CN112420904A - 一种led芯片模组及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种LED芯片模组及其制造方法。该LED芯片模组包括若干LED芯片，若干LED芯片阵列排设形成LED芯片阵列，LED芯片的出光面朝上，所述LED芯片阵列上侧包覆有透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面由导电线路连接，所述透明胶状薄膜上端面还设置有若干不规则的微结构。本发明的LED芯片模组结构简单，制作工艺也简便，适应大面积的制作以及大规模生产。同时，在同名胶状薄膜上设置微结构，能提高光的发散角度，使得照明效果更好，微结构通过基材磨具进行了压覆，使得透明胶状薄膜厚度更薄，制造成本更低。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片模组技术领域，具体涉及一种LED芯片模组及其制造方法。
背景技术
发光二极管(LED)是一种高效节能、绿色环保、寿命长的固态半导体器件，目前在交通指示、户内外全色显示、液晶电视背光源、照明等方面有着广泛的应用。
现有的专利号为201610631000.0的中国发明专利中公告了一种LED微显示阵列倒装芯片及制作方法，发明提供的LED微显示阵列倒装芯片通过在衬底上沉积高折射率透明薄膜层材料，实现了发光层光源的更好汇聚，解决了光进入低折射率蓝宝石衬底后会发散的问题。但是，该制造方法中，是在衬底上蚀刻芯片，同时再覆光刻胶，再蚀刻图案，工艺较为繁琐，且不适合大面积制作。
发明内容
本发明的目的是针对上述背景技术中存在的不足，提供一种结构简单的LED 芯片模组，同时，也提供该LED芯片模组的制造方法。
为实现上述目的，本发明一种LED芯片模组，采用了如下技术方案：
一种LED芯片模组，包括若干LED芯片，若干LED芯片阵列排设形成LED 芯片阵列，LED芯片的出光面朝上，所述LED芯片阵列上侧包覆有透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面由导电线路连接，所述透明胶状薄膜上端面还设置有若干不规则的微结构。
本发明一种LED芯片模组的进一步改进之处在于，所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。
本发明一种LED芯片模组的进一步改进之处在于，所述透明胶状薄膜内部还设置有荧光粉或者量子点。
本发明一种LED芯片模组的进一步改进之处在于，所述透明胶状薄膜的厚度为100～2000μm。
本发明还公开了一种制造上述LED芯片模组的方法，采用如下技术方案，
一种LED芯片模组的制作方法，包括如下步骤，
a，在基板上按一定间距阵列排设若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述 LED芯片的电极面朝向基板，出光面背向基板；
b，完成步骤a后，在基板上涂覆透明胶状薄膜，使得透明胶状薄膜包覆芯片阵列；
c，完成步骤b后，将步骤b中的涂覆的透明胶状薄膜固化，得到固化成型的LED芯片阵列；
d，制作与LED芯片阵列排布规律相匹配的图案模具；
e，完成步骤c、d后，利用图案模具与步骤c形成的LED芯片阵列配合，设置导电线路，使LED芯片形成电路连接。
本发明一种LED芯片模组的制作方法的进一步改进之处在于，在步骤c中，在透明胶状薄膜上表面加工出若干不规则的微结构。
本发明还公开一种在透明胶状薄膜上加工不规则的微结构的方法，包括以下步骤，选择基材，在基材上通过感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀的方法形成有若干结构各异的微结构凹槽，再将形成微结构凹槽压覆在透明胶状薄膜上，使得透明胶状薄膜上形成若干不规则的微结构。
具体的，所述凹槽形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。所述微结构凹槽的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构凹槽间距为1～100μm。所述硬质材料包括玻璃、蓝宝石、石英、硅、金属等中的一种。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的LED芯片模组结构简单，制作工艺也简便，适应大面积的制作以及大规模生产。同时，在同名胶状薄膜上设置微结构，能提高光的发散角度，使得照明效果更好，微结构通过基材磨具进行了压覆，使得透明胶状薄膜厚度更薄，制造成本更低。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开一种LED芯片模组，包括若干LED芯片，若干LED芯片阵列排设形成LED芯片阵列，LED芯片的出光面朝上，所述LED芯片阵列上侧包覆有透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面由导电线路连接，所述透明胶状薄膜上端面还设置有若干不规则的微结构。微结构为微纳米尺度的凹坑结构。
具体的，所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。
进一步的，所述透明胶状薄膜内部还设置有荧光粉或者量子点。荧光粉或者量子点的设置使得发散处的光为白光，能够作照明使用。
进一步的，所述透明胶状薄膜的厚度为100～2000μm。保证LED芯片模组的厚度较薄，进而更为降低制造成本。
