CN112289247A - 具有传感器区域的显示设备 - Google Patents

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李承澯
金建熙
洪性珍
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Abstract

本发明公开了具有传感器区域的显示设备。显示设备包括显示面板，该显示面板包括主区域和传感器区域。传感器器件在显示面板的厚度方向上与显示面板的传感器区域重叠。显示面板包括布置在传感器区域中的第一子像素和布置在主区域中的第二子像素。第一子像素中的每个的晶体管的数量不同于第二子像素中的每个的晶体管的数量。

Description

具有传感器区域的显示设备
技术领域
本公开涉及显示设备，并且更具体地，涉及具有传感器区域的显示设备。
背景技术
显示设备正以各种各样的不同的形式变得更广泛地使用。例如，显示设备已经适于在诸如智能电话、数码相机、笔记本/膝上型计算机、导航设备、智能和传统电视(TV)等的各种电子设备中使用。传统显示设备可以包括显示面板，该显示面板包括连接到扫描线、数据线和电源线的多个像素，以便显示图像。显示设备可以进一步包括各种传感器器件，例如用于检测附近用户的存在的接近传感器、用于检测亮度的照度传感器以及用于识别用户虹膜的虹膜传感器。传感器器件可以被布置在提供在显示设备的前面的孔中，以便与显示面板不重叠。
同时，随着显示设备的类型和功能多样化，对各种设计的显示设备的需求增加。例如，对于智能电话，显示设备可以在显示区域内具有用于容纳各种传感器器件的孔或槽口，使得传感器器件不需要被布置在显示区域的外围，从而提供加宽的显示区域。一些其他的显示设备可以通过将传感器布置成与显示区域至少部分地重叠来避免对孔和槽口的需要。然而，如果传感器器件被布置成与显示面板至少部分地重叠，则传感器器件的感测能力可能由于传感器器件被显示面板的像素、扫描线、数据线和电源线隐藏而降低。
发明内容
显示设备包括显示面板，该显示面板包括主区域和传感器区域。多个传感器器件在显示面板的厚度方向上与显示面板的传感器区域至少部分地重叠。显示面板包括布置在传感器区域中的第一子像素和布置在主区域中的第二子像素，并且第一子像素中的每个的晶体管的数量不同于第二子像素中的每个的晶体管的数量。
第一子像素中的每个的晶体管的数量可以小于第二子像素中的每个的晶体管的数量。
显示面板可以进一步包括扫描线、数据线和发射线。第一子像素和第二子像素每个可以包括：驱动晶体管，根据施加到驱动晶体管的栅电极的数据电压，控制从驱动晶体管的第一电极流向第二电极的驱动电流；发光元件，连接到驱动晶体管的第二电极；第一晶体管，由来自扫描线中的一条的扫描信号导通，以将驱动晶体管的栅电极与施加有初始化电压的初始化电压线连接；第二晶体管，由来自扫描线中的另一条的扫描信号导通，以将驱动晶体管的第一电极与数据线中的一条连接；第三晶体管，由来自扫描线中的又一条的扫描信号导通，以将驱动晶体管的栅电极和第二电极连接；第四晶体管，由来自发射线中的一条的发射信号导通，以将驱动晶体管的第一电极与施加有第一驱动电压的第一驱动电压线连接；以及第五晶体管由该发射信号导通，以将驱动晶体管的第二电极与发光元件连接。
第二子像素中的每个可以进一步包括：由来自扫描线中的再一条的扫描信号导通以将发光元件的第一电极与初始化电压线连接的第六晶体管。
显示面板可以进一步包括与第一子像素和第二子像素至少部分地重叠并施加有扫描信号的扫描线。与第一子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的数量可以不同于与第二子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的数量。
与第一子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的数量可以小于与第二子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的数量。
显示面板可以进一步包括布置在传感器区域中并且与第一子像素不重叠的透光区域。
透光区域可以至少部分地被第一子像素围绕。
显示面板可以进一步包括在透光区域与第一子像素之间的布线区域中连接到扫描线中的一条并与扫描线布置在不同的层中的第一扫描连接线。
显示面板可以进一步包括布置在第一扫描连接线与连接到第一扫描连接线的扫描线之间的绝缘膜。第一扫描连接线可以通过贯穿绝缘膜的接触孔连接到该第一扫描连接线连接的扫描线。
显示面板可以进一步包括：与第一子像素和第二子像素至少部分地重叠并施加有初始化电压的初始化电压线，与第一子像素和第二子像素至少部分地重叠并施加有数据电压的数据线，以及与第一子像素和第二子像素至少部分地重叠并施加有第一驱动电压的第一驱动电压线。
显示面板可以进一步包括在布线区域中连接到第一驱动电压线中的一条并与第一驱动电压线布置在不同的层中的电源连接线。
数据线中的一条可以在布线区域中与初始化电压线中的一条或第一扫描连接线至少部分地重叠。
电源连接线可以与扫描线中的一条至少部分地重叠。
显示面板可以进一步包括布置在电源连接线与第一驱动电压线中的一条之间的绝缘膜。电源连接线可以通过贯穿绝缘膜的接触孔连接到该电源连接线连接的第一驱动电压线。
电源连接线可以被布置在数据线和第一驱动电压线上。数据线和第一驱动电压线可以被布置在初始化电压线与第一扫描连接线上。初始化电压线和第一扫描连接线可以被布置在扫描线上。
显示面板可以进一步包括连接到初始化电压线中的一条并且可以与初始化电压线布置在不同的层中的初始化连接线。
数据线中的一条可以在布线区域中与初始化连接线或第一扫描连接线至少部分地重叠。
显示面板可以进一步包括布置在初始化连接线与初始化电压线中的一条之间的绝缘膜。初始化连接线可以通过贯穿绝缘膜的接触孔连接到该初始化连接线连接的初始化电压线。
电源连接线可以被布置在数据线和第一驱动电压线上。数据线和第一驱动电压线可以被布置在扫描线上。扫描线可以被布置在初始化连接线和第一扫描连接线上。
显示面板可以进一步包括连接到扫描线中的另一条并与扫描线布置在不同的层中的第二扫描连接线、与第一子像素和第二子像素至少部分地重叠并施加有发射信号的发射线、以及连接到发射线中的一条并与发射线布置在不同的层中的发射连接线。
在布线区域中，数据线中的一条可以与第二扫描连接线至少部分地重叠，并且数据线中的另一条可以与发射连接线至少部分地重叠。
第二扫描连接线和发射连接线可以被布置在同一层中。
电源连接线可以被布置在数据线和第一驱动电压线上。数据线和第一驱动电压线可以被布置在初始化电压线和第一扫描连接线上。初始化电压线和第一扫描连接线可以被布置在扫描线和发射线上。扫描线和发射线可以被布置在第二扫描连接线和发射连接线上。
显示面板可以进一步包括连接到第一驱动电压线的电压连接线。
第一驱动电压线可以主要在第一方向上延伸。电压连接线可以主要在第二方向上延伸。
电压连接线可以被布置在第一驱动电压线上。
第一驱动电压线可以被布置在电压连接线上。
电压连接线可以与初始化电压线布置同一层中，并且可以被布置在扫描线上。
初始化电压线可以被布置在电压连接线上，并且可以与扫描线布置在同一层中。
第一驱动电压线可以与电压连接线布置在同一层中。
显示设备包括：包括主区域和传感器区域的显示面板；以及在显示面板的厚度方向上与显示面板的传感器区域至少部分地重叠的传感器器件。显示面板包括布置在传感器区域中的第一子像素。第二子像素被布置在主区域中。第一驱动电压线与第一子像素和第二子像素至少部分地重叠并施加有第一驱动电压。电源连接线连接到第一驱动电压线，并与第一驱动电压线布置在不同的层中。
显示设备包括：透光区域；至少部分地围绕透光区域的多个子像素；连接到子像素的第一导线；在透光区域与子像素之间的布线区域中连接到第一导线的第二导线。第一导线与第二导线布置在不同的层中。
附图说明
通过参考附图具体描述本公开的示例性实施例，本公开的更全面理解将变得更明显，在附图中：
图1是图示根据本公开的示例性实施例的显示设备的透视图；
图2是图示图1的显示设备的分解透视图；
图3是图示图1的显示设备的显示面板的平面图；
图4是图示图1的显示设备的显示面板和显示驱动电路的框图；
图5是图示图1的显示设备的传感器区域中的第一子像素、扫描线、数据线和第一驱动电压线的平面图；
图6是图示图1的显示设备的主区域中的第二子像素、扫描线、数据线和第一驱动电压线的平面图；
图7是图示示例性第一子像素的电路图；
图8是图示示例性第二子像素的电路图；
图9是图示图7的第一子像素的平面图；
图10是图示图8的第二子像素的平面图；
图11是沿图9和图10的线I-I’截取的截面图；
图12是沿图9的线II-II’截取的截面图；
图13是沿图10的线III-III’截取的截面图；
图14是图示图5的区域A的平面图；
图15是沿图14的线IV-IV’截取的截面图；
图16是图示图5的区域A的平面图；
图17是沿图16的线Ⅷ-Ⅷ’截取的截面图；
图18是图示图5的区域A的平面图；
图19是沿图18的线Ⅴ-Ⅴ’截取的截面图；
图20是图示图5的区域A的平面图；
图21是沿图20的线ⅤI-ⅤI’截取的截面图；
图22是图示图1的显示设备的传感器区域中的像素、扫描线、数据线和第一驱动电压线的平面图；
图23是图示图22的区域B的平面图；并且
图24是沿图23的线VII-VII’截取的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式体现，并且不应当被认为唯一地限于本文所提出的示例性实施例。在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以指示相同或对应的组件，并且因此在这个意义上可以省略元件的描述，可以假定该元件至少与说明书中其他地方描述的对应元件类似。在附图中，为清楚起见，可以夸大层和区域的大小和厚度。因此，尽管附图中层和区域的相对大小和厚度可以说明特定实施例，但为清楚起见，也可以夸大这些元件。
还将理解，当层或元件被称为在另一层或元件“上”时，该元件或层可以直接在另一层或元件上，或者可以存在中间层或元件。
在下文中，将参考附图描述本发明的示例性实施例。
图1是图示根据本公开的示例性实施例的显示设备的透视图。
参考图1和图2，显示设备10包括覆盖窗100、显示面板300、显示电路板310、显示驱动电路320、柔性膜390、支架600、主电路板700、传感器器件(740、750、760和770)以及下盖/外壳900。
本文中使用的术语“上方”、“顶部”和“顶表面”表示覆盖窗100相对于显示面板300布置的方向，即，Z轴方向。本文中使用的术语“下方”、“底部”和“底表面”表示支架600相对于显示面板300布置的方向，即，Z轴方向的相反方向。此外，本文中使用的术语“左”、“右”、“上”和“下”表示从显示面板300上方观察的方向。例如，术语“左”表示X轴方向的相反方向，术语“右”表示X轴方向，术语“上”表示Y轴方向，并且术语“下”表示Y轴方向的相反方向。
作为用于显示运动图像或静态图像的设备的显示设备10可以不仅用于诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备或超级移动PC(UMPC)的便携式电子设备中，而且用于诸如电视(TV)、笔记本/膝上型计算机、计算机监视器、电子广告牌或物联网(IoT)设备的各种其他产品中。
显示设备10在平面图中可以具有基本矩形形状。例如，如图1和图2中所示，显示设备10可以具有基本矩形形状，该矩形形状具有主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的一对短边和主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的一对长边。显示设备10的短边和长边相交的拐角可以被倒圆角以具有预定曲率(以便形成圆角矩形)或者可以是直角的(以便形成正规矩形)。显示设备10的形状没有特别限制，并且显示设备10可以以各种其他多边形形状或以圆形或椭圆形形状形成。
显示设备10可以包括形成为平坦的第一区域DR1以及可以具有从第一区域DR1的左侧和右侧延伸的两个部分的第二区域DR2。第二区域DR2可以是平坦的或沿Z轴向下弯曲的。在第二区域DR2是平坦的情况下，第一区域DR1和第二区域DR2形成的角可以是钝角。在第二区域DR2弯曲的情况下，第二区域DR2可以具有均匀或可变的曲率。
图1图示了第二区域DR2从第一区域DR1的左侧和右侧延伸，但本公开并不限于此。可替代地，第二区域DR2可以仅从第一区域DR1的左侧和右侧中的一个延伸。又一可替代地，第二区域DR2可以不仅从第一区域DR1的左侧和右侧延伸，而且从第一区域DR1的上侧和下侧延伸。为了方便起见，在下文中第二区域DR2将被描述为布置在显示设备10的左侧和右侧。
覆盖窗100可以被布置在显示面板300上以覆盖显示面板300的顶表面。因此，覆盖窗100可以保护显示面板300的顶表面免受冲击和污染。
