结构900承载于所述第二部分120包括：所述第二透波结构900设置于所述第二部分120面对所述承载座300的表面；或者，所述第二透波结构900内嵌于所述第二部分120；或者，所述第二透波结构900设置于所述第一部分110背离所述承载座300的表面。在本实施方式中，以所述第二透波结构900内嵌于所述第二部分120为例进行示意。

请参阅图17，图17为又一实施方式提供的电子设备的结构示意图。在本实施方式中，以图15相关结构的图示为例进行示意，可以理解地，所述电子设备也可以结合以上各个实施方式中介绍的电子设备的其他结构。在本实施方式中，所述设备本体100包括电池盖700、及屏幕800。所述电池盖700具有收容空间，所述屏幕800设置于所述收容空间的开口处，所述电池盖700包括背板710及设置在所述背板710周缘且与所述背板710弯折相连的边框720，所述边框720具有缺口721，所述缺口721连通所述收容空间，当所述承载座300收容于所述收容空间时，所述承载座300的至少部分表面构成所述电子设备1的部分外观面。

本实施方式通过在所述边框720上开设缺口721，所述承载座300可通过所述缺口721伸出所述收容空间以显露于所述设备本体100；所述承载座300还可通过所述缺口721缩回所述收容空间，以被所述设备本体100遮挡。所述承载座300的至少部分表面构成所述电子设备1的部分外观面，当所述承载座300通过所述缺口721收回所述收容空间时不需要额外增加密封件对缺口721进行密封，从而节约了电子设备1中的器件数目。

结合以上各实施方式所述的电子设备1，所述第一天线模组200设置于所述承载座300的表面，或者，所述第一天线模组200至少部分内嵌于所述承载座300。

结合以上各实施方式所述的电子设备1，所述第一透波结构400包括一层透波层400a或至少两层层叠且间隔设置的透波层400a。

结合以上各实施方式，所述电子设备1还包括功能器件20，所述功能器件20承载于所述承载座300上。当所述功能器件20随着所述承载座300的运动而显露于所述设备本体100时，所述功能器件20可在控制信号的控制下工作。当所述功能器件20随着所述承载座300的运动而被所述设备本体100所遮挡时，所述功能器件20不可工作。所述功能器件20可以为但不仅限于为摄像头，闪光灯等。

请参阅图18，图18为本申请一实施方式中第一透波结构结构示意图。在本实施方式中，所述第一透波结构400包括多个透波单元410，所述透波单元410周期性排布。可以理解地，所述透波单元400也可位于多层间隔设置的透波层中。在本实施方式的示意图中，以所述透波单元400位于同一层透波层中为例进行示意。

请参阅图19，图19为本申请另一实施方式中第一透波结构结构示意图。在本实施方式中，所述透波结构包括多个透波单元410，所述透波单元410非周期性排布。可以理解地，所述透波单元400也可位于多层间隔设置的透波层中。在本实施方式的示意图中，以所述透波单元410位于同一层透波层中为例进行示意。

请一并参阅图20及图21，图20为本申请另一施方式提供的第一透波结构的示意图；图21为图20中透波单元的放大示意图。所述第一透波结构400可结合到前述任意实施方式提供的电子设备1中。在本实施方式中，所述第一透波结构400包括阵列分布的透波单元410，相邻的透波单元410之间设置有间隙。在本实施方式中，所述透波单元410设置于同一层，即，所述透波单元410构成一层透波层400a。在本实施方式中的示意图中以4×4周期性结构的透波单元410为例进行示意。

进一步地，所述透波单元410包括第一导电分支411及第二导电分支412，所述第一导电分支411与第二导电分支412交叉相连。所述第一导电分支411与所述第二导电分支412的形状相同或者不同。所述第一导电分支411及所述第二导电分支412的交叉部位标记为O。在一实施方式中，所述透波单元410为一体结构。在其他实施方式中，所述第一导电分支411及所述第二导电分支412为两个独立的部件，经过焊接等方式固定在一起。在本实施方式中的示意图中，以所述透波单元410为一体结构进行示意。

进一步地，在本实施方式中，所述第一导电分支411关于所述第一导电分支411与所述第二导电分支412的交叉部位O对称。进一步地，在本实施方式中，所述第二导电分支412也关于所述第一导电分支411与所述第二导电分支412的交叉部位O对称设置。

进一步地，在本实施方式中，所述第一导电分支411及所述第二导电分支412均沿直线延伸。

请参阅图22，图22为本申请第又一实施方式提供的第一透波结构的示意图。本实施方式中的第一透波结构400与图20及图21及其相关描述中介绍的第一透波结构400基本相同，不同之处在于，在本实施方式中，所述第一导电分支411关于所述第一导电分支411与所述第二导电分支412的交叉部位O非对称设置。所述第二导电分支412关于所述第一导电分支411与所述第二导电分支412的交叉部位O非对称设置。

请一并参阅图23及图24，图23为本申请又一实施方式提供的第一透波结构的示意图；图24为图23中透波单元的放大示意图。本实施方式中的的第一透波结构400与图20及图21及其相关描述中介绍的第一透波结构400基本相同，不同之处在于，在本实施方式中，所述第一导电分支411包括多个第一导电段411a，所述第一导电段411a的延伸轨迹偏离第一导电分支411的整体延伸方向。

进一步地，所述第一导电分支411还包括多个与第一导电段411a交替分布的第二导电段411b。

进一步地，所述第一导电段411a沿曲线延伸，所述第二导电段411b沿直线延伸。进一步地，所述第一导电段411a可以为但不限于呈半环形，换句话说，所述第一导电段411a在垂直于承载所述第一透波结构400120的介质基板上的正投影为半环形。在本实施方式中，所述第一导电段411a沿曲线延伸，从而在所述第一导电分支411a相对的两端的距离一定的情况下，增大了所述第一导电分支411的等效长度。那么，对于预设频段的射频信号而言，可缩短第一导电分支411a的整体延伸方向上的相对两端的距离。

可以理解地，所述第二导电分支412与所述第一导电分支411的形状相同或者不同。在本实施方式中，以所述第二导电分支412沿直线延伸为例进行示意。

进一步地，对于预设频段的射频信号而言：在所述第一导电段411a的形状及尺寸一定的前提下，所述第一导电段411a的数目越多，所述第一导电分支相对两端的距离越短。

进一步地，所述透波单元410包括至少两个交叉相连的导电分支410a。结合前述各个实施方式提供的第一透波结构400，在相应实施方式的示意图中以所述透波单元410包括交叉相连的第一导电分支411及第二导电分支412为例进行示意。所述第一频段随着所述导电分支410a的宽度的减小而往低频偏移，且带宽增大；所述第一频段随着所述承载所述第一透波结构400的介质基板的介电常数的增大而往低频偏移，且带宽减小；所述第一频段随着承载所述第一透波结构400的介质基板的厚度增大而往低频偏移，且带宽减小。

进一步地，所述第一透波结构400所包括的透波层的层数越多，所述预设频段的带宽越宽。

下面对本申请上述各个实施方式提及的第一天线模组进行介绍。请参阅图25，图25为本申请一实施方式中的第一天线模组的剖面结构示意图。所述第一天线模组200包括射频芯片230、绝缘基板240、及一个或多个第一天线辐射体250。所述射频芯片230用于产生激励信号。所述射频芯片230相较于所述一个或多个第一天线辐射体250背离所述带透波结构120设置，所述绝缘基板240用于承载所述一个或多个第一天线辐射体250，所述射频芯片230通过内嵌于所述绝缘基板240中的传输线与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。具体地，所述绝缘基板240包括相背的第三表面240a和第四表面240b，所述绝缘基板240用于承载所述一个或多个第一天线辐射体250包括所述绝缘基板240设置在所述第三表面240a，或者，所述一个或多个第一天线辐射体250内嵌于所述绝缘基板240内。在本实施方式中的示意图中以所述一个或多个第一天线辐射体250设置于所述第三表面240a，所述射频芯片230设置于所述第四表面240b为例进行示意。所述射频芯片230产生的所述激励信号通过内嵌于所述绝缘基板240中的传输线传输与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。所述射频芯片230可焊接在所述绝缘基板240上，以将所述激励信号经由内嵌于绝缘基板240中的传输线传输至第一天线辐射体250。所述第一天线辐射体250接收所述激励信号，并根据所述激励信号产生毫米波信号。所述第一天线辐射体250可以为但不仅限于为贴片天线。

进一步地，所述射频芯片230相较于所述第一天线辐射体250背离所述透波结构120，且所述射频芯片230输出所述激励信号的输出端位于所述绝缘基板240背离所述透波结构120的一侧。即，所述射频芯片230邻近所述绝缘基板240的第四表面240b而远离所述绝缘基板240的第三表面240a设置。