上述LED芯片模组的制作方法，包括以下步骤，
a，在基板上按一定间距阵列排设若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述 LED芯片的电极面朝向基板，出光面背向基板；
b，完成步骤a后，在基板上涂覆透明胶状薄膜，使得透明胶状薄膜包覆芯片阵列；
c，完成步骤b后，将步骤b中的涂覆的透明胶状薄膜固化，得到固化成型的LED芯片阵列；固化时，使用固定模具对涂覆的透明胶状薄膜进行限位，同时，固定模具上开有微结构凹槽，固定模具覆在透明胶状薄膜上，在透明胶状薄膜上形成微结构，即将固定模具覆在透明胶状薄膜上，再置于80-300摄氏度的高温下，实现透明胶状薄膜的固化，此时，LED芯片阵列与透明胶状薄膜固定，透明胶状薄膜也出现若干不规则的微结构；或者，也可以通过红外线固化或者紫外线固化的方法实现透明胶状薄膜的固化；固化后，取下基板以及固定模具，得到固化成型的LED芯片阵列；
d，制作与LED芯片阵列排布规律相匹配的图案模具；
e，完成步骤c、d后，利用图案模具与步骤c形成的LED芯片阵列配合，设置导电线路，使LED芯片形成电路连接；具体的，形成导线线路的实现方式为，LED芯片阵列与图案模具通过光学设备进行对准，之后利用工具将流体状导电材料按照图案模具中的图案转移到LED芯片阵列上，之后使流体状导电材料硬化，所述流体状导电材料为Au、Ag、Cu、Al等金属颗粒与有机或无机流体状材料混合而成具有一定流动性的物质，硬化条件为加热到80-300摄氏度，或者利用波长730nm-2000nm的红外线照射，或者紫外光照射实现硬化，形成导电线路。
上述透明胶状薄膜上微结构的加工方式为，利用固定模具压覆透明胶状薄膜形成若干不规则的微结构，具体的固定模具加工方式为，选择基材，在基材上通过感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀的方法形成有若干结构各异的微结构凹槽。再将形成微结构凹槽压覆在透明胶状薄膜上，再经过固化，使得透明胶状薄膜上形成若干不规则的微结构。
具体的，所述凹槽形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。所述微结构凹槽的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构凹槽间距为1～100μm。所述硬质材料包括玻璃、蓝宝石、石英、硅、金属等中的一种。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
Claims (10)
1.一种LED芯片模组，其特征在于：包括若干LED芯片，若干LED芯片阵列排设形成LED芯片阵列，LED芯片的出光面朝上，所述LED芯片阵列上侧包覆有透明胶状薄膜，所述LED芯片的电极面由导电线路连接，所述透明胶状薄膜上端面还设置有若干不规则的微结构。
2.根据权利要1所述的一种LED芯片模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。
3.根据权利要1所述的一种LED芯片模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜内部还设置有荧光粉或者量子点。
4.根据权利要1所述的一种LED芯片模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜的厚度为100～2000μm。
5.一种LED芯片模组的制作方法，其特征在于：包括如下步骤，
a，在基板上按一定间距阵列排设若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片的电极面朝向基板，出光面背向基板；
b，完成步骤a后，在基板上涂覆透明胶状薄膜，使得透明胶状薄膜包覆芯片阵列；
c，完成步骤b后，将步骤b中的涂覆的透明胶状薄膜固化，得到固化成型的LED芯片阵列；
d，制作与LED芯片阵列排布规律相匹配的图案模具；
e，完成步骤c、d后，利用图案模具与步骤c形成的LED芯片阵列配合，设置导电线路，使LED芯片形成电路连接。
6.根据权利要求5所述的一种LED芯片模组的制作方法，其特征在于：在步骤c中，在透明胶状薄膜上表面加工出若干不规则的微结构。
7.一种微结构的加工方法，用于制造权利要求6中所述的透明胶状薄膜上表面的微结构，其特征在于：包括选择基材，在基材上通过感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀的方法形成有若干结构各异的微结构凹槽，再将形成微结构凹槽压覆在透明胶状薄膜上，使得透明胶状薄膜上形成若干不规则的微结构。
8.根据权利要求7所述的一种微结构的加工方法，其特征在于：所述凹槽形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。
9.根据权利要求7所述的一种微结构的加工方法，其特征在于：所述微结构凹槽的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构凹槽间距为1～100μm。
10.根据权利要求7所述的一种微结构的加工方法，其特征在于：所述硬质材料包括玻璃、蓝宝石、石英、硅、金属等中的一种。
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Application publication date: 20210226 |