CN112271269A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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CN112271269A CN202011152310.7A CN202011152310A CN112271269A CN 112271269 A CN112271269 A CN 112271269A CN 202011152310 A CN202011152310 A CN 202011152310A CN 112271269 A CN112271269 A CN 112271269A
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Abstract

本公开提供一种显示面板的制造方法,包括:提供衬底基板;形成发光元件层,其中,形成发光元件层的步骤包括:依次形成发出各种颜色光的发光元件的发光层,并且,形成至少一种颜色的发光元件的发光层包括以下步骤:在形成有像素界定层的衬底基板上涂敷能够激发出相应颜色的光的量子点材料层,所述量子点材料层的材料包括多个量子点,且所述量子点包括量子点本体和可交联配体;对量子点材料层进行局部交联处理;对局部交联处理后的量子点材料层进行荧光性能淬灭处理。本公开还提供一种显示面板。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体地,涉及一种显示面板、以及该显示面板的制造方法。
背景技术
胶体量子点由于具有高的量子效率、窄的激发光谱、独特的尺寸以来发光谱和良好的溶液交工兼容性等特点,在高色彩质量显示方面有着巨大的潜力。
当前,量子点材料应用于显示领域的一种实施方式为,利用量子点材料制成像素单元中发光二极管的发光层。
目前常用的制备显示面板中的量子点发光层的方法为喷墨打印,但是,喷墨打印设备的成本非常高,并且,受喷墨打印设备精度的影响,显示面板的分辨率也通常只能在350ppi(Pixel Per inch)以下。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示面板、以及该显示面板的制造方法。
作为本公开的第一个方面,提供一种显示面板的制造方法,其中,所述制造方法包括:
提供衬底基板,所述衬底基板上形成有像素界定层,所述像素界定层限定有多个像素单元,每个像素单元都包括多个对应于不同颜色的子像素单元;
形成发光元件层,所述发光元件层包括多个发光元件,每个子像素中都对应设置有发出相应颜色光的发光元件,其中,形成发光元件层的步骤包括:
依次形成发出各种颜色光的发光元件的发光层,并且,形成至少一种颜色的发光元件的发光层包括以下步骤:
在形成有像素界定层的衬底基板上涂敷能够激发出相应颜色的光的量子点材料层,所述量子点材料层的材料包括多个量子点,且所述量子点包括包括量子点本体和与所述量子点本体通过配位键相连的可交联配体;
对所述量子点材料层进行局部交联处理,以使得所述量子点材料层上位于相应颜色的子像素单元中的量子点的可交联的官能团发生交联;
对局部交联处理后的量子点材料层进行荧光性能淬灭处理,以使得量子点材料层中位于相应颜色的子像素单元之外的量子点发生荧光性能淬灭。
可选地,在对所述量子点材料层进行局部交联处理的步骤中,交联的官能团在所述量子点本体表面形成交联的网状结构。
可选地,所述可交联配体包括配位基团、碳链、以及可交联官能团,所述配位基团和所述可交联官能团均位于所述碳链上,所述配位基团通过配位键与所述量子点本体相连。
可选地,所述可交联的官能团为可光照交联的官能团,对所述量子点材料层进行局部交联处理的步骤包括:
在所述量子点材料层上方设置掩膜板,所述掩膜板包括透光部和遮光部,所述透光部与相应颜色的子像素单元相对;
利用光照射所述掩膜板,以使得光通过所述透光部到达相应颜色的子像素单元。
可选地,所述官能团包括以下官能团中的至少一者:
双键、环氧基团、羧基、巯基、氨基、羟基。
可选地,所述碳链的长度不小于4个碳原子。
可选地,所述碳链上还形成有支链。
可选地,对局部交联处理后的量子点材料层进行荧光性能淬灭处理的步骤包括:
利用具有金属阳离子的溶液对局部交联处理后的量子点材料层进行离子交换处理,以使得量子点材料层中位于相应颜色的子像素单元之外的部分中的量子点发生荧光性能淬灭。
可选地,利用具有金属阳离子的溶液对局部交联处理后的量子点材料层进行离子交换处理的步骤之后,所述量子点本体的量子点壳的阳离子被所述金属阳离子代替,和/或所述量子点本体的量子点核的阳离子被所述金属阳离子代替。
可选地,所述金属阳离子选自以下阳离子中的至少一者:
Fe3+、Cu+、Co2+、Ni2+、Ag+、Mo6+、Na+、K+、Cs+、Ba2+、Ca2+、Hg2+、Sn2+、Pb2+
作为本公开的第二个方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元,每个子像素单元中都对应设置有发出相应颜色光的发光元件,其中,对于至少一种颜色的光对应的发光元件,该发光元件的发光层的材料为具有荧光性能的量子点材料,所述具有荧光性能的量子点材料包括具有荧光性能的量子点本体和位于所述量子点本体表面的交联网状结构,所述交联网状结构由可交联配体相互交联而形成,对应其他颜色光的发光元件中形成有辅助层,所述辅助层的材料包括辅助量子点材料,所述辅助量子点材料包括荧光性能淬灭的量子点本体以及位于该荧光性能淬灭的量子点本体表面的未交联的可交联配体。