进一步地，每一个所述第一天线辐射体250包括至少一个馈电点251，每一个所述馈电点251均通过所述传输线与所述射频芯片230电连接，每一个所述馈电点251与所述馈电点251对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离。调整所述馈电点251的位置可以改变所述第一天线辐射体250的输入阻抗，本实施方式中通过设置每一个所述馈电点251与对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离，从而调整所述第一天线辐射体250的输入阻抗。调整所述第一天线辐射体250的输入阻抗以使得所述第一天线辐射体250的输入阻抗与所述射频芯片230的输出阻抗匹配，当所述第一天线辐射体250与所述射频芯片230的输出阻抗匹配时，所述射频信号产生的激励信号的反射量最小。

请参阅图26，图26为本申请另一实施方式中的第一天线模组的剖面结构示意图。本实施方式提供的第一天线模组200与前述实施方式中的提供的第一天线模组200基本相同。不同之处在于，在本实施方式中，所述第一天线模组200还包括第二天线辐射体260。即，在本实施方式中，所述第一天线模组200包括射频芯片230、绝缘基板240、一个或多个第一天线辐射体250、及第二天线辐射体260。所述射频芯片230用于产生激励信号。所述绝缘基板240包括相背设置的第三表面240a和第四表面240b，所述一个或多个第一天线辐射体250设置于所述第三表面240a，所述射频芯片230设置于所述第四表面240b。所述射频芯片230产生的所述激励信号经由内嵌于所述绝缘基板240中的传输线与所述一个或多个第一天线辐射体250电连接。所述射频芯片230可焊接在所述绝缘基板240上，以将所述激励信号经由内嵌于绝缘基板240中的传输线传输至第一天线辐射体250。所述第一天线辐射体250接收所述激励信号，并根据所述激励信号产生毫米波信号。

进一步地，所述射频芯片230相较于所述第一天线辐射体250背离所述透波结构120，且所述射频芯片230输出所述激励信号的的输出端位于所述绝缘基板240背离所述透波结构120的一侧。

进一步地，每一个所述第一天线辐射体250包括至少一个馈电点251，每一个所述馈电点251均通过所述传输线与所述射频芯片230电连接，每一个所述馈电点251与所述馈电点251对应的第一天线辐射体250的中心之间的距离大于预设距离，以提升所述第一天线辐射体250辐射的射频信号的质量。

在本实施方式中，所述第二天线辐射体260内嵌在所述绝缘基板240内，所述第二天线辐射体260与所述第一天线辐射体250间隔设置，且所述第二天线辐射体260及所述第一天线辐射体250通过耦合作用而形成叠层天线。当所述第二天线辐射体260与所述第一天线辐射体250通过耦合作用而形成叠层天线时，所述第一天线辐射体250与所述射频芯片230电连接且所述第二天线辐射体260未与所述射频芯片230电连接，第二天线辐射体260耦合所述第一天线辐射体250辐射的毫米波信号，并且所述第二天线辐射体260根据耦合到的所述第一天线辐射体250辐射的毫米波信号而产生新的毫米波信号。

具体地，下面以所述第一天线模组200采用高密度互联工艺制备而成为例进行说明。所述绝缘基板240包括核心层241、以及多个层叠设置在所述核心层241相对两侧的布线层242。所述核心层241为绝缘层，各个布线层242之间通常设置绝缘层243。位于所述核心层241邻近所述透波结构120一侧且距离所述核心层241最远的布线层242的外表面构成所述绝缘基板240的第三表面240a。位于在所述核心层241背离所述透波结构120一侧且距离所述核心层241最远的布线层242的外表面构成所述绝缘基板240的第四表面240b。所述第一天线辐射体250设置于所述第三表面240a。所述第二天线辐射体260内嵌在所述绝缘基板240内，即，所述第二天线辐射体260可设置在其他的用于布局天线辐射体的布线层242上，且所述第二天线辐射体260未设置在所述绝缘基板240的表面。

