CN112201762A - 用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法 - Google Patents
用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112201762A CN112201762A CN202010999378.2A CN202010999378A CN112201762A CN 112201762 A CN112201762 A CN 112201762A CN 202010999378 A CN202010999378 A CN 202010999378A CN 112201762 A CN112201762 A CN 112201762A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitting diode
- preparing
- perovskite light
- light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-4-[(4-methyl-2-nitrophenyl)diazenyl]-N-(3-nitrophenyl)naphthalene-2-carboxamide Chemical compound Cc1ccc(N=Nc2c(O)c(cc3ccccc23)C(=O)Nc2cccc(c2)[N+]([O-])=O)c(c1)[N+]([O-])=O MCSXGCZMEPXKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 8
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 7
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 18
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 18
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 5
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L lead(ii) iodide Chemical compound I[Pb]I RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：(1)制备发光层前驱体，将碘化铯，碘化铅和聚合物溶于有机溶剂制备成前驱液；(2)在透明导电衬底上依次沉积空穴输层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属电极，所述发光层通过步骤(1)中的前驱液沉积而成。本发明的深红色钙钛矿发光二极管具有较高的颜色饱和度，发光波长在696nm并且发光光谱稳定，发光峰不随驱动电压升高而移动。作为红色原色，该深红色发光器件在超宽色域显示领域具有明显的优势。
Description
技术领域
本发明属于发光器件与显示技术领域，具体涉及一种用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法。
背景技术
为了更好地再现真实的自然色彩，需要更宽的色域。各种显示标准，如Rce.2020色域，Adobe宽色域等已经建立，以促进宽色域的发展。一般来说，显示器的色域宽度由国际电工委员会色度图中红、绿、蓝(RGB)三原色形成的“三角形”区域决定。因此，要想获得最宽的色域，就要求各原色的发光具有更窄的半宽波长(高饱和度)和适合的发光峰位(R-700nm,G-530nm,B-400nm)。金属卤化物钙钛矿材料(结构通式为ABX3)因其载流子寿命长，发光色纯度高，价格低廉，制备过程简单等特点，在光伏与电致发光领域具有很高的研究价值与应用前景。近些年，关于钙钛矿电致发光的相关研究表现出突飞猛进的发展趋势。
金属卤化物钙钛矿可以通过改变卤素的组分改变禁带宽度，实现发光波长覆盖整个可见光区域。因此钙钛矿被认为是制造宽色域全彩显示器的有潜力的候选材料。近期，基于CsPbBr3的绿光钙钛矿发光二极管(PeLED)外量子效率已经突破20％，蓝色PeLED的光谱稳定性也得到了改善；相比于蓝光和绿光PeLED，由于大部分钙钛矿的带隙不是十分理想，钙钛矿的深红色发光器件仍然是匮乏的。例如MAPbI3-1.5eV和FAPbI3-1.4eV，由于带隙过窄，使得其发光峰位置处于近红外区域，不适合做红原色。尽管有报道混合卤素策略可以实现所需要的红原色，但是其电致发光光谱并不很稳定，随着器件运行电压增加往往会引起发光峰移动。深红色PeLED对于组建超宽色域显示是十分重要的，但是深红色PeLED的制造仍然面临巨大的挑战。
发明内容
发明目的：本发明旨在提供一种基于全无机钙钛矿CsPbI3的深红色PeLED的制备方法。本发明制得的深红色PeLED发光峰位于696nm，并且半峰宽窄色纯度高，电致发光光谱稳定。
技术方案：本发明所述的一种用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
(1)制备发光层前驱体，将碘化铯，碘化铅和聚合物溶于有机溶剂制备成前驱液；
(2)在透明导电衬底上依次沉积空穴输层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属电极，所述发光层通过步骤(1)中的前驱液沉积而成。
进一步的，步骤(1)中所述有机溶剂为DMF、DMSO、GBL中的一种或几种。
进一步的，步骤(1)中所述聚合物为不同分子量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。
进一步的，步骤(1)中所述前驱液中碘化铯与碘化铅的摩尔浓度相同，为0.1-0.5mM/mL；聚乙烯吡咯烷酮的添加量为碘化铯与碘化铅质量总和的5％-30％。
