CN112259670A - 一种led发光模组及其制造方法 - Google Patents
一种led发光模组及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112259670A CN112259670A CN202011117085.3A CN202011117085A CN112259670A CN 112259670 A CN112259670 A CN 112259670A CN 202011117085 A CN202011117085 A CN 202011117085A CN 112259670 A CN112259670 A CN 112259670A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- led
- transparent colloidal
- transparent
- colloidal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 3
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 2
- 235000009537 plain noodles Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00214—Processes for the simultaneaous manufacturing of a network or an array of similar microstructural devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开一种LED发光模组，包括透明胶状薄膜，所述透明胶状薄膜上布设有若干LED芯片，若干LED芯片排设形成芯片阵列，芯片的出光面朝向透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面背向透明胶状薄膜，所述LED芯片嵌入所述透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面与所述透明胶状薄膜上靠近电极面的表面的距离不超过30微米，所述LED芯片的电极面通过导电材料连接于电路板。同时也公开制作该LED发光模组的方法。本发明将巨量转移工艺与成熟的PCB制作工艺融合，解决了传统PCB单颗固晶效率低良率差的问题。且此工艺对于PCB制作精度的要求比传统固晶工艺降低了，制作成本、工艺良率都会极大提高。
Description
技术领域
本发明涉及LED发光芯片模组技术领域，具体涉及一种LED发光模组及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种高效节能、绿色环保、寿命长的固态半导体器件，目前在交通指示、户内外全色显示、液晶电视背光源、照明等方面有着广泛的应用。
现有的专利号为201610631000.0的中国发明专利中公告了一种LED微显示阵列倒装芯片及制作方法，发明提供的LED微显示阵列倒装芯片通过在衬底上沉积高折射率透明薄膜层材料，实现了发光层光源的更好汇聚，解决了光进入低折射率蓝宝石衬底后会发散的问题。但是，该制造方法中，是在衬底上蚀刻芯片，同时再覆光刻胶，再蚀刻图案，工艺较为繁琐，且不适合大面积制作。
发明内容
本发明的目的是针对上述背景技术中存在的不足，提供一种工艺简单，适合大面积制作的LED发光模组制备方法，以及该LED发光模组。
为实现上述目的，本发明先公开一种LED发光模组，采用了如下技术方案：
一种LED发光模组，包括透明胶状薄膜，所述透明胶状薄膜上布设有若干LED芯片，若干LED芯片排设形成芯片阵列，芯片的出光面朝向透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面背向透明胶状薄膜，所述LED芯片嵌入所述透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面与所述透明胶状薄膜上靠近电极面的表面的距离不超过30微米，所述LED芯片的电极面通过导电材料连接于电路板。
本发明一种LED发光模组的进一步改进之处在于，所述导电材料为银浆、锡膏、各向异性导电胶、锡、锡合金、金、铜、石墨烯、碳纳米管等导电材料或其与有机物混合而成的浆料，所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。
本发明一种LED发光模组的进一步改进之处在于，所述透明胶状薄膜内部还设置有荧光粉或者量子点。
本发明一种LED发光模组的进一步改进之处在于，所述透明胶状薄膜的厚度为100～2000μm。
本发明一种LED发光模组的进一步改进之处在于，所述透明胶状薄膜远离LED芯片的一面还设置有若干不规则的微结构。
本发明还公开一种上述LED发光模组的制造方法，包括如下步骤，
a，在LED芯片电极面上预设锡或金或其合金，在基板上按一定间距阵列排设若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片的电极面朝向基板，出光面背向基板；
b，完成步骤a后，在基板上涂覆透明胶状薄膜，使得透明胶状薄膜包覆芯片阵列；
c，完成步骤b后，在透明胶状薄膜上表面加工出若干不规则的微结构，同时将步骤b中的涂覆的透明胶状薄膜固化，得到固化成型的LED芯片阵列；
d，制作与LED芯片阵列排布规律相匹配的图案模具和导电电路板；
e，完成步骤c、d后，将LED芯片阵列与导电电路板利用光学对准设备对准并压合，再加热实现LED芯片电极面与导电电路板结合，形成导电通路。
本发明还公开一种在透明胶状薄膜上加工不规则的微结构的方法，包括以下步骤，选择基材，在基材上通过感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀的方法形成有若干结构各异的微结构凹槽，再将形成微结构凹槽压覆在透明胶状薄膜上，使得透明胶状薄膜上形成若干不规则的微结构。
具体的，所述凹槽形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。所述微结构凹槽的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构凹槽间距为1～100μm。所述硬质材料包括玻璃、蓝宝石、石英、硅、金属等中的一种。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明在LED芯片上预设锡或金或其合金等导电材料，在后续加工时，便于直接在模具内加热形成导电线路，实现芯片之间的电连接，工艺简单，即，本发明将巨量转移工艺与成熟的PCB制作工艺融合，解决了传统PCB单颗固晶效率低良率差的问题。且此工艺对于PCB制作精度的要求比传统固晶工艺降低了，制作成本、工艺良率都会极大提高。
附图说明
图1为本发明的LED发光模组的制作方法的简易流程图
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开一种LED发光模组，该LED发光模组包括包括透明胶状薄膜，所述透明胶状薄膜上布设有若干LED芯片，若干LED芯片排设形成芯片阵列，芯片的出光面朝向透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面背向透明胶状薄膜，所述LED芯片嵌入所述透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面与所述透明胶状薄膜上靠近电极面的表面的距离不超过30微米，所述LED芯片的电极面通过导电材料连接于电路板。
具体的，所述导电材料为银浆、锡膏、各向异性导电胶、锡、锡合金、金、铜、石墨烯、碳纳米管等导电材料或其与有机物混合而成的浆料，所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。
进一步的，所述透明胶状薄膜内部还设置有荧光粉或者量子点。荧光粉或者量子点的设置使得发散处的光为白光，能够作照明使用。
进一步的，所述透明胶状薄膜的厚度为100～2000μm。保证LED芯片模组的厚度较薄，进而更为降低制造成本。
进一步的，所述透明胶状薄膜远离LED芯片的一面还设置有若干不规则的微结构。微结构为微纳米尺度的凹坑结构。微结构的设置使得出光效果更好。
上述LED发光模组的制造方法为，包括如下步骤，
a，在LED芯片电极面上预设锡或金或其合金，在基板上按一定间距阵列排设若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片的电极面朝向基板，出光面背向基板；
b，完成步骤a后，在基板上涂覆透明胶状薄膜，使得透明胶状薄膜包覆芯片阵列；
c，完成步骤b后，在透明胶状薄膜上表面加工出若干不规则的微结构，同时将步骤b中的涂覆的透明胶状薄膜固化，得到固化成型的LED芯片阵列；固化时，使用固定模具对涂覆的透明胶状薄膜进行限位，同时，固定模具上开有微结构凹槽，固定模具覆在透明胶状薄膜上，在透明胶状薄膜上形成微结构，即将固定模具覆在透明胶状薄膜上，再置于80-300摄氏度的高温下，实现透明胶状薄膜的固化，此时，LED芯片阵列与透明胶状薄膜固定，透明胶状薄膜也出现若干不规则的微结构；或者，也可以通过红外线固化或者紫外线固化的方法实现透明胶状薄膜的固化；固化后，取下基板以及固定模具，得到固化成型的LED芯片阵列；
d，制作与LED芯片阵列排布规律相匹配的图案模具和导电电路板；
e，完成步骤c、d后，将LED芯片阵列与导电电路板利用光学对准设备对准并压合，再加热实现LED芯片电极面与导电电路板结合，形成导电通路；加热方式为红外线加热或升温加热的方式，加热温度为80-300摄氏度。
上述透明胶状薄膜上微结构的加工方式为，利用固定模具压覆透明胶状薄膜形成若干不规则的微结构，具体的固定模具加工方式为，选择基材，在基材上通过感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀的方法形成有若干结构各异的微结构凹槽。再将形成微结构凹槽压覆在透明胶状薄膜上，再经过固化，使得透明胶状薄膜上形成若干不规则的微结构。
具体的，所述凹槽形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。所述微结构凹槽的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构凹槽间距为1～100μm。所述硬质材料包括玻璃、蓝宝石、石英、硅、金属等中的一种。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (10)
1.一种LED发光模组，其特征在于：包括透明胶状薄膜，所述透明胶状薄膜上布设有若干LED芯片，若干LED芯片排设形成芯片阵列，芯片的出光面朝向透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面背向透明胶状薄膜，所述LED芯片嵌入所述透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面与所述透明胶状薄膜上靠近电极面的表面的距离不超过30微米，所述LED芯片的电极面通过导电材料连接于电路板。
2.根据权利要求1所述的一种LED发光模组，其特征在于：所述导电材料为银浆、锡膏、各向异性导电胶、锡、锡合金、金、铜、石墨烯、碳纳米管等导电材料或其与有机物混合而成的浆料，所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种LED发光模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜内部还设置有荧光粉或者量子点。
4.根据权利要求1所述的一种LED发光模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜的厚度为100～2000μm。
5.根据权利要求1所述的一种LED发光模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜远离LED芯片的一面还设置有若干不规则的微结构。
6.一种LED发光模组的制作方法，其特征在于：包括如下步骤，
a，在LED芯片的电极面上预设锡或金或其合金，在基板上按一定间距阵列排设若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片的电极面朝向基板，出光面背向基板；
b，完成步骤a后，在基板上涂覆透明胶状薄膜，使得透明胶状薄膜包覆芯片阵列；
c，完成步骤b后，将步骤b中的涂覆的透明胶状薄膜固化，得到固化成型的LED芯片阵列；
d，制作与LED芯片阵列排布规律相匹配的图案模具和导电电路板；
e，完成步骤c、d后，将LED芯片阵列与导电电路板利用光学对准设备对准并压合，再加热实现LED芯片电极面与导电电路板结合，形成导电通路。
7.根据权利要求1所述的一种LED发光模组的制作方法，其特征在于：在步骤c中，在透明胶状薄膜上表面加工出若干不规则的微结构。
8.一种微结构的加工方法，用于制造权利要求7中所述的透明胶状薄膜上表面的微结构，其特征在于：包括选择基材，在基材上通过感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀的方法形成有若干结构各异的微结构凹槽，再将形成微结构凹槽压覆在透明胶状薄膜上，使得透明胶状薄膜上形成若干不规则的微结构。
9.根据权利要求8所述的一种微结构的加工方法，其特征在于：所述凹槽形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种，所述微结构凹槽的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构凹槽间距为1～100μm。
10.根据权利要求8所述的一种微结构的加工方法，其特征在于：所述硬质材料包括玻璃、蓝宝石、石英、硅、金属等中的一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011117085.3A CN112259670A (zh) | 2020-10-19 | 2020-10-19 | 一种led发光模组及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011117085.3A CN112259670A (zh) | 2020-10-19 | 2020-10-19 | 一种led发光模组及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112259670A true CN112259670A (zh) | 2021-01-22 |
Family
ID=74244769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011117085.3A Pending CN112259670A (zh) | 2020-10-19 | 2020-10-19 | 一种led发光模组及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112259670A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113437198A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-09-24 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 | 一种深紫外led封装方法 |
| CN115032807A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-09-09 | 成都理工大学工程技术学院 | 一种立体成像装置及其制备方法 |
| CN117198969A (zh) * | 2023-10-08 | 2023-12-08 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 防薄膜芯片移位的封装治具及方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709278A (zh) * | 2012-05-21 | 2012-10-03 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 荧光薄膜平面薄片式led阵列光源 |
| CN107293630A (zh) * | 2016-04-01 | 2017-10-24 | 上海博恩世通光电股份有限公司 | 一种csp led芯片及其制作方法 |
| CN107731996A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-23 | 惠州市华瑞光源科技有限公司 | Led灯珠及其制备方法 |
| CN107887331A (zh) * | 2017-11-11 | 2018-04-06 | 福州大学 | 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法 |
-
2020
- 2020-10-19 CN CN202011117085.3A patent/CN112259670A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709278A (zh) * | 2012-05-21 | 2012-10-03 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 荧光薄膜平面薄片式led阵列光源 |
| CN107293630A (zh) * | 2016-04-01 | 2017-10-24 | 上海博恩世通光电股份有限公司 | 一种csp led芯片及其制作方法 |
| CN107731996A (zh) * | 2017-09-28 | 2018-02-23 | 惠州市华瑞光源科技有限公司 | Led灯珠及其制备方法 |
| CN107887331A (zh) * | 2017-11-11 | 2018-04-06 | 福州大学 | 一种Micro‑LED发光显示器件的制备方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113437198A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-09-24 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院 | 一种深紫外led封装方法 |
| CN115032807A (zh) * | 2022-08-11 | 2022-09-09 | 成都理工大学工程技术学院 | 一种立体成像装置及其制备方法 |
| CN117198969A (zh) * | 2023-10-08 | 2023-12-08 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 防薄膜芯片移位的封装治具及方法 |
| CN117198969B (zh) * | 2023-10-08 | 2024-02-06 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 防薄膜芯片移位的封装治具及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112259670A (zh) | 一种led发光模组及其制造方法 | |
| US10741608B2 (en) | Manufacturing method of micro light-emitting diode display panel | |
| Tsou et al. | Silicon-based packaging platform for light-emitting diode | |
| CN208384933U (zh) | 一种微缩化led矩阵 | |
| Peng et al. | Progress and perspective of near-ultraviolet and deep-ultraviolet light-emitting diode packaging technologies | |
| CN103314059A (zh) | 具有混合涂料的光源、包括具有混合涂料的光源的装置和/或制作其的方法 | |
| CN103187409A (zh) | 基于引线框架的led阵列封装光源模块 | |
| CN1825640A (zh) | 半导体发光元件组成 | |
| CN208315549U (zh) | 发光装置 | |
| WO2019227647A1 (zh) | 背光模组、显示装置及背光模组的制作方法 | |
| CN100336234C (zh) | 裸晶式发光二极管 | |
| CN102683546B (zh) | 半导体封装结构与其制造方法 | |
| CN109742223A (zh) | 扇出型led的封装结构及封装方法 | |
| US9029898B2 (en) | Light emitting diode and illumination device using same | |
| CN103258936B (zh) | 一种led封装基板及用于保形涂覆的方法 | |
| CN113574686B (zh) | 驱动电路基板、led显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN209804709U (zh) | 扇出型led的封装结构及电子显示屏 | |
| CN103426875A (zh) | 透明电极柔性led微显示阵列器件及制备方法 | |
| CN112420904A (zh) | 一种led芯片模组及其制造方法 | |
| CN102222667A (zh) | 一种led光源模块及其封装工艺 | |
| CN112563397A (zh) | 一种led芯片阵列模组及其制作方法 | |
| CN213124482U (zh) | 一种紫外面光源 | |
| CN201829498U (zh) | 一种led集成光源板 | |
| CN112201736B (zh) | MiniLED矩阵背光板、其制造方法以及笔记本电脑 | |
| KR20180115134A (ko) | 마이크로 led 모듈 및 마이크로 led 모듈 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210122 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |