CN112178332A - 密封结构、真空处理装置和密封方法 - Google Patents

密封结构、真空处理装置和密封方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供密封结构、真空处理装置和密封方法。在真空气氛下进行基片的处理的处理腔室所连接的气体供给配管的密封结构，其包括：第1配管部件，其构成上述气体供给配管，具有形成有与处理腔室连通的开口部的端面；第2配管部件，其构成上述气体供给配管，具有被配置在与上述第1配管部件的端面对置的位置的对置面；弹性体制的密封部件，其以包围上述开口部的方式设置在上述第1配管部件的端面与上述第2配管部件的对置面之间；和片状的多孔部件，其以包围上述密封部件的周围的方式设置在上述第1配管部件的端面与上述第2配管部件的对置面之间。本发明在使用弹性体制的密封部件进行密封时，能够抑制大气透过。

Description

密封结构、真空处理装置和密封方法
技术领域
本发明涉及密封结构、真空处理装置和密封方法。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，例如在成膜处理等中使用在真空气氛下对基片进行处理的真空处理装置。在这样的真空处理装置中，设置有：形成真空气氛的真空腔室；对真空腔室供给成膜用气体的气体供给管；和从真空腔室进行排气等的配管。于是，通过连接构成这样的真空腔室或配管的部件而组装成真空处理装置时，为了防止大气从连接部分流入真空腔室或配管内，使用将连接部分密封的密封结构。
当在这种密封结构中将真空腔室的开口部气密地密封时，使用与开口部周围的密封面抵接，将开口部内气密地密封的O形环，尤其是耐热性、耐腐蚀性优异的弹性体O形环。然而，在使用乱这样的弹性体O形环的密封结构中，存在透过该O形环的气体，产生例如大气透过的问题，因而需要抑制大气渗透的密封结构。
在专利文献1中记载了这样一种结构，在将壁部件与封闭筒状的壁部件的开口部的顶板之间密封时，在壁部件与顶板之间的抵接部分形成为同心圆状的外槽和内槽中，分别嵌入了密封部件(O形环)。此外，通过用非活性气体填充配置于内外的密封部件之间的区域，抑制大气进入开口部内。
另外，在专利文献2中记载了这样的技术，通过使在内外配置有的密封件(O形环)所设置于的各槽部中的密封件的大气侧成为真空气氛，来抑制大气透过密封件的待机。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-99924号公报
专利文献2：日本特开平7-68152号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明是在这样的情况下完成的，其目的在于提供一种使用弹性体制的密封部件进行密封时抑制大气透过的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的密封结构是在真空气氛下进行基片的处理的处理腔室所连接的气体供给配管的密封结构，其包括：
第1配管部件，其构成上述气体供给配管，具有形成有与处理腔室连通的开口部的端面；
第2配管部件，其构成上述气体供给配管，具有被配置在与上述第1配管部件的端面对置的位置的对置面；
弹性体制的密封部件，其以包围上述开口部的方式设置在上述第1配管部件的端面与上述第2配管部件的对置面之间；和
片状的多孔部件，其以包围上述密封部件的周围的方式设置在上述第1配管部件的端面与上述第2配管部件的对置面之间。
发明效果
依照本发明，当使用弹性体制的密封部件进行密封时，能够抑制大气透过。
附图说明
图1是一实施方式的真空处理装置的侧视图。
图2是表示设置于上述真空处理装置中的气体供给配管的密封结构的一例的分解立体图。
图3是上述密封结构的纵截面图。
图4是上述密封结构的正视图。
图5是用于上述密封结构的多孔部件的放大截面图。
图6是表示上述密封结构的作用的说明图。
图7是表示一实施方式的密封结构的另一例的纵截面图。
图8是表示密封结构的又一例的纵截面图。
附图标记说明
4 气体供给配管
4A 第1配管部件
4B 第2配管部件
