CN112306141A - 低电压余度高精度电流镜 - Google Patents

Abstract

本发明涉及CMOS集成电路领域，为利用低电源电压敏感度电路和钳位电压电路。提出一种电流镜设计。其结构简单，对电源电压变化不敏感，电压余度消耗低，且可以有效避免沟道长度调制效应的影响。为此，本发明采取的技术方案是，低电压余度高精度电流镜，包括偏置产生模块，电流镜模块，负载模块，偏置产生模块包括晶体管M3‑M7和电阻R_s，其中晶体管M7是启动电路，电阻R_s一端连接M3漏极，另一端接地，M3、M6和M4、M5形成镜像；电流镜模块包括晶体管M1，运算放大器OPA1和参考电流源I_REF；负载模块包括晶体管M2。本发明主要应用于CMOS集成电路设计制造场合。

Description

低电压余度高精度电流镜

技术领域

本发明涉及CMOS集成电路领域，具体涉及低电压余度高精度电流镜。

背景技术

为了维持集成电路的正常工作状态，需要对其进行准确的偏置，包括电压偏置和电流偏置。其中电流大多采用电流镜技术进行偏置，电流镜是模拟电路里的一个基本单元，可以用于复制电流，也可以用作给差分对做负载。此外，一些数字模拟转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC)也会使用电流源阵列产生一个与数字输入成正比的模拟输出。一个理想的电流镜的受控电流与输入参考电流应该相等或对应成比例。

于是电流镜能否准确的复制参考电流变得尤为重要，对于电流镜的设计，往往希望在保持精度的同时尽可能少的占用电压余度，为其他电路的设计提供尽可能多的余量，同时希望参考电流可以不受电源电压的变化影响。传统的电流镜消耗电压余度相对较小，但是复制的精度一般；共源共栅电流镜可以准确的复制电流且抵抗一定程度的电源电压的变化，但是消耗较大的电压余度。在此基础上，提出了一种低电源电压敏感度，低电压余度消耗的电流镜设计。

发明内容

为克服现有技术的不足，针对传统电流镜电压余度消耗较大及漏源电压不一致带来的复制精度问题，本发明旨在利用低电源电压敏感度电路和钳位电压电路。提出一种电流镜设计。其结构简单，对电源电压变化不敏感，电压余度消耗低，且可以有效避免沟道长度调制效应的影响。为此，本发明采取的技术方案是，低电压余度高精度电流镜，包括偏置产生模块，电流镜模块，负载模块，偏置产生模块包括晶体管M3-M7和电阻R_s，其中晶体管M7是启动电路，电阻R_s一端连接M3漏极，另一端接地，M3、M6和M4、M5形成镜像；电流镜模块包括晶体管M1，运算放大器OPA1和参考电流源I_REF；负载模块包括晶体管M2；

偏置产生模块产生抵抗电源电压变化的M1，M2的栅、漏级电压；M1的栅极通过一个单位增益负反馈连接的运算放大器OPA1连接至M1和M2的漏极，M1的源极连接至M1和M2的栅极。

针对不同的I_REF，通过调整M3的并联数K和Rs的阻值大小，调整M3的栅极和源极电压，保持其电压差大小为M1的阈值电压的绝对值|V_TH1|，将M1，M2偏置在饱和区边缘，减少M1，M2消耗的电压余度，并消除M1，M2漏源电压不一致带来的沟道长度调制效应的影响。

运算放大器OPA1反相输入端和输出端之间连接有电容C1。

偏置产生模块产生一个对电源电压V_DD变化不敏感的流过M3的电流I_d3，并进一步产生对电源电压V_DD变化不敏感的M3的栅极电压和源级电压：

V_GS4＝V_GS3+I_D3R_S (1)

即

为简化分析，忽略体效应的影响，此时M4和M3的阈值电压相等，即V_TH4＝V_TH3；

I_REF为被复制的电流源，由I_REF确定M1的栅源电压V_GS1：

即

由(3)式可知，流过M3的电流I_D3表达式中不存在和电源电压V_DD相关的项；

因流过M3的电流等于流过电阻R_s的电流，即I_R3＝I_D3，所以M3的源级电压V_S3被I_D3唯一确定，(6)式即体现了用电阻R_S确定M3的源级电压，若不考虑沟道长度调制效应，则M3的栅源电压V_GS3被I_D3唯一确定，考虑到M3的源极电压V_S3已被I_D3唯一确定，所以M3的栅极电压V_G3，即V_b也被I_D3唯一确定，此时，V_S3，V_b均被I_D3唯一确定，且V_S3被连接到M1的栅极，V_b通过一个单位增益负反馈的运输放大器将V_b钳位给X，Y节点；此时，X，Y节点电压即M1，M2的漏级电压和M1，M2的栅极电压均被I_D3唯一确定；