进一步的，步骤(2)中所述透明导电衬底为ITO或柔性透明导电电极。
进一步的，步骤(2)中所述空穴传输层的厚度为20-50nm，所述空穴传输层的材质为PEDOTE:PSS、Poly-TPD、TFB中的一种或几种。
进一步的，步骤(2)中所述发光层厚度为50-150nm。
进一步的，步骤(2)中所述电子传输层的厚度为20-100nm，材质为TPBi或者ZnO。
进一步的，步骤(2)中所述电子注入层为1-3nm LiF。
进一步的，步骤(2)中所述金属电极厚度为5nm-200nm，材质为金、银、铝中的一种或多种组合。
进一步的，步骤(1)为将等摩尔量的CsI、PbI2和一定质量的PVP溶于1mL有机溶剂，在60℃加热板上搅拌2h。其中CsI和PbI2的摩尔量为0.1mM-0.5mM，PVP的添加量为溶液中CsI和PbI2质量总和的5％-30％。
进一步的，步骤(2)为在透明导电基底上沉积空穴传输层；在空穴传输层上沉积CsPbI3与PVP的混合物作为发光层；在发光层上沉积电子传输层注入层与金属电极。
有益效果：本发明的深红色钙钛矿发光二极管具有较高的颜色饱和度，发光波长在696nm并且发光光谱稳定，发光峰不随驱动电压升高而移动。作为红色原色，该深红色发光器件在超宽色域显示领域具有明显的优势。
附图说明
图1是应用本发明方法制备的钙钛矿二极管示意图；
图2是0.2mM/mL CsPbI3加入不同质量PVP以后光致发光的变化；
图3是0.2mM/mL CsPbI3加入不同质量PVP以后的二极管器件的J-V曲线；
图4是二极管器件在不同驱动电压下的电致发光光谱；
图5是二极管器件发光光谱在CIE坐标中的位置。
具体实施方式
为进一步了解本发明的内容，结合附图及实施例对本发明作详细描述。
实施例1
一种用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，具体包括以下步骤：
(1)钛矿前驱液的制备：使用万分之一精度的天平称取52mgCsI、92.2mgPbI2和28.8mgPVP，这些药品共同溶于DMF与DMSO的混合溶剂中(DMF/DMSO体积比为4/1)；在60℃充分搅拌120min后使用0.22PTFE滤头过滤备用；
(2)选用方阻10欧姆的ITO透明导电玻璃作为基底，并将其依次浸泡在丙酮、异丙醇、酒精、去离子水各超声20min；
(3)将ITO(20mm*16mm)并用紫外臭氧处理20min；
(4)将PEDOTE:PSS使用0.22μm PTFE滤头过滤；在步骤(3)的基底上旋涂，作为空穴传输层。旋涂速率为5000rpm/min时间为30s；并在150℃退火15min。
(5)将步骤(4)的基底转移到手套箱中(水氧含量均小于1ppm)，取50μL前驱液过滤后，滴加到步骤(4)制备好空穴传输层的基底上，以3000rpm/min的速度旋涂45s；加速度为2000rpm/min；在旋涂的最后10s将100μL氯苯快速倾注到基底上；最后将基底转移到加热台上，200℃加热5min。
(6)将样品从手套箱取出，并移至真空蒸镀仓中，抽真空至4*10-4Pa；
(7)电子传输层的沉积，在真空度低于4*10-4Pa下蒸镀TPBi，蒸镀速率控制在0.2-0.4埃/S；最终厚度约45nm。电子注入层的沉积，在真空度不高于5*10-4Pa下蒸镀LiF，蒸镀速率控制在0.2-0.4埃/S；最终厚度约2nm。金属电极的沉积，在真空度不高于5*10-4Pa下蒸镀Ag，蒸发速率控制在1-5埃/S；最终厚度约150nm。制备的器件转移到手套箱中使用紫外固化胶对器件进行简单的封装处理。
实施例2
与实施例1的区别在于步骤(1)中，前驱体的制备：使用万分之一精度的天平称取26mgCsI、46.1mgPbI2和14.42mgPVP，这些药品共同溶于DMF与DMSO的混合溶剂中(DMF/DMSO体积比为4/1)；在60℃充分搅拌120min后使用0.22PTFE滤头过滤备用。
实施例3
与实施例1的区别在于步骤(1)中，前驱体的制备：使用万分之一精度的天平称取130mgCsI、230.5mgPbI2和72.1mgPVP，这些药品共同溶于DMF与DMSO的混合溶剂中(DMF/DMSO体积比为4/1)；在60℃充分搅拌120min后使用0.22PTFE滤头过滤备用。
实施例4
与实施例1的区别在于步骤(1)中，前驱体的制备：使用万分之一精度的天平称取52mgCsI、92.2mgPbI2和7.21mgPVP，这些药品共同溶于DMF与DMSO的混合溶剂中(DMF/DMSO体积比为4/1)；在60℃充分搅拌120min后使用0.22PTFE滤头过滤备用。
实施例5
与实施例1的区别在于步骤(1)中，前驱体的制备：使用万分之一精度的天平称取52mgCsI、92.2mgPbI2和43.26mgPVP，这些药品共同溶于DMF与DMSO的混合溶剂中(DMF/DMSO体积比为4/1)；在60℃充分搅拌120min后使用0.22PTFE滤头过滤备用。
使用数字源表对器件施加偏压进行测试。
图1是本发明中的器件结构示意图，其包括了导电衬底、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属电极。
图2是使用532nm激光测试了当加入0wt％、10wt％、20wt％、30wt％PVP以后薄膜荧光强度的变化；如图1所示，当加入PVP以后发光层的荧光强度增加了数倍，这表明PVP的加入可以促进钙钛矿中载流子发生辐射复合。
图3是测试加入0wt％、10wt％、20wt％、30wt％PVP以后器件电流-电压特征曲线；如图3所示，随着PVP含量的增加，器件在低驱动电压下的漏电流减小，这表明PVP可以阻止空穴传输层与电子传输层接触有效地防止器件地漏电现象。
图4是加入20wt％PVP的器件在2.5V、3.5V、4.5V、5.5V驱动电压下的电致发光光谱；如图4所示，本发明的深红色钙钛矿发光二极管的电致发光光谱峰位于697nm，当驱动电压大于4.5V时，发光强度降低，这是一种LED发光滚降现象，主要是有俄歇复合导致。但是随着驱动电压的增加发光峰并没又发生偏移。这表明本发明的深红色发光二极管具有良好的光谱稳定性。