6 多孔部件
11 真空腔室
62 O形环
411A、421A、431A 开口部
W 晶片。
具体实施方式
对使用了本发明的密封结构的成膜装置进行说明。如图1所示，成膜装置包括：真空腔室10，其是在真空气氛下处理作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片”)W的处理腔室；和用于对真空腔室10供给处理气体的气体供给配管4。而且，如后所述，气体供给配管4通过将多个配管部件(第1部件4A、第2配管部件4B)连接而构成，并设有用于抑制大气经由这些配管部件的连接部进入气体供给配管4内的密封结构。
真空腔室10包括：上表面开口的大致圆筒形的腔室主体10A；和封闭腔室主体10A的上表面的顶板部10B。在真空腔室10的底面的中央部形成有向下方突出的例如圆筒状的排气室11，在排气室11的侧面连接有排气通路12。在该排气通路12连接有包括例如由蝶形阀构成的压力调节阀等的真空排气部13，构成为能够将真空腔室10的内部减压至规定的真空压力。在具有以上结构的真空腔室10的内部空间中进行晶片W的处理。
在真空腔室10的侧面，形成有用于在其与未图示的输送室之间进行晶片W的送入送出的输送口14。该输送口14构成为通过闸阀15可开闭。此外，在真空腔室10的壁部内，埋设有用于加热真空腔室10的加热部16。在真空腔室10内，设置有用于大致水平地保持晶片W的载置台2。载置台2由从排气室11的底部向上延伸的支承部21支承。在载置台2中埋设有加热部20，以将晶片W加热到设定温度。
下面，对顶板部10B进行说明。在顶板部10B的下表面，设有用于向晶片W供给处理气体的扁平的圆筒状的喷淋头3。在喷淋头3的内部形成有供气体扩散的扩散室31，在喷淋头3的底面分散地设有用于向晶片W释放气体的释放孔32。在顶板部10B的内部设置有用于混合气体的混合部5。混合部5构成为与喷淋头3的扩散室31连通，能够将将在混合部5中混合后的气体供给到扩散室31内。另外，在顶板部10B的内部也埋设有加热部16。
下面，参照图2至图4，说明用于对混合部5供给气体的气体供给配管4。图2是设置于气体供给配管4的密封结构的分解立体图，图4是从图2所示的X轴方向侧观察气体供给配管4的分解面得到的主视图。此外，图3是在图4所示的线I-I'截取的气体供给配管4的纵截面图。如图1所示，气体供给配管4通过将多个配管部件连接而构成，在内部形成有三个气体流路41～43。而且形成有密封结构，其用于在连接各配管部件时防止大气从该连接部分进入各气体流路41～43。在本实施方式的气体供给配管4中，将与混合部5连接的最下游侧的配管部件称为第1配管部件4A，将与第1配管部件4A连接的配管部件称为第2配管部件4B。下面，将说明形成在第1配管部件4A与第2配管部件4B之间的密封结构。
第1配管部件4A由与气体流动方向交叉的面为矩形的块状的部件构成，在其内部以贯通该部件的方式形成有三个气体流路411、421、431。在图2中，为了避免附图变得复杂，而省略了第1配管部件4A内的气体流路411、421、431的记载。如图1和图2所示，在各气体流路411、421、431的下游侧端部，分别设置有用于将从气体供给配管4供给的气体导入混合部5的气体导入管51～53。另一方面，如图2所示，在第1配管部件4A的上游侧的端面，形成有三个气体流路411、421、431的端部的开口部411A、421A、431A。如此，第1配管部件4A构成气体供给配管4，并且具有当从气体流动方向的上游侧观察时形成有与真空腔室10连通的开口部411A、421A、431A的端面。
这三个开口部411A、421A、431A中，一个形成在端面的偏上侧，两个并排地形成在偏下侧的左侧、右侧。这三个开口部411A、421A、431A以围绕端面的中心的方式配置。此外，在该端面，以包围各开口部411A、421A、431A的方式形成有用于嵌入作为密封部件的O形环62的环状的槽部44。
如图1和图2所示，第2配管部件4B由与气体流动方向交叉的面为大致矩形的块状部件构成。第2配管部件4B具有配置在与第1配管部件4A的端面对置的位置的对置面。在第2配管部件4B中，以贯通第2配管部件4B的方式形成有气体流路412、422、432。关于各气体流路412、422、432的下游侧端部，在上述对置面上以对应于形成在第1配管部件4B的端面上的三个开口部411A、421A、431A的方式，形成有开口部412A、422A、432A。在第2配管部件4B的开口部412A、422A、432A的周缘形成有使开口面扩宽的锥形部。依照该结构，如图3的放大图所示，可以将第1配管部件4A侧的开口部411A(421A、431A)配置在第2配管部件4B侧的开口部412A(422A、432A)的内侧。
如图2和图3所示，在第2配管部件4B侧的上述对置面中的各开口部412A、422A、432A的周围，形成有与O形环62抵接的环形凸部状的抵接部45。各抵接部45的外径被设定为比形成于第1配管部件4A的槽部44的外径稍小。此外，抵接部45的高度尺寸与后述的多孔部件6的厚度尺寸大致相同。
此外，如图2和图3所示，在由第2配管部件4B中的各气体流路412、422、432围绕的大致中心的位置，以贯通第2配管部件4B的方式形成有非活性气体供给通路46。从非活性气体供给通路46，供给对在真空腔室10中进行的处理的影响较小的非活性气体(例如，氩(Ar)气)。而且，以从第2配管部件4B的上表面侧与非活性气体供给通路46连通的方式形成有非活性气体导入通路47(图2)。非活性气体导入通路47经由非活性气体供给管48连接有非活性气体供给源49。图2中的V48是阀，M48是流量调节部。非活性气体供给通路46相当于向后述的多孔部件6的一侧的面(第2配管部件4B侧的面)供给非活性气体的非活性气体供给部。
在第1配管部件4A的端面与第2配管部件4B的对置面之间，以包围开口部412A、422A、432A的方式设置有O形环62。O形环62由例如全氟弹性体构成，并形成为环状。O形环62分别嵌入第1配管部件4A的槽部44中，在将第1配管部件4A和第2配管部件4B连接时能够被第2配管部件4B侧的抵接部45挤压变形。结果，能够使O形环62分别与槽部44的底面(槽部44内的与第2配管部件4B的对置面对置的面)和抵接部45紧贴。
另外，在第1配管部件4A的端面与第2配管部件4B的对置面之间设有多孔部件6。多孔部件6也将参照图4和图5进行说明，该多孔部件6例如由多孔金属制成，并且成型为例如厚度为0.02mm～5mm的片状。多孔金属由诸如铝、钛、铜、SUS(不锈钢)等金属材料构成。如图5所示，在多孔金属内部形成有大量(多个)的作为孔部的气孔101。
气孔101的孔径分布和气孔率可以在多孔金属的制造工序中调节来制造。气孔101具有例如孔径为0.04μm～500μm的平均小孔径。此外，如图5所示，本例的多孔部件6优选使用在其内部形成的大量气孔101在该多孔部件6的厚度方向上各向异性地连通的结构的部件。“各向异性地连通”并不仅仅意味着形成于多孔部件6内部的所有气孔101只在厚度方向上连通的情况。只要不形所示那样成在面内方向上贯通多孔部件6的内部的流路，则也可以例如如图5一部分气孔101在平面方向上连通。
如图2～图4所示，在多孔部件6形成有与抵接部45的外径匹配的孔部61。多孔部件6从上述槽部44的外缘起形成至上述端面与上述对置面对置的区域的周缘。
而且，在第1配管部件4A的端面侧，槽部44嵌入O形环62，另一方面，在第2配管部件4B的对置面，以在各孔部61插入各抵接部45的方式配置多孔部件6。而且，以在端面开口的开口部411A、421A、431A与在对置面开口的开口部412A、422A、432A的位置一致的方式进行定位，将第1配管部件4A与第2配管部件4B连接。此时，如图4所示，多孔部件6被配置成夹在上述第1配管部件4A的端面与上述第2配管部件4B的对置面之间，并包围O形环62的周围。另外，由于供O形环62嵌入的槽部44的外径比抵接部45的外径即多孔部件6的孔部61的内径大，因此如图3、图4所示，孔部61周围的多孔部件6向由槽部44包围的空间露出。