在本实施方式中，以所述绝缘基板240为8层结构为例进行示意，可以理解地，在其他实施方式中，所述绝缘基板240也可以为其他层数。所述绝缘基板240包括核心层241以及第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、第五布线层TM5、第六布线层TM6、第七布线层TM7、及第八布线层TM8。所述第一布线层TM1、所述第二布线层TM2、所述第三布线层TM3、及所述第四布线层TM4依次层叠设置在所述核心层241的同一表面，且所述第一布线层TM1相对于所述第四布线层TM4背离所述核心层241设置，所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面为所述绝缘基板240的第三表面240a。所述第五布线层TM5、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8依次层叠在所述核心层241的同一表面，且所述第八布线层TM8相对于所述第五布线层TM5背离所述核心层241设置，所述第八布线层TM8背离所述核心层241的表面为所述绝缘基板240的第四表面240b。通常情况下，所述第一布线层TM1、所述第二布线层TM2、所述第三布线层TM3、及第四布线层TM4为可设置天线辐射体的布线层；所述第五布线层TM5为设置地极的地层；所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8为第一天线模组200中的馈电网络及控制线布线层。在本实施方式中，所述第一天线辐射体250设置在所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面，所述第二天线辐射体260设置在可设置在所述第三布线层TM3。在本实施方式的示意图中以第一天线辐射体250设置在所述第一布线层TM1的表面、所述第二天线辐射体260设置在所述第三布线层TM3为例进行示意。可以理解地，在其他实施方式中，所述第一天线辐射体250可设置在所述第一布线层TM1背离所述核心层241的表面，所述第二天线辐射体260可设置在所述第二布线层TM2，或者所述第二天线辐射体260可设置在所述第四布线层TM4。

进一步地，所述绝缘基板240中的第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8均电连接至所述第五布线层TM5中的地层。具体地，所述绝缘基板240中的第一布线层TM1、第二布线层TM2、第三布线层TM3、第四布线层TM4、所述第六布线层TM6、所述第七布线层TM7、及所述第八布线层TM8均开设通孔，通孔里设置金属材料以电连接所述第五布线层TM5中的地层，以将各个布线层242中设置的器件接地。

进一步地，所述第七布线层TM7及所述第八布线层TM8还设置有电源线271、及控制线272，所述电源线271及所述控制线272分别与所述射频芯片230电连接。所述电源线271用于为所述射频芯片230提供所述射频芯片230所需要的电能，所述控制线272用于传输控制信号至所述射频芯片230，以控制所述射频芯片230工作。

进一步地，请一并参阅图27及图28，图27为本申请一实施方式中的第一天线模组组成射频天线阵列时的封装结构示意图；图28为本申请一实施方式中为M×N射频天线阵列示意图。所述电子设备1包括M×N个天线组件10构成的射频天线阵列，其中，M为正整数，N为正整数。在本实施方式示意图中示意出来的是4×1个天线组件10构成的天线阵列。在所述天线组件10中的所述第一天线模组200中，所述绝缘基板240还包括多个金属化过孔栅格244，所述金属化过孔栅格244围绕每一个所述第一天线辐射体250设置，以提升相邻的两个所述第一天线辐射体250之间的隔离度。

当所述金属化过孔栅格244用于在多个第一天线模组200形成射频天线阵列时，所述金属化过孔栅格244用于提升相邻第一天线模组200之间的隔离度，以减少甚至避免各个第一天线模组200产生的毫米波信号的干扰。

前面描述的第一天线模组200中以第一天线模组200为贴片天线、叠层天线为例进行描述，可以理解地，所述第一天线模组200还可以包括偶极子天线、磁电偶极子天线、准八木天线等。进一步地，所述M×N个天线组件10中的介质基板110可相互连接为一体结构。

可以理解地，所述第二透波结构900与所述第一透波结构400的结构可相同也可不同。

可以理解地，在本实施方式中仅仅示意出了电子设备1的一些结构，在其他实施方式中，所述电子设备1还可以为其他结构，只要满足所述承载座300可与所述设备本体100相对运动，所述承载座300可显露于所述设备本体100也可被所述设备本体100遮挡。所述承载座300被所述设备本体100遮挡包括所述承载座300收容于所述设备本体100内；也包括所述承载座300与所述设备本体100层叠设置，当从所述设备本体100的一侧观看(比如，所述电子设备1的显示屏的一侧)，所述承载座300被所述设备本体100遮挡即可。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (15)

1.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

设备本体；

承载座，所述承载座可相对所述设备本体运动，所述承载座可被所述设备本体遮挡且还可显露于所述设备本体；

第一天线模组，所述第一天线模组承载于所述承载座，所述第一天线模组用于在第一预设方向范围内收发第一频段的第一射频信号；

第一透波结构，当所述承载座被所述设备本体遮挡而使得所述第一天线模组被所述设备本体遮挡时，所述第一透波结构至少部分位于所述第一方向范围内；

所述设备本体位于所述第一预设方向范围内的部分对于所述第一频段的第一射频信号具有第一透过率，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内，对所述第一频段的第一射频信号具有第二透过率，其中，所述第二透过率大于所述第一透过率。