图5是器件发光光谱在CIE坐标中的位置；如图5所示，本发明的深红色发光二极管位于CIE红光端的边缘，具有较高的饱和度。以该深红色作为红原色的显示器将获得更广的色域，尤其是在复现红色方面将更加真实。
Claims (10)
1.一种用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备发光层前驱体，将碘化铯，碘化铅和聚合物溶于有机溶剂制备成前驱液；
(2)在透明导电衬底上依次沉积空穴输层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属电极，所述发光层通过步骤(1)中的前驱液沉积而成。
2.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述有机溶剂为DMF、DMSO、GBL中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述聚合物为不同分子量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。
4.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述前驱液中碘化铯与碘化铅的摩尔浓度相同，为0.1-0.5mM/mL；聚乙烯吡咯烷酮的添加量为碘化铯与碘化铅质量总和的5％-30％。
5.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述透明导电衬底为ITO或柔性透明导电电极。
6.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述空穴传输层的厚度为20-50nm，所述空穴传输层的材质为PEDOTE:PSS、Poly-TPD、TFB中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述发光层厚度为50-150nm。
8.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述电子传输层的厚度为20-100nm，材质为TPBi或者ZnO。
9.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述电子注入层为1-3nm LiF。
10.根据权利要求1所述的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述金属电极厚度为5nm-200nm，材质为金、银、铝中的一种或多种组合。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010999378.2A CN112201762A (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010999378.2A CN112201762A (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112201762A true CN112201762A (zh) | 2021-01-08 |
Family
ID=74015809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010999378.2A Pending CN112201762A (zh) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | 用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112201762A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113113520A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-07-13 | 中山大学 | 一种基于铯铜碘(CsCuI)半导体的全固态光源及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108336230A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-27 | 山东大学 | 一种高效稳定的纯无机立方相钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN108630831A (zh) * | 2017-03-23 | 2018-10-09 | 南京工业大学 | 一种提高钙钛矿发光器件寿命的方法及钙钛矿发光器件 |
| CN110416410A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-05 | 重庆文理学院 | 一种钙钛矿薄膜的制备方法 |
-
2020
- 2020-09-22 CN CN202010999378.2A patent/CN112201762A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108630831A (zh) * | 2017-03-23 | 2018-10-09 | 南京工业大学 | 一种提高钙钛矿发光器件寿命的方法及钙钛矿发光器件 |
| CN108336230A (zh) * | 2018-02-09 | 2018-07-27 | 山东大学 | 一种高效稳定的纯无机立方相钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN110416410A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-05 | 重庆文理学院 | 一种钙钛矿薄膜的制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| BO LI, ET AL: "Surface passivation engineering strategy to fully-inorganic cubic CsPbI3 perovskites for high-performance solar cells", 《NATURE COMMUNICATIONS》, 31 December 2018 (2018-12-31), pages 1 - 8 * |
| GUANGRU LI, ET AL: "Highly Efficient Perovskite Nanocrystal Light-Emitting Diodes Enabled by a Universal Crosslinking Method", 《ADV. MATER.》 * |
| GUANGRU LI, ET AL: "Highly Efficient Perovskite Nanocrystal Light-Emitting Diodes Enabled by a Universal Crosslinking Method", 《ADV. MATER.》, 31 December 2016 (2016-12-31), pages 3528 - 3534 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113113520A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-07-13 | 中山大学 | 一种基于铯铜碘(CsCuI)半导体的全固态光源及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11912919B2 (en) | Core-shell quantum dot, preparation method thereof, and electroluminescent light-emitting device containing the same | |
| CN110943178B (zh) | 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管 | |
| KR20200118728A (ko) | 금속 이온 표면 처리된 금속 산화물 나노입자, 이것을 포함하는 양자점-발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| CN104701430B (zh) | 一种改善量子点发光二极管寿命的方法 | |
| WO2021136002A1 (zh) | 一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管 | |
| JP7469891B2 (ja) | 量子ドット発光素子及び表示装置 | |
| CN112993198B (zh) | 锗基钙钛矿光电材料、应用、制备方法和器件及制备方法 | |
| CN107452886A (zh) | 一种复合薄膜和有机发光二极管及其制备方法 | |
| WO2020029780A1 (zh) | 绿色量子点、其制备方法及其应用 | |
| KR101665450B1 (ko) | 인듐갈륨계 금속 질화물의 양자점을 포함하는 발광소자 및 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 발광장치 | |
| CN112201762A (zh) | 用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法 | |
| CN114672314A (zh) | 核壳结构量子点及其制备方法，量子点发光薄膜和二极管 | |
| CN113122258A (zh) | 量子点及其制备方法、量子点发光二极管 | |
| KR100437476B1 (ko) | 유기 전기 발광 소자 | |
| CN111276623B (zh) | 一种改性空穴传输层及基于其的蓝光钙钛矿发光二极管 | |
| CN113224256A (zh) | 一种少铅的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN112103396A (zh) | 一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法 | |
| JP2021027002A (ja) | 量子ドット発光素子及び表示装置 | |
| CN101931059B (zh) | 一种双导电极、基于双导电极的oled器件及制备方法 | |
| Sharma et al. | Hole transport layer engineering in high performance quasi-2D perovskite blue light emitting diodes | |
| JP2020126795A (ja) | 量子ドット発光素子及び表示装置 | |
| CN113497191B (zh) | 一种光电器件及其制备方法 | |
| CN116769479B (zh) | 一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发光器件 | |
| CN113122230B (zh) | 量子点复合材料、量子点发光二极管 | |
| CN112824476B (zh) | 量子点、制备方法及包含其的量子点组合物、光电器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210108 |