若设置合适的R_S和K值，将V_GS3设置为V_TH1，则|V_GS1|-|V_DS1|＝|V_TH1|，M1将工作在饱和区边缘，以消耗最少的电压余度。

为此，电路需满足以下条件：

其中，R_S，K为未知量,V_GS1由(5)式给出。等式的最后一项规定了将V_GS3设置为|V_TH1|，解得：

由此可见，R_S和K在满足之前所述的条件下是唯一确定的。

一个二极管连接的NMOS M7，将作为启动电路使用，M7需满足以下条件：

上电时M7导通，提供V_DD经M5，M4到地的通路：

V_TH4+V_TH7+|V_TH5|>V_DD (9)

电路启动后M7关断：

V_GS4+V_GS5+|V_TH7|>V_DD (10)。

本发明的特点及有益效果是：

本发明提出的电流镜电路将参考电流I_REF高精度的复制到负载电路中，并且偏置产生模块，电流镜模块和负载模块对电源电压V_DD变化均不敏感。且仅消耗一个M1的过驱动电压V_DS1的电压余度。在目前类似的电流镜结构中，存在将M3，M5中的某一个MOS管作为电流镜，将其电流复制到负载中的设计。上述设计若要满足高精度的要求，也需要将栅极和漏级电压分别加到负载中的镜像MOS管上，否则就需要采用级联结构，但是级联结构将消耗较大的电压余度。如若将M5作为电流镜将其电流复制到负载中，将直接损失一个M5的栅源电压的绝对值|V_GS5|的栅源电压。若将M3作为电流镜，且将栅极和漏级电压分别加到负载中的镜像MOS管上，表面看也仅消耗一个V_DS的电压余度，但由(3)式可知，即使参考电流I_REF(即流过M3的电流I_d3)的电流是确定的，电阻R_S和并联数K的取值也存在一定的任意性，这将导致M3有很大可能偏置在距离饱和区边缘较远的饱和区，于是在相同的参考电流I_REF下，上述结构所消耗的过驱动电压V_DS将大于图1当中的M1的过驱动电压V_DS1(且M3的源级并不接地，又增加了负载电路的设计难度，并可能进一步的消耗电压余度)。

附图说明：

图1低电压余度高精度电流镜设计方法示意图。

具体实施方式

本发明采取的技术方案采用一种由偏置产生模块，电流镜模块，负载模块组成的电流镜设计，如图1所示。偏置产生模块包括晶体管M3-M7和R_s，其中晶体管M7是启动电路。电流镜模块包括晶体管M1，电容C1，运算放大器OPA1和参考电流源I_REF。负载模块包括晶体管M2和负载部分load。

偏置产生模块的功能是在电流镜镜像过程中，产生可以抵抗电源电压变化的M1，M2的栅、漏级电压。M1的栅极通过一个单位增益负反馈连接的运算放大器连接至M1和M2的漏极，M1的源极连接至M1和M2的栅极。针对不同的I_REF，通过调整M3的并联数K和Rs的阻值大小，调整M3的栅极和源极电压，保持其电压差大小为M1的阈值电压的绝对值|V_TH1|，将M1，M2偏置在饱和区边缘，减少M1，M2消耗的电压余度，并消除M1，M2漏源电压不一致带来的沟道长度调制效应的影响。电流镜模块的功能是将参考电流I_REF镜像到负载模块中，完成参考电流高精度复制的过程。负载模块为可承担高精度操作的电路功能的模块。

偏置产生模块产生一个对电源电压V_DD变化不敏感的流过M3的电流I_d3，并进一步产生对电源电压V_DD变化不敏感的M3的栅极电压和源级电压。由图1可知：

V_GS4＝V_GS3+I_D3R_S (1)

即

为简化分析，忽略体效应的影响，此时M4和M3的阈值电压相等，即V_TH4＝V_TH3。(若考虑体效应的影响，只是(3)式的结果有变化，不影响后续的分析过程)

I_REF为被复制的电流源，由I_REF确定M1的栅源电压V_GS1：

即

由(3)式可知，流过M3的电流I_D3表达式中不存在和电源电压V_DD相关的项，从某种程度上说流过M3的电流I_D3被R_S和K绑定，而不受V_DD的影响。

因流过M3的电流等于流过电阻R_s的电流，即I_R3＝I_D3，所以M3的源级电压V_S3被I_D3唯一确定，(6)式即体现了用电阻R_S确定M3的源级电压，即M1的栅级电压的思想。若不考虑沟道长度调制效应，则M3的栅源电压V_GS3被I_D3唯一确定，考虑到M3的源极电压V_S3已被I_D3唯一确定，所以M3的栅极电压V_G3，即V_b也被I_D3唯一确定。此时，V_S3，V_b均被I_D3唯一确定，且V_S3被连接到M1的栅极，V_b通过一个单位增益负反馈的运输放大器将V_b钳位给X，Y节点(考虑沟道长度调制时V_b将比理想值偏小，但X，Y节点电压仍然相等)。

此时，X，Y节点电压即M1，M2的漏级电压和M1，M2的栅极电压均被I_D3唯一确定，由于I_D3与电源电压V_DD无关，所以M1，M2的栅极和漏级电压也与电源电压V_DD无关。