2.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一透波结构承载于所述承载座且与所述第一天线模组间隔设置，当所述第一天线模组被所述设备本体遮挡时，所述电子设备在所述第一透波结构对应的区域内可透过的射频信号的带宽为第一带宽；当所述第一天线模组未本所述设备本体遮挡时，所述承载座在所述第一透波结构对应区域内可透过的射频信号的带宽为第二带宽，其中，所述第二带宽与所述第一带宽存在交叠频段，所述交叠频段包括所述第一频段。

3.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一透波结构承载于所述承载座且与所述第一天线模组间隔设置，所述第一天线模组可相对所述第一透波结构转动；当所述设备本体的至少部分位于所述第一预设方向范围内时，所述第一天线模组辐射所述第一射频信号的方向朝向所述第一透波结构，以使得所述第一透波结构至少部分位于所述第一预设方向范围内；当所述承载座显露于所述设备本体而使得所述设备本体位于所述第一预设方向范围之外时，所述第一天线模组辐射所述第一射频信号的方向背离所述第一透波结构。

4.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一透波结构承载于所述承载座且与所述第一天线模组间隔设置，所述电子设备还包括第二天线模组及处理器，所述第二天线模组承载于所述承载座，所述第二天模组用于在第二预设方向范围内收发第二频段的第二射频信号，其中，所述第二预设方向范围位于所述第一预设方向范围之外，且所述第一透波结构位于所述第二预设方向范围之外，当所述承载座显露于所述设备本体而使得所述设备本体位于所述第一预设方向范围之外时，所述处理器控制所述第一天线模组停止工作且控制所述第二天线模组工作。

5.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述设备本体包括电池盖，当所述电池盖的材质包括导电材质时，所述第一透波结构的至少部分承载于所述电池盖。

6.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述设备本体包括电池盖，所述电池盖的材质为非导电材质，所述第一透波结构完全承载于所述承载座，或者所述第一透波结构完全承载于所述电池盖，或者所述第一透波结构部分承载于所述承载座且所述第一透波结构的另外部分承载于所述电池盖。

7.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述设备本体还包括屏幕，所述屏幕包括导电线路，所述第一透波结构的至少部分承载于所述屏幕。

8.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述屏幕包括依次层叠的屏幕本体及盖板，所述屏幕本体包括所述导电线路，所述第一透波结构的至少部分设置于所述屏幕本体内。

9.如权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述设备本体包括：

第一部分；

第二部分，所述第二部分与所述第一部分相对且间隔设置；

所述承载座可设置于所述第一部分及所述第二部分之间，所述承载座可被所述第一部分遮挡且还可显露于所述第一部分，所述第一透波结构设置于所述第一天线模组背离所述第二部分的一侧。

10.如权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括：

第二天线模组，所述第二天线模组承载于所述承载座，所述第二天线模组用于在第二方向范围内收发第二频段的第二射频信号，其中，第二方向范围位于所述第一方向范围之外；

第二透波结构，当所述承载座被所述第二部分遮挡时，所述第二透波结构至少部分位于所述第二方向范围内；

所述设备本体在所述第二预设方向范围内的部分对于所述第二频段的第二射频信号具有第三透过率，所述电子设备在所述第二透波结构对应的区域内，对所述第二频段的第二射频信号具有第四透过率，其中，所述第四透过率大于所述第三透过率。

11.如权利要求10所述的电子设备，其特征在于，所述承载座可被所述第二部分遮挡且还可显露于所述第二部分，所述第二透波结构设置于所述第二天线模组背离所述第一部分的一侧。

12.如权利要求1-11任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一天线模组设置于所述承载座的表面，或者，所述第一天线模组至少部分内嵌于所述承载座。

13.如权利要求1-11任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述设备本体包括电池盖、及屏幕，所述电池盖具有收容空间，所述屏幕设置于所述收容空间的开口处，所述电池盖包括背板及设置在所述背板周缘且与所述背板弯折相连的边框，所述边框具有缺口，所述缺口连通所述收容空间，当所述承载座收容于所述收容空间时，所述承载座的至少部分表面构成所述电子设备的部分外观面。

14.如权利要求1-11任意一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一透波结构包括一层透波层或至少两层层叠且间隔设置的透波层。

15.如权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述第一透波结构所包括的透波层的层数越多，所述预设频段的带宽越宽。

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