如图1所示，在各气体流路41～43的上游侧端部，分别设置有四氯化钛(TiCl4)气体供给源54、氨(NH3)气供给源55和作为置换气体的氩(Ar)气供给源56。当要形成硅(Si)类的膜时，设置氮气(N2)、甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)等的气体供给源。图1的设置于各气体流路41～43的V41～V43是阀，M41～M43是流量调节部。此外，气体供给配管4构成为能够由例如未图示的加热带(tape heater)加热。
下面，对本发明的成膜装置的作用进行说明。例如在利用成膜装置进行成膜处理时，在将晶片W送入成膜装置之前，将例如载置台2加热至设定温度，将真空腔室10和气体供给配管4加热至设定温度。此外，在本发明的成膜装置中，将Ar气体供给到非活性气体供给通路46，并且将Ar气体供给到多孔部件6。
供给至多孔部件6的Ar气体以从Ar气体的供给位置沿多孔部件6的表面向周缘方向扩散的方式流动。此处，如图5所示，在本例的多孔部件6中，形成有在厚度方向上连通的大量的气孔101，另一方面，在平面方向上连通的气孔101较少。此外，多孔部件6与第1配管部件4A及第2配管部件4B之间的间隙也变得非常窄。即，可以说在设置有多孔部件6的区域中，朝向沿片状的多孔部件6的面内方向的气流的流导(conductance)变高。
当从这样的多孔部件6的中心供给气体时，该气体一边在第2配管部件4B的对置面与多孔部件6的表面之间的间隙中流动，一边进入多孔部件6的气孔101内。此时，在多孔部件6内部，在沿面内方向上几乎没有气体流动，因此在气体的供给位置附近的部位Ar气体的浓度升高。另一方面，随着远离气体的供给位置，多孔部件6内部的Ar气体的浓度降低。换言之，在远离气体的供给位置的区域，从外部进入的大气的浓度变得较高，而在气体的供给位置的附近，从外部进入的大气的浓度变低。由此，如图6所示，形成随着从多孔部件6的外周缘去往上述Ar气体的供给位置，进入到多孔部件6内的Ar气体的浓度升高的浓度梯度。此外，图6是表示Ar气体的浓度梯度的图，并不表示准确的浓度梯度。
与上述结构相比，在现有的密封结构中，由于没有设置多孔部件6，因此周围的大气容易经由第1配管部件4A与第2配管部件4B之间的间隙而到达O形环62的周围。其结果，在O形环62周围，大气的浓度也趋向于变高。另一方面，O形环62有时会允许大气的一部分组成成分透过。其结果，存在如下可能性，即当O形环62周围的大气浓度变高时，作为其组成成分的氧和氮会进入气体供给配管4(真空腔室10内)。
此外，也考虑如下情况，即通过加热真空腔室10、第1配管部件4A及第2配管部件4B，分子因加热而移动的散热作用(thermal transpiration)，由此增效地使大气变得更容易透过O形环62。
当由于这些现象而使大气进入真空腔室10内，在成膜用气体中混入氧时，存在发生形成的膜被氧化等问题的可能性。
为了解决这些技术问题，在本发明的成膜装置中，通过在O形环62的周围配置多孔部件6，来提高在第1配管部件4A与第2配管部件4B之间流动的气体的流导。其结果，即使周围的大气进入第1配管部件4A与第2配管部件4B之间的间隙，它也难以到达设有O形环62的多孔部件6的中心侧的区域。通过这样减小O形环62周围的大气的浓度，能够抑制大气透过O形环62进入真空腔室10。而且，与公知的垫圈(gasket)不同，多孔部件6本身不必具有与第1第1配管部件4A的端面、第2配管部件4B的对置面紧贴来阻碍气流的形成的功能。
另外，在本发明的成膜装置中，通过向多孔部件6供给Ar气体，形成随着从多孔部件6的外周缘去往上述Ar气体的供给位置而Ar气体浓度升高的浓度梯度。由此，越是靠近Ar气体的供给位置的气体的中心侧的区域，大气越难以进入。因此，大气更难以到达O形环62，能够更有效地抑制大气进入气体供给配管4内。
如此，在进行载置台2、真空腔室10和气体供给配管4的加热、对多孔部件6的Ar气体的供给的成膜装置中，打开闸阀15，将晶片W送入真空腔室10内载置在载置台2上并进行加热。然后，关闭闸阀15，将真空腔室10内的压力调节至规定的压力后，从TiCl4气体供给源54和Ar气体供给源56分别供给TiCl4气体和Ar气体。TiCl4气体和Ar气体经由气体供给配管4被供给至混合部5进行混合，经由喷淋头3被供给到真空腔室10内。由此在晶片W的表面吸附TiCl4。
随后，在继续供给了Ar气体的状态下，停止供给TiCl4气体，置换真空腔室10内的气氛。之后，供给NH3气体和Ar气体。由此，吸附于晶片W的表面的TiCl4和NH3发生反应而形成氮化钛(TiN)的分子层。以这种方式，按TiCl4气体→Ar气体→NH3气体→Ar气体的顺序供给反应气体(TiCl4气体、NH3气体)和置换用的气体(Ar气体)。其结果，形成于晶片W的表面的TiN分子层被层叠而形成TiN膜。
另一方面，在本例的成膜装置中，经由气体供给配管4将各气体供给至真空腔室10，该气体供给配管4供三个气体流路411(412)、421(422)、431(432)贯通，且将具有连接面(端面和对置面)较大的多个部件(第1配管部件4A、第2配管部件4B)连接而构成。尽管使用具有这种结构的气体供给配管4，但是由于使用上述密封结构而抑制了大气的进入，因此大气较少地进入真空腔室10内，能够抑制TiN膜的氧化等膜质量的降低。
依照上述实施方式，在第1配管部件4A的端面与第2配管部件4B的对置面之间以包围开口部的方式设置有弹性体(具有弹性的高分子)制的O形环62，其中该第1配管部件4A的端面形成有与真空腔室10连通的气体流路411、421、431的端部的开口部411A、421A、431A，该第2配管部件4B的对置面形成有气体流路412、422、432的端部的开口部412A、422A、432A。作为弹性体的原料，例如能够例示出全氟弹性体、氟橡胶等。而且，将多孔部件6以包围O形环62的周围的方式设置于第1配管部件4A的端面与第2配管部件4B的对置面之间。由此，在第1配管部件4A的端面与第2配管部件4B的对置面之间流动的气体的流导变高，气体供给配管4外部的大气难以到达O形环62的周围。由此，能够抑制大气经由O形环62进入真空腔室10内。
此外，对多孔部件6供给Ar气体而形成随着从多孔部件6的外周缘去往上述Ar气体的供给位置而Ar气体的浓度升高的浓度梯度。因此，越是靠近Ar气体的供给位置的气体的中心侧的区域，大气气氛变得越难以进入。由此，大气变得更难以到达O形环62，能够进一步抑制大气进入气体供给配管4内。
在此，作为现有的密封结构，例如，已知在开口部411A、421A、431A的周围在内外两层地配置O形环62的技术。在这种情况下，已经尝试了在两个O形环62之间供给气体或者除去O形环62之间的气氛来抑制大气进入。但是，例如，在气体流路密集的地方等，有时难以配置两个O形环62。其结果，可能出现必须使装置大型化以确保设置两个O形环62的空间的情况。
在本发明的密封结构中，在各开口部411A、421A、431A的周围设置的O形环62的数量为一个，能够避免装置的大型化，并且也能够设置在配管等密集的部位。
另外，多孔部件6可以由金属材料、脆性材料或树脂材料制成。例如，作为金属材料，可以使用多孔金属、烧结金属或纤维状金属。此外，作为脆性材料，可以使用多孔质的石英、陶瓷，或者云母的集合体、纤维质的矿物。此外，作为树脂材料，可以使用弹性体、氟树脂等的发泡体、或线材的集合体等的过滤体状的材料。树脂材料可以使用多孔树脂或多孔膜。
此外，为了更可靠地提高多孔部件6的平面方向上的气体的流导，优选如上述那样使气孔101在多孔部件的厚度方向上各向异性地连通。
此外，为了更有效地抑制大气气氛到达O形环62，多孔部件6优选从槽部44的外边缘形成至上述端面与上述对置面对置的区域的周缘。此外，也可以在多孔部件6中的供给非活性气体的位置，形成用于将非活性气体导入多孔部件6的内部的开口。此外，也可以在用于导入非活性气体的开口，形成用于使气体向多孔部件6的周缘方向扩散的扩散气体的间隙。
另外，槽部44也可以形成在第1配管部件4A的端面或第2配管部件4B的对置面的任一者。只要能够正确定位并能够可靠地将O形环62挤压变形，则槽部44可以形成在第1配管部件4A的端面、第2配管部件4B的对置面这两面。
此外，当将第1配管部件4A与第2配管部件4B连接时，有时会在槽部44中形成积存的大气。于是，有时在积存的大气中残留的大气经由O形环62进入气体供给配管4。因此，如图3所示，可以配置成使多孔部件6向供O形环62嵌入的槽部44的空间露出。依照这种结构，通过对多孔部件6供给非活性气体，能够经由该多孔部件6对槽部44内供给非活性气体，置换积存的大气。此外，在不供给非活性气体的情况下，也能够使槽部44内的大气进入多孔部件6而使其向外部扩散。
除此之外，也可以如图7所示，构成为使槽部44的外周壁的至少一部分成为多孔部件6。在这种结构的情况下，由于多孔部件6向槽部44露出，所以依照上述的各作用而具有排出积存的大气的效果。
如上所述的本发明的密封结构可以应用于等离子体处理装置。此外，不限于成膜处理，也可以为蚀刻装置。另外，本发明也可以应用于其它在真空气氛下进行基片的处理的各种装置。
此时，如上所述，由于O形环62有温度升高时容易透过气体的倾向，因此通过将其应用于加热真空腔室10和气体供给配管4并使用它们的装置，能够获得很大的效果。
下面，对本发明的密封结构的另一例进行说明。例如，在图1所示的成膜装置中，有时在气体供给配管4的上游侧设置进行将从气体供给源供给的气体混合的气体预混合的混合部。图8表示这种气体混合部7的一例。在以下的例中，对在等离子体处理装置中，将NH3气体和H2气体预先混合并供给到气体供给配管4的情况进行说明。在本例中给出的混合部7也相当于气体供给配管。
混合部7具有例如块状的第1配管部件70A。在第1配管部件70A的内部，以在其上表面(端面)形成开口部的方式，形成有NH3气体流路71、H2气体流路72和气体供给通路74。此外，在第1配管部件70A的内部，穿过地设置有导入通路75、76，其将流入NH3气体流路71的气体和H2气体流路72的气体分别导入气体供给通路74。而且，在第1配管部件70A的上表面，以包围气体供给通路74、NH3气体流路71和H2气体流路72的开口部的方式形成有用于嵌入O形环62的环状的槽部44。
而且，混合部7具有第2配管部件70B，该第2配管部件70B具有以与第1配管部件70A的上表面(端面)对置的方式配置的对置面。在第2配管部件70B形成有气体流路81、82、84。在各气体流路81、82、84的下端部，形成有向上述对置面开口的开口部。这些气体流路81、82、84的开口部与形成于第1配管部件70A的端面上的三个开口部对应地设置。此外，在第2配管部件70B的上游侧，连接有分别向上述气体流路81、82供给NH3气体和H2气体的NH3气体供给源55和H2气体供给源57。图8中的V81和V82是阀。
在该混合部7中，从NH3气体供给源55和H2气体供给源57供给的NH3气体和H2气体在气体供给通路74中混合而被供给到气体供给配管4侧。
在上述混合部7中，以包围上述各O形环62的周围的方式配置有片状的多孔部件6，第1配管部件70A和第2配管部件70B隔着多孔部件6地被连接在一起。
像本例的混合部7这样，在形成有许多气体流路的第1配管部件70A的上表面，开口部的密集度通常较高，可能难以配置一个片状的多孔部件6。在该情况下，如图8所示，可以为对于每个配置O形环62的槽部44，以构成该空间的外周壁的方式设置环状的多孔部件6。
在本例的混合部7中，以在上下方向上贯通第1配管部件70A的方式设置有多个用于对各多孔部件6供给非活性气体的非活性气体供给通路78。关于非活性气体供给通路78，对每个多孔部件6可以分别设置一个，或者可以设置两个以上。
另外，在第1配管部件70A，以在上下方向上贯通该第1配管部件70A的方式设置有非活性气体导入通路77，其供从第1配管部件70A的上表面侧导入的非活性气体流动。非活性气体导入通路77构成为，连接有用于供给从非活性气体供给源49供给的非活性气体的非活性气体供给管48，能够向非活性气体分配空间供给非活性气体。此外，图8中的V48是阀，M48是流量调节部。
另一方面，在第1配管部件70A的下表面侧设置有分配空间形成部件700，其用于形成使非活性气体导入通路77与各非活性气体供给通路78连通的非活性气体分配空间。在分配空间形成部件700，形成有向上表面开口的凹部73，以非活性气体导入通路77和各非活性气体供给通路78的下端部向该凹部73开口的方式将第1配管部件70A与分配空间形成部件700连接。
依照以上说明的结构，从非活性气体导入通路77供给的非活性气体被分配到各非活性气体供给通路78后，被供给到各多孔部件6。
于是，在本例的O形环62的周围，也能够形成随着从多孔部件6的外周缘去往上述Ar气体的供给位置，进入多孔部件6内的Ar气体的浓度增加的浓度梯度。其结果，能够降低从外部进入O形环62的周围的大气的浓度，得到本发明的效果。
另一方面，如图8所示，在第1配管部件70A的下表面以包围形成于分配空间形成部件700的凹部73的方式形成槽部79，并且在槽部79内设置O形环620。此处，由于非活性气体分配空间处于微加压的状态而非真空排气路径，因此在第1配管部件70A的下表面与分配空间形成部件700之间的接合面上也可以不设置多孔部件6。
在具有以上说明的结构的混合部7中，通过将本发明的密封结构应用于第1配管部件70A与第2配管部件70B之间的密封结构，能够抑制大气进入混合部7内。其结果，能够得到与使用图2～图7说明的气体供给配管4的密封结构同样的效果。
如上所述，本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示，而非限制性的。在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种形式省略、置换或改变上述实施方式。

Claims (11)

1.一种密封结构，其是在真空气氛下进行基片的处理的处理腔室所连接的气体供给配管的密封结构，所述密封结构的特征在于，包括：
第1配管部件，其构成所述气体供给配管，具有形成有与处理腔室连通的开口部的端面；
第2配管部件，其构成所述气体供给配管，具有被配置在与所述第1配管部件的端面对置的位置的对置面；
弹性体制的密封部件，其以包围所述开口部的方式设置在所述第1配管部件的端面与所述第2配管部件的对置面之间；和
片状的多孔部件，其以包围所述密封部件的周围的方式设置在所述第1配管部件的端面与所述第2配管部件的对置面之间。
2.如权利要求1所述的密封结构，其特征在于：
包括向所述多孔部件的一侧的面供给非活性气体的非活性气体供给部，
形成随着从所述多孔部件的外周缘去往所述非活性气体的供给位置，进入所述多孔部件内的非活性气体的浓度升高的浓度梯度。
3.如权利要求1或2所述的密封结构，其特征在于：
所述密封部件配置在形成于所述端面侧和所述对置面侧的任一者的槽部内，
所述多孔部件从所述槽部的外边缘形成至所述端面与所述对置面对置的区域的周缘。
4.如权利要求3所述的密封结构，其特征在于：
所述多孔部件露出到由所述槽部包围的空间。
5.如权利要求1～4中任一项所述的密封结构，其特征在于：
形成在所述多孔部件的内部的多个孔部在该多孔部件的厚度方向上各向异性地连通。
6.如权利要求1～5中任一项所述的密封结构，其特征在于：
所述多孔部件是多孔金属或纤维状金属制的。
7.如权利要求1～5中任一项所述的密封结构，其特征在于：
所述多孔部件是多孔树脂制的。
8.一种真空处理装置，其特征在于，包括：
具有权利要求1～7中任一项所述的密封结构的气体供给配管；和
所述处理腔室。
9.如权利要求8所述的真空处理装置，其特征在于：
包括加热所述处理腔室的加热部。
10.一种密封方法，其用于抑制气体从外部进入在真空气氛下进行基片的处理的处理腔室，所述密封方法的特征在于：
包括使用密封结构来提高从所述多孔部件的外周缘去往所述密封部件的气流的流导的步骤，
其中，所述密封结构包括在第1配管部件与第2配管部件之间，以包围所述开口部的方式设置的弹性体制的密封部件，和以包围所述密封部件的周围的方式设置的片状的多孔部件，
所述第1配管部件具有形成有与所述处理腔室连通的开口部的端面，所述第2配管部件具有配置在与所述第1配管部件的端面对置的位置的对置面。
11.如权利要求10所述的密封方法，其特征在于：
包括向所述多孔部件的一侧的面供给非活性气体，以形成随着从所述多孔部件的外周缘去往所述非活性气体的供给位置，进入所述多孔部件内的非活性气体的浓度升高的浓度梯度的步骤。
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