CN112289826A - 显示装置和用于制造显示装置的方法 - Google Patents
显示装置和用于制造显示装置的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112289826A CN112289826A CN202010705100.XA CN202010705100A CN112289826A CN 112289826 A CN112289826 A CN 112289826A CN 202010705100 A CN202010705100 A CN 202010705100A CN 112289826 A CN112289826 A CN 112289826A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- conductive layer
- display device
- conductive
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 654
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 90
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGLYDBMDZXTCJA-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Sn+4].[Zn+2] VGLYDBMDZXTCJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- UPAJIVXVLIMMER-UHFFFAOYSA-N zinc oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Zn+2].[Zr+4] UPAJIVXVLIMMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
- G06F3/04164—Connections between sensors and controllers, e.g. routing lines between electrodes and connection pads
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开涉及显示装置,所述显示装置包括:发光元件,在显示区域处;驱动元件,电连接到发光元件;封装层,覆盖发光元件;触摸传感器,在封装层上;连接焊盘,在接合区域处,连接焊盘包括下部导电层、在下部导电层上的中间导电层以及在中间导电层上的上部导电层;覆层,覆盖中间导电层的至少侧表面并且包括有机材料;钝化层,覆盖覆层的上表面并且包括无机材料,钝化层的一部分位于上部导电层下面;以及驱动电路,附接到连接焊盘。
Description
技术领域
本发明构思的示例性实施例的各方面涉及显示装置。更具体地,本发明构思的示例性实施例的各方面涉及显示装置和用于制造显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置是能够自身发光(例如,不使用背光源等)的显示装置。由于有机发光显示装置可以具有减小的重量和厚度,并且可以具有适合于柔性显示装置的特性,因此已扩大了有机发光显示装置的用途。
有机发光显示装置包括发光元件的阵列以及用于向发光元件提供驱动信号的驱动部(例如,驱动器或驱动电路)。驱动部的驱动电路可以设置在驱动芯片中。驱动芯片(或与驱动芯片结合的电路板)可以与有机发光显示装置的基底结合。
驱动芯片可以通过热压等接合到基底。在接合工艺期间(或在接合工艺之后),可能引起接合缺陷,因此可能降低显示装置的可靠性。
在本背景技术部分中公开的以上信息是用于增强对本发明构思的背景的理解,因此,以上信息可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明构思的一个或多个示例性实施例涉及具有提高的可靠性的显示装置。
本发明构思的一个或多个示例性实施例涉及用于制造显示装置的方法。
根据本发明构思的示例性实施例,一种显示装置包括:发光元件,在显示区域处;驱动元件,电连接到所述发光元件;封装层,覆盖所述发光元件;触摸传感器,在所述封装层上;连接焊盘,在接合区域处,所述连接焊盘包括下部导电层、在所述下部导电层上的中间导电层以及在所述中间导电层上的上部导电层;覆层,覆盖所述中间导电层的至少侧表面并且包括有机材料;钝化层,覆盖所述覆层的上表面并且包括无机材料,所述钝化层的一部分位于所述上部导电层下面;和驱动电路,附接到所述连接焊盘。
在示例性实施例中,所述驱动元件可以包括:栅极金属图案,包括栅电极;和源极金属图案,包括漏电极或者将所述漏电极电连接到所述发光元件的连接电极,并且所述触摸传感器可以包括感测导电图案。
在示例性实施例中,所述下部导电层可以由与所述栅极金属图案的层相同的层形成,所述中间导电层可以由与所述源极金属图案的层相同的层形成,并且所述上部导电层可以由与所述感测导电图案的层相同的层形成。
在示例性实施例中,所述源极金属图案可以包括:包括所述漏电极的第一源极金属图案以及包括所述连接电极的第二源极金属图案,并且所述中间导电层可以包括:由与所述第一源极金属图案的层相同的层形成的第一中间导电层以及由与所述第二源极金属图案的层相同的层形成的第二中间导电层。
在示例性实施例中,所述连接焊盘还可以包括:在所述第二中间导电层和所述上部导电层之间的第三中间导电层。
在示例性实施例中,所述触摸传感器可以包括:下部触摸绝缘层;第一感测导电图案,在所述下部触摸绝缘层上;触摸中间绝缘层,覆盖所述第一感测导电图案;以及第二感测导电图案,在所述触摸中间绝缘层上,并且所述上部导电层可以由与所述第二感测导电图案的层相同的层形成。
在示例性实施例中,所述钝化层可以由与所述下部触摸绝缘层、所述触摸中间绝缘层或它们的组合的层相同的层形成。
在示例性实施例中,所述覆层可以由覆盖所述源极金属图案的有机绝缘层形成,并且所述覆层的厚度可以小于所述有机绝缘层的厚度。
在示例性实施例中,所述覆层的所述厚度可以小于或等于1μm。
在示例性实施例中,所述中间导电层可以具有包括含铝层的多层结构。
在示例性实施例中,所述发光元件的第一电极可以包括银。
在示例性实施例中,所述连接焊盘可以通过接触所述上部导电层的导电接合构件电连接到所述驱动电路。
根据本发明构思的示例性实施例,一种显示装置包括:像素阵列,在显示区域处;连接焊盘,在接合区域处,所述连接焊盘包括下部导电层、在所述下部导电层上的中间导电层以及在所述中间导电层上的上部导电层;覆层,覆盖所述中间导电层的至少侧表面并且包括有机材料;钝化层,覆盖所述覆层的上表面并且包括无机材料,所述钝化层的一部分位于所述上部导电层下面;以及驱动电路,附接到所述连接焊盘。
在示例性实施例中,所述像素阵列可以包括:发光元件和电连接到所述发光元件的驱动元件;所述驱动元件可以包括:栅极金属图案,包括栅电极;和源极金属图案,包括:漏电极;或连接电极,将所述漏电极电连接到所述发光元件;触摸传感器可以在所述像素阵列上,并且可以包括感测导电图案;并且所述下部导电层可以由与所述栅极金属图案的层相同的层形成,所述中间导电层可以由与所述源极金属图案的层相同的层形成,并且所述上部导电层可以由与所述感测导电图案的层相同的层形成。
在示例性实施例中,所述覆层可以由覆盖所述源极金属图案的有机绝缘层形成,并且所述覆层的厚度可以小于所述有机绝缘层的厚度。
在示例性实施例中,所述中间导电层可以具有包括含铝层的多层结构。
根据本发明构思的示例性实施例,提供了一种用于制造显示装置的方法,所述显示装置包括在显示区域处的发光元件、电连接到所述发光元件的驱动元件以及在接合区域处的连接焊盘。所述方法包括:形成所述连接焊盘的下部导电层;形成所述连接焊盘的中间导电层以电接触所述下部导电层;形成覆层以覆盖所述中间导电层的侧表面,同时暴露所述中间导电层的上表面;形成钝化层以覆盖所述覆层的上表面;以及形成所述连接焊盘的上部导电层以电接触所述中间导电层。
在示例性实施例中,所述下部导电层可以由与所述驱动元件的栅电极的层相同的层形成;并且所述中间导电层可以由与所述驱动元件的漏电极的层相同的层或者由与连接电极的层相同的层形成,所述连接电极将所述漏电极电连接到所述发光元件。
在示例性实施例中,所述显示装置还可以包括:封装层,覆盖所述发光元件;以及触摸传感器,在所述封装层上并且包括感测导电图案,并且所述上部导电层可以由与所述感测导电图案的层相同的层形成。
在示例性实施例中,所述触摸传感器可以包括:下部触摸绝缘层;第一感测导电图案,在所述下部触摸绝缘层上;触摸中间绝缘层,覆盖所述第一感测导电图案;以及第二感测导电图案,在所述触摸中间绝缘层上,并且所述上部导电层可以由与所述第二感测导电图案的层相同的层形成。
在示例性实施例中,所述钝化层可以由与所述下部触摸绝缘层、所述触摸中间绝缘层或它们的组合的层相同的层形成。
在示例性实施例中,所述覆层可以由覆盖所述驱动元件的源极金属图案的有机绝缘层形成,并且所述覆层可以具有小于所述有机绝缘层的厚度的厚度。
在示例性实施例中,所述中间导电层可以具有包括含铝层的多层结构。