可选地,所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点核的材料中的阳离子与该光性能被淬灭的量子点本体的量子点壳的材料中的阳离子相同或不同。
可选地,所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点核的材料和/或所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点壳的材料包括以下阳离子中的至少一者:
Fe3+、Cu+、Co2+、Ni2+、Ag+、Mo6+、Na+、K+、Cs+、Ba2+、Ca2+、Hg2+、Sn2+、Pb2+
可选地,所述像素单元包括N个子像素单元,每个子像素单元中都设置有一个发光层和N-1个辅助层,所述发光层与所述辅助层沿所述显示面板的厚度方向层叠设置。
可选地,每个所述发光层都对应于与该发光层同层设置的N-1个辅助层。
可选地,所述发光元件包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的:
第一电极;
电子传输层;
所述发光层;
空穴传输层;和
第二电极。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本公开实施例所提供的制造方法的流程图;
图2是本公开实施例所提供的形成发光层的流程图;
图3是量子点的实施方式示意图;
图4是制备显示面板时各个步骤的示意图;
图5是本公开所提供的制造方法所制得的显示面板中一个像素单元的结构示意图;
图6是离子交换使量子点荧光淬灭的化学反应示意图;
图7是对量子点材料层进行局部交联的原理示意图;
图8是对局部交联后的量子点材料层进行离子交换处理的原理示意图;
图9是步骤S121b的一种实施方式的示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
作为本公开的第一个方面,提供一种显示面板的制造方法,其中,如图1所示,所述制造方法包括:
在步骤S110中,提供衬底基板,所述衬底基板上形成有像素界定层,所述像素界定层限定有多个像素单元,每个像素单元都包括多个对应于不同颜色的子像素单元;
在步骤S120中,形成发光元件层,所述发光元件层包括多个发光元件,每个子像素中都对应设置有发出相应颜色光的发光元件,其中,形成发光元件层的步骤包括:
在步骤S121中,依次形成发出各种颜色光的发光元件的发光层,并且,形成至少一种颜色的发光元件的发光层包括如图2中所示的以下步骤:
在步骤S121a中,在形成有像素界定层的衬底基板上涂敷能够激发出相应颜色的光的量子点材料层,所述量子点材料层的材料包括多个量子点,且所述量子点包括量子点本体和与所述量子点本体通过配位键相连的可交联配体;
在步骤S121b中,对所述量子点材料层进行局部交联处理,以使得所述量子点材料层上位于相应颜色的子像素单元中的量子点的可交联配体发生交联;
在步骤S121c中,对局部交联处理后的量子点材料层进行荧光性能淬灭处理,以使得量子点材料层中位于相应颜色的子像素单元之外的量子点发生荧光性能淬灭。
在形成某种颜色的发光元件的发光层时,首先整面涂敷量子点材料、然后再将目标位置(上文中所述的相应颜色的子像素单元处)的量子点材料进行固化,使得目标位置处的量子点本体的表面形成有交联在一起的可交联配体。因此,在后续的步骤S121c中,将未发生官能团交联的量子点材料的荧光性淬灭,而已经发生配体交联的量子点(包覆有树脂壳体的量子点)的荧光性能不会受到影响(即,在光激发下仍然能够发出预定波长的光)。通过步骤S121b和步骤S121c,可以将激发出所需颜色光的量子点材料作为发光层设置在相应的像素子单元中。
本公开所提供的制造方法中,步骤S121b和步骤S121c相当于构图工艺,无需用到喷墨打印,成本较低。并且,在不受喷墨打印设备精度影响的前提下,利用本公开所提供的制造方法也可以获得分辨率较高的产品。
需要指出的是,在步骤S121b中所提及的“量子点本体”是指具有荧光性能的量子点核壳结构。由于所述量子点本体上具有可交联配体,因此,所述可交联配体交联时可以在量子点本体的外表面形成网状结构。该网状结构可以在执行步骤S121c时对量子点本体进行保护,避免其荧光性能被淬灭。
在本公开中,对如何执行步骤S121c不做特殊的限定,作为一种可选实施方式,步骤S121c可以具体包括:
利用具有金属阳离子的溶液对局部交联处理后的量子点材料层进行离子交换处理,以使得量子点材料层中位于相应颜色的子像素单元之外的部分中的量子点发生荧光性能淬灭。
在未进行离子交换处理的量子点本体中,量子点本体的量子点壳的材料、以及量子点的量子点核的材料均具有阳离子。例如,对于能够激发出红光的红色量子点CdSe/CdS,其量子点核的材料为CdSe,其中的阳离子为Cd2+,其量子点壳的材料为CdS,其中的阳离子也为Cd2+,如果将量子点核和/或量子点壳中的阳离子Cd2+置换为其它金属阳离子,那么置换后获得的仍然是核壳结构,但是这种核壳结构已经不具有荧光性能了。
除此之外,利用具有金属阳离子的溶液对局部交联处理后的量子点材料层进行离子交换处理还有利于保证已经发生了官能团交联的量子点仍然具有良好的荧光性能。具体地,由于步骤S121b中,部分量子点材料的官能团发生交联固化形成网状结构,溶液中的阳离子无法穿透该网状结构,从而可以确保被所述网状结构包围的量子点本体不会发生离子交换,其荧光性能也不会被淬灭。
在图7中所示的实施方式中,未经过局部硬化处理、且未经过离子交换的量子点本体为能够被激发出红光的CdSe/CdS的核壳结构量子点,可交联配体中发生交联的官能团为巯基。对红色子像素单元中的量子点材料进行固化处理,使得可交联配体发生交联,形成位于CdSe/CdS的核壳结构量子点本体表面的网状结构。
执行完局部交联处理后进行阳离子交换。如图6和图8中所示,可交联配体未交联的量子点的量子点本体的量子点壳中的阳离子Cd2+、以及可交联配体未交联的量子点的量子点本体的量子点核中的阳离子Cd2+均被Ag+替换后,获得Ag2Se/Ag2S这种不具有荧光性的核壳结构。而在阳离子交换的步骤中,Ag+无法穿过可交联配体已经发生交联的量子点表面的网状结构,从而可以保持量子点本体为具有荧光性能的的CdSe/CdS核壳结构。
需要指出的是,只要量子点本体的量子点核、以及量子点本体的量子点壳中的至少一者发生上述离子交换,其荧光性能即被淬灭。换言之,利用具有金属阳离子的溶液对局部交联处理后的量子点材料层进行离子交换处理的步骤之后,所述量子点本体的量子点壳的阳离子被所述金属阳离子代替,和/或所述量子点本体的量子点核的阳离子被所述金属阳离子代替。
在本公开中,对步骤S121c中所采用的阳离子不做特殊的限定。例如,所述金属阳离子选自以下阳离子中的至少一者:
Fe3+、Cu+、Co2+、Ni2+、Ag+、Mo6+、Na+、K+、Cs+、Ba2+、Ca2+、Hg2+、Sn2+、Pb2+
作为一种可选实施方式,具有金属阳离子的溶液包括硝酸银(AgNO3)甲醇溶液。图6中所示的是硝酸银甲醇溶液中的银离子使量子点荧光性能淬灭的反应示意图。
图7中所示的是可交联配体发生交联形成网状结构的量子点的示意图,可以看出,因可交联配体交联形成的网状结构位于量子点本体的外表面。
在本公开中,在制备至少一种颜色的发光二极管的发光层时采用步骤S121a至步骤S121c,例如,可以仅在制造一种颜色的发光元件的发光层是采用步骤S121a至步骤S121c,也可以在制造多种颜色的发光元件的发光层时均采用步骤S121a至步骤S121c。
作为一种可选实施方式,所述显示面板包括发红光的红色发光元件、发蓝光的蓝色发光二极管、发绿光的绿色发光二极管。在图4中所示的实施方式是在制备红色发光二极管的发光层时、制备蓝色发光二极管的发光层时、制备绿色发光二极管的发光层时均采用步骤S121a至步骤S121c。下文中将对这种实施方式进行详细介绍,这里先不赘述。
在本公开中,对如何处理荧光性能淬灭后的量子点材料不做特殊的限定。可以去除荧光性能淬灭后的量子点材料,也可以不去除荧光性能淬灭后的量子点材料。为了简化制造工艺,可以不去除荧光性能淬灭后的量子点材料。
在图4中所示的实施方式中,并未去除荧光性能淬灭后的量子点材料。
在本公开中,对可交联配体的具体结构不做特殊的限定。可选地,,所述可交联配体包括配位基团、碳链、以及可交联官能团,所述配位基团和所述可交联官能团均位于所述碳链上,所述配位基团通过配位键与所述量子点本体相连。通过可交联官能团的交联,可交联配体中的碳链可以形成网状结构。
在本公开中,对步骤S121b中如何实现“局部交联处理”不做特殊的限定。可以根据可交联官能团的特性来确定“局部交联处理”的具体实施方式。在显示面板的制造过程中,多用到光刻工艺。因此,在本公开中,所述可交联官能团为可光照交联的官能团。相应地,如图9所示,对所述量子点材料层上位于相应的子像素单元中的部分进行局部交联处理的步骤S121b可以包括:
在步骤S121b1中,在所述量子点材料层上方设置掩膜板,所述掩膜板包括透光部和遮光部,所述透光部与相应颜色的子像素单元相对;
在步骤S1221b2中,利用光照射所述掩膜板,以使得光通过所述透光部到达相应颜色的子像素单元。
通过光照,可以使得相应子像素处的量子点上的可交联官能团发生交联,从而形成位于量子点本体表面的网状结构。
例如,在制备红色发光二极管的发光层时,可以使得掩膜板的透光部与红色子像素单元的位置相对,利用光照射掩膜板,可以使得红色像素单元中的量子点材料的可交联官能团发生交联。
在本公开中,对步骤S121b2中所采用的光的波长不做特殊的限定,可以根据量子点材料的配体类型执行步骤S121b2。当量子点材料的可交联官能团为紫外固化官能团时,可采用紫外线来执行步骤S121b2。
在本公开中,对一个量子点中所述可交联官能团的具体类型、以及具体数量不做特殊的限定,可选地,所述可交联官能团包括以下官能团中的至少一者:
双键、环氧基团、羧基、巯基、氨基、羟基。
在同一个量子点中,可以具有一种可交联官能团,也可以包括多种可交联官能团。
为了提高可交联官能团交联后获得的网状结构的致密程度,可选地,所述碳链的长度不小于4个碳原子。
为了进一步提高量子点本体上可交联配体在交联后获得的网状结构的致密程度,可选地,所述碳链上还可以形成有支链。图3(a)至图3(j)中示出了尚未发生官能团交联的量子点的集中具体实施方式,其中:
在图3(a)中所示的实施方式中,可交联官能团为双键;
在图3(b)中所示的实施方式中,可交联官能团为双键,其中,每个碳链上形成有一个支链;