覆盖窗100可以被布置在第一区域DR1和第二区域DR2中。覆盖窗100可以包括与显示面板300相对应的第一透光区域DA100和第二透光区域SDA100、以及与除了显示面板300以外的区域相对应的遮光区域NDA100。第二透光区域SDA100可以被布置在第一透光区域DA100的一侧，例如，在第一透光区域DA100的上侧，如图1和图2中所示。第一透光区域DA100和第二透光区域SDA100可以被布置在第一区域DR1和第二区域DR2中。遮光区域NDA100可以是不透明的。遮光区域NDA100可以是当不显示图像时可以被用户看到的装饰层。
显示面板300可以被布置在覆盖窗100下方。显示面板300可以被布置在第一区域DR1和第二区域DR2两者中。因此，由显示面板300显示的图像不仅可以在第一区域DR1中被看到，而且可以在第二区域DR2中被看到。例如，通过覆盖窗100，由显示面板300显示的图像不仅可以在显示设备10的顶表面上被看到，而且可以在显示设备10的左边缘和右边缘上被看到。
显示面板300可以包括主区域MDA和传感器区域SDA。主区域MDA可以被布置成与覆盖窗100的第一透光区域DA100至少部分地重叠。传感器区域SDA可以被布置成与覆盖窗100的第二透光区域SDA100至少部分地重叠。传感器区域SDA可以被布置在主区域MDA的一侧，例如在主区域MDA的上侧，如图2中所示，但本公开并不限于此。例如，传感器区域SDA可以被布置成邻近显示面板300的拐角，以至少部分地被主区域MDA围绕。图2图示了显示面板300包括单个传感器区域SDA，但本公开并不限于此。可替代地，显示面板300可以包括多个传感器区域SDA。
显示面板300可以是包括发光元件的发光显示面板。例如，显示面板300可以是使用有机发光二极管(OLED)的OLED显示面板、使用微发光二极管(mLED)的mLED显示面板、使用量子点发光二极管(QLED)的QLED显示面板或包含无机半导体的无机发光二极管(ILED)显示面板。在下文中，显示面板300将被描述为OLED显示面板。
显示电路板310和显示驱动电路320每个可以附接到显示面板300的一侧。显示电路板310的一端可以例如通过各向异性导电膜(ACF)附接在提供在显示面板300的一侧的焊盘上。显示电路板310可以是柔性印刷电路板(FPCB)、刚性印刷电路板(PCB)或混合PCB(例如，部分柔性和部分刚性)。
显示驱动电路320通过显示电路板310接收控制信号和电源电压，并生成和输出用于驱动显示面板300的信号和电压。显示驱动电路320可以是集成电路(IC)，并且可以以玻璃上芯片(COG)或塑料上芯片(COP)的方式或通过超声结合附接在显示面板300上，但本公开并不限于此。显示驱动电路320可以附接在显示电路板310上。
触摸驱动电路330可以被布置在显示电路板310上。触摸驱动电路330可以是IC，并且可以附接在显示电路板310的顶表面上。触摸驱动电路330可以通过显示电路板310电连接到显示面板300的触摸传感器层的触摸电极。触摸驱动电路330可以通过将触摸驱动信号施加到触摸传感器层的触摸电极中的一些(例如，驱动电极)，并通过使用感测电极检测驱动电极与触摸传感器层的其他触摸电极(例如，感测电极)之间的电容中的电荷变化，来输出包括来自用户的触摸输入的坐标的触摸数据。作为用于提供用于驱动显示驱动电路320的显示驱动电压的图3的电源单元340可以另外被布置在显示电路板310上。
柔性膜390的一侧可以通过ACF从显示面板300下方附接在显示面板300的顶表面上。柔性膜390的另一侧可以通过ACF从显示电路板310上方附接在显示电路板310的顶表面上。柔性膜390可以是可弯曲的或可折叠的。
可以不提供柔性膜390，并且显示电路板310可以直接附接到显示面板300的一侧。在此情况下，显示面板300的一侧可以朝向显示面板300的底表面弯曲。
支架600可以被布置在显示面板300下方。支架600可以包括塑料、金属或两者。插入第一相机传感器720的第一相机孔CMH1、连接到显示电路板310的电缆314穿过的电缆孔CAH、以及布置有传感器器件(740、750、760和770)中的每个的传感器孔SH每个可以形成在支架600中。可替代地，支架600可以不包括传感器孔SH，并且可以被形成为与显示面板300的传感器区域SDA不重叠。
主电路板700和电池790每个可以被布置在支架600下方。主电路板700可以是PCB或FPCB。
主电路板700可以包括主处理器710、第一相机传感器720、主连接器730以及传感器器件(740、750、760和770)。第一相机传感器720可以被布置在主电路板700的顶表面和底表面两者上，主处理器710可以被布置在主电路板700的顶表面上，并且主连接器730可以被布置在主电路板700的底表面上。传感器器件(740、750、760和770)每个可以被布置在主电路板700的顶表面上。
主处理器710可以控制显示设备10的各种功能。例如，主处理器710可以通过显示电路板310将数字视频数据输出到显示驱动电路320，使得显示面板300可以显示图像。此外，主处理器710可以从触摸驱动电路330接收触摸数据，可以确定来自用户的触摸输入的坐标，并且可以执行由显示在触摸输入的坐标处的图标指向的应用。
主处理器710可以根据从传感器器件(740、750、760和770)接收的传感器信号来控制显示设备10。例如，主处理器710可以使用从接近传感器740接收的接近传感器信号来确定在显示设备10的顶表面附近是否存在物体。在用户使用显示设备10进行呼叫时的呼叫模式下，如果在显示设备10的顶表面附近存在物体，则主处理器710可以不执行由来自用户的触摸输入的坐标指向的应用。
主处理器710可以根据从照度传感器750接收的照度传感器信号来确定显示设备10的顶表面处的亮度。主处理器710可以基于在显示设备10的顶表面处检测的亮度来控制由显示面板10显示的图像的亮度。
主处理器710可以根据从虹膜传感器760接收的虹膜传感器信号来确定来自用户的虹膜图像与先前存储在存储器中的虹膜图像是否相同。如果来自用户的虹膜图像与先前存储在存储器中的虹膜图像相同，则主处理器710可以解锁显示设备10，并且可以在显示面板300上显示主屏幕。
第一相机传感器720可以处理由图像传感器获得的静态或运动图像，并且可以将处理后的图像输出到主处理器710。第一相机传感器720可以是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或电荷耦合器件(CCD)图像传感器。由于第一相机传感器720通过第二相机孔CMH2在下盖900的底表面处被暴露，因此第一相机传感器720可以捕获在显示设备10的底部处的物体或场景的图像。
穿过支架600的电缆孔CAH的电缆314可以连接到主连接器730。结果，主电路板700可以电连接到显示电路板310。
传感器器件(740、750、760和770)可以包括接近传感器740、照度传感器750、虹膜传感器760和第二相机传感器770。然而，可以使用其他类型的传感器器件。
接近传感器740是用于确定在显示设备10的顶表面附近是否存在物体的传感器。接近传感器740可以包括输出光的光源和接收从物体反射的光的光接收器。接近传感器740可以基于从物体反射的光的量来确定在显示设备10的顶表面附近是否存在物体。由于接近传感器740被布置成在显示面板300的厚度方向(例如，Z轴方向)上与传感器孔SH、显示面板300的传感器区域SDA以及覆盖窗100的第二透光区域SDA100至少部分地重叠，因此接近传感器740可以根据在显示设备10的顶表面附近的物体的存在来生成接近传感器信号，并且可以将接近传感器信号输出到主处理器710。
照度传感器750是用于检测在显示设备10的顶表面处的亮度的传感器。照度传感器750可以包括其电阻根据入射光的亮度而改变的电阻器。照度传感器750可以基于由入射光的亮度引起的电阻器的电阻变化来确定显示设备10的顶表面处的亮度。由于照度传感器750被布置成在显示面板300的厚度方向(例如，Z轴方向)上与传感器孔SH、显示面板300的传感器区域SDA以及覆盖窗100的第二透光区域SDA100至少部分地重叠，因此照度传感器750可以根据在显示设备10的顶表面处的亮度来生成照度传感器信号，并且可以将照度传感器信号输出到主处理器710。
虹膜传感器760是用于确定用户虹膜的图像与先前存储在存储器中的虹膜图像是否相同的传感器。虹膜传感器760可以根据用户虹膜的图像与先前存储在存储器中的虹膜图像是否相同来生成虹膜传感器信号，并且可以将虹膜传感器信号输出到主处理器710。
第二相机传感器770可以处理由图像传感器获得的静态或运动图像，并且可以将处理后的图像输出到主处理器710。第二相机传感器770可以是CMOS图像传感器或CCD图像传感器。第二相机传感器770的像素的数量可以小于第一相机传感器720的像素的数量，并且第二相机传感器770的大小可以小于第一相机传感器720的大小。由于第二相机传感器770被布置成在显示面板300的厚度方向(例如，Z轴方向)上与传感器孔SH、显示面板300的传感器区域SDA以及覆盖窗100的第二透光区域SDA100至少部分地重叠，因此第二相机传感器770可以捕获在显示设备10的顶部处的物体或背景的图像。
电池790可以被布置成在第三方向(例如，Z轴方向)上与主电路板700不重叠。电池790可以与支架600的电池孔BH至少部分地重叠。
可以通过移动通信网络与基站、外部终端和/或服务器交换无线信号的移动通信模块可以进一步被提供在主电路板700上。无线信号可以包括与音频信号、视频呼叫信号或文本/多媒体消息的发送/接收相关联的各种类型的数据。
下盖900可以被布置在主电路板700和电池790下方。下盖900可以耦接并固定到支架600。下盖900可以形成显示设备10的底部外观。下盖900可以包括塑料、金属或两者。
第二相机孔CMH2可以形成在下盖900中，第一相机传感器720的底表面通过第二相机孔CMH2被暴露。第一相机传感器720以及与第一相机传感器720相对应的第一相机孔CMH1和第二相机孔CMH2的位置没有特别限制。
图3是图示图1的显示设备的显示面板的平面图。图4是图示图1的显示设备的显示面板和显示驱动电路的框图。
参考图3和图4，显示面板300可以包括包含第一子像素SP1的传感器区域SDA、包含第二子像素SP2的主区域MDA、以及既不包含第一子像素SP1也不包含第二子像素SP2的非显示区域NDA。第一子像素SP1和第二子像素SP2可以与连接到第一子像素SP1和第二子像素SP2的扫描线SL、发射线ECL、数据线DL和第一驱动电压线VDDL一起布置在传感器区域SDA和主区域MDA中。扫描线SL和发射线ECL可以主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸，并且数据线DL可以主要在与第一方向(例如，X轴方向)相交的第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。在显示区域DA中，第一驱动电压线VDDL可以主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。第一驱动电压线VDDL可以在非显示区域NDA中彼此连接。
第一子像素SP1和第二子像素SP2每个可以连接到扫描线SL中的至少一条、发射线ECL中的至少一条以及第一驱动电压线VDDL中的一条。为了方便起见，图3和图4图示了第一子像素SP1和第二子像素SP2每个连接到两条扫描线SL、一条数据线DL、一条发射线ECL和一条第一驱动电压线VDDL，但本公开并不限于此。可替代地，第二子像素SP2中的每个可以连接到三条扫描线SL。
第一子像素SP1和第二子像素SP2每个可以包括驱动晶体管、一个或多个晶体管、发光元件和电容器。驱动晶体管可以通过根据施加到其栅电极的数据电压将驱动电流提供到发光元件来发射光。驱动晶体管和晶体管可以是薄膜晶体管(TFT)。发光元件可以根据由驱动晶体管提供的驱动电流来发射光。发光元件可以是包括第一电极、有机发光层和第二电极的OLED。电容器可以均匀地保持施加到驱动晶体管的栅电极的数据电压。
非显示区域NDA可以被限定为显示面板300上的除了主区域MDA和传感器区域SDA之外的区域。因此，非显示区域NDA可以不包括任何子像素。将扫描信号施加到扫描线SL的扫描驱动电路、连接数据线DL的扇出线FL、显示驱动电路320以及连接到显示驱动电路320的焊盘DP每个可以被布置在非显示区域NDA中。显示驱动电路320和焊盘DP可以被布置在显示面板300的一侧。显示驱动电路320可以被布置成比焊盘DP更靠近显示面板300的一侧。
扫描驱动器410可以通过多条第一扫描控制线SCL1连接到显示驱动电路320。扫描驱动器410可以通过第一扫描控制线SCL1从显示驱动电路320接收扫描控制信号SCS。扫描驱动器410可以根据扫描控制信号SCS生成扫描信号，并且可以将扫描信号顺序地输出到扫描线SL。
发射控制驱动器420可以通过多条第二扫描控制线SCL2连接到显示驱动电路320。发射控制驱动器420可以通过第二扫描控制线SCL2从显示驱动电路320接收发射控制信号ECS。发射控制驱动器420可以根据发射控制信号ECS生成发射信号，并且可以将发射信号顺序地输出到发射线ECL。