根据本发明构思的一个或多个示例性实施例,可以在接合区域处(例如,在接合区域中或者在接合区域上)形成覆层,以防止或减少包含铝的导电层的暴露。因此,可以防止或基本上防止由于金属离子的还原导致的颗粒。此外,可以减小包括有机材料的覆层的厚度,并且可以通过无机层使覆层钝化。因此,可以防止或减少接合缺陷,并且可以提高显示装置的可靠性。
附图说明
通过下面参考附图对说明性、非限制性的示例性实施例的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的上述和其他方面与特征。
图1是示出根据示例性实施例的显示装置的平面图。
图2是示出图1的区域A的放大平面图。
图3是示出根据示例性实施例的显示装置的显示区域的截面图。
图4是示出根据示例性实施例的显示装置的感测电极的平面图。
图5是示出根据示例性实施例的显示装置的接合区域的沿着图2中的线I-I'截取的截面图。
图6是示出图5的区域B的放大截面图。
图7至图16是示出根据示例性实施例的用于制造显示装置的方法的截面图,其中,图8、图10、图12和图14是沿着图2中的线I-I'截取的截面图。
图17至图18是示出根据各种示例性实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
在下文中,将参考其中示出了一些示例性实施例的附图更详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的显示装置和用于制造显示装置的方法。然而,本发明构思可以以各种不同的形式实现,且不应被解释为仅限于本文中示出的实施例。而是,提供这些实施例作为示例,使得本公开将是透彻的和完整的,并且将向本领域技术人员充分传达本发明构思的方面和特征。因此,可以不描述对于本领域普通技术人员而言对于完全理解本发明构思的方面和特征并非必要的工艺、元件和技术。除非另外指出,否则在整个附图和书面描述中,同样的附图标记指代同样的元件,由此,可以不重复其描述。
在附图中,为了清楚起见,可能夸大和/或简化了元件、层和区域的相对尺寸。为了易于说明,在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”和“上”等空间相对术语以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是,除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将定向“在”其他元件或特征“上方”。因此,示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。所述装置可以被另外定向(例如,旋转90度或在其他方位处),因此,应当相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
将理解的是,尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因而,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
将理解的是,当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件或层,或者可以存在一个或多个中间元件或层。另外,还将理解的是,当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时,该元件或层可以是在所述两个元件或层之间的唯一元件或层,或者还可以存在一个或多个中间元件或层。
本文中使用的术语是出于描述具体实施例的目的,而不旨在限制本发明构思。如本文中使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式“一个”和“一种”也旨在包括复数形式。还将理解的是,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包含”、“含有”和“具有”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文中使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。当诸如“至少一个(种)”的表述在一列元件之后时,修饰整列元件而不修饰该列的个别元件。
如本文中使用的,术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而非程度术语,并且旨在解释将由本领域普通技术人员认可的测量值或计算值的固有偏差。此外,当描述本发明构思的实施例时,使用“可以”是指“本发明构思的一个或多个实施例”。如本文中使用的,术语“使用”可以被认为与术语“利用”同义。此外,术语“示例性”意图表示示例或举例说明。
除非另外定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是,除非在本文中明确地如此定义,否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景中的含义相一致的含义,而不应以理想化的或过于形式化的含义来解释。
图1是示出根据示例性实施例的显示装置的平面图。图2是示出图1的区域A的放大平面图。
参照图1,显示装置包括显示区域DA和非显示区域PA。
在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)可以设置像素PX的阵列,并且像素PX可以发光以显示图像。例如,显示装置可以是有机发光显示装置,并且每个像素PX可以包括有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的驱动元件。驱动元件可以包括至少一个薄膜晶体管。显示装置还可以包括:封装层,其可以保护有机发光二极管;以及触摸感测部(例如,触摸传感器),其设置在封装层上。
非显示区域PA可以包括:周边区域PA1,其与显示区域DA相邻或者围绕显示区域DA(例如,围绕显示区域DA的周围);以及接合区域PA2,驱动部(例如,驱动器或驱动电路)DC可以附接(例如,可以接合)在接合区域PA2处(例如,附接在接合区域PA2中或者附接在接合区域PA2上)。
驱动部DC可以向显示区域DA的像素阵列提供诸如以数据信号为例的驱动信号。在示例性实施例中,驱动部DC可以包括驱动芯片,该驱动芯片包括集成电路。由驱动部DC生成的驱动信号可以通过传输线TL提供给显示区域DA的像素阵列。例如,传输线TL可以沿着第一方向D1延伸。
在一些实施例中,显示装置可以具有可折叠和/或可弯曲等的区域,使得该区域具有折叠形状或弯曲形状。例如,介于周边区域PA1和接合区域PA2之间的区域可以限定(例如,可以形成)弯曲区域PA3,弯曲区域PA3在被折叠或被弯曲时可以具有曲率,使得接合区域PA2可以设置在显示区域DA下方。
在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)可以设置电连接到驱动部DC的连接焊盘。例如,可以沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2以之字形配置布置多个连接焊盘。例如,如图2中所示,电连接到第一传输线TL1的第一连接焊盘CP1可以布置在第一行处(例如,布置在第一行中或者布置在第一行上),并且电连接到第二传输线TL2的第二连接焊盘CP2可以布置在第二行处(例如,布置在第二行中或者布置在第二行上)。
连接焊盘CP1和CP2可以具有包括多个导电层的多层结构。例如,连接焊盘CP1和CP2可以包括由与驱动元件的栅极金属图案、驱动元件的源极金属图案以及触摸感测部的感测导电图案中的至少两个图案的层相同的层形成的导电层的组合。如本文中所使用的,当层或图案被描述为由与另一组件或层的层相同的层形成时,所述层或图案可以包括与其他组件或层的材料相同或基本上相同的材料,或者可以设置在与其他组件或层的层相同的层处(例如,设置在与其他组件或层的层相同的层中或者设置在与其他组件或层的层相同的层上)。
图3是示出根据示例性实施例的显示装置的显示区域的截面图。图4是示出根据示例性实施例的显示装置的感测电极的平面图。
参照图3,在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上),在基体基底110上设置缓冲层120。在缓冲层120上设置有源图案AP。在有源图案AP上设置包括栅电极GE的第一栅极金属图案。在有源图案AP和栅电极GE之间设置第一绝缘层130。第一绝缘层130可以被称为第一栅极绝缘层。
在栅电极GE上设置包括栅极布线图案GP的第二栅极金属图案。栅极布线图案GP可以包括电容器电极和/或用于传输驱动信号的信号布线等。在栅电极GE和栅极布线图案GP之间设置第二绝缘层140。第二绝缘层140可以被称为第二栅极绝缘层。在栅极布线图案GP上设置第三绝缘层150。第三绝缘层150可以被称为层间绝缘层。
在第三绝缘层150上设置源电极SE和漏电极DE。源电极SE和漏电极DE可以延伸贯穿(例如,可以穿过)设置在其下方的一个或多个绝缘层以电连接到(例如,以接触)有源图案AP。例如,源电极SE和漏电极DE可以延伸贯穿(例如,可以穿过)第一绝缘层130、第二绝缘层140和第三绝缘层150中的每一个,以接触有源图案AP的顶表面的一部分。在包括源电极SE和漏电极DE的第一源极金属图案上设置第四绝缘层160。在示例性实施例中,第四绝缘层160可以包括无机层162和设置在无机层162上的有机层164。第四绝缘层160可以被称为第一过孔绝缘层(first via insulation layer)。
在第四绝缘层160上设置包括连接电极CE的第二源极金属图案。连接电极CE可以电连接到(例如,可以接触)漏电极DE。第二源极金属图案还可以包括网格状电源线,以补偿施加到有机发光二极管的电流的电压降。在第二源极金属图案上设置第五绝缘层170。第五绝缘层170可以被称为第二过孔绝缘层。
在第五绝缘层170上设置有机发光二极管210。例如,在第五绝缘层170上可以设置有机发光二极管210的第一电极212。第一电极212可以电连接到(例如,可以接触)连接电极CE。在另一示例性实施例中,可以省略连接电极CE,并且第一电极212可以直接电连接到(例如,可以接触)漏电极DE。
在第一电极212上设置有机发光层214。例如,有机发光层214的至少一部分可以设置在像素限定层180的开口处(例如,设置在像素限定层180的开口中或者设置在像素限定层180的开口上)。在有机发光层214上设置第二电极216。
在第二电极216上设置封装层220。例如,封装层220可以具有包括至少一个有机薄膜和至少一个无机薄膜的堆叠结构。例如,如图3中所示,封装层220可以包括第一无机薄膜222、设置在第一无机薄膜222上的有机薄膜224以及设置在有机薄膜224上的第二无机薄膜226。然而,本发明构思不限于此。例如,在另一示例性实施例中,封装层220可以包括至少两个有机薄膜和至少三个无机薄膜,并且有机薄膜可以与无机薄膜交替地堆叠。
在示例性实施例中,在封装层220上可以设置触摸感测部(例如,触摸传感器)。例如,触摸感测部可以通过检测电容的变化来感测外部输入,从而获得外部输入的坐标信息。
例如,触摸感测部可以包括下部触摸绝缘层310、第一感测导电图案、触摸中间绝缘层330、第二感测导电图案以及保护层350。
第一感测导电图案可以设置在下部触摸绝缘层310上。第一感测导电图案可以包括桥接图案320。触摸中间绝缘层330可以设置在第一感测导电图案上。第二感测导电图案可以设置在触摸中间绝缘层330上。保护层350可以覆盖第二感测导电图案。
参照图3和图4,第二感测导电图案可以包括第一感测电极和第二感测电极。第一感测电极可以与第二感测电极电绝缘。例如,第一感测电极可以包括沿着第一方向D1布置的电极图案的阵列。第二感测电极可以包括沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2布置的电极图案的阵列。
例如,第一感测电极可以包括第一电极图案342a和第二电极图案342b,第一电极图案342a和第二电极图案342b沿着一个方向(例如,沿着第二方向D2)彼此间隔开。第一电极图案342a和第二电极图案342b可以通过延伸贯穿(例如,穿过)触摸中间绝缘层330的过孔电连接到(例如,可以接触)桥接图案320。因此,第一电极图案342a和第二电极图案342b可以(例如,通过桥接图案320)彼此电连接。
第二感测电极可以包括多个电极图案343以及设置在与电极图案343的层相同的层处(例如,设置在与电极图案343的层相同的层中或者设置在与电极图案343的层相同的层上)的连接部分344。连接部分344可以连接到(例如,连续地连接到)电极图案343。例如,连接部分344可以在多个电极图案343之间延伸,或者可以与多个电极图案343一体地形成,但是本发明构思不限于此。
本发明构思不限于图3和图4中所示的示例性实施例。例如,触摸感测部(例如,触摸传感器)可以具有如本领域技术人员已知的各种合适的配置。例如,在另一示例性实施例中,可以省略下部触摸绝缘层310。另外,在第一感测电极中的彼此相邻的电极图案可以连接到多个桥接图案。此外,第一感测电极和第二感测电极可以设置在彼此不同的层处(例如,设置在彼此不同的层中或者设置在彼此不同的层上),使得第一感测电极可以在没有桥接图案的情况下具有连续的形状(例如,可以具有一体的形状)。
图5是示出根据示例性实施例的显示装置的接合区域的沿着图2中的线I-I'截取的截面图。图6是示出图5的区域B的放大截面图。
参照图5,在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上),连接焊盘CP1和CP2设置在基体基底110上。在一个或多个示例性实施例中,连接焊盘CP1和CP2可以分别包括下部导电层CP1a和CP2a、第一中间导电层CP1b和CP2b、第二中间导电层CP1c和CP2c以及上部导电层CP1d和CP2d。
在示例性实施例中,第一连接焊盘CP1的下部导电层CP1a可以由与设置在显示区域DA(例如,参见图3)处(例如,设置在显示区域DA中或者设置在显示区域DA上)的第一栅极金属图案(例如,参见图3和图7)的层相同的层形成。例如,下部导电层CP1a可以设置在第一绝缘层130和第二绝缘层140之间。第二连接焊盘CP2的下部导电层CP2a可以由与设置在显示区域DA处(例如,设置在显示区域DA中或者设置在显示区域DA上)的第二栅极金属图案(例如,参见图3和图7)的层相同的层形成。例如,下部导电层CP2a可以设置在第二绝缘层140和第三绝缘层150之间。
连接焊盘CP1和CP2的第一中间导电层CP1b和CP2b可以由与设置在显示区域DA处(例如,设置在显示区域DA中或者设置在显示区域DA上)的第一源极金属图案(例如,参见图3和图9)的层相同的层形成。例如,第一中间导电层CP1b可以设置在第二绝缘层140和第三绝缘层150与第四绝缘层之间,并且第一中间导电层CP2b可以设置在第三绝缘层150与第四绝缘层之间。第四绝缘层可以包括无机层162而不包括有机层。
连接焊盘CP1和CP2的第二中间导电层CP1c和CP2c可以由与设置在显示区域DA处(例如,设置在显示区域DA中或者设置在显示区域DA上)的第二源极金属图案(例如,参见图3和图11)的层相同的层形成。例如,第二中间导电层CP1c和CP2c可以设置在第四绝缘层(例如,第四绝缘层的无机层162)上。
连接焊盘CP1和CP2的上部导电层CP1d和CP2d可以由与设置在显示区域DA处(例如,设置在显示区域DA中或者设置在显示区域DA上)的触摸感测部的感测导电图案的层相同的层形成。例如,上部导电层CP1d和CP2d可以由与第二感测导电图案(例如,参见图3)的层相同的层形成。
覆层(cladding layer)172设置在接合区域PA2处(例如,设置在接合区域PA2中或者设置在接合区域PA2上)以覆盖第二中间导电层CP1c和CP2c的至少一部分。在示例性实施例中,覆层172可以由与第五绝缘层170(例如,参见图3)的层相同的层形成,并且可以包括有机材料。在示例性实施例中,覆层172可以覆盖第二中间导电层CP1c和CP2c的至少侧表面。例如,如图5中所示,覆层172可以设置在第二中间导电层CP1c和CP2c之间,并且可以覆盖彼此面对的第二中间导电层CP1c和CP2c的至少侧表面。
在覆层172上可以设置包括无机材料的钝化层。例如,钝化层可以由与下部触摸绝缘层310(例如,参见图3)、触摸中间绝缘层330(例如,参见图3)或它们的组合的层相同的层形成。在示例性实施例中,钝化层可以包括下部钝化层312和上部钝化层332。钝化层可以延伸以部分地设置在上部导电层CP1d和CP2d下面。例如,钝化层可以与上部导电层CP1d和CP2d中的每个上部导电层部分地重叠。
包括驱动芯片的驱动部(例如,驱动器或驱动电路)DC可以附接到接合区域PA2(例如,接合在接合区域PA2上)。驱动部DC可以通过导电接合构件BP1和BP2附接到连接焊盘CP1和CP2(例如,接合在连接焊盘CP1和CP2上)并电连接到连接焊盘CP1和CP2。例如,导电接合构件BP1和BP2可以包括(例如,可以是)金属凸块。导电接合构件BP1和BP2可以电连接到连接焊盘CP1和CP2以及电连接到驱动部DC的连接端子CT1和CT2,使得驱动信号可以从驱动部DC传输到连接焊盘CP1和CP2。在另一示例性实施例中,包括导电球等的各向异性导电膜可以用于导电接合构件。
参照图6,第二中间导电层CP1c和CP2c中的每一个可以包括上层UL、中间层ML和下层LL。在示例性实施例中,上层UL和下层LL可以包括诸如以钛为例的具有相对小的电离倾向的金属。中间层ML可以包括诸如以铝为例的具有相对大的电离倾向的金属。
覆层172覆盖第二中间导电层CP1c和CP2c的至少侧表面。因此,上层UL的上表面的至少一部分可以被暴露而不被覆层172覆盖,并且中间层ML可以不被暴露。
在示例性实施例中,覆层172的厚度T2可以少于(例如,小于)第五绝缘层170的厚度T1(例如,参见图3)。因此,覆层172的上表面的高度可以低于上部导电层CP1d和CP2d的上表面的高度。在示例性实施例中,覆层172的上表面的高度可以低于第二中间导电层CP1c和CP2c的上表面的高度。例如,覆层172的厚度T2可以小于或等于1μm(例如,1微米),并且可以大于第二中间导电层CP1c和CP2c的厚度。
图7至图16是示出根据示例性实施例的用于制造显示装置的方法的截面图,其中,图8、图10、图12和图14是沿着图2中的线I-I'截取的截面图。