在图3(c)中所示的实施方式中,可交联官能团为羧基;
在图3(d)中所示的实施方式中,可交联官能团为氨基和羧基;
在图3(e)中所示的实施方式中,可交联官能团为环氧基团;
在图3(f)中所示的实施方式中,可交联官能团为羟基和羧基;
在图3(g)中所示的实施方式中,可交联官能团为巯基;
在图3(h)中所示的实施方式中,可交联官能团为巯基,与图3(g)不同的是,碳链上还形成有支链;
在图3(i)中所示的实施方式中,可交联官能团为双键,与图3(b)中不同的是,碳链上还形成有两个支链;
在图3(j)中所示的实施方式中,可交联官能团为羧基,与图3(c)中不同的是,碳链上还形成有支链。
在本公开中,对提供衬底基板的步骤S110不做特殊的限定,可选地,步骤S110可以包括:
提供驱动基板,所述驱动基板上形成有多个驱动电路,其中,每个子像素单元都对应有相应的驱动电路;
形成第一电极层,所述第一电极层包括多个发光元件的第一电极;
形成所述像素界定层。
可以利用透明电极材料制成第一电极,也可以利用金属材料制成第一电极。
在本公开中,发光元件可以为发光二极管,除了第一电极、发光层之外,发光元件还可以包括电子传输层、空穴传输层等膜层,相应地,形成发光元件层的步骤S120还包括在依次形成发出各种颜色光的发光元件的发光层的步骤之前进行的:
形成电子传输层;以及
在依次形成发出各种颜色光的发光元件的发光层的步骤之后进行的:
形成空穴传输层;
形成第二电极层。
在本公开中,对电子传输层的材料不做特殊的限定。例如,可以利用氧化锌(ZnO)制成电子传输层。当然,本发明并不限于此,例如,还可以使用ZnMgO、ZnS、SnO2、CBP等中的任意一种材料制成电子传输层。
下面结合图4对本公开所提供的制造方法的一种具体实施方式进行详细的介绍。具体地,所述制造方法包括:
如图4(a)所示,提供衬底基板100,在该步骤中,衬底基板100是一种像素化的基板,即,衬底基板100包括玻璃基板、形成在玻璃基板上的驱动阵列、以及第一电极层,该第一电极层包括各个发光元件的第一电极。驱动阵列用于驱动发光元件发光。
如图4(b)和图4(c)所示,在衬底基板100上形成像素界定层200,其中,图4(b)是形成了像素界定层200的衬底基板100的剖视示意图,图4(c)是形成了像素界定层200的衬底基板的俯视示意图,通过图4(c)可以看出,像素界定层200限定了多个子像素单元(包括红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元)。形成了像素界定层200后,可以依次利用水、乙醇和丙酮对形成有像素界定层200的衬底基板100进行三次清洗,并利用紫外臭氧照射基板10分钟,以去除表面的有机物残余。
如图4(d)所示,形成电子传输层310,该电子传输层310的材料可以为ZnO,具体地,可以沉积ZnO纳米粒子,并在120℃退火10分钟,形成电子传输层。
如图4(e)所示,形成能够激发出红光的量子点材料层321;
如图4(f)所示,通过掩模板400R利用365nm的紫外光对量子点材料层321进行曝光,使得红色子像素单元中的量子点的可交联官能团发生交联;
如图4(g)所示,将上述器件浸泡在硝酸银甲醇溶液中10分钟,取出后利用甲醇进行表面冲洗,去除多余离子,通过离子交换,使得绿色子像素单元、蓝色子像素单元中的量子点材料的荧光性能淬灭,最终形成红色发光层321R、与红色发光层321R同层、且位于蓝色子像素单元中、以及绿色子像素单元中的辅助层321r。需要指出的是,辅助层312r中的量子点为离子交换后的量子点,荧光性能已被淬灭。可以在离子交换过程结束后利用紫外灯照射量子点膜层,如果未曝光部分的量子点材料仍然存在荧光性能,表明离子交换反应不完全,可以再将基板浸泡入硝酸银甲醇溶液中,直至反应完全。最后取出基板,对其表面进行冲洗,最后在120℃热台上对量子点膜层退火10分钟。
随后利用与制备红色发光层相似的步骤制备绿色发光层和蓝色发光层。具体如下:
如图4(h)所示,形成能够激发出绿光的量子点材料层322;
如图4(i)所示,通过掩模板400G对量子点材料层322进行曝光,使得绿色子像素单元中的量子点的可交联官能团发生交联;
如图4(j)所示,通过离子交换,使得红色子像素单元、蓝色子像素单元中的量子点材料的荧光性能淬灭,最终形成绿色发光层322G、与绿色发光层322G同层、且位于蓝色子像素单元以及、红色子像素单元中的辅助层322g;
如图4(k)所示,形成能够激发出蓝光的量子点材料层323;
如图4(l)所示,通过掩模板400B对量子点材料层323进行曝光,使得蓝色子像素单元中的量子点的官能团发生交联;
如图4(m)所示,通过离子交换,使得红色子像素单元、绿色子像素单元中的量子点材料的荧光性能淬灭,最终形成蓝色发光层323B、与蓝色发光层323B同层、且位于红色子像素单元、红色子像素单元中的量子点材料层323b;
沉积形成空穴传输层;
沉积形成第二电极。
最终获得的像素单元如图5所示,该像素单元包括形成在衬底基板100上的电子传输层200、红色发光层321R、绿色发光层322G、蓝色发光层323B,以及空穴传输层330和第二电极340。
在本公开中,对如何获得形成有交联配体的量子点材料不做特殊限定。例如,可以采用前驱体合成的方式或者配体交换的方式获得本公开中所用到的量子点材料。
下面介绍一种采用热注入法制备CdSe/CdZnSeS/ZnS核壳结构量子点的具体步骤:
将0.4mmol CdO、6mmol的醋酸锌和7ml的油酸加入到50ml的三口烧瓶中,并通入氮气进行排氧,之后加热到170℃使固体完全溶解。
加入15ml的十八烯,之后将温度升高到300℃。
将0.9mmol的硒溶解到2ml的三辛基膦中,并快速加入到第二步得到的溶液中,反应约10分钟。
将0.1mmol的硒和0.3mmol的硫溶解到1ml的三辛基膦中,并快速加入到第三步得到的溶液中,反应约10分钟。
待反应结束后,将溶液冷却到室温,并用丙酮将量子点进行沉淀洗涤三次,最后溶解到辛烷中备用。
作为本公开的第二个方面,提供一种显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元,每个子像素单元中都对应设置有发出相应颜色光的发光元件。其中,对于至少一种颜色的光对应的发光元件,该发光元件的发光层的材料为具有荧光性能的量子点材料,所述具有荧光性能的量子点材料包括具有荧光性能的量子点本体和位于所述量子点本体表面的交联网状结构,所述交联网状结构由可交联配体相互交联而形成,对应其他颜色光的发光元件中形成有辅助层,所述辅助层的材料包括辅助量子点材料,所述辅助量子点材料包括荧光性能淬灭的量子点本体以及位于该荧光性能淬灭的量子点本体表面的未交联的可交联配体。
所述显示面板可以由本公开第一方面所提供的制造方法所制得。如上文中所述,本公开所提供的制造方法中,无需用到喷墨打印,成本较低。并且,在不受喷墨打印设备精度影响的前提下,利用本公开所提供的制造方法也可以获得分辨率较高的产品。
如上文中所述,可以通过离子交换的方式使量子点本体的荧光性能淬灭。在进行离子交换时,可以置换具有荧光性能的量子点本体的量子点核中的阳离子,也可以置换具有荧光性能的量子点本体的量子点壳中的阳离子,还可以同时置换具有荧光性能的量子点本体的量子点核中的阳离子以及具有荧光性能的量子点本体的量子点壳中的阳离子。
换言之,所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点核的材料中的阳离子与该光性能被淬灭的量子点本体的量子点壳的材料中的阳离子相同或不同。
如上文中所述,所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点核的材料和/或所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点壳的材料包括以下阳离子中的至少一者:
Fe3+、Cu+、Co2+、Ni2+、Ag+、Mo6+、Na+、K+、Cs+、Ba2+、Ca2+、Hg2+、Sn2+、Pb2+
作为本公开的一种可选实施方式,每个子像素单元的发光层都包括量子点材料,每个子像素单元中都设置有辅助层。具体地,所述像素单元包括N个子像素单元,每个子像素单元中都设置有一个发光层和N-1个辅助层,所述发光层与所述辅助层沿所述显示面板的厚度方向层叠设置。
可选地,每个所述发光层都对应于与该发光层同层设置的N-1个辅助层。
例如,对于N=3的情况而言,显示面板的像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元和脸色子像素单元,如图5所示,该像素单元包括形成在衬底基板100上的电子传输层200、红色发光层321R、与红色发光层321R同层的辅助层321r、绿色发光层322G、与绿色发光层322G同层的辅助层322g、蓝色发光层323B、与蓝色发光层323B同层的辅助层323b,以及空穴传输层330和第二电极340。
如上文所述,所述可交联配体可以包括配位基团、碳链、以及可交联官能团,所述配位基团和所述可交联官能团均位于所述碳链上,所述配位基团通过配位键与所述量子点本体相连
如上文中所述,所述官能团为光可固化官能团。
如上文中所述,所述官能团可以包括以下官能团中的至少一者:
双键、环氧基团、羧基、巯基、氨基、羟基。
为了提高官能团交联后获得的网状结构的致密程度,可选地,所述碳链的碳原子不小于4个。
为了进一步提高交联后获得的网状结构的致密程度,可选地,所述碳链上还可以形成有支链。
可选地,所述显示面板还包括衬底基板,所述衬底基板上形成有像素界定层,所述像素界定层限定有多个所述像素单元。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式,然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本公开的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (16)

1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
提供衬底基板,所述衬底基板上形成有像素界定层,所述像素界定层限定有多个像素单元,每个像素单元都包括多个对应于不同颜色的子像素单元;
形成发光元件层,所述发光元件层包括多个发光元件,每个子像素中都对应设置有发出相应颜色光的发光元件,其中,形成发光元件层的步骤包括:
依次形成发出各种颜色光的发光元件的发光层,并且,形成至少一种颜色的发光元件的发光层包括以下步骤:
在形成有像素界定层的衬底基板上涂敷能够激发出相应颜色的光的量子点材料层,所述量子点材料层的材料包括多个量子点,且所述量子点包括量子点本体和与所述量子点本体通过配位键相连的可交联配体;
对所述量子点材料层进行局部交联处理,以使得所述量子点材料层上位于相应颜色的子像素单元中的量子点的可交联配体发生交联;
对局部交联处理后的量子点材料层进行荧光性能淬灭处理,以使得量子点材料层中位于相应颜色的子像素单元之外的量子点发生荧光性能淬灭。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在对所述量子点材料层进行局部交联处理的步骤中,所述可交联配体交联后在所述量子点本体表面形成交联的网状结构。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述可交联配体包括配位基团、碳链、以及可交联官能团,所述配位基团和所述可交联官能团均位于所述碳链上,所述配位基团通过配位键与所述量子点本体相连。
4.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述可交联官能团为可光照交联的官能团,对所述量子点材料层进行局部交联处理的步骤包括:
在所述量子点材料层上方设置掩膜板,所述掩膜板包括透光部和遮光部,所述透光部与相应颜色的子像素单元相对;
利用光照射所述掩膜板,以使得光通过所述透光部到达相应颜色的子像素单元。
5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述可交联官能团包括以下官能团中的至少一者:
双键、环氧基团、羧基、巯基、氨基、羟基。
6.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述碳链的长度不小于4个碳原子。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述碳链上还形成有支链。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的制造方法,其特征在于,对局部交联处理后的量子点材料层进行荧光性能淬灭处理的步骤包括:
利用具有金属阳离子的溶液对局部交联处理后的量子点材料层进行离子交换处理,以使得量子点材料层中位于相应颜色的子像素单元之外的部分中的量子点发生荧光性能淬灭。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,利用具有金属阳离子的溶液对局部交联处理后的量子点材料层进行离子交换处理的步骤之后,所述量子点本体的量子点壳的阳离子被所述金属阳离子代替,和/或所述量子点本体的量子点核的阳离子被所述金属阳离子代替。
10.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述金属阳离子选自以下阳离子中的至少一者:
Fe3+、Cu+、Co2+、Ni2+、Ag+、Mo6+、Na+、K+、Cs+、Ba2+、Ca2+、Hg2+、Sn2+、Pb2+
11.一种显示面板,所述显示面板包括多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素单元,每个子像素单元中都对应设置有发出相应颜色光的发光元件,其特征在于,对于至少一种颜色的光对应的发光元件,该发光元件的发光层的材料为具有荧光性能的量子点材料,所述具有荧光性能的量子点材料包括具有荧光性能的量子点本体和位于所述量子点本体表面的交联网状结构,所述交联网状结构由可交联配体相互交联而形成,对应其他颜色光的发光元件中形成有辅助层,所述辅助层的材料包括辅助量子点材料,所述辅助量子点材料包括荧光性能淬灭的量子点本体以及位于该荧光性能淬灭的量子点本体表面的未交联的可交联配体。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点核的材料中的阳离子与该光性能被淬灭的量子点本体的量子点壳的材料中的阳离子相同或不同。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点核的材料和/或所述荧光性能被淬灭的量子点本体的量子点壳的材料包括以下阳离子中的至少一者:
Fe3+、Cu+、Co2+、Ni2+、Ag+、Mo6+、Na+、K+、Cs+、Ba2+、Ca2+、Hg2+、Sn2+、Pb2+
14.根据权利要求11至13中任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述像素单元包括N个子像素单元,每个子像素单元中都设置有一个发光层和N-1个辅助层,所述发光层与所述辅助层沿所述显示面板的厚度方向层叠设置。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,每个所述发光层都对应于与该发光层同层设置的N-1个辅助层。
16.根据权利要求11至15中任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述发光元件包括沿远离所述衬底基板的方向依次设置的:
第一电极;
电子传输层;
所述发光层;
空穴传输层;和
第二电极。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113046058A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 北京京东方技术开发有限公司 量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法
CN114854418A (zh) * 2022-03-28 2022-08-05 北京京东方技术开发有限公司 量子点混合物、图案化的方法、量子点膜及发光器件
CN115058243A (zh) * 2022-06-30 2022-09-16 北京京东方技术开发有限公司 量子点、量子点交联物、量子点发光器件
WO2023024059A1 (zh) * 2021-08-27 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
WO2023050214A1 (zh) * 2021-09-29 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 量子点配体、量子点-配体体系及量子点材料
WO2023070444A1 (en) * 2021-10-28 2023-05-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Quantum dots material solution, method of forming quantum dots layer, and array substrate, display panel, and method of fabricating display panel
WO2023155162A1 (zh) * 2022-02-18 2023-08-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、电致发光器件及其制备方法
WO2023173417A1 (zh) * 2022-03-18 2023-09-21 京东方科技集团股份有限公司 量子点混合物、量子点发光层及制作方法
WO2023225823A1 (zh) * 2022-05-23 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件及其制备方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111384304B (zh) * 2018-12-29 2021-06-29 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管的后处理方法
US20230018862A1 (en) * 2021-07-16 2023-01-19 Sharp Display Technology Corporation Photo-lithographed array of light-emitting and light-converting devices
KR20230063687A (ko) * 2021-11-02 2023-05-09 삼성전자주식회사 양자점 박막 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 광전 소자 및 이미지 센서

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241553A (zh) * 2014-10-13 2014-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
CN104966725A (zh) * 2015-05-07 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点发光二极管显示器
CN105449111A (zh) * 2016-01-08 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法
CN105552241A (zh) * 2016-01-13 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法
CN108172603A (zh) * 2018-01-03 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管基板及其制备方法、显示面板
CN109378395A (zh) * 2018-10-18 2019-02-22 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置
CN109935713A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN110085757A (zh) * 2019-05-22 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置
US20200259110A1 (en) * 2019-02-13 2020-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Quantum dots with salt ligands with charge transporting properties

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109609114B (zh) * 2018-11-12 2022-03-01 天津市中环量子科技有限公司 一种荧光量子点的优化处理方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104241553A (zh) * 2014-10-13 2014-12-24 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的制备方法及其制得的oled器件
CN104966725A (zh) * 2015-05-07 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点发光二极管显示器
CN105449111A (zh) * 2016-01-08 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 具有结合层的量子点发光二极管基板及其制备方法
CN105552241A (zh) * 2016-01-13 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法
CN109935713A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜及其制备方法、qled器件及其制备方法
CN108172603A (zh) * 2018-01-03 2018-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管基板及其制备方法、显示面板
CN109378395A (zh) * 2018-10-18 2019-02-22 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子、显示基板的制备方法及显示装置
US20200259110A1 (en) * 2019-02-13 2020-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Quantum dots with salt ligands with charge transporting properties
CN110085757A (zh) * 2019-05-22 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 量子点及其制备方法、量子点发光器件、相关装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113046058A (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 北京京东方技术开发有限公司 量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法
WO2023024059A1 (zh) * 2021-08-27 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
WO2023050214A1 (zh) * 2021-09-29 2023-04-06 京东方科技集团股份有限公司 量子点配体、量子点-配体体系及量子点材料
WO2023070444A1 (en) * 2021-10-28 2023-05-04 Boe Technology Group Co., Ltd. Quantum dots material solution, method of forming quantum dots layer, and array substrate, display panel, and method of fabricating display panel
WO2023155162A1 (zh) * 2022-02-18 2023-08-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、电致发光器件及其制备方法
WO2023173417A1 (zh) * 2022-03-18 2023-09-21 京东方科技集团股份有限公司 量子点混合物、量子点发光层及制作方法
CN114854418A (zh) * 2022-03-28 2022-08-05 北京京东方技术开发有限公司 量子点混合物、图案化的方法、量子点膜及发光器件
WO2023225823A1 (zh) * 2022-05-23 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件及其制备方法
CN115058243A (zh) * 2022-06-30 2022-09-16 北京京东方技术开发有限公司 量子点、量子点交联物、量子点发光器件

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US20220127527A1 (en) 2022-04-28
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