如图3中所示，扫描驱动器410可以被布置在主区域MDA和传感器区域SDA中的每个的一侧，并且发射控制驱动器420可以被布置在主区域MDA和传感器区域SDA中的每个的另一侧。可替代地，扫描驱动器410和发射控制驱动器420两者都可以被布置在主区域MDA和传感器区域SDA中的每个的另一侧。
扫描驱动器410可以包括用于根据扫描控制信号SCS生成扫描信号的多个TFT，并且发射控制驱动器420可以包括用于根据发射控制信号ECS生成发射信号的多个TFT。在此情况下，扫描驱动器410的TFT和发射控制驱动器420的TFT可以与第一子像素SP1中的每个的TFT和第二子像素SP2中的每个的TFT形成在同一层中。
显示驱动电路320可以包括时序控制器321和数据驱动器322，如图4中所示。
时序控制器321可以从显示电路板310接收数字视频数据DATA和时序信号。时序控制器321可以生成用于根据时序信号控制扫描驱动器410的操作时序的扫描控制信号SCS，可以生成用于控制发射控制驱动器420的操作时序的发射控制信号ECS和用于控制数据驱动器322的操作时序的数据控制信号DCS。时序控制器321可以通过多条扫描控制线SCL将扫描控制信号SCS输出到扫描驱动器410，并且可以将发射控制信号ECS输出到发射控制驱动器420。时序控制器321可以将数字视频数据DATA和数据控制信号DCS输出到数据驱动器322。
数据驱动器322可以将数字视频数据DATA转换成正/负模拟数据电压，并且可以通过扇出线FL将模拟数据电压输出到数据线DL。可以通过来自扫描驱动电路的扫描信号选择子像素，并且数据电压可以被提供到所选择的子像素。
电源单元340可以生成第一驱动电压，并且可以将第一驱动电压提供到第一驱动电压线VDDL。此外，电源单元340可以生成第二驱动电压，并且可以将第二驱动电压提供到第一子像素SP1的OLED的阴极电极并且提供到第二子像素SP2的OLED的阴极电极。第一驱动电压可以是用于驱动OLED的高电位电压，并且第二驱动电压可以是用于驱动OLED的低电位电压。例如，第一驱动电压可以具有比第二驱动电压高的电位。电源单元340可以生成用于驱动显示驱动电路320和扫描驱动电路的驱动电压，例如，显示驱动电压、栅高电压、栅低电压等，并且可以将生成的驱动电压提供到显示驱动电路320。
显示驱动电路320可以是IC，并且可以以COG或COP的方式或通过超声结合附接在显示面板300上，但本公开并不限于此。例如，显示驱动电路320可以附接在显示电路板310上。
图5是图示图1的显示设备的传感器区域中的第一子像素、扫描线、数据线和第一驱动电压线的平面图。图6是图示图1的显示设备的主区域中的第二子像素、扫描线、数据线和第一驱动电压线的平面图。
为了方便起见，图5图示了第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1(其中k为2或更大的整数)，第j数据线Dj、第(j+1)数据线Dj+1、第(j+2)数据线Dj+2和第(j+3)数据线Dj+3(其中j为正整数)以及第k发射线Ek和第(k+1)发射线Ek+1。
另外，为了方便起见，图6图示了第(p-1)扫描线Sp-1、第p扫描线Sp、第(p+1)扫描线Sp+1、第(p+2)扫描线Sp+2和第(p+3)扫描线Sp+3(其中p为2或更大的整数)，第g数据线Dg、第(g+1)数据线Dg+1、第(g+2)数据线Dg+2、第(g+3)数据线Dg+3、第(g+4)数据线Dg+4、第(g+5)数据线Dg+5、第(g+6)数据线Dg+6和第(g+7)数据线Dg+7(其中g为正整数)以及第p发射线Ep、第(p+1)发射线Ep+1、第(p+2)发射线Ep+2和第(p+3)发射线Ep+3。
参考图5和图6，传感器区域SDA包括第一子像素SP1和至少部分地被第一子像素SP1围绕的透光区域TA。主区域MDA包括第二子像素SP2。主区域MDA不包括透光区域TA。由于透光区域TA的存在，传感器区域SDA中的第一子像素SP1的数量可以小于主区域MDA中的第二子像素SP2的数量。
在平面图中，第一子像素SP1中的每个可以具有基本矩形形状，该矩形形状具有主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的一对短边和主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的一对长边。在平面图中，第一子像素SP1中的每个可以具有基本正方形形状，如图5中所示，但本公开并不限于此。
第二子像素SP2中的每个可以包括主像素部分MP、第一突出像素部分PP1和第二突出像素部分PP2。在平面图中，主像素部分MP可以具有基本矩形形状，该矩形形状具有主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的一对短边和主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的一对长边。在平面图中，第一突出像素部分PP1和第二突出像素部分PP2可以具有基本矩形形状。第一突出像素部分PP1可以从主像素部分MP的上侧突出，并且第二突出像素部分PP2可以从主像素部分MP的下侧突出。具体地，第一突出像素部分PP1可以从主像素部分MP的上侧的与主像素部分MP的左侧相邻的部分突出，并且第二突出像素部分PP2可以从主像素部分MP的下侧的与主像素部分MP的右侧相邻的部分突出。
在传感器区域SDA中，具体地，在与第一子像素SP1至少部分地重叠的像素区域PA中，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1以及第k发射线Ek和第(k+1)发射线Ek+1可以主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。在传感器区域SDA的像素区域PA中，第一驱动电压线VDDL、第j数据线Dj、第(j+1)数据线Dj+1、第(j+2)数据线Dj+2和第(j+3)数据线Dj+3可以主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。
在主区域MDA中，初始化电压线VIL、第(p-1)扫描线Sp-1、第p扫描线Sp、第(p+1)扫描线Sp+1、第(p+2)扫描线Sp+2和第(p+3)扫描线Sp+3以及第p发射线Ep、第(p+1)发射线Ep+1、第(p+2)发射线Ep+2和第(p+3)发射线Ep+3可以主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。在主区域MDA中，第一驱动电压线VDDL以及第g数据线Dg、第(g+1)数据线Dg+1、第(g+2)数据线Dg+2、第(g+3)数据线Dg+3、第(g+4)数据线Dg+4、第(g+5)数据线Dg+5、第(g+6)数据线Dg+6和第(g+7)数据线Dg+7可以主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。
第一子像素SP1中的每个可以与一条初始化电压线VIL、两条扫描线SL和一条发射线ECL至少部分地重叠。例如，第一子像素SP1中的每个可以与在第一方向(例如，X轴方向)上设置的四条线至少部分地重叠。
第二子像素SP2中的每个可以与两条初始化电压线VIL、三条扫描线SL和一条发射线ECL至少部分地重叠。例如，第二子像素SP2中的每个可以与在第一方向(例如，X轴方向)上设置的六条线至少部分地重叠。
如图7和图8中所示，提供在第一子像素SP1中的每个中的晶体管的数量可以小于提供在第二子像素SP2中的每个中的晶体管的数量。因此，在第一方向(例如，X轴方向)上设置以与第一子像素SP1中的每个至少部分地重叠的线的数量可以小于在第一方向(例如，X轴方向)上设置以与第二子像素SP2中的每个至少部分地重叠的线的数量。
第一子像素SP1和第二子像素SP2每个可以与一条数据线和一条第一驱动电压线VDDL至少部分地重叠。例如，第一子像素SP1和第二子像素SP2每个可以与在第二方向(例如，Y轴方向)上设置的两条线至少部分地重叠。
透光区域TA可以至少部分地被第一子像素SP1围绕。图5图示了透光区域TA在平面图中具有基本矩形形状，但本公开并不限于此。可替代地，透光区域TA可以具有除了基本矩形形状以外的形状，诸如，例如，另一多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
布线区域LA可以被布置在透光区域TA与第一子像素SP1之间。布线区域LA可以被布置成至少部分地围绕透光区域TA。
随着布线区域LA的大小减小，透光区域TA的大小增大。因此，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1以及第k发射线Ek和第(k+1)发射线Ek+1当中的每对相邻线之间的距离可以在布线区域LA中比在像素区域PA中小。此外，第一驱动电压线VDDL以及第j数据线Dj、第(j+1)数据线Dj+1、第(j+2)数据线Dj+2和第(j+3)数据线Dj+3当中的每对相邻线之间的距离可以在布线区域LA中比在像素区域PA中小。
初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1以及第k发射线Ek和第(k+1)发射线Ek+1可以在布线区域LA中弯曲至少一次。例如，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1以及第k发射线Ek和第(k+1)发射线Ek+1可以在布线区域LA中弯曲四次。
第一驱动电压线VDDL以及第j数据线Dj、第(j+1)数据线Dj+1、第(j+2)数据线Dj+2和第(j+3)数据线Dj+3可以在布线区域LA中弯曲至少一次。例如，第一驱动电压线VDDL以及第j数据线Dj、第(j+1)数据线Dj+1、第(j+2)数据线Dj+2和第(j+3)数据线Dj+3可以在布线区域LA中弯曲四次。
初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1以及第k发射线Ek和第(k+1)发射线Ek+1每个可以与以下线中的至少一条至少部分地重叠：第一驱动电压线VDDL以及第j数据线Dj、第(j+1)数据线Dj+1、第(j+2)数据线Dj+2和第(j+3)数据线Dj+3。第一驱动电压线VDDL以及第j数据线Dj、第(j+1)数据线Dj+1、第(j+2)数据线Dj+2和第(j+3)数据线Dj+3每个可以与以下线中的至少一条至少部分地重叠：初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1以及第k发射线Ek和第(k+1)发射线Ek+1。
根据图5和图6中所示的结构，由于显示面板300的传感器区域SDA包括透光区域TA，因此即使传感器器件(740、750、760和770)被布置成在显示面板300的厚度方向，即，在第三方向(例如，Z轴方向)上与传感器区域SDA至少部分地重叠，光也可以从显示设备10的顶表面穿过透光区域TA入射到布置在显示面板300的底表面上的传感器器件(740、750、760和770)上。因此，可以防止或减少传感器器件(740、750、760和770)的感测能力的劣化。
图7是示例性第一子像素的电路图。具体地，图7图示了连接到第(k-1)扫描线Sk-1和第k扫描线Sk以及第j数据线Dj的第一子像素SP1。
参考图7，第一子像素SP1可以与第(k-1)扫描线Sk-1和第k扫描线Sk以及第j数据线Dj至少部分地重叠。此外，第一子像素SP1可以连接到提供有第一驱动电压的第一驱动电压线VDDL、提供有初始化电压的初始化电压线VIL以及提供有第二驱动电压的第二驱动电压线VSSL。
第一子像素SP1包括驱动晶体管DT、发光元件EL、开关元件和第一电容器C1。开关元件可以包括第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4和第五晶体管ST5。
驱动晶体管DT可以包括栅电极DT_G、第一电极和第二电极。驱动晶体管DT根据施加到栅电极DT_G的数据电压控制漏-源电流Ids(在下文中，驱动电流Ids)。流过驱动晶体管DT的沟道的驱动电流Ids正比于阈值电压与驱动晶体管DT的栅电极DT_G和源电极之间的电压Vgs之间的差的平方，如公式(1)中所示：
Ids＝k′×(Vgs-Vth)2
其中k’表示由驱动晶体管DT的结构和物理特性确定的比例系数，Vgs表示驱动晶体管DT的栅-源电压，并且Vth表示驱动晶体管DT的阈值电压。
发光元件EL根据驱动电流Ids发射光。发光元件EL发射的光的量可以与驱动电流Ids成正比。
发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极以及布置在阳极电极与阴极电极之间的有机发光层的OLED。可替代地，发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极以及布置在阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的ILED。又一可替代地，发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极以及布置在阳极电极与阴极电极之间的量子点发光层的QLED。又一可替代地，发光元件EL可以是mLED。