参照图7,在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上),在基体基底110上形成缓冲层120。
例如,基体基底110可以包括玻璃、石英、硅和/或聚合物材料等。在示例性实施例中,基体基底110可以是包括聚合物材料的柔性基底。例如,聚合物材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚酮、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚砜、聚酰亚胺或它们的组合。
缓冲层120可以防止或减少杂质、湿气和/或外部气体从基体基底110下方渗入,并且可以使基体基底110的上表面平坦化。例如,缓冲层120可以包括无机材料,诸如氧化硅和/或氮化硅等或它们的组合。
在缓冲层120上形成有源图案AP。
例如,有源图案AP可以包括半导体材料,诸如非晶硅、多晶硅(多晶硅,polysilicon)和/或金属氧化物等。当有源图案AP包括多晶硅时,有源图案AP的至少一部分可以掺杂有诸如以n型杂质或p型杂质为例的杂质。
在另一示例性实施例中,有源图案AP可以包括金属氧化物半导体。例如,有源图案AP可以包括双组分化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四组分化合物(ABxCyDz),双组分化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四组分化合物(ABxCyDz)可以包括铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和/或镁(Mg)等。例如,有源图案可以包括氧化锌(ZnOx)、氧化镓(GaOx)、氧化钛(TiOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌镁(ZMO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌锆(ZnZrxOy)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓铪(IGHO)、氧化锡铝锌(TAZO)和/或氧化铟镓锡(IGTO)等。
在有源图案AP上形成第一绝缘层130。在第一绝缘层130上形成包括栅电极GE的第一栅极金属图案。栅电极GE与有源图案AP重叠。第二绝缘层140被形成为覆盖第一栅极金属图案。在第二绝缘层140上形成包括栅极布线图案GP的第二栅极金属图案。
例如,第一绝缘层130和第二绝缘层140可以各自包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外,第一绝缘层130和第二绝缘层140可以包括绝缘金属氧化物,诸如以氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和/或氧化钛等为例。例如,第一绝缘层130和第二绝缘层140可以各自具有单层结构或多层结构,所述单层结构或多层结构可以包括氮化硅和/或氧化硅。
例如,第一栅极金属图案和第二栅极金属图案可以各自包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们的合金。第一栅极金属图案和第二栅极金属图案可以各自具有单层结构或者包括彼此堆叠的不同金属层的多层结构。
参照图8,在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)形成连接焊盘的下部导电层。
在示例性实施例中,第一连接焊盘的下部导电层CP1a可以由与第一栅极金属图案的层相同的层形成,并且第二连接焊盘的下部导电层CP2a可以由与第二栅极金属图案的层相同的层形成。因此,第一连接焊盘的下部导电层CP1a可以设置在第一绝缘层130和第二绝缘层140之间,并且第二连接焊盘的下部导电层CP2a可以设置在第二绝缘层140上。
此外,图2中所示的传输线TL1和TL2可以分别由与第一栅极金属图案和第二栅极金属图案的层相同的层形成,并且可以连接到(例如,可以连续地连接到)对应的下部导电层CP1a和CP2a。传输线TL1和TL2的至少一部分可以由与栅电极GE和栅极布线图案GP的层不同的层形成。例如,传输线TL1和TL2可以包括由与第一源极金属图案或第二源极金属图案的层相同的层形成的桥。
参照图9,第三绝缘层150形成在显示区域DA处(例如,形成在显示区域DA中或者形成在显示区域DA上)以覆盖第二栅极金属图案。此后,在第三绝缘层150上形成第一源极金属图案。第一源极金属图案可以包括电连接到(例如,电接触)有源图案AP的源电极SE和漏电极DE。例如,源电极SE和漏电极DE可以延伸贯穿(例如,可以穿过)第三绝缘层150、第二绝缘层140和第一绝缘层130以电连接到(例如,以电接触)有源图案AP。
参照图10,在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)形成连接焊盘的第一中间导电层。
在示例性实施例中,第一连接焊盘的第一中间导电层CP1b和第二连接焊盘的第一中间导电层CP2b可以由与包括源电极SE和漏电极DE的第一源极金属图案的层相同的层形成。因此,第一中间导电层CP1b和CP2b可以设置在第三绝缘层150上。
例如,第一连接焊盘的第一中间导电层CP1b可以延伸贯穿(例如,可以穿过)第三绝缘层150和第二绝缘层140以电连接到下部导电层CP1a。第二连接焊盘的第一中间导电层CP2b可以延伸贯穿(例如,可以穿过)第三绝缘层150以电连接到下部导电层CP2a。
参照图11,第四绝缘层160形成为覆盖第一源极金属图案。在示例性实施例中,第四绝缘层160可以包括设置在第一源极金属图案上的无机层162和设置在无机层162上的有机层164。例如,在示例性实施例中,第四绝缘层160的无机层162可以设置在第一源极金属图案和有机层164之间以接触第一源极金属图案,但是本发明构思不限于此。例如,在另一示例性实施例中,第四绝缘层160可以包括有机层164而不包括无机层162。
在第四绝缘层160上形成第二源极金属图案。第二源极金属图案可以包括电连接到(例如,电接触)漏电极DE的连接电极CE。例如,连接电极CE可以延伸贯穿(例如,可以穿过)第四绝缘层160以电连接到(例如,以电接触)漏电极DE。第二源极金属图案还可以包括网格状电源线以补偿施加到有机发光二极管的电流的电压降。
第五绝缘层170形成为覆盖第二源极金属图案。第五绝缘层170可以包括开口以暴露连接电极CE的上表面的至少一部分。
例如,第一源极金属图案和第二源极金属图案可以包括金、银、铝、铜、镍、铂、镁、铬、钨、钼、钛、钽或它们的合金,并且可以具有单层结构或包括不同金属层的多层结构。在示例性实施例中,第一源极金属图案和第二源极金属图案可以包括包含铝或铝合金的至少一层。例如,第一源极金属图案和第二源极金属图案可以各自具有钛/铝的双层结构或者钛/铝/钛的三层结构。
例如,第三绝缘层150和第四绝缘层160的无机层162中的每一个可以包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外,第三绝缘层150和第四绝缘层160的无机层162可以包括绝缘金属氧化物,诸如以氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆或氧化钛等为例。例如,第三绝缘层150和第四绝缘层160的无机层162可以各自具有单层结构或多层结构,所述单层结构或多层结构可以包括氮化硅和/或氧化硅。
例如,第五绝缘层170和第四绝缘层160的有机层164可以包括有机绝缘材料,诸如酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂和/或苯并环丁烯等。
参照图12,在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)形成连接焊盘的第二中间导电层。
在示例性实施例中,形成在第一中间导电层CP1b和CP2b上的第四绝缘层160可以包括无机层162而不包括有机层(例如,不包括有机层164)。例如,在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)使有机层164图案化的工艺期间,可以去除(例如,可以完全去除)设置在接合区域PA2处(例如,设置在接合区域PA2中或者设置在接合区域PA2上)的有机层164,或者在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)可以不设置有机层164。
第二中间导电层CP1c和CP2c可以形成在无机层162上,并且可以延伸贯穿(例如,可以穿过)无机层162以分别电连接到(例如,以电接触)第一中间导电层CP1b和CP2b。在示例性实施例中,第二中间导电层CP1c和CP2c可以由与连接电极CE的层相同的层形成。
在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)形成覆层172以覆盖第二中间导电层CP1c和CP2c的至少一部分。在示例性实施例中,覆层172可以由与第五绝缘层170的层相同的层形成。
例如,第五绝缘层170和覆层172可以通过使用半色调曝光的光刻工艺形成。例如,可以在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)以及在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)涂覆光致抗蚀剂组合物,并且可以将光致抗蚀剂组合物暴露于光,使得用于与第五绝缘层170对应的区域的光量与用于与覆层172对应的区域的光量不同。因此,第五绝缘层170和具有与第五绝缘层170的厚度不同的厚度的覆层172可以在相同或基本相同的工艺期间形成。
参照图13和图14,在第五绝缘层170和覆层172上形成下部电极层,并且可以使下部电极层图案化以在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)形成发光二极管的第一电极212。在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)可以去除(例如,可以完全去除)下部电极层211。
在示例性实施例中,下部电极层211可以具有包括金属氧化物层和金属层的多层结构。金属氧化物层可以包括例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡或它们的组合。金属层可以包括例如金、银、铝、铜、镍、铂、镁、铬、钨、钼、钛或它们的组合。
在示例性实施例中,下部电极层211可以包括银。当下部电极层211包括银时,在蚀刻下部电极层211的工艺的期间,银离子可以溶解在蚀刻剂中。当含银离子的蚀刻剂接触具有较大的电离倾向的铝时,可以通过电还原形成银颗粒。银颗粒可能被转移到第一电极212,可能污染剥离设备(strip apparatus),和/或可能造成在一个或多个后续工艺期间形成的触摸感测电极之间的短路。因此,可能使显示装置的可靠性劣化。
根据示例性实施例,覆层172覆盖连接焊盘的含铝层。因此,可以防止或基本上防止上面讨论的银颗粒及由其产生的问题。因此,可以提高显示装置的可靠性。
参照图15,在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)形成像素限定层180。像素限定层180可以具有暴露第一电极212的至少一部分的开口。例如,像素限定层180可以包括可用于形成第五绝缘层170等的有机绝缘材料。
在第一电极212上形成有机发光层214。例如,在像素限定层180的开口处(例如,在像素限定层180的开口中或者在像素限定层180的开口上)可以形成有机发光层214。但是,本发明构思不限于此。例如,有机发光层214可以在像素限定层180的上表面上方延伸,和/或有机发光层214可以形成为公共层,该公共层在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)延伸遍及多个像素。
有机发光层214可以包括至少发光层,并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。例如,有机发光层214可以包括低分子量有机化合物或高分子量有机化合物。
在示例性实施方式中,有机发光层214可以发射红光、绿光或蓝光。在另一示例性实施例中,有机发光层214可以发射白光。当有机发光层214发射白光时,有机发光层214可以具有包括红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的多层结构,或者有机发光层214可以具有包括红色发射材料、绿色发射材料和蓝色发射材料的混合物的单层结构。
在有机发光层214上形成第二电极216。第二电极216可以形成为公共层,该公共层在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)延伸遍及多个像素。
在示例性实施例中,第二电极216可以用作阴极。例如,根据显示装置的发射类型,第二电极216可以形成为透射电极或反射电极。例如,当第二电极216是透射电极时,第二电极216可以包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂、铝、镁、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡或它们的组合。
封装层220可以设置在第二电极216上。例如,封装层220可以包括第一无机薄膜222、设置在第一无机薄膜222上的有机薄膜224以及设置在有机薄膜224上的第二无机薄膜226。
例如,有机薄膜224可以包括诸如聚丙烯酸酯等的凝固树脂。例如,凝固树脂可以通过单体的交联反应形成。例如,无机薄膜222和226可以包括无机材料,诸如氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和/或氧化钛等。
像素限定层180、有机发光层214、第二电极216和封装层220可以不形成在接合区域PA2处(例如,不形成在接合区域PA2中或者不形成在接合区域PA2上),或者可以在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)去除像素限定层180、有机发光层214、第二电极216和封装层220。
在示例性实施例中,在封装层220上可以形成触摸感测部(例如,触摸传感器)。
例如,在封装层220上可以形成下部触摸绝缘层310。在下部触摸绝缘层310上可以形成第一感测导电图案。第一感测导电图案可以包括桥接图案320。在第一感测导电图案上可以形成触摸中间绝缘层330。可以穿过触摸中间绝缘层330形成过孔以暴露桥接图案320。
参照图16,在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上),在第二中间导电层CP1c和CP2c以及覆层172上形成钝化层。例如,钝化层可以包括由与下部触摸绝缘层310的层相同的层形成的下部钝化层312以及由与触摸中间绝缘层330的层相同的层形成的上部钝化层332。钝化层可以具有暴露第二中间导电层CP1c和CP2c的过孔。
此后,如图3和图5中所示,在显示区域DA处(例如,在显示区域DA中或者在显示区域DA上)形成第二感测导电图案,并且在接合区域PA2处(例如,在接合区域PA2中或者在接合区域PA2上)形成连接焊盘CP1和CP2的上部导电层CP1d和CP2d。上部导电层CP1d和CP2d可以延伸贯穿(例如,可以穿过)钝化层以电连接到(例如,以电接触)第二中间导电层CP1c和CP2c。
下部触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以各自包括无机绝缘材料。例如,下部触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以各自包括氧化硅、氮化硅、碳化硅或它们的组合。此外,下部触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以包括绝缘金属氧化物,诸如以氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和/或氧化钛等为例。在示例性实施例中,下部触摸绝缘层310和触摸中间绝缘层330可以包括氮化硅。
第一感测导电图案和第二感测导电图案包括导电材料。例如,第一感测导电图案和第二感测导电图案可以各自包括金属、导电金属氧化物、导电聚合物、石墨烯、碳纳米管或它们的组合。例如,所述金属可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。例如,可以提供金属以具有连续的薄膜或纳米线的形状。例如,所述导电金属氧化物可以包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌锡、氧化铟、氧化锌、氧化锡或它们的组合。第一感测导电图案和第二感测导电图案可以各自具有单层结构或包括不同材料的多层结构。
此后,包括驱动芯片的驱动部(例如,驱动器或驱动电路)DC可以附接到接合区域PA2(例如,可以接合在接合区域PA2上)。在示例性实施例中,驱动部DC可以通过热压和/或超声波焊接等附接到接合区域PA2(例如,可以接合在接合区域PA2上),并且可以通过导电接合构件BP1和BP2电连接到连接焊盘CP1和CP2。
根据一个或多个示例性实施例,包括有机材料的覆层172不暴露于外界(例如,不暴露于外部)。因此,可以防止或基本上防止覆层172在具有高湿度和/或高温的环境中吸收湿气和/或膨胀。因此,可以防止或减少诸如以连接焊盘和接合构件的界面分离为例的接合缺陷。
此外,覆层172具有减小的厚度。因此,可以防止或基本上防止覆层172的突出。因此,可以减小由覆层172的膨胀造成的影响,并且可以增大连接焊盘和接合构件的接触面积。
图17和图18是示出根据各种示例性实施例的显示装置的截面图。
参照图17,设置在接合区域PA2处(例如,设置在接合区域PA2中或者设置在接合区域PA2上)的连接焊盘CP1和CP2可以分别包括下部导电层CP1a和CP2a、第一中间导电层CP1b和CP2b、第二中间导电层CP1c和CP2c、第三中间导电层CP1e和CP2e以及上部导电层CP1d和CP2d。
在示例性实施例中,第一连接焊盘CP1的下部导电层CP1a可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第一栅极金属图案的层相同的层形成。例如,下部导电层CP1a可以设置在第一绝缘层130和第二绝缘层140之间。第二连接焊盘CP2的下部导电层CP2a可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第二栅极金属图案的层相同的层形成。例如,下部导电层CP2a可以设置在第二绝缘层140和第三绝缘层150之间。
连接焊盘CP1和CP2的第一中间导电层CP1b和CP2b可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第一源极金属图案的层相同的层形成。例如,第一中间导电层CP1b可以设置在第二绝缘层140和第三绝缘层150与第四绝缘层之间,并且第一中间导电层CP2b可以设置在第三绝缘层150和第四绝缘层之间。第四绝缘层可以包括无机层162而不包括有机层。
连接焊盘CP1和CP2的第二中间导电层CP1c和CP2c可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第二源极金属图案的层相同的层形成。例如,第二中间导电层CP1c和CP2c可以设置在第四绝缘层上。
连接焊盘CP1和CP2的第三中间导电层CP1e和CP2e可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的触摸感测部的感测导电图案的层相同的层形成。例如,第三中间导电层CP1e和CP2e可以由与第一感测导电图案的层相同的层形成。
连接焊盘CP1和CP2的上部导电层CP1d和CP2d可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的触摸感测部的感测导电图案的层相同的层形成。例如,上部导电层CP1d和CP2d可以由与第二感测导电图案的层相同的层形成。
覆层172设置在接合区域PA2处(例如,设置在接合区域PA2中或者设置在接合区域PA2上)以覆盖第二中间导电层CP1c和CP2c的至少一部分。在示例性实施例中,覆层172可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第五绝缘层的层相同的层形成,并且可以包括有机材料。在示例性实施例中,覆层172可以覆盖第二中间导电层CP1c和CP2c的至少侧表面。
包括无机材料的钝化层可以设置在覆层172上。例如,钝化层可以由与下部触摸绝缘层310(例如,参见图3)、触摸中间绝缘层330(例如,参见图3)或它们的组合的层相同的层形成。在示例性实施例中,钝化层可以包括下部钝化层312和上部钝化层332。钝化层可以延伸为部分地设置在上部导电层CP1d和CP2d下面。
在示例性实施例中,第三中间导电层CP1e和CP2e可以部分地设置在下部钝化层312和上部钝化层332之间。
参照图18,设置在接合区域PA2处(例如,设置在接合区域PA2中或者设置在接合区域PA2上)的连接焊盘CP1和CP2可以分别包括下部导电层CP1a和CP2a、中间导电层CP1b和CP2b以及上部导电层CP1d和CP2d。
在示例性实施例中,第一连接焊盘CP1的下部导电层CP1a可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第一栅极金属图案的层相同的层形成。例如,下部导电层CP1a可以设置在第一绝缘层130和第二绝缘层140之间。第二连接焊盘CP2的下部导电层CP2a可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第二栅极金属图案的层相同的层形成。例如,下部导电层CP2a可以设置在第二绝缘层140和第三绝缘层150之间。
连接焊盘CP1和CP2的中间导电层CP1b和CP2b可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的第一源极金属图案或第二源极金属图案的层相同的层形成。
连接焊盘CP1和CP2的上部导电层CP1d和CP2d可以由与设置在显示区域处(例如,设置在显示区域中或者设置在显示区域上)的触摸感测部的感测导电图案的层相同的层形成。例如,上部导电层CP1d和CP2d可以由与第二感测导电图案的层相同的层形成。
覆层172设置在接合区域PA2处(例如,设置在接合区域PA2中或者设置在接合区域PA2上)以覆盖中间导电层CP1b和CP2b的至少一部分。在示例性实施例中,覆层172可以包括有机材料。在示例性实施例中,覆层172可以覆盖中间导电层CP1b和CP2b的至少侧表面。
在覆层172上可以设置包括无机材料的钝化层。例如,钝化层可以由与下部触摸绝缘层310(例如,参见图3)、触摸中间绝缘层330(例如,参见图3)或它们的组合的层相同的层形成。在示例性实施例中,钝化层可以包括下部钝化层312和上部钝化层332。钝化层可以延伸为部分地设置在上部导电层CP1d和CP2d下面。
如图17和图18中所示,在一个或多个示例性实施例中的连接焊盘可以具有各种配置。然而,本发明构思不限于在本文中描述的示例性实施例中所示的示例,并且在本发明构思的精神和范围内,连接焊盘可以具有如本领域技术人员将已知的各种合适的或期望的配置。
例如,当显示装置的触摸感测部(例如,触摸传感器)不包括下部触摸绝缘层时,在接合区域处(例如,在接合区域中或者在接合区域上)的钝化层可以具有单层结构。
例如,用于形成连接焊盘的上部导电层的层不限于用于形成具有电容型的触摸感测部(例如,触摸传感器)的导电层,并且用于形成具有各种合适的类型或传感器的触摸感测部(例如,触摸传感器)的导电层可以用于形成上部导电层。
例如,用于形成覆层的层不限于第二过孔绝缘层。覆层可以由与第一过孔绝缘层的层相同的层形成,或者可以单独地形成。
例如,第一连接焊盘的下部导电层和第二连接焊盘的下部导电层可以由相同的层形成。
此外,本发明构思不限于包括连接焊盘的显示装置,该连接焊盘包括含铝层。例如,连接焊盘可以包括各种合适的或期望的金属或它们的合金。
本发明构思的一个或多个示例性实施例可以应用于各种显示装置。在示例性实施例中,例如,一个或多个示例性实施例可以应用于车辆显示装置、轮船显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示和/或用于信息传输的显示装置和/或医疗显示装置等。
前述内容是对示例性实施例的说明,且不被解释为对示例性实施例的限制。尽管已经描述了一些示例性实施例,但是本领域技术人员将易于理解,在不脱离本发明构思的方面和特征的情况下,在示例性实施例中能够做出各种修改。因此,所有这些修改旨在被包括在本发明构思的精神和范围内。因此,将理解的是,前述内容是对各种示例性实施例的说明,并且将不被解释为限于本文中所公开的具体示例性实施例,并且对所公开的示例性实施例以及其他示例性实施例的各种修改旨在被包括在如在本公开及其等同物中所阐述的本发明构思的精神和范围内。
Claims (23)
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
发光元件,在显示区域处;
驱动元件,电连接到所述发光元件;
封装层,覆盖所述发光元件;
触摸传感器,在所述封装层上;
连接焊盘,在接合区域处,所述连接焊盘包括下部导电层、在所述下部导电层上的中间导电层以及在所述中间导电层上的上部导电层;
覆层,覆盖所述中间导电层的至少侧表面并且包括有机材料;
钝化层,覆盖所述覆层的上表面并且包括无机材料,所述钝化层的一部分位于所述上部导电层下面;以及
驱动电路,附接到所述连接焊盘。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述驱动元件包括:
栅极金属图案,包括栅电极;和
源极金属图案,包括漏电极或者将所述漏电极电连接到所述发光元件的连接电极,并且
其中,所述触摸传感器包括感测导电图案。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述下部导电层由与所述栅极金属图案的层相同的层形成,所述中间导电层由与所述源极金属图案的层相同的层形成,并且所述上部导电层由与所述感测导电图案的层相同的层形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述源极金属图案包括:包括所述漏电极的第一源极金属图案以及包括所述连接电极的第二源极金属图案,并且
其中,所述中间导电层包括:由与所述第一源极金属图案的层相同的层形成的第一中间导电层以及由与所述第二源极金属图案的层相同的层形成的第二中间导电层。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述连接焊盘还包括:在所述第二中间导电层和所述上部导电层之间的第三中间导电层。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述触摸传感器包括:
下部触摸绝缘层;
第一感测导电图案,在所述下部触摸绝缘层上;
触摸中间绝缘层,覆盖所述第一感测导电图案;以及
第二感测导电图案,在所述触摸中间绝缘层上,并且
其中,所述上部导电层由与所述第二感测导电图案的层相同的层形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述钝化层由与所述下部触摸绝缘层、所述触摸中间绝缘层或它们的组合的层相同的层形成。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述覆层由覆盖所述源极金属图案的有机绝缘层形成,并且所述覆层的厚度小于所述有机绝缘层的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述覆层的所述厚度小于或等于1μm。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述中间导电层具有包括含铝层的多层结构。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述发光元件的第一电极包括银。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述连接焊盘通过接触所述上部导电层的导电接合构件电连接到所述驱动电路。
13.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
像素阵列,在显示区域处;
连接焊盘,在接合区域处,所述连接焊盘包括下部导电层、在所述下部导电层上的中间导电层以及在所述中间导电层上的上部导电层;
覆层,覆盖所述中间导电层的至少侧表面并且包括有机材料;
钝化层,覆盖所述覆层的上表面并且包括无机材料,所述钝化层的一部分位于所述上部导电层下面;以及
驱动电路,附接到所述连接焊盘。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中:
所述像素阵列包括发光元件和电连接到所述发光元件的驱动元件;
所述驱动元件包括:
栅极金属图案,包括栅电极;和
源极金属图案,包括:
漏电极;或
连接电极,将所述漏电极电连接到所述发光元件;
触摸传感器在所述像素阵列上,并且包括感测导电图案;并且
所述下部导电层由与所述栅极金属图案的层相同的层形成,所述中间导电层由与所述源极金属图案的层相同的层形成,并且所述上部导电层由与所述感测导电图案的层相同的层形成。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述覆层由覆盖所述源极金属图案的有机绝缘层形成,并且所述覆层的厚度小于所述有机绝缘层的厚度。
16.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述中间导电层具有包括含铝层的多层结构。
17.一种用于制造显示装置的方法,所述显示装置包括在显示区域处的发光元件、电连接到所述发光元件的驱动元件以及在接合区域处的连接焊盘,其中,所述方法包括:
形成所述连接焊盘的下部导电层;
形成所述连接焊盘的中间导电层以电接触所述下部导电层;
形成覆层以覆盖所述中间导电层的侧表面,同时暴露所述中间导电层的上表面;
形成钝化层以覆盖所述覆层的上表面;以及
形成所述连接焊盘的上部导电层以电接触所述中间导电层。
18.根据权利要求17所述的方法,其中:
所述下部导电层由与所述驱动元件的栅电极的层相同的层形成;并且
所述中间导电层由与所述驱动元件的漏电极的层相同的层或者由与连接电极的层相同的层形成,所述连接电极将所述漏电极电连接到所述发光元件。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,所述显示装置还包括:
封装层,覆盖所述发光元件;和
触摸传感器,在所述封装层上并且包括感测导电图案,并且
其中,所述上部导电层由与所述感测导电图案的层相同的层形成。
20.根据权利要求19所述的方法,其中,所述触摸传感器包括:
下部触摸绝缘层;
第一感测导电图案,在所述下部触摸绝缘层上;
触摸中间绝缘层,覆盖所述第一感测导电图案;以及
第二感测导电图案,在所述触摸中间绝缘层上,并且
其中,所述上部导电层由与所述第二感测导电图案的层相同的层形成。
21.根据权利要求20所述的方法,其中,所述钝化层由与所述下部触摸绝缘层、所述触摸中间绝缘层或它们的组合的层相同的层形成。
22.根据权利要求18所述的方法,其中,所述覆层由覆盖所述驱动元件的源极金属图案的有机绝缘层形成,并且所述覆层具有小于所述有机绝缘层的厚度的厚度。
23.根据权利要求17所述的方法,其中,所述中间导电层具有包括含铝层的多层结构。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190088190A KR20210011529A (ko) | 2019-07-22 | 2019-07-22 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR10-2019-0088190 | 2019-07-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112289826A true CN112289826A (zh) | 2021-01-29 |
Family
ID=71728573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010705100.XA Pending CN112289826A (zh) | 2019-07-22 | 2020-07-21 | 显示装置和用于制造显示装置的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11700758B2 (zh) |
EP (1) | EP3770965B1 (zh) |
JP (1) | JP7469943B2 (zh) |
KR (1) | KR20210011529A (zh) |
CN (1) | CN112289826A (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220365615A1 (en) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | Cambrios Film Solutions Corporation | On-cell touch display and preparing method thereof |
KR20230003702A (ko) * | 2021-06-29 | 2023-01-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20240020765A (ko) * | 2022-08-08 | 2024-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050097000A (ko) | 2004-03-30 | 2005-10-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
KR100742376B1 (ko) | 2005-09-30 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 패드부 및 그 제조 방법 |
CN101971235B (zh) * | 2008-03-04 | 2013-09-18 | 夏普株式会社 | 显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板 |
US8803861B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-08-12 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical systems device |
KR20140094880A (ko) * | 2013-01-23 | 2014-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102054671B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2019-12-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
JP6310668B2 (ja) | 2013-10-02 | 2018-04-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
KR20150073297A (ko) | 2013-12-20 | 2015-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법 |
KR102637068B1 (ko) | 2016-06-01 | 2024-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US10510821B2 (en) | 2016-06-10 | 2019-12-17 | Innovation Counsel Llp | Display device |
KR102654925B1 (ko) | 2016-06-21 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20180002123A (ko) | 2016-06-28 | 2018-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102007435B1 (ko) | 2016-08-02 | 2019-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시모듈 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
JP6756538B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2020-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20180036434A (ko) | 2016-09-30 | 2018-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101926527B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2018-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20180076006A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102438256B1 (ko) * | 2017-06-07 | 2022-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 스크린을 갖는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102370406B1 (ko) * | 2017-07-10 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP6942602B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2021-09-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
KR102476102B1 (ko) | 2017-11-17 | 2022-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조방법 |
KR102503732B1 (ko) | 2017-11-30 | 2023-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200128253A (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
-
2019
- 2019-07-22 KR KR1020190088190A patent/KR20210011529A/ko active Search and Examination
-
2020
- 2020-04-01 JP JP2020065785A patent/JP7469943B2/ja active Active
- 2020-04-22 US US16/855,646 patent/US11700758B2/en active Active
- 2020-07-20 EP EP20186621.7A patent/EP3770965B1/en active Active
- 2020-07-21 CN CN202010705100.XA patent/CN112289826A/zh active Pending
-
2023
- 2023-07-10 US US18/349,943 patent/US20230363237A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7469943B2 (ja) | 2024-04-17 |
US20230363237A1 (en) | 2023-11-09 |
KR20210011529A (ko) | 2021-02-02 |
US11700758B2 (en) | 2023-07-11 |
EP3770965A3 (en) | 2021-05-05 |
JP2021018415A (ja) | 2021-02-15 |
EP3770965A2 (en) | 2021-01-27 |
EP3770965B1 (en) | 2024-04-03 |
US20210028241A1 (en) | 2021-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2835831B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
US10886326B2 (en) | Display device | |
US11177340B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US20230363237A1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
KR102601293B1 (ko) | 표시 장치, 표시 장치의 검사 장치 및 표시 장치의 검사 방법 | |
CN106249936B (zh) | 平板显示设备 | |
US20230255073A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US11444146B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US11387288B2 (en) | Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same | |
KR20200133890A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US11502158B2 (en) | Display device including fan-out wiring arranged in peripheral area adjacent to display area and also being disposed in sealing area surrounding display area | |
US11054955B2 (en) | Display device | |
US20210111238A1 (en) | Display device including a sealing area overlapping transfer wirings | |
KR20210074549A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
US11586258B2 (en) | Bonding structure and display device including the same | |
KR20220091134A (ko) | 표시 패널 | |
KR20210080811A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
KR20210065281A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US11991908B2 (en) | Display device having an expansion pattern connected to a power transfer wiring | |
CN112817472B (zh) | 触摸显示装置及其制造方法 | |
US11569331B2 (en) | Display device including a single layer upper pad of a connection pad and method for manufacturing display device | |
CN113421903B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
US20220406861A1 (en) | Electroluminescent Display Device | |
KR20240002288A (ko) | 표시 장치 | |
KR20230068049A (ko) | 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |