CN107293630A - 一种csp led芯片及其制作方法 - Google Patents
一种csp led芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107293630A CN107293630A CN201610203403.5A CN201610203403A CN107293630A CN 107293630 A CN107293630 A CN 107293630A CN 201610203403 A CN201610203403 A CN 201610203403A CN 107293630 A CN107293630 A CN 107293630A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- packing colloid
- led chips
- preparation
- pressing plate
- csp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 29
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Abstract
本发明提供一种CSP LED芯片及其制作方法，所述制作方法包括步骤：步骤1），采用混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体固化至预设硬度；步骤2），于具有预设硬度的封装胶体表面制作预设的图形结构。本发明通过对封装胶体制作图形结构，使光产生更多折射出光，从而有效提升CSP芯片出光功效；另外，本发明技术简单易懂，步骤简单，适合量产，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED芯片的制作方法，特别是涉及一种CSP LED芯片及其制作方法。
背景技术
CSP的全称是Chip Scale Package，也就是芯片级封装器件。CSP是最新一代的内存芯片封装技术，其技术性主要体现为让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，与理想情况的1:1相当接近。相对LED产业而言，CSP封装是基于倒装技术而存在的，CSP器件是指将封装体积与倒装芯片体积控制至相同或封装体积不大于倒装芯片体积的20％，在照明行业，CSP因为体积小，灵活度高，应用范围将越来越广泛。
目前CSP LED主要有三种结构类型：
第一种结构是采用周围二氧化钛保护再覆荧光膜，只有顶部一个发光面，光的一致性和指向性很好，但是损失了四周的光输出，光效会偏低。
第二种结构是采用荧光膜全覆盖，再加透明硅胶固定成型，也是五面出光，光效高，但是光品质稍差。
第三种结构是采用硅胶荧光粉压制而成，五面出光，光效高，但是顶部和四周的色温一致性控制较差。这种结构的CSP LED芯片如图1所示，其生产步骤较简单，因此，现有的CSP LED大多数采用这种结构。然而，硅胶荧光粉与空气的接触面存在较大角度的全反射角，光线容易在LED内部被多次反射吸收而不能逃逸发光，大大降低了LED的光效。
鉴于以上所述，提供一种可以有效提高出光效率的CSP LED芯片亮度的方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种CSP LED芯片及其制作方法，用于解决现有技术中CSP LED芯片出光效率低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种CSP LED芯片的制作方法，所述制作方法包括步骤：步骤1)，采用混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体固化至预设硬度；步骤2)，于具有预设硬度的封装胶体表面制作预设的图形结构。
作为本发明的CSP LED芯片的制作方法的一种优选方案，步骤1)包括：步骤1-1)，将LED芯片制作有电极的一面附着于一贴膜上；步骤1-2)，采用涂覆的方式将混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装。
作为本发明的CSP LED芯片的制作方法的一种优选方案，步骤1)中，所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％。
进一步地，所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％～90％。
作为本发明的CSP LED芯片的制作方法的一种优选方案，步骤2)包括：步骤2-1)，提供一制作有预设图形的压板，将该压板的预设图形面压在封装胶体上，使压板上的预设图形转移至封装胶体上；步骤2-2)，采用热固化的方式完全固化所述封装胶体。
优选地，步骤2-1)中，所述预设图形包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形，并通过凸出或凹陷进压板的形式存在于所述压板上。
优选地，步骤2-1)中，采用0.5-20公斤的压力压在压板上使压板的预设图形嵌合于封装胶体内，并在1-100℃的温度下进行封装胶体的热固化。
优选地，所述压板设置有加热器，使得所述压板的温度范围在1-100℃内可调。
本发明还提供一种CSP LED芯片，包括：LED芯片；混合有荧光粉的封装胶体，封装于所述LED芯片表面；以及图形结构，形成于所述封装胶体表面。
作为本发明的CSP LED芯片的一种优选方案，所述LED芯片制作有电极的一面附着于一贴膜上。
优选地，所述贴膜为包括蓝膜的透明贴膜。
作为本发明的CSP LED芯片的一种优选方案，所述图形结构包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形的凸出或凹陷结构。
如上所述，本发明的CSP LED芯片及其制作方法，具有以下有益效果：
1)本发明通过对封装胶体制作图形结构，使光产生更多折射出光，从而有效提升CSP芯片出光功效；
2)本发明技术简单易懂，步骤简单，适合量产，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。
附图说明
图1显示为现有技术中的CSP LED芯片结构示意图。
图2～图5显示为本发明的CSP LED芯片的制作方法各步骤所呈现的结构示意图，其中，图5显示为本发明的CSP LED芯片的最终结构示意图。
元件标号说明
101 贴膜
102 电极
103 GaN发光层
104 蓝宝石衬底
105 封装胶体
106 压板
107 图形结构
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2～图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图2～图5所示，本实施例提供一种CSP LED芯片的制作方法，所述制作方法包括步骤：
如图2～图3所示，首先进行步骤1)，采用混合有荧光粉的封装胶体105对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体105固化至预设硬度。
作为示例，所述LED芯片包括蓝宝石衬底104、GaN发光层103以及电极102。
作为示例，步骤1)包括：
如图2所示，首先进行步骤1-1)，将LED芯片制作有电极102的一面附着于一贴膜101上。所述贴膜101为透明贴膜101，包括蓝膜等材料。
如图3所示，然后进行步骤1-2)，采用涂覆的方式将混合有荧光粉的封装胶体105对LED芯片进行封装。
作为示例，步骤1)中，所述封装胶体105包括硅胶，所述预设硬度选择为不小于封装胶体105完全固化硬度的70％。在本实施例中，所述预设硬度选择为不小于封装胶体105完全固化硬度的70％～90％，优选为80％。该固化硬度的封装胶体105可有利于后续压板106的压印工艺进行，大大提高压印效率及压印质量。
如图4～图5所示，然后进行步骤2)，于具有预设硬度的封装胶体105表面制作预设的图形结构107。
作为示例，步骤2)包括：
步骤2-1)，提供一制作有预设图形的压板106，将该压板106的预设图形面压在封装胶体105上，使压板106上的预设图形转移至封装胶体105上。
作为示例，步骤2-1)中，所述预设图形包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形，并通过凸出或凹陷进压板106的形式存在于所述压板106上。
在本实施例中，采用0.5-20公斤的压力压在压板106上使压板106的预设图形嵌合于封装胶体105内，并在1-100℃的温度下进行封装胶体105的热固化。
在本实施例中，所述压板106设置有加热器，使得所述压板106的温度范围在1-100℃内可调。在压印同时对封装胶体105进行加热固化，可以大大提高压印的效率以及压印的质量。
步骤2-2)，采用热固化的方式完全固化所述封装胶体105。
如图5所示，本实施例还提供一种CSP LED芯片，包括：LED芯片；混合有荧光粉的封装胶体105，封装于所述LED芯片表面；以及图形结构107，形成于所述封装胶体105表面。
作为示例，所述LED芯片制作有电极102的一面附着于一贴膜101上。
作为示例，所述贴膜101为蓝膜。
作为示例，所述图形结构107包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形的凸出或凹陷结构。
如上所述，本发明的CSP LED芯片及其制作方法，具有以下有益效果：
1)本发明通过对封装胶体105制作图形结构107，使光产生更多折射出光，从而有效提升CSP芯片出光功效；
2)本发明技术简单易懂，步骤简单，适合量产，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (12)
1.一种CSP LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
步骤1)，采用混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装，并使所述封装胶体固化至预设硬度；
步骤2)，于具有预设硬度的封装胶体表面制作预设的图形结构。
2.根据权利要求1所述的CSP LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤1)包括：
步骤1-1)，将LED芯片制作有电极的一面附着于一贴膜上；
步骤1-2)，采用涂覆的方式将混合有荧光粉的封装胶体对LED芯片进行封装。
3.根据权利要求1所述的CSP LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤1)中，所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％。
4.根据权利要求3所述的CSP LED芯片的制作方法，其特征在于：所述预设硬度选择为不小于封装胶体完全固化硬度的70％～90％。
5.根据权利要求1所述的CSP LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤2)包括：
步骤2-1)，提供一制作有预设图形的压板，将该压板的预设图形面压在封装胶体上，使压板上的预设图形转移至封装胶体上；
步骤2-2)，采用热固化的方式完全固化所述封装胶体。
6.根据权利要求5所述的CSP LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤2-1)中，所述预设图形包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形，并通过凸出或凹陷进压板的形式存在于所述压板上。
7.根据权利要求5所述的CSP LED芯片的制作方法，其特征在于：步骤2-1)中，采用0.5-20公斤的压力压在压板上使压板的预设图形嵌合于封装胶体内，并在1-100℃的温度下进行封装胶体的热固化。
8.根据权利要求5所述的CSP LED芯片的制作方法，其特征在于：所述压板设置有加热器，使得所述压板的温度范围在1-100℃内可调。
9.一种CSP LED芯片，其特征在于，包括：
LED芯片；
混合有荧光粉的封装胶体，封装于所述LED芯片表面；
图形结构，形成于所述封装胶体表面。
10.根据权利要求9所述的CSP LED芯片，其特征在于：所述LED芯片制作有电极的一面附着于一贴膜上。
11.根据权利要求10所述的CSP LED芯片，其特征在于：所述贴膜为包括蓝膜的透明贴膜。
12.根据权利要求9所述的CSP LED芯片，其特征在于：所述图形结构包括三角形、六边形、圆柱形或者不规则图形的凸出或凹陷结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610203403.5A CN107293630A (zh) | 2016-04-01 | 2016-04-01 | 一种csp led芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610203403.5A CN107293630A (zh) | 2016-04-01 | 2016-04-01 | 一种csp led芯片及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107293630A true CN107293630A (zh) | 2017-10-24 |
Family
ID=60087547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610203403.5A Pending CN107293630A (zh) | 2016-04-01 | 2016-04-01 | 一种csp led芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107293630A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112259670A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-22 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种led发光模组及其制造方法 |
| CN112420904A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-02-26 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种led芯片模组及其制造方法 |
| CN113437199A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-24 | 顺德职业技术学院 | 一种提高led显示器视效的封装胶的成模装置 |
-
2016
- 2016-04-01 CN CN201610203403.5A patent/CN107293630A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112259670A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-01-22 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种led发光模组及其制造方法 |
| CN112420904A (zh) * | 2020-10-19 | 2021-02-26 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种led芯片模组及其制造方法 |
| CN113437199A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-24 | 顺德职业技术学院 | 一种提高led显示器视效的封装胶的成模装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI695521B (zh) | Led封裝結構及其製造方法 | |
| CN105720164B (zh) | 一种白光led的制备方法 | |
| CN105977245A (zh) | 一种可调色温的cob封装结构及其封装方法 | |
| CN105720166A (zh) | 一种白光led芯片的制备方法 | |
| CN107293630A (zh) | 一种csp led芯片及其制作方法 | |
| CN103872034A (zh) | 基于透光基板的全角度发光led光源及其封装方法 | |
| TW201338212A (zh) | 低空間色偏之ｌｅｄ封裝結構 | |
| CN104393145A (zh) | 一种低热阻、高亮度、陶瓷基白光led | |
| CN102931320A (zh) | 白光led近似保形封装结构及其制备方法 | |
| CN105810780A (zh) | 一种白光led芯片的制备方法 | |
| CN103972222A (zh) | Led光源封装方法、led光源封装结构及光源模块 | |
| CN106252337A (zh) | 一种显色指数和色温可调的led集成光源 | |
| Hu et al. | Effect of the amount of phosphor silicone gel on optical property of white light-emitting diodes packaging | |
| CN105810800A (zh) | 一种led集成发光器件及其制作方法 | |
| CN103872223A (zh) | 一种led晶片级封装方法 | |
| CN105449083B (zh) | 一种led荧光粉胶涂覆的方法 | |
| CN204732409U (zh) | 一种led灯丝的封装结构 | |
| CN205752243U (zh) | 一种csp led芯片 | |
| CN102569558A (zh) | 在led封装中实现荧光粉胶远离涂覆的封装方法及应用 | |
| CN204045589U (zh) | 一种led-cob光源 | |
| CN205231108U (zh) | 一种白光led晶片封装结构 | |
| CN206194789U (zh) | 一种芯片级封装led | |
| CN203134852U (zh) | 包含衬底平台的白光led封装结构 | |
| CN206546830U (zh) | 一种led封装结构 | |
| CN104051597A (zh) | 全方位led器件的封装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20171024 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |