CN112563397A - 一种led芯片阵列模组及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED芯片阵列模组，包括基板，所述基板上阵列布设有若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜，透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触，所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃，玻璃上设置有微结构。本发明在玻璃上制作微结构实现对LED芯片出射的光进行散射，将光线均匀分布，且无需另加扩散膜即可以实现光线的均匀分布，简化了结构。本发明超薄的透明胶状薄膜与超薄玻璃配合可以实现超薄的模组厚度。玻璃既可以作为光线扩散的载体，同时也可以作为LED芯片阵列整个模组的支撑，增强LED芯片阵列模组的机械强度，同时玻璃的密封性极好，可以改善芯片阵列的密封性。
Description
技术领域
本发明涉及LED芯片制造技术领域，具体涉及一种LED芯片阵列模组及其制作方法。
背景技术
Mini LED显示作为新的显示技术，具有广阔的市场前景，在业界得到广泛关注。与OLED显示技术相比，Mini LED由于采用无机半导体材料，其在亮度和寿命等方面均优于OLED显示。
目前Mini LED显示的主流路线是在PCB基板上通过固晶的方式制作LED 芯片阵列，同时还需要在LED芯片阵列上设置扩散膜来实现光线的均匀分布。但是Mini LED在单位面积上会有更多的芯片焊接，由于PCB基板散热性的限制，热量密集度会更高，PCB基板就会存在翘曲变形的问题。同时由于是多层膜组合的设计，也导致了整个模组厚度偏厚。
发明内容
本发明的目的是针对上述背景技术中存在的不足，提供一种工艺简单，适合大面积制作的LED芯片阵列，以及该LED芯片阵列的制作方法。
为实现上述目的，本发明一种LED芯片阵列模组，采用了如下技术方案：
一种LED芯片阵列模组，包括基板，所述基板上阵列布设有若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜，透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触，所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃，玻璃上设置有微结构。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、本发明在玻璃上制作微结构实现对LED芯片出射的光进行散射，将光线均匀分布，且无需另加扩散膜即可以实现光线的均匀分布，简化了结构。
2、本发明超薄的透明胶状薄膜与超薄玻璃配合可以实现超薄的模组厚度。
3、玻璃既可以作为光线扩散的载体，同时也可以作为LED芯片阵列整个模组的支撑，增强LED芯片阵列模组的机械强度，同时玻璃的密封性极好，可以改善芯片阵列的密封性。
本发明还公开了上述LED芯片阵列模组的制造方法，包括如下步骤，
a，选择玻璃，在玻璃上通过光刻制作掩膜层，定义出呈凸起或凹槽的微结构形状；
b，在完成步骤a后，在玻璃上进行感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀，形成微结构；
c，选择基板，在基板上阵列排布LED芯片，LED芯片的出光面背向基板，电极面朝向基板；
d，在完场步骤c后，在基板涂覆液态透明胶状材料，使得透明胶状材料包覆阵列排布的LED芯片；
e，完成步骤b、d后，将玻璃置于透明胶状材料上；
f，完成步骤e后，将基板连同透明胶状材料、玻璃在高温下或者UV光照射下进行固化，使得透明胶状材料固定成透明胶状薄膜，同时，透明胶状薄膜的上下面也分别与玻璃、LED芯片相固定
上述LED芯片阵列模组的制造方法的有益效果在于，玻璃工艺可以进行大面积制作，工艺简单，可以极大降低制作成本。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种LED芯片阵列模组，包括基板，所述基板上阵列布设有若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜，透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触，所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃，玻璃的正和/或反面设置有微结构。所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、UV胶、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或多种材料制成。具体的，所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，厚度为10～2000μm。所述玻璃的可见光透过率大于 90％，厚度为10～2000μm。所述微结构为凸起或凹槽，所述微结构的形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。所述微结构的高度为 1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构之间的间距为1～100μm。进一步的，所述透明胶状薄膜内部还含有荧光粉或者量子点。实现LED芯片发散白光。
上述LED芯片阵列模组的制造方法包括如下步骤，
a，选择可见光透过率大于90％、厚度为10～2000μm的玻璃，选择玻璃的一面在其上通过光刻制作掩膜层，定义出呈凸起或凹槽的微结构形状；
b，在完成步骤a后，在玻璃上进行感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀，形成微结构，控制微结构的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，相邻微结构之间的间距为1～100μm；
c，选择基板，在基板上阵列排布LED芯片，LED芯片的出光面背向基板，电极面朝向基板；
d，在完场步骤c后，在基板涂覆可见光透过率大于90％的液态透明胶状材料，使得透明胶状材料厚度为10～2000μm，同时使得透明胶状材料包覆阵列排布的LED芯片；
e，完成步骤b、d后，将玻璃置于透明胶状材料上；
f，完成步骤e后，将基板连同透明胶状材料、玻璃在高温下或者UV光照射下进行固化，使得透明胶状材料固定成透明胶状薄膜，同时，透明胶状薄膜的上下面也分别与玻璃、LED芯片相固定。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (8)
1.一种LED芯片阵列模组，其特征在于：包括基板，所述基板上阵列布设有若干LED芯片，形成LED芯片阵列，所述LED芯片阵列上方设置有透明胶状薄膜，透明胶状薄膜与LED芯片的出光面相接触，所述透明胶状薄膜上方设置有玻璃，玻璃上设置有微结构。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述玻璃的可见光透过率大于90％，厚度为10～2000μm。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述微结构为凸起或凹槽，所述微结构的形状包括圆锥或者棱锥、圆台或者棱台以及圆球中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述微结构的高度为1～10μm，底部宽度为1～50μm，微结构之间的间距为1～100μm。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜的可见光透过率大于90％，厚度为10～2000μm。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜包括硅胶、环氧树脂、UV胶、聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种LED芯片阵列模组，其特征在于：所述透明胶状薄膜内部还含有荧光粉或者量子点。
8.一种LED芯片阵列模组的制造方法，其特征在于：包括如下步骤，
a，选择玻璃，在玻璃上通过光刻制作掩膜层，定义出呈凸起或凹槽的微结构形状；
b，在完成步骤a后，在玻璃上进行感应耦合等离子体刻蚀或者化学腐蚀，形成微结构；
c，选择基板，在基板上阵列排布LED芯片，LED芯片的出光面背向基板，电极面朝向基板；
d，在完场步骤c后，在基板涂覆液态透明胶状材料，使得透明胶状材料包覆阵列排布的LED芯片；
e，完成步骤b、d后，将玻璃置于透明胶状材料上，待下一步加工；
f，完成步骤e后，将基板连同透明胶状材料、玻璃在高温下或者UV光照射下进行固化，使得透明胶状材料固定成透明胶状薄膜，同时，透明胶状薄膜的上下面也分别与玻璃、LED芯片相固定。
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