若设置合适的R_S和K值，将V_GS3设置为V_TH1，则|V_GS1|-|V_DS1|＝|V_TH1|，M1将工作在饱和区边缘，以消耗最少的电压余度。

为此，电路需满足以下条件：

其中，R_S，K为未知量,V_GS1由(5)式给出。等式的最后一项规定了将V_GS3设置为|V_TH1|。经典值下PMOS的阈值电压的绝对值大于NMOS的阈值电压，所以M3依旧可以维持饱和。

可以解得：

由此可见，R_S和K在满足之前所述的条件下是唯一确定的。

一个二极管连接的NMOS M7，将作为启动电路使用。M7需满足以下条件：

上电时M7导通，提供V_DD经M5，M4到地的通路：

V_TH4+V_TH7+|V_TH5|>V_DD (9)

电路启动后M7关断：

V_GS4+V_GS5+|V_TH7|>V_DD (10)

根据以上分析和计算，偏置产生模块产生对V_DD不敏感的M1栅极电压V_G1和M1源级电压V_D1(即图1中的V_b)，且二者的差值为M1的阈值电压V_TH1，将M1偏置于饱和区的边缘，尽可能小的占用电压余度。偏置产生模块的V_b通过一个单位增益负反馈的运算放大器，将X，Y点电压钳位至V_b，运算放大器反相输入端和输出端之间连接的电容是为了避免可能出现的负载和电流镜之间的电流扰动，保证电流镜工作点的高精度稳定。

Claims (5)

1.一种低电压余度高精度电流镜，其特征是，包括偏置产生模块，电流镜模块，负载模块，偏置产生模块包括晶体管M3-M7和电阻R_s，其中晶体管M7是启动电路，电阻R_s一端连接M3漏极，另一端接地，M3、M6和M4、M5形成镜像；电流镜模块包括晶体管M1，运算放大器OPA1和参考电流源I_REF；负载模块包括晶体管M2；

偏置产生模块产生抵抗电源电压变化的M1，M2的栅、漏级电压；M1的栅极通过一个单位增益负反馈连接的运算放大器OPA1连接至M1和M2的漏极，M1的源极连接至M1和M2的栅极。

2.如权利要求1所述的低电压余度高精度电流镜，其特征是，针对不同的I_REF，通过调整M3的并联数K和Rs的阻值大小，调整M3的栅极和源极电压，保持其电压差大小为M1的阈值电压的绝对值|V_TH1|，将M1，M2偏置在饱和区边缘，减少M1，M2消耗的电压余度，并消除M1，M2漏源电压不一致带来的沟道长度调制效应的影响。

3.如权利要求1所述的低电压余度高精度电流镜，其特征是，运算放大器OPA1反相输入端和输出端之间连接有电容C1。

4.如权利要求2所述的低电压余度高精度电流镜，其特征是，偏置产生模块产生一个对电源电压V_DD变化不敏感的流过M3的电流I_d3，并进一步产生对电源电压V_DD变化不敏感的M3的栅极电压和源级电压：

V_GS4＝V_GS3+I_D3R_S (1)

即

为简化分析，忽略体效应的影响，此时M4和M3的阈值电压相等，即V_TH4＝V_TH3；

I_REF为被复制的电流源，由I_REF确定M1的栅源电压V_GS1：

即

由(3)式可知，流过M3的电流I_D3表达式中不存在和电源电压V_DD相关的项；

因流过M3的电流等于流过电阻R_s的电流，即I_R3＝I_D3，所以M3的源级电压V_S3被I_D3唯一确定，(6)式即体现了用电阻R_S确定M3的源级电压，若不考虑沟道长度调制效应，则M3的栅源电压V_GS3被I_D3唯一确定，考虑到M3的源极电压V_S3已被I_D3唯一确定，所以M3的栅极电压V_G3，即V_b也被I_D3唯一确定，此时，V_S3，V_b均被I_D3唯一确定，且V_S3被连接到M1的栅极，V_b通过一个单位增益负反馈的运输放大器将V_b钳位给X，Y节点；此时，X，Y节点电压即M1，M2的漏级电压和M1，M2的栅极电压均被I_D3唯一确定；

若设置合适的R_S和K值，将V_GS3设置为V_TH1，则|V_GS1|-|V_DS1|＝|V_TH1|，M1将工作在饱和区边缘，以消耗最少的电压余度。

为此，电路需满足以下条件：

其中，R_S，K为未知量,V_GS1由(5)式给出。等式的最后一项规定了将V_GS3设置为|V_TH1|，解得：

由此可见，R_S和K在满足之前所述的条件下是唯一确定的。

5.如权利要求2所述的低电压余度高精度电流镜，其特征是，一个二极管连接的NMOSM7，将作为启动电路使用，M7需满足以下条件：

上电时M7导通，提供V_DD经M5，M4到地的通路：

V_TH4+V_TH7+|V_TH5|＞V_DD (9)

电路启动后M7关断：

V_GS4+V_GS5+|V_TH7|＞V_DD (10)。

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