发光元件EL的阳极电极可以连接到第五晶体管ST5的第二电极，并且发光元件EL的阴极电极可以连接到第二驱动电压线VSSL。寄生电容Cel可以形成在发光元件EL的阳极电极与阴极电极之间。
第一晶体管ST1可以是包括第(1-1)晶体管ST1-1和第(1-2)晶体管ST1-2的双晶体管。第(1-1)晶体管ST1-1和第(1-2)晶体管ST1-2由来自第(k-1)扫描线Sk-1的扫描信号导通，以连接驱动晶体管DT的栅电极和初始化电压线VIL。驱动晶体管DT的栅电极可以被放电至与初始化电压线VIL的初始化电压一样低。第(1-1)晶体管ST1-1的栅电极可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1，第(1-1)晶体管ST1-1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且第(1-1)晶体管ST1-1的第二电极可以连接到第(1-2)晶体管ST1-2的第一电极。第(1-2)晶体管ST1-2的栅电极可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1，第(1-2)晶体管ST1-2的第一电极可以连接到第(1-1)晶体管ST1-1的第二电极，并且第(1-2)晶体管ST1-2的第二电极可以连接到初始化电压线VIL。
第二晶体管ST2由来自第k扫描线Sk的扫描信号导通，以连接驱动晶体管DT的第一电极和第j数据线Dj。第二晶体管ST2的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，第二晶体管ST2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极，并且第二晶体管ST2的第二电极可以连接到第j数据线Dj。
第三晶体管ST3可以是包括第(3-1)晶体管ST3-1和第(3-2)晶体管ST3-2的双晶体管。第(3-1)晶体管ST3-1和第(3-2)晶体管ST3-2由来自第k扫描线Sk的扫描信号导通，以连接驱动晶体管DT的栅电极和第二电极。例如，当第(3-1)晶体管ST3-1和第(3-2)晶体管ST3-2被导通时，驱动晶体管DT的栅电极和第二电极连接，并且结果是，驱动晶体管DT作为二极管操作。第(3-1)晶体管ST3-1的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，第(3-1)晶体管ST3-1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第(3-1)晶体管ST3-1的第二电极可以连接到第(3-2)晶体管ST3-2的第一电极。第(3-2)晶体管ST3-2的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，第(3-2)晶体管ST3-2的第一电极可以连接到第(3-1)晶体管ST3-1的第二电极，并且第(3-2)晶体管ST3-2的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极。
第四晶体管ST4由来自第k发射线Ek的发射信号导通，以连接驱动晶体管DT的第一电极和第一驱动电压线VDDL。第四晶体管ST4的栅电极可以连接到第k发射线Ek，第四晶体管ST4的第一电极可以连接到第一驱动电压线VDDL，并且第四晶体管ST4的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极。
第五晶体管ST5连接在驱动晶体管DT的第二电极与发光元件EL的阳极电极之间。第五晶体管ST5由来自第k发射线Ek的发射信号导通，以连接驱动晶体管DT的第二电极和发光元件EL的阳极电极。第五晶体管ST5的栅电极连接到第k发射线Ek，第五晶体管ST5的第一电极连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第五晶体管ST5的第二电极连接到发光元件EL的阳极电极。当第四晶体管ST4和第五晶体管ST5两者都被导通时，驱动电流Ids可以被提供到发光元件EL。
第一电容器C1形成在驱动晶体管DT的栅电极与第一驱动电压线VDDL之间。第一电容器C1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且第一电容器C1的第二电极可以连接到第一驱动电压线VDDL。
在第一晶体管ST1至第五晶体管ST5的第一电极和驱动晶体管DT的第一电极为源电极的情况下，第一晶体管ST1至第五晶体管ST5的第二电极和驱动晶体管DT的第二电极可以是漏电极。在第一晶体管ST1至第五晶体管ST5的第一电极和驱动晶体管DT的第一电极为漏电极的情况下，第一晶体管ST1至第五晶体管ST5的第二电极和驱动晶体管DT的第二电极可以是源电极。
第一晶体管ST1至第五晶体管ST5和驱动晶体管DT可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的一种形成。在第一晶体管ST1至第五晶体管ST5和驱动晶体管DT由多晶硅形成的情况下，第一晶体管ST1至第五晶体管ST5和驱动晶体管DT可以通过低温多晶硅(LTPS)工艺形成。
图7图示了第一晶体管ST1至第五晶体管ST5和驱动晶体管DT为P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但本公开并不限于此。可替代地，第一晶体管ST1至第五晶体管ST5和驱动晶体管DT为N型MOSFET。
图8是示例性第二子像素的电路图。具体地，图8图示了连接到第(p-1)扫描线Sp-1和第p扫描线Sp以及第g数据线Dg的第二子像素SP2。
图8的第二子像素SP2与图7的第一子像素SP1的区别在于，进一步包括第六晶体管ST6。下文中将主要围绕与图7的第一子像素SP1的区别来描述图8的第二子像素SP2。因此，将假定在下面未描述关于第二子像素SP2的某些细节的意义上，这些细节可以与本文中描述的关于第一子像素SP1的对应细节至少类似。
参考图8，第六晶体管ST6由来自第p扫描线Sp的扫描信号导通，以连接发光元件EL的阳极电极和初始化电压线VIL。发光元件EL的阳极电极可以被放电至与初始化电压线VIL的初始化电压一样低。第六晶体管ST6的栅电极连接到第p扫描线Sp，第六晶体管ST6的第一电极连接到发光元件EL的阳极电极，并且第六晶体管ST6的第二电极连接到初始化电压线VIL。
根据图7和图8的实施例，第一子像素SP1中的每个包括六个晶体管，并且第二子像素SP2中的每个包括七个晶体管。例如，提供在第一子像素SP1中的每个中的晶体管的数量可以小于提供在第二子像素SP2中的每个中的晶体管的数量。因此，布线区域LA可以被提供在未提供第六晶体管ST6的区域中，并且结果是，透光区域TA可以变宽。
第二子像素SP2的第六晶体管ST6将发光元件EL的阳极电极处的电压降低至与初始化电压一样低。因此，当发光元件EL显示黑色时，第二子像素SP2的第六晶体管ST6可以防止黑色在第二子像素SP2的第五晶体管ST5被截止的时段期间变得对用户可见。然而，由于第二子像素SP2的第五晶体管ST5被截止的时段非常短，并且提供在传感器区域SDA中的第一子像素SP1的数量小于提供在主区域MDA中的第二子像素SP2的数量，因此黑色变得对用户几乎不可见。因此，第六晶体管ST6可以不被提供在第一子像素SP1中。
图9是图示图7的第一子像素的平面图。
参考图9，第一子像素SP1可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管ST1至第五晶体管ST5以及第一电容器C1。
驱动晶体管DT可以包括有源层DT_ACT、栅电极DT_G、第一电极DT_S和第二电极DT_D。驱动晶体管DT的有源层DT_ACT可以与驱动晶体管DT的栅电极DT_G至少部分地重叠。驱动晶体管DT的栅电极DT_G可以通过第一接触孔CNT1连接到第一连接电极BE1。第一连接电极BE1可以通过第二接触孔CNT2连接到第(1-1)晶体管ST1-1的第一电极S1-1和第(3-2)晶体管ST3-2的第二电极D3-2。第一连接电极BE1可以与第k扫描线Sk相交。驱动晶体管DT的第一电极DT_S可以连接到第二晶体管ST2的第一电极S2。驱动晶体管DT的第二电极DT_D可以连接到第(3-1)晶体管ST3-1的第一电极S3-1和第五晶体管ST5的第一电极S5。
第一晶体管ST1可以是双晶体管。第一晶体管ST1可以包括第(1-1)晶体管ST1-1和第(1-2)晶体管ST1-2。
第(1-1)晶体管ST1-1可以包括有源层ACT1-1、栅电极G1-1、第一电极S1-1和第二电极D1-1。第(1-1)晶体管ST1-1的栅电极G1-1可以对应于第(k-1)扫描线Sk-1的一部分，具体地，第(k-1)扫描线Sk-1的与第(1-1)晶体管ST1-1的有源层ACT1-1至少部分地重叠的部分。第(1-1)晶体管ST1-1的第一电极S1-1可以通过第二接触孔CNT2连接到第一连接电极BE1。第(1-1)晶体管ST1-1的第二电极D1-1可以连接到第(1-2)晶体管ST1-2的第一电极S1-2。
第(1-2)晶体管ST1-2可以包括有源层ACT1-2、栅电极G1-2、第一电极S1-2和第二电极D1-2。第(1-2)晶体管ST1-2的栅电极G1-2可以对应于第(k-1)扫描线Sk-1的一部分，具体地，第(k-1)扫描线Sk-1的与第(1-2)晶体管ST1-2的有源层ACT1-2至少部分地重叠的部分。第(1-2)晶体管ST1-2的第一电极S1-2可以连接到第(1-1)晶体管ST1-1的第二电极D1-1。第(1-2)晶体管ST1-2的第二电极D1-2可以通过第四接触孔CNT4连接到初始化连接电极VIE。
第二晶体管ST2可以包括有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2和第二电极D2。第二晶体管ST2的栅电极G2可以对应于第k扫描线Sk的一部分，具体地，第k扫描线Sk的与第二晶体管ST2的有源层ACT2至少部分地重叠的部分。第二晶体管ST2的第一电极S2可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。第二晶体管ST2的第二电极D2可以通过第三接触孔CNT3连接到第j数据线Dj。
第三晶体管ST3可以是双晶体管。第三晶体管ST3可以包括第(3-1)晶体管ST3-1和第(3-2)晶体管ST3-2。
第(3-1)晶体管ST3-1可以包括有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1和第二电极D3-1。第(3-1)晶体管ST3-1的栅电极G3-1可以对应于第k扫描线Sk的一部分，具体地，第k扫描线Sk的与第(3-1)晶体管ST3-1的有源层ACT3-1至少部分地重叠的部分。第(3-1)晶体管ST3-1的第一电极S3-1可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第(3-1)晶体管ST3-1的第二电极D3-1可以连接到第(3-2)晶体管ST3-2的第一电极S3-2。
第(3-2)晶体管ST3-2可以包括有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2和第二电极D3-2。第(3-2)晶体管ST3-2的栅电极G3-2可以对应于第k扫描线Sk的一部分，具体地，第k扫描线Sk的与第(3-2)晶体管ST3-2的有源层ACT3-2至少部分地重叠的部分。第(3-2)晶体管ST3-2的第一电极S3-2可以连接到第(3-1)晶体管ST3-1的第二电极D3-1。第(3-2)晶体管ST3-2的第二电极D3-2可以通过第二接触孔CNT2连接到第一连接电极BE1。
第四晶体管ST4可以包括有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4和第二电极D4。第四晶体管ST4的栅电极G4可以对应于第k发射线Ek的一部分，具体地，第k发射线Ek的与第四晶体管ST4的有源层ACT4至少部分地重叠的部分。第四晶体管ST4的第一电极S4可以通过第七接触孔CNT7连接到第一电容器C1的第二电极CE12。第四晶体管ST4的第二电极D4可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。
第五晶体管ST5可以包括有源层ACT5、栅电极G5、第一电极S5和第二电极D5。第五晶体管ST5的栅电极G5可以对应于第k发射线Ek的一部分，具体地，第k发射线Ek的与第五晶体管ST5的有源层ACT5至少部分地重叠的部分。第五晶体管ST5的第一电极S5可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第五晶体管ST5的第二电极D5可以通过第六接触孔CNT6连接到发光元件EL的阳极电极AND。
第一电容器C1的第一电极CE11可以是驱动晶体管DT的栅电极DT_G的一部分。第一电容器C1的第二电极CE12可以是水平驱动电压线HVDDL的通过第八接触孔CNT8连接到第一驱动电压线VDDL的部分。第一电极CE11和第二电极CE12可以至少部分地彼此重叠。
图10是图示图8的第二子像素的平面图。
图10的第二子像素SP2与图9的第一子像素SP1的区别在于，进一步包括第六晶体管ST6。下文中将主要围绕与图9的第一子像素SP1的区别来描述图10的第二子像素SP2。
第六晶体管ST6可以包括有源层ACT6、栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6。作为第p扫描线Sp的一部分的第六晶体管ST6的栅电极G6可以对应于第六晶体管ST6的有源层ACT6和第p扫描线Sp的重叠区域。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第六接触孔CNT6连接到第六晶体管ST6的第一电极S6。第二阳极连接电极ANDE2可以通过第一阳极接触孔AND_CNT1连接到第一阳极连接电极ANDE1，如图12中所示。发光元件EL的第一电极171可以通过第二阳极接触孔AND_CNT2连接到第二阳极连接电极ANDE2，如图11中所示。第六晶体管ST6的第二电极D6可以通过第四接触孔CNT4连接到初始化连接电极VIE。初始化电压线VIL可以通过第五接触孔CNT5连接到初始化连接电极VIE，并且初始化连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第(1-2)晶体管ST1-2的第二电极D1-2和第六晶体管ST6的第二电极D4。初始化连接电极VIE可以被布置成与第k扫描线Sk相交。
根据图9和图10的实施例，由于第六晶体管ST6未被提供在第一子像素SP1中，因此第一子像素SP1不包括第二子像素SP2的第二突出像素部分PP2。例如，由于不存在第六晶体管ST6，因此第二突出像素部分PP2可以不被提供在第一子像素SP1中。因此，当不具有第二突出像素部分PP2的第一子像素SP1被提供在传感器区域SDA中时，布线区域LA可以被布置在第一子像素SP1的省略第二突出像素部分PP2的部分中，并且结果是，与具有第二突出像素部分PP2的第二子像素SP2应用于传感器区域SDA时相比，透光区域TA的大小可以变宽。
图11是沿图9和图10的线I-I’截取的截面图。图12是沿图9的线II-II’截取的截面图。图13是沿图9的线III-III’截取的截面图。
参考图11至图13，TFT层TFTL、发光元件层EML和封装层TFE可以被顺序地形成在第一基板SUB1上。
TFT层TFTL包括遮光层BML、缓冲膜BF、有源层ACT、第一栅层GTL1、第二栅层GTL2、第一源金属层DTL1、第二源金属层DTL2、栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、钝化膜150、第一平坦化膜160和第二平坦化膜180。
遮光层BML可以形成在第一基板SUB1的一个表面上。遮光层BML可以被布置成与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT至少部分地重叠，以防止在光入射到驱动晶体管DT的有源层DT_ACT上的情况下泄漏电流的产生。图11至图13图示了遮光构件BML仅与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT重叠，但本公开并不限于此。例如，遮光层BML可以与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT至少部分地重叠，并且也可以与第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的有源层ACT1-1、ACT1-2至ACT6至少部分地重叠。遮光层BML可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、Ni、钕(Nd)、Cu或其合金的单层或多层膜。
缓冲膜BF可以形成在遮光层BML上。缓冲膜BF可以形成在第一基板SUB1上，以保护TFT和发光元件层EML的有机发光层172免受可能穿过第一基板SUB1渗透到TFT和有机发光层172的水分的影响。缓冲膜BF可以包括交替堆叠的多个无机膜。例如，缓冲膜BF可以是氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一个交替堆叠的多层膜。缓冲膜BF可以被省略。
有源层ACT可以形成在第一基板SUB1或缓冲膜BF上。有源层ACT可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体。在有源层ACT由多晶硅形成的情况下，有源层ACT可以是导电的。因此，有源层ACT可以包括驱动晶体管DT的有源层DT_ACT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的有源层ACT1-1、ACT1-2、ACT2、ACT3、ACT4、ACT5和ACT6，并且还可以包括驱动晶体管DT的源电极DT_S和漏电极DT_D以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的源电极S1-1、S1-2、S2、S3-1、S3-2、S4、S5和S6和漏电极D1-1、D1-2、D2、D3-1、D3-2、D4、D5和D6。
栅绝缘膜130可以形成在有源层ACT上。栅绝缘膜130可以是无机膜，例如，氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层。
第一栅层GTL1可以形成在栅绝缘膜130上。第一栅层GTL1不仅可以包括驱动晶体管DT的栅电极DT_G以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的栅电极G1-1、G1-2至G6，而且可以包括扫描线SL和发射线ECL。第一栅层GTL1可以是包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu或其合金的单层或多层膜。
第一层间绝缘膜141可以形成在第一栅层GTL1上。第一层间绝缘膜141可以是无机膜，诸如，例如，氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第一层间绝缘膜141可以包括多个无机膜。
第二栅层GTL2可以形成在第一层间绝缘膜141上。第二栅层GTL2可以包括初始化电压线VIL和第一电容器C1的第二电极CE12。第二栅层GTL2可以是包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu或其合金的单层或多层膜。
第二层间绝缘膜142可以形成在第二栅层GTL2上。第二层间绝缘膜142可以是无机膜，诸如，例如，氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第二层间绝缘膜142可以包括多个无机膜。
第一源金属层DTL1可以形成在第二层间绝缘膜142上。第一源金属层DTL1可以包括数据线DL、第一驱动电压线VDDL、第一连接电极BE1、第一阳极连接电极ANDE1和初始化连接电极VIE。第一源金属层DTL1可以是包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu或其合金的单层或多层膜。
第一平坦化膜160可以形成在第一源金属层DTL1上，以平坦化由有源层ACT、第一栅层GTL1、第二栅层GTL2和第一源金属层DTL1形成的高度差。第一平坦化膜160可以是包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机膜。
钝化膜150可以另外形成在第一源金属层DTL1与第一平坦化膜160之间。钝化膜150可以是无机膜，诸如，例如，氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层。
第二源金属层DTL2可以形成在第一平坦化膜160上。第二源金属层DTL2可以包括第二阳极连接电极ANDE2。第二源金属层DTL2可以是包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu或其合金的单层或多层膜。
第二平坦化膜180可以形成在第二源金属层DTL2上。第二平坦化膜180可以是包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机膜。
驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6可以是栅电极被布置在有源层上方的顶栅晶体管，但本公开并不限于此。可替代地，驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6可以是栅电极被布置在有源层下方的底栅晶体管或栅电极被布置在有源层上方和下方的双栅晶体管。
第一接触孔CNT1可以是贯穿第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142并且暴露驱动晶体管DT的栅电极DT_G的孔。第一连接电极BE1可以通过第一接触孔CNT1连接到驱动晶体管DT的栅电极DT_G。
第二接触孔CNT2可以是穿过栅绝缘膜130以及第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142暴露第(1-1)晶体管ST1-1的第一电极S1-1和第(3-1)晶体管ST3-1的第二电极D3-1的孔。第二连接电极BE2可以通过第二接触孔CNT2连接到第(1-1)晶体管ST1-1的第一电极S1-1和第(3-2)晶体管ST3-2的第二电极D3_2。
第三接触孔CNT3可以是穿过栅绝缘膜130以及第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142暴露第二晶体管ST2的第一电极S2的孔。第j数据线Dj可以通过第三接触孔CNT3连接到第二晶体管ST2的第一电极S2。
第四接触孔CNT4可以是穿过栅绝缘膜130以及第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142暴露第(1-2)晶体管ST1-2的第二电极D1-2和第六晶体管ST6的第二电极D6的孔。初始化连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第(1-2)晶体管ST1-2的第二电极D1-2和第六晶体管ST6的第二电极D6。
第五接触孔CNT5可以是穿过第二层间绝缘膜142暴露初始化电压线VIL的孔。初始化连接电极VIE可以通过第五接触孔CNT5连接到初始化电压线VIL。
第六接触孔CNT6可以是穿过栅绝缘膜130以及第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142暴露第五晶体管ST5的第二电极D5的孔。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第六接触孔CNT6连接到第五晶体管ST5的第二电极D5。
第七接触孔CNT7可以是穿过栅绝缘膜130以及第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142暴露第四晶体管ST4的第一电极S4的孔。第一驱动电压线VDDL可以通过第七接触孔CNT7连接到第四晶体管ST4的第一电极S4。
第八接触孔CNT8可以是穿过第二层间绝缘膜142暴露水平驱动电压线HVDDL的孔。第一驱动电压线VDDL可以通过第八接触孔CNT8连接到水平驱动电压线HVDDL。
第一阳极接触孔AND_CNT1可以是穿过钝化膜150和第一平坦化膜160暴露第一阳极连接电极ANDE1的孔。
第二阳极接触孔AND_CNT2可以是穿过第二平坦化膜180暴露第二阳极连接电极ANDE2的孔。
发光元件层EML形成在TFT层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件170和像素限定膜190。
发光元件170和像素限定膜190可以形成在第二平坦化膜180上。发光元件170中的每个可以包括第一电极171、有机发光层172和第二电极173。
第一电极171可以形成在第二平坦化膜180上。第一电极171可以通过贯穿第二平坦化膜180的第二阳极接触孔AND_CNT2连接到第二阳极连接电极ANDE2。
在从有机发光层172到第二电极173的方向上发射光的顶发射结构中，第一电极171可以由具有高反射率的金属材料形成，例如Al和Ti的堆叠(例如，Ti/Al/Ti)、Al和氧化铟锡(ITO)的堆叠(例如，ITO/Al/ITO)、银-钯-铜(APC)合金、和/或APC合金和ITO的堆叠(例如，ITO/APC/ITO)。
像素限定膜190可以在第二平坦化膜180上方限定第一电极171，并且因此限定发射区域EA。像素限定膜190可以覆盖第一电极171的边缘。像素限定膜190可以是包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
发射区域EA是指第一电极171、有机发光层172和第二电极173被顺序地堆叠使得来自第一电极171的空穴和来自第二电极173的电子在有机发光层172中复合在一起以发射光的区域。
有机发光层172形成在第一电极171和像素限定膜190上。有机发光层172可以包括有机材料并且可以发射预定颜色的光。例如，有机发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。
第二电极173可以形成在有机发光层172上。第二电极173可以覆盖有机发光层172。第二电极173可以是针对所有子像素共同形成的公共层。封盖层可以形成在第二电极173上。
在顶发射结构中，第二电极173可以由诸如ITO或IZO的透明导电氧化物(TCO)材料或诸如镁(Mg)、Ag或Mg和Ag的合金的半透明金属材料形成。在第二电极173由半透明金属材料形成的情况下，发光元件层EML的发光效率可能由于微腔效应而提高。
封装层TFE可以形成在发光元件层EML上。封装层TFE可以包括用于防止氧或水分渗透到发光元件层EML中的至少一个无机膜。此外，封装层TFE可以包括用于保护发光元件层EML免受诸如灰尘的异物的影响的至少一个有机膜。
第二基板可以代替封装层TFE被布置在发光元件层EML上。可以排空发光元件层EML与第二基板之间的空间，或者填充膜可以被布置在发光元件层EML与第二基板之间的空间中。填充膜可以是环氧树脂填充膜或硅树脂填充膜。
图14是图示图5的区域A的平面图。图15是沿图14的线IV-IV’截取的截面图。
参考图14和图15，在布线区域LA中，第k扫描线Sk可以通过第二连接接触孔BCNT2连接到第一扫描连接线SCE1。在布线区域LA中，第一驱动电压线VDDL可以通过第一连接接触孔BCNT1连接到第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2。例如，第一驱动电压线VDDL中的一条可以通过第一连接接触孔BCNT1连接到第一电源连接线PCE1，并且第一驱动电压线VDDL中的另一条可以通过另一个第一连接接触孔BCNT1连接到第二电源连接线PCE2。
布线可以从透光区域TA被完全省略，以便增大透光区域TA中的透光率。例如，如图15中所示，诸如缓冲膜BF、栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142、钝化膜150、第一平坦化膜160和第二平坦化膜180、像素限定膜190、第二电极173和封装层TFE的透明材料可以被布置在透光区域TA中。此外，缓冲膜BF、栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142、钝化膜150、第一平坦化膜160和第二平坦化膜180、像素限定膜190和封装层TFE可以完全或部分地被移除，以增大透光区域TA中的透光率。此外，第二电极173可以被移除以增大透光区域TA中的透光率。
在布线区域LA中，第j数据线Dj可以与初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1和第k扫描线Sk以及第k发射线Ek至少部分地重叠。第j数据线Dj和初始化电压线VIL的重叠区域可以大于第j数据线Dj和第(k-1)扫描线Sk-1的重叠区域、第j数据线Dj和第k扫描线Sk的重叠区域、以及第j数据线Dj和第k发射线Ek的重叠区域。
在布线区域LA中，第一电源连接线PCE1可以与初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1和第k扫描线Sk以及发射线Ek至少部分地重叠。第一电源连接线PCE1和第(k-1)扫描线Sk-1的重叠区域可以大于第一电源连接线PCE1和初始化电压线VIL的重叠区域、第一电源连接线PCE1和第k扫描线Sk的重叠区域、以及第一电源连接线PCE1和第k发射线Ek的重叠区域。
在布线区域LA中，第(j+1)数据线Dj+1可以与初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1和第k扫描线Sk以及第k发射线Ek至少部分地重叠。第(j+1)数据线Dj+1和第k扫描线Sk的重叠区域可以大于第(j+1)数据线Dj+1和初始化电压线VIL的重叠区域、第(j+1)数据线Dj+1和第(k-1)扫描线Sk-1的重叠区域、以及第(j+1)数据线Dj+1和第k发射线Ek的重叠区域。
在布线区域LA中，第二电源连接线PCE2可以与初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1和第k扫描线Sk以及第k发射线Ek至少部分地重叠。第二电源连接线PCE2和第k发射线Ek的重叠区域可以大于第二电源连接线PCE2和初始化电压线VIL的重叠区域、第二电源连接线PCE2和第(k-1)扫描线Sk-1的重叠区域、以及第二电源连接线PCE2和第k扫描线Sk的重叠区域。
图14和图15图示了第一连接接触孔BCNT1与初始化电压线VIL重叠，但本公开并不限于此。可替代地，第一连接接触孔BCNT1可以与第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek中的一条至少部分地重叠。又一可替代地，第一连接接触孔BCNT1中的一个可以与初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek中的一条至少部分地重叠，并且第一连接接触孔BCNT1中的另一个可以与初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek中的另一条至少部分地重叠。
在布线区域LA中，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1可以由第一源金属层DTL1形成。在布线区域LA中，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1可以被布置在第二层间绝缘膜142上。在布线区域LA中，第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2可以由第二源金属层DTL2形成。在布线区域LA中，第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2可以被布置在第一平坦化膜160上。例如，在布线区域LA中，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1可以与第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2布置在不同的层中。
在布线区域LA中第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2布置在同一层中的情况下，如果第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2当中的每对相邻线之间的距离小于预定最小距离，则第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2可能由于工艺误差而短路。因此，在第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2布置在同一层中的情况下，考虑到工艺误差，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2可以以大于彼此之间的预定最小距离的距离形成。
在布线区域LA中第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2布置在不同的层中的情况下，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2当中的每对相邻线可以被布置在不同的层中。因此，如果第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1与第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2布置在不同的层中，则不需要考虑工艺误差，并且结果是，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2当中的每对相邻线之间的距离可以小于预定最小距离。
根据图14和图15中描绘的结构，在布线区域LA中第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1与第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2布置在不同的层中的情况下，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1与第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2之间的距离可以变得比当第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1以及第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2都被布置在同一层中时窄。结果，透光区域TA可以变宽。
在布线区域LA中，第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek可以由第一栅金属层GTL1形成。在布线区域LA中，第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek可以被布置在栅绝缘膜130上。在布线区域LA中，初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1可以由第二栅金属层GTL2形成。在布线区域LA中，初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1可以被布置在第一层间绝缘膜141上。例如，在布线区域LA中，初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1可以与第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek布置在不同的层中。
在布线区域LA中初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek被布置在同一层中的情况下，如果初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek当中的每对相邻线中之间的距离小于预定最小距离，则初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek可能由于工艺误差而短路。因此，在初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek被布置在同一层中的情况下，考虑到工艺误差，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek可以以大于彼此之间的预定最小距离的距离形成。
在布线区域LA中第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek与初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中的情况下，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek中的每对相邻线可以被布置在不同的层中。因此，如果第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek与初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中，则不需要考虑工艺误差，并且结果是，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek当中的每对相邻线之间的距离可以小于预定最小距离。
根据图14和图15中描绘的结构，在布线区域LA中第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek与初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中的情况下，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek之间的距离可以变得比当初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek都被布置在同一层中时窄。结果，透光区域TA可以变宽。
图16是图示图5的区域A的平面图。图17是沿图16的线Ⅷ-Ⅷ’截取的截面图。
图16和图17的实施例与图14和图15的实施例的区别在于，初始化电压线VIL、第(k-1)扫描线Sk-1、第j数据线Dj和第一电源连接线PCE1被布置成在厚度方向(例如，Z轴方向)上彼此至少部分地重叠，以及第k扫描线Sk、第k发射线Ek、第(j+1)数据线Dj+1和第二电源连接线PCE2被布置成在厚度方向(例如，Z轴方向)上彼此至少部分地重叠。
根据图16和图17的实施例，由于在布线区域LA中第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek与初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中，彼此相邻的初始化电压线VIL和第(k-1)扫描线Sk-1可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠，并且彼此相邻的第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠。此外，由于在布线区域LA中第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1与第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2布置在不同的层中，因此彼此相邻的第j数据线Dj和第一电源连接线PCE1可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠，并且彼此相邻的第(j+1)数据线Dj+1和第二电源连接线PCE2可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠。因此，与图14和图15的实施例相比，可以进一步减小布线区域LA的宽度，并且结果是，透光区域TA可以进一步变宽。
图18是图示图5的区域A的平面图。图19是沿图18的线Ⅴ-Ⅴ’截取的截面图。
图18和图19的实施例与图14和图15的实施例的区别在于，初始化电压线VIL连接到初始化连接线VE，以及初始化连接线VE和第一扫描连接线SCE1由遮光层BML形成。下文中将主要围绕与图14和图15的实施例的区别来描述图18和图19的实施例。在本文中已经省略了关于各种元件的细节的意义上，可以假定这些细节与先前描述的对应元件至少类似。
参考图18和图19，在布线区域LA中，初始化电压线VIL可以通过第三连接接触孔BCNT3连接到初始化连接线VE。在布线区域LA中，第k扫描线Sk可以通过第四连接接触孔BCNT4连接到第一扫描连接线SCE1。
在布线区域LA中，第j数据线Dj、第一电源连接线PCE1、第(j+1)数据线Dj+1和第二电源连接线PCE2可以与初始化连接线VE(而不是初始化电压线VIL)至少部分地重叠。
在布线区域LA中，初始化连接线VE和第一扫描连接线SCE1可以由遮光层BML形成。在布线区域LA中，初始化连接线VE和第一扫描连接线SCE1可以被布置在缓冲膜BF中。在布线区域LA中，第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek可以由第一栅金属层GTL1形成。在布线区域LA中，第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek可以被布置在栅绝缘膜130上。
遮光层BML与第一栅金属层GTL1之间的距离可以大于第一栅金属层GTL1与第二栅金属层GTL2之间的距离。因此，可以降低由遮光层BML形成的初始化连接线VE和第一扫描连接线SCE1由于耦接对由第一栅金属层GTL1形成的第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek的影响，反之亦然。
在布线区域LA中第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek与初始化连接线VE和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中的情况下，初始化连接线VE、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek当中的每对相邻线可以被布置在不同的层中。因此，如果第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek与初始化连接线VE和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中，则不需要考虑工艺误差，并且结果是，初始化连接线VE、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek当中的每对相邻线之间的距离可以小于预定最小距离。
根据图18和图19中描绘的结构，在布线区域LA中第(k-1)扫描线Sk-1和第k发射线Ek与初始化连接线VE和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中的情况下，初始化连接线VE、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek之间的距离可以变得比当初始化连接线VE、第(k-1)扫描线Sk-1、第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek都被布置在同一层中时窄。结果，透光区域TA可以变宽。
在图18和图19中描绘的结构中，彼此相邻的初始化连接线VE和第(k-1)扫描线Sk-1可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠，并且彼此相邻的第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠。此外，彼此相邻的第j数据线Dj和第一电源连接线PCE1可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠，并且彼此相邻的第(j+1)数据线Dj+1和第二电源连接线PCE2可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠。因此，可以进一步减小布线区域LA的宽度，并且结果是，透光区域TA可以进一步变宽。
图20是图示图5的区域A的平面图。图21是沿图20的线ⅤI-ⅤI’截取的截面图。
图20和图21的实施例与图14和图15的实施例的区别在于，第(k-1)扫描线Sk-1连接到第二扫描连接线SCE2，以及第k发射线Ek连接到发射连接线ECE。下文中将主要围绕与图14和图15的实施例的区别来描述图20和图21的实施例。在本文中已经省略了关于各种元件的细节的意义上，可以假定这些细节与先前描述的对应元件至少类似。
参考图20和图21，在布线区域LA中，第(k-1)扫描线Sk-1可以通过第五连接接触孔BCNT5连接到第二扫描连接线SCE2。在布线区域LA中，第k发射线Ek可以通过另一第五连接接触孔BCNT5连接到发射连接线ECE。
在布线区域LA中，第j数据线Dj、第一电源连接线PCE1、第(j+1)数据线Dj+1和第二电源连接线PCE2可以与第二扫描连接线SCE2(而不是第(k-1)扫描线Sk-1)至少部分地重叠，并且可以与发射连接线ECE(而不是第k发射线Ek)至少部分地重叠。
在布线区域LA中，第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE可以由遮光层BML形成。在布线区域LA中，第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE可以被布置在缓冲膜BF中。初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1可以由第二栅金属层GTL2形成。在布线区域LA中，初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1可以被布置在第一层间绝缘膜141上。
遮光层BML与第二栅金属层GTL2之间的距离可以大于第一栅金属层GTL1与第二栅金属层GTL2之间的距离。因此，可以降低由遮光层BML形成的第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE由于耦接对由第二栅金属层GTL2形成的初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1的影响，反之亦然。
在布线区域LA中第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE与初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中的情况下，初始化电压线VIL、第一扫描连接线SCE1、第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE当中的每对相邻线可以被布置在不同的层中。因此，如果第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE与初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中，则不需要考虑工艺误差，并且结果是，初始化电压线VIL、第一扫描连接线SCE1、第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE当中的每对相邻线之间的距离可以小于预定最小距离。
根据图20和图21的实施例，在布线区域LA中第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE与初始化电压线VIL和第一扫描连接线SCE1布置在不同的层中的情况下，初始化电压线VIL、第一扫描连接线SCE1、第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE之间的距离可以变得比当初始化电压线VIL、第一扫描连接线SCE1、第二扫描连接线SCE2和发射连接线ECE都被布置在同一层中时窄。结果，透光区域TA可以变宽。
在图20和图21的实施例中，彼此相邻的初始化电压线VIL和第二扫描连接线SCE2可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠，并且彼此相邻的第一扫描连接线SCE1和发射连接线ECE可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠。此外，彼此相邻的第j数据线Dj和第一电源连接线PCE1可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠，并且彼此相邻的第(j+1)数据线Dj+1和第二电源连接线PCE2可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠。因此，可以进一步减小布线区域LA的宽度，并且结果是，透光区域TA可以进一步变宽。
图22是图示图1的显示设备的传感器区域中的像素、扫描线、数据线和第一驱动电压线的平面图。
图22的实施例与图5的实施例的区别在于，另外提供连接到第一驱动电压线VDDL的电压连接线VCE。下文中将主要围绕与图5的实施例的区别来描述图22的实施例。在本文中已经省略了关于各种元件的细节的意义上，可以假定这些细节与先前描述的对应元件至少类似。
参考图22，电压连接线VCE可以主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸，并且第一驱动电压线VDDL可以主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。电压连接线VCE可以被布置在布线区域LA中，并且第一驱动电压线VDDL可以被布置在像素区域PA和布线区域LA中。在像素区域PA中，第一驱动电压线VDDL可以连接到电压连接线VCE。
由于电压连接线VCE主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸，因此电压连接线VCE中的一条可以被布置在透光区域TA的一侧，例如，在透光区域TA的上侧，并且电压连接线VCE中的另一条可以被布置在透光区域TA的另一侧，例如，在透光区域TA的下侧。
根据图22的实施例，由于在透光区域TA的上侧存在布置在像素区域PA中的电压连接线VCE、第一驱动电压线VDDL，因此不需要在透光区域TA的下侧连接到布置在像素区域PA中的第一驱动电压线VDDL。因此，第一驱动电压线VDDL可以从布线区域LA省略。因此，可以简化布线区域LA中的布线的排列。
可以另外提供连接到初始化电压线VIL的第二电压连接线，在这种情况下，由于初始化电压线VIL主要在第一方向(例如，X轴方向)上延伸，因此第二电压连接线可以主要在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。
图23是图示图22的区域B的平面图。图24是沿图23的线VII-VII’截取的截面图。
图23和图24的实施例与图14和图15的实施例的区别在于，另外提供连接到第一驱动电压线VDDL的电压连接线VCE，以及未提供第一电源连接线PCE1和第二电源连接线PCE2。在本文中已经省略了关于各种元件的细节的意义上，可以假定这些细节与先前描述的对应元件至少类似。
参考图23和图24，电压连接线VCE可以连接到像素区域PA中的多条第一驱动电压线VDDL。例如，与在第一方向(例如，X轴方向)上彼此相邻的第一子像素SP1至少部分地重叠的多条第一驱动电压线VDDL可以连接到单条电压连接线VCE。
电压连接线VCE可以与第一驱动电压线VDDL布置在不同的层中。在此情况下，电压连接线VCE可以通过第六连接接触孔BCNT6连接到第一驱动电压线VDDL。例如，电压连接线VCE可以由第二源金属层DTL2形成并且可以被布置在第一平坦化膜160上，如图24中所示，但本公开并不限于此。在另一示例中，电压连接线VCE可以由第一栅金属层GTl1形成并且可以被布置在栅绝缘膜130上。在又一示例中，电压连接线VCE可以由第二栅金属层GTL2形成并且可以被布置在第一层间绝缘膜141上。
可替代地，电压连接线VCE可以与第一驱动电压线VDDL布置在同一层中。在此情况下，电压连接线VCE可以连接到第一驱动电压线VDDL而不需要接触孔。为了将电压连接线VCE与第一驱动电压线VDDL布置在同一层中，第j数据线Dj和第(j+1)数据线Dj+1可以连接到像素区域PA中的数据连接电极。数据连接电极可以与第一驱动电压线VDDL形成在同一层中，并且可以被布置在第一平坦化膜160上。
在图23和图24的实施例中，彼此相邻的初始化电压线VIL和第(k-1)扫描线Sk-1可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠，并且彼此相邻的第一扫描连接线SCE1和第k发射线Ek可以被布置成在厚度方向上彼此至少部分地重叠。在此情况下，可以进一步减小布线区域LA的宽度，并且结果是，透光区域TA可以进一步变宽。
根据本公开的前述和其他实施例，由于显示设备的显示面板的传感器区域包括通过其透射光的透光区域，因此即使传感器器件被布置成在显示面板的厚度方向上与传感器区域重叠，光也可以从显示设备的顶表面穿过透光区域入射到布置在显示面板的底表面上的传感器器件上。因此，可以防止或减少传感器器件的感测能力的劣化。
另外，由于六个晶体管未被提供在第一子像素中，因此布线区域可以被提供在未提供第六晶体管的区域中，并且结果是，透光区域可以变宽。
此外，当相邻布线在布线区域中被布置在不同的层中时相邻布线之间的距离可以变得比当相邻布线在布线区域中被布置在同一层中时窄，并且因此，透光区域可以变宽。
此外，由于第一驱动电压线连接到电压连接线，因此透光区域的一侧的第一驱动电压线不需要通过布线区域连接到透光区域的另一侧的第一驱动电压线。因此，由于第一驱动电压线未被提供在布线区域中，因此能够简化布线区域中的布线的设置。
尽管已经关于本发明的示例性实施例对本发明进行了具体示出和描述，但本领域普通技术人员将理解，可以对本发明进行各种形式和细节的改变，而不背离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围。

Claims (33)

1.一种显示设备，包括：
包括主区域和传感器区域的显示面板；以及
在所述显示面板的厚度方向上与所述显示面板的所述传感器区域至少部分地重叠的多个传感器器件，
其中所述显示面板包括布置在所述传感器区域中的多个第一子像素和布置在所述主区域中的多个第二子像素，并且
其中所述多个第一子像素中的每个的晶体管的数量不同于所述多个第二子像素中的每个的晶体管的数量。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第一子像素中的每个的晶体管的所述数量小于所述多个第二子像素中的每个的晶体管的所述数量。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述显示面板进一步包括扫描线、数据线和发射线，并且
所述多个第一子像素和所述多个第二子像素每个包括：
驱动晶体管，根据施加到所述驱动晶体管的栅电极的数据电压，控制从所述驱动晶体管的第一电极流向第二电极的驱动电流；
连接到所述驱动晶体管的所述第二电极的发光元件；
第一晶体管，由来自所述扫描线中的一条的扫描信号导通以便将所述驱动晶体管的所述栅电极与施加有初始化电压的初始化电压线连接；
第二晶体管，由来自所述扫描线中的另一条的扫描信号导通以便将所述驱动晶体管的所述第一电极与所述数据线中的一条连接；
第三晶体管，由来自所述扫描线中的又一条的扫描信号导通以便将所述驱动晶体管的所述栅电极和所述第二电极连接；
第四晶体管，由来自所述发射线中的一条的发射信号导通以便将所述驱动晶体管的所述第一电极与施加有第一驱动电压的第一驱动电压线连接；以及
第五晶体管，由来自所述发射信号导通以便将所述驱动晶体管的所述第二电极与所述发光元件连接。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二子像素中的每个进一步包括：第六晶体管，由来自所述扫描线中的再一条的扫描信号导通以便将所述发光元件的第一电极与所述初始化电压线连接。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述显示面板进一步包括与所述第一子像素和所述第二子像素至少部分地重叠并施加有扫描信号的扫描线，并且
与所述第一子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的数量不同于与所述第二子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的数量。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，与所述第一子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的所述数量小于与所述第二子像素中的每个至少部分地重叠的扫描线的所述数量。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述显示面板进一步包括布置在所述传感器区域中的透光区域，所述透光区域与所述第一子像素不重叠。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述透光区域至少部分地被所述第一子像素围绕。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述显示面板进一步包括在所述透光区域与所述第一子像素之间的布线区域中连接到所述扫描线中的一条的第一扫描连接线，并且其中所述第一扫描连接线与所述扫描线布置在不同的层中。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，
所述显示面板进一步包括布置在所述第一扫描连接线与连接到所述第一扫描连接线的所述扫描线之间的绝缘膜，并且
所述第一扫描连接线通过贯穿所述绝缘膜的接触孔连接到该第一扫描连接线连接的所述扫描线。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述显示面板进一步包括：与所述第一子像素和所述第二子像素至少部分地重叠并施加有初始化电压的初始化电压线，与所述第一子像素和所述第二子像素至少部分地重叠并施加有数据电压的数据线，以及与所述第一子像素和所述第二子像素至少部分地重叠并施加有第一驱动电压的第一驱动电压线。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示面板进一步包括在所述布线区域中连接到所述第一驱动电压线中的一条并与所述第一驱动电压线布置在不同的层中的电源连接线。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述数据线中的一条在所述布线区域中与所述初始化电压线中的一条或所述第一扫描连接线至少部分地重叠。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述电源连接线与所述扫描线中的一条至少部分地重叠。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其中，
所述显示面板进一步包括布置在所述电源连接线与所述第一驱动电压线中的一条之间的绝缘膜，并且
所述电源连接线通过贯穿所述绝缘膜的接触孔连接到该电源连接线连接的所述第一驱动电压线。
16.根据权利要求12所述的显示设备，其中，
所述电源连接线被布置在所述数据线和所述第一驱动电压线上，
所述数据线和所述第一驱动电压线被布置在所述初始化电压线与所述第一扫描连接线上，并且
所述初始化电压线和所述第一扫描连接线被布置在所述扫描线上。
17.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述显示面板进一步包括连接到所述初始化电压线中的一条的初始化连接线，并且其中所述初始化连接线与所述初始化电压线布置在不同的层中。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述数据线中的一条在所述布线区域中与所述初始化连接线或所述第一扫描连接线至少部分地重叠。
19.根据权利要求17所述的显示设备，其中，
所述显示面板进一步包括布置在所述初始化连接线与所述初始化电压线中的一条之间的绝缘膜，并且
所述初始化连接线通过贯穿所述绝缘膜的接触孔连接到该初始化连接线连接的所述初始化电压线。
20.根据权利要求17所述的显示设备，其中，
所述电源连接线被布置在所述数据线和所述第一驱动电压线上，
所述数据线和所述第一驱动电压线被布置在所述扫描线上，并且
所述扫描线被布置在所述初始化连接线和所述第一扫描连接线上。
21.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述显示面板进一步包括：连接到所述扫描线中的另一条并与所述扫描线布置在不同的层中的第二扫描连接线、与所述第一子像素和所述第二子像素至少部分地重叠并施加有发射信号的发射线、以及连接到所述发射线中的一条并与所述发射线布置在不同的层中的发射连接线。
22.根据权利要求21所述的显示设备，其中，在所述布线区域中，所述数据线中的一条与所述第二扫描连接线至少部分地重叠，并且所述数据线中的另一条与所述发射连接线至少部分地重叠。
23.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述第二扫描连接线和所述发射连接线被布置在同一层中。
24.根据权利要求21所述的显示设备，其中，
所述电源连接线被布置在所述数据线和所述第一驱动电压线上，
所述数据线和所述第一驱动电压线被布置在所述初始化电压线和所述第一扫描连接线上，
所述初始化电压线和所述第一扫描连接线被布置在所述扫描线和所述发射线上，并且
所述扫描线和所述发射线被布置在所述第二扫描连接线和所述发射连接线上。
25.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述显示面板进一步包括连接到所述第一驱动电压线的电压连接线。
26.根据权利要求25所述的显示设备，其中，
所述第一驱动电压线主要在第一方向上延伸，并且
所述电压连接线主要在第二方向上延伸。
27.根据权利要求25所述的显示设备，其中，所述电压连接线被布置在所述第一驱动电压线上。
28.根据权利要求25所述的显示设备，其中，所述第一驱动电压线被布置在所述电压连接线上。
29.根据权利要求28所述的显示设备，其中，所述电压连接线与所述初始化电压线布置同一层中，并且被布置在所述扫描线上。
30.根据权利要求28所述的显示设备，其中，所述初始化电压线被布置在所述电压连接线上，并且与所述扫描线布置在同一层中。
31.根据权利要求25所述的显示设备，其中，所述第一驱动电压线与所述电压连接线布置在同一层中。
32.一种显示设备，包括：
包括主区域和传感器区域的显示面板；以及
在所述显示面板的厚度方向上与所述显示面板的所述传感器区域至少部分地重叠的传感器器件，
其中所述显示面板包括布置在所述传感器区域中的多个第一子像素、布置在所述主区域中的多个第二子像素、与所述多个第一子像素和所述多个第二子像素至少部分地重叠并施加有第一驱动电压的第一驱动电压线以及连接到所述第一驱动电压线的电源连接线，并且
其中所述电源连接线与所述第一驱动电压线布置在不同的层中。
33.一种显示设备，包括：
透光区域；
至少部分地围绕所述透光区域的多个子像素；
连接到所述多个子像素的第一导线；以及
在所述透光区域与所述子像素之间的布线区域中连接到所述第一导线的第二导线，
其中所述第一导线与所述第二导线布置在不同的层中。
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