KR20220164589A - 가열 장치 및 반도체 가공 디바이스 - Google Patents

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KR20220164589A
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시치앙 티안
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베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
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Abstract

본 발명은 가열 장치 및 반도체 가공 디바이스를 개시한다. 개시된 가열 장치는 반도체 가공 디바이스에서 가공할 공작물을 운반 및 가열하는 데 사용된다. 상기 가열 장치는 베이스부, 가열 어셈블리 및 냉각 메커니즘을 포함한다. 여기에서 가열 어셈블리에는 통기 구조가 개설된다. 통기 구조는 가공할 공작물의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용된다. 베이스부는 가열 어셈블리의 그 가열면을 등지는 일측에 설치된다. 베이스부와 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 냉각 메커니즘은 장착 공간에 설치되며, 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 위치하여, 가열 어셈블리를 냉각하는 데 사용된다. 상술한 해결책은 웨이퍼의 막 형성 균일성이 비교적 떨어지는 문제를 해결할 수 있다.

Description

가열 장치 및 반도체 가공 디바이스
본 발명은 반도체 제조 기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가열 장치 및 반도체 가공 디바이스에 관한 것이다.
화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, 이하 CVD) 공정은 가열 또는 플라즈마 등 다양한 에너지를 이용하여 화학 반응 방식을 통해 반응기 내에서 실험물질 간에 화학 반응을 일으키거나 상응하는 가스와 화학 반응을 일으켜 다른 기체 화합물을 생성하는 기술이다. 그 후 물리적 운반 또는 화학적 이동의 방식을 거쳐 이러한 기체 화합물은 반응물질 소스 영역과 온도가 다른 해당 영역으로 이송되어 증착이 수행되어 고체 증착물을 형성한다.
웨이퍼(10)에 CVD 공정 가공을 수행하는 과정에서, 웨이퍼(10)는 통상적으로 도 1에 도시된 바와 같은 가열기(20) 상에 거치된다. 상기 가열기(20)에는 가열판(21)이 설치된다. 가열판(21)의 중간 영역에는 진공 흡입홀이 개설되며, 진공 흡입홀은 진공관로(22)와 연통된다. 진공 흡입홀을 통해 웨이퍼(10)를 가열판(21) 상에 흡착시킬 수 있다. 가열판(21)이 웨이퍼(10)를 가열하는 과정에서, 반응 챔버 중의 기압은 통상적으로 진공관로(22) 중의 기압보다 높다. 따라서 웨이퍼(10)와 가열판(21) 사이의 에지 영역 기압이 비교적 크고, 웨이퍼(10)와 가열판(21) 사이의 중간 영역 기압이 비교적 작다. 이로 해 웨이퍼(10)와 가열판(21) 사이의 열전도 가스는 웨이퍼(10) 에지 영역에서의 기압이 비교적 크고, 웨이퍼(10) 중간 영역에서의 기압이 비교적 작다. 따라서 일정 시간 내에 웨이퍼는 에지 영역의 온도가 높고 중간 영역의 온도가 낮아 온도 분포가 고르지 않은 상황이 발생한다. 이로 인해 웨이퍼(10) 에지 영역이 온도가 공정 온도에 이미 도달했을 때, 웨이퍼(10) 중간 영역의 온도가 아직 공정 온도에 도달하지 못하여, 온도가 웨이퍼(10)의 막 형성 속도에 비교적 큰 영향을 미친다. 일반적으로 온도가 높을수록 막 형성 속도가 빨라져 웨이퍼(10) 에지 영역의 막 두께가 중간 영역의 막 두께보다 두꺼워진다. 이로 인해 동일한 웨이퍼(10)에서 영역에 따라 막 형성 두께가 달라져 웨이퍼(10)의 막 형성 균일성이 비교적 떨어지게 된다.
본 발명은 가열 장치 및 반도체 가공 디바이스를 개시하며, 웨이퍼의 막 형성 균일성이 비교적 떨어지는 문제를 해결할 수 있다.
상술한 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 이하의 기술적 해결책을 채택한다.
본 발명의 실시예는 가열 장치를 개시한다. 이는 반도체 가공 디바이스에서 가공할 공작물을 운반 및 가열하는 데 사용된다. 상기 가열 장치는 베이스부, 가열 어셈블리 및 냉각 메커니즘을 포함한다.
상기 가열 어셈블리에는 제1 가스 채널이 개설된다. 상기 제1 가스 채널의 출구는 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면의 에지 영역에 위치한다. 상기 제1 가스 채널의 입구는 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면에 위치한다. 상기 제1 가스 채널은 상기 가공할 공작물의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용된다.
상기 베이스부는 상기 가열 어셈블리의 그 가열면을 등지는 일측에 설치된다. 상기 베이스부와 상기 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 상기 냉각 메커니즘은 상기 장착 공간에 설치되며, 상기 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 위치하여, 상기 가열 어셈블리를 냉각하는 데 사용된다.
선택적으로, 상기 냉각 메커니즘은 환형 어셈블리를 포함한다. 상기 환형 어셈블리에는 냉각액을 이송하기 위한 냉각 수로 및 냉각 가스를 이송하기 위한 냉각 가스로 중 적어도 하나가 집적된다. 여기에서 상기 냉각 가스로의 출구는 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 대향하여, 상기 표면을 향해 상기 냉각 가스를 블로잉하는 데 사용된다.
선택적으로, 상기 환형 어셈블리에는 냉각액을 이송하기 위한 냉각 수로 및 냉각 가스를 이송하기 위한 냉각 가스로가 집적된다. 상기 환형 어셈블리는 환형 본체, 제1 환형 덮개판 및 제2 환형 덮개판을 포함한다. 여기에서 상기 환형 본체의, 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 대향하는 제1 표면 상에는 환형 오목홈이 형성된다. 상기 제1 환형 덮개판과 상기 환형 본체는 밀봉 연결되며, 상기 환형 오목홈과 폐쇄된 상기 냉각 수로를 구성한다.
상기 환형 본체에는 복수의 가스 블로잉 홀이 설치된다. 각 상기 가스 블로잉 홀의 출구는 상기 제1 표면 상에 위치한다. 각 상기 가스 블로잉 홀의 입구는 상기 환형 본체의 상기 제1 표면을 등지는 제2 표면 상에 위치한다. 상기 제2 환형 덮개판은 상기 환형 본체의 상기 제2 표면이 위치한 일측에서 상기 환형 본체와 밀봉 연결된다. 상기 제2 환형 덮개판과 상기 환형 본체는 폐쇄된 환형 가스로를 구성한다. 상기 환형 가스로는 각 상기 가스 블로잉 홀의 입구와 연통된다.
선택적으로, 복수의 상기 가스 블로잉 홀은 상기 냉각 수로의 내외 양측에 분포된다. 동일 측의 상기 가스 블로잉 홀은 상기 환형 본체의 둘레 방향을 따라 이격 분포된다.
선택적으로, 상기 환형 어셈블리에는 가열부가 더 집적된다. 상기 가열부는 상기 환형 어셈블리에 집적된 상기 냉각 수로와 상기 냉각 가스로 중 적어도 하나를 가열하는 데 사용된다.
선택적으로, 상기 가열부는 상기 환형 어셈블리에 내장된 가열관이다. 상기 가열관은 상기 환형 어셈블리의 축선을 중심으로 평면 나선형으로 감긴다.
선택적으로, 상기 냉각 메커니즘은 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 서로 접촉된다. 또는 상기 냉각 메커니즘은 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 이격 설치된다. 상기 냉각 메커니즘과 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면 사이에는 각각 이들 둘과 접촉되는 열전도부가 설치된다.
선택적으로, 상기 가열 어셈블리는 가열 본체, 상기 가열 본체의 상기 가열면을 등지는 일측에 설치된 가스로판, 및 가스 소스 채널을 포함한다. 여기에서 상기 가스로판과 상기 가열 본체 사이는 제2 가스 채널을 형성한다. 상기 제2 가스 채널은 상기 제1 가스 채널의 입구와 연통되고, 상기 제2 가스 채널은 상기 가스 소스 채널과 더 연통된다.
선택적으로, 상기 제2 가스 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함한다. 여기에서 상기 제1 서브 채널은 상기 제1 가스 채널과 연통되며, 상기 제2 서브 채널과 연통된다. 상기 제2 서브 채널은 상기 가스 소스 채널과 연통된다.
여기에서 상기 제2 서브 채널의 가스 저장 부피와 상기 제1 가스 채널의 가스 저장 부피는 모두 상기 제1 서브 채널의 가스 저장 부피보다 작다. 또한 상기 제2 서브 채널의 유량은 상기 제1 가스 채널의 유량보다 크다.
선택적으로, 상기 제1 서브 채널은 환형 채널이다. 상기 제2 서브 채널은 복수개이다. 복수의 상기 제2 서브 채널은 상기 환형 채널의 둘레 방향을 따라 이격 분포된다. 각 상기 제2 서브 채널은 모두 상기 환형 채널의 반경 방향을 따라 연장되는 직선 채널이다. 상기 직선 채널의 일단은 상기 환형 채널과 연통되고, 상기 직선 채널의 타단은 상기 가스 소스 채널과 연통된다.
선택적으로, 상기 제2 가스 채널은 상기 가스로판과 상기 가열 본체가 대향하는 2개 표면 중 적어도 하나에 개설된 오목홈이다.
선택적으로, 상기 베이스부의, 상기 가스로판과 대향하는 표면에 장착홈이 개설된다. 상기 장착홈과 상기 가스로판은 상기 장착 공간을 형성한다. 상기 냉각 메커니즘은 상기 장착홈의 홈 바닥에 설치된다. 또한 상기 냉각 메커니즘과 상기 홈 바닥 사이에는 내고온부가 설치된다.
선택적으로, 상기 장착 공간에는 지지 부재가 설치된다. 상기 지지 부재는 상기 냉각 메커니즘과 상기 장착홈의 홈 바닥 사이에 지지된다.
선택적으로, 상기 가열 어셈블리는 상기 가열 본체의 주위를 감싸는 에지링을 더 포함한다. 상기 제1 가스 채널은 제3 서브 채널 및 제4 서브 채널을 포함한다. 여기에서 상기 제3 서브 채널은 상기 가열 본체에 설치된다. 상기 제3 서브 채널의 출구는 상기 가열 본체의 외주벽 상에 위치한다. 상기 제3 서브 채널의 입구는 상기 가열 본체의 상기 가열면을 등지는 표면에 위치하며, 상기 제1 서브 채널과 연통된다.
상기 에지링의 내주벽과 상기 가열 본체의 외주벽은 이격 설치되어, 상기 제4 서브 채널을 형성한다. 상기 제4 서브 채널은 상기 제3 서브 채널과 연통된다.
선택적으로, 상기 에지링에는 냉매를 이송하기 위한 냉각 채널이 설치된다.
본 발명의 실시예는 상술한 가열 장치가 설치된 반응 챔버를 포함하는 반도체 가공 디바이스를 더 개시한다.
본 발명에서 채택하는 기술적 해결책은 이하의 유익한 효과를 구현할 수 있다.
본 발명의 실시예에서 개시된 가열 장치 및 반도체 가공 디바이스에 있어서, 가열 어셈블리에 통기 구조가 개설된다. 상기 통기 구조는 가공할 공작물의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용된다. 블로잉된 가스는 가공할 공작물 에지의 열을 가져갈 수 있다. 동시에 베이스부와 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 그 가열면을 등지는 일측에 설치된다. 베이스와 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 냉각 메커니즘은 상기 장착 공간에 설치되며, 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 위치하여, 가열 어셈블리를 냉각하는 데 사용된다. 냉각 메커니즘을 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 설치함으로써, 냉각 메커니즘이 가열 어셈블리의 에지 영역을 냉각하도록 만들어, 가공할 공작물과 가열 어셈블리 사이의 열전도 가스를 균일하게 분포시킬 수 있다. 따라서 가공할 공작물과 가열 어셈블리 사이의 열전도 가스가 가공할 공작물 에지 지점에서는 기압이 비교적 크고, 가공할 공작물 중간 지점에서는 기압이 비교적 작은 문제를 방지할 수 있다. 동시에 냉각 메커니즘이 가열 어셈블리의 에지 영역을 냉각함으로써, 가공할 공작물 가열 과정에서 가공할 공작물의 에지 온도와 중간 영역 온도를 가능한 동일하게 만들 수도 있다. 따라서 가공할 공작물의 온도가 공정 온도에 도달했을 때 가공할 공작물 중간 영역의 온도가 아직 공정 온도에 도달하지 않는 문제를 방지할 수 있다. 이를 통해 가공할 공작물의 온도 분포를 비교적 균일하게 만들어, 동일한 가공할 공작물의 상이한 영역에서 막 형성 두께가 다른 문제를 방지하여 가공할 공작물의 막 형성 균일성을 향상시킨다.
본 발명 실시예 또는 배경기술의 기술적 해결책을 보다 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 실시예 또는 배경기술의 설명에 필요한 첨부 도면을 간략하게 소개한다. 본 발명이 속한 기술 분야의 당업자는 창의적인 노력 없이 이러한 첨부 도면을 기반으로 다른 도면을 더 획득할 수 있다.
도 1은 종래 기술에서 전형적인 가열기의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 개시된 가열 장치의 구조도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 개시된 냉각 메커니즘의 구조도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 개시된 가열 장치의 구조도이다.
본 발명의 목적, 기술적 해결책 및 이점을 보다 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예 및 상응하는 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 해결책을 명확하고 완전하게 설명한다. 설명된 실시예는 본 발명의 전부가 아니라 일부 실시예임에 유의한다. 본 발명의 실시예를 기반으로, 본 발명이 속한 기술 분야의 당업자가 창의적인 노력 없이 획득한 다른 모든 실시예는 본 발명의 보호 범위에 속한다.
본 출원의 명세서 및 청구범위에서의 용어 "제1", "제2"는 유사한 대상을 구분하기 위한 것으로, 특정한 순서나 선후 회차를 설명하는 것이 아니다. 본원에 사용된 데이터는 적절한 상황에서 호환되어 본 출원의 실시예가 본원에 도시되거나 설명된 것 이외의 순서로 실시될 수 있음을 이해해야 한다. "제1", "제2" 등으로 구분하는 대상은 통상적으로 하나의 유형이며, 대상의 개수를 한정하는 것이 아니다. 예를 들어, 제1 대상은 하나 또는 복수개일 수 있다. 또한 명세서 및 청구범위에서 "및/또는"은 연결된 객체 중 적어도 하나를 나타내며, 문자 "/"는 일반적으로 전후 연관 객체가 일종의 "또는" 관계에 있음을 나타낸다.
이하에서는 첨부 도면을 참조하여 구체적인 실시예 및 적용 시나리오를 통해 본 출원의 각 실시예에 개시된 기술적 해결책을 상세히 설명한다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예는 가열 장치를 개시한다. 개시된 가열 장치는 반도체 가공 디바이스에서 가공할 공작물(100)을 운반 및 가열하는 데 사용된다. 가공할 공작물(100)은 통상적으로 웨이퍼이다. 구체적으로, 반도체 가공 디바이스는 통상적으로 반응 챔버이다. 상기 가열 장치는 반응 챔버에 위치하며, 웨이퍼 가공 과정에서 웨이퍼는 상기 가열 장치 상에 거치된다. 상기 가열 장치를 통해 웨이퍼를 가열하고, 웨이퍼의 온도가 공정 온도에 도달하면, 웨이퍼의 필름 코팅 공정을 수행하여 웨이퍼의 가공을 구현한다.
개시된 가열 장치는 베이스부(200), 가열 어셈블리 및 냉각 메커니즘(400)을 포함한다. 여기에서 가열 어셈블리는 가공할 공작물(100)을 운반하기 위한 가열면을 구비한다. 또한 상기 가열 어셈블리에는 통기 구조가 개설된다. 상기 통기 구조는 가공할 공작물(100)의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용된다. 가열 어셈블리는 다양한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에 있어서 가열 어셈블리는 가열 본체(300), 상기 가열 본체(300)의 상술한 가열면을 등지는 일측에 설치된 가스로판(500), 및 가스 소스(미도시)와 연결된 가스 소스 채널(900)을 포함한다. 여기에서 가열 본체(300)는 원판형이며, 가공할 공작물(100)을 거치 및 가열하는 데 사용된다. 예를 들어, 가열 본체(300)에는 가열관이 설치된다. 상기 가열관은 열을 생성하고 상기 가열 본체(300)를 가열하여, 가열 본체(300)를 통해 열을 가공할 공작물(100)에 전달할 수 있다.
상술한 통기 구조는 예를 들어 제1 가스 채널(310) 및 제2 가스 채널(600)을 포함한다. 여기에서 제1 가스 채널(310)의 출구는 가열 본체(300)의 상술한 가열면(즉, 도 2에서 가열 본체(300)가 위를 향한 표면)의 에지 영역에 위치한다. 제1 가스 채널(310)의 입구는 가열 본체(300)의 상술한 가열면을 등지는 표면(즉, 도 2에서 가열 본체(300)가 아래를 향한 표면)에 위치한다. 제1 가스 채널(310)은 가공할 공작물(100)의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용된다. 제2 가스 채널(600)은 가스로판(500)과 가열 본체(300) 사이에 위치한다. 제2 가스 채널(600)은 제1 가스 채널(310)의 입구와 연통된다. 또한 제2 가스 채널(600)은 상술한 가스 소스 채널과 더 연통된다. 가스 소스에서 제공하는 가스는 순차적으로 웨이퍼의 상술한 가스 소스 채널(900), 제2 가스 채널(600) 및 제1 가스 채널(310)을 통해 가공할 공작물(100)의 에지 지점으로 흐른다.
상술한 제1 가스 채널(310)을 통해 가공할 공작물(100)의 에지를 불어내어, 가공할 공작물(100)에 후면 코팅 또는 측면 코팅의 상황이 발생하는 것을 방지하여, 가공할 공작물(100)의 수율을 향상시킬 수 있다.
일부 실시예에 있어서, 선택적으로, 상술한 제2 가스 채널(600)은 가스로판(500)과 가열 본체(300)가 대향하는 두 표면 중 적어도 하나에 개설된 오목홈이다. 가스로판(500)과 가열 본체(300)가 서로 연결된 후 제2 가스 채널(600)을 형성할 수 있다. 본 발명의 실시예는 제2 가스 채널(600)의 형성 방식을 한정하지 않는다.
본 발명의 실시예에 개시된 가열 장치에 있어서, 제1 가스 채널(310)의 출구는 가열 본체(300)의 가열면의 에지 영역에 위치한다. 이는 제1 가스 채널(310)이 가공할 공작물(100)의 에지에 대해 블로잉을 수행하도록 만든다. 블로잉된 가스는 가공할 공작물(100) 에지의 열을 가져갈 수 있다. 또한 상술한 제1 가스 채널(310)을 가열 본체(300)의 외측 에지 영역에 설치함으로써, 가스가 제1 가스 채널(310)을 흐를 때 가열 본체(300) 외측 에지 영역의 열을 가져가도록 할 수 있다. 따라서 제1 가스 채널(310) 중의 가스가 가열 본체(300)의 외측 에지 영역을 냉각시킬 수 있다. 동시에 제1 가스 채널(310)에서 블로잉된 가스는 가공할 공작물(100) 에지의 열을 가져가 가공할 공작물(100)의 온도 분포를 더욱 균일하게 만들 수도 있다.
가스가 제1 가스 채널(310)을 흐를 때 가열 본체(300) 외측 에지 영역의 더 많은 열을 가져갈 수 있도록, 선택적 실시예에서는 제2 가스 채널(600)이 제1 서브 채널(610) 및 제2 서브 채널(620)을 포함할 수 있다. 여기에서 제1 서브 채널(610)은 상술한 제1 가스 채널(310)과 연통되고, 제2 서브 채널(620)과 연통된다. 제2 서브 채널(620)은 상술한 가스 소스 채널(900)과 연통된다. 가스 소스 채널(900)에서 유출되는 가스는 순차적으로 제2 서브 채널(620) 및 제1 서브 채널(610)을 거쳐 제1 가스 채널(310)로 유입된다.
상술한 실시예에 있어서, 제2 서브 채널(620)의 가스 저장 부피와 제1 가스 채널(310)의 가스 저장 부피는 모두 제1 서브 채널(610)의 가스 저장 부피보다 작다. 또한 제2 서브 채널(620)의 유량은 제1 가스 채널(310)의 유량보다 크다. 이로 인해 가스가 제1 서브 채널(610) 지점에서 응집되어 압력 상승의 효과가 구현되므로, 제1 가스 채널(310) 중 가스의 유속을 향상시킬 수 있다. 유속이 비교적 빠른 가스는 가열 본체(300) 외측 에지 영역의 더 많은 열을 가져갈 수 있다. 유속이 비교적 빠른 가스는 제1 가스 채널(310)을 지날 때 가열 본체(300) 외측 에지 영역을 더욱 잘 냉각시킬 수 있다. 동시에 유속이 비교적 빠른 가스가 가공할 공작물(100)의 에지에 블로잉되면, 역시 더 많은 열을 가져갈 수 있어 가공할 공작물(100)의 온도 분포가 더욱 균일해진다. 가공할 공작물(100) 가열 과정에서, 가열 본체(300)가 보다 균일하게 가공할 공작물(100)을 가열할 수 있어, 가공할 공작물(100)의 에지 온도와 중간 온도가 최대한 같아진다. 나아가 동일한 가공할 공작물(100)의 상이한 영역에서 막 형 성 두께가 달라지는 것을 방지하여, 가공할 공작물(100)의 막 형성 균일성을 더욱 향상시킨다.
일부 실시예에 있어서, 선택적으로, 제1 서브 채널(610)은 환형 채널이다. 제2 서브 채널(620)은 복수개이다. 복수개의 제2 서브 채널(620)은 상술한 환형 채널의 둘레 방향을 따라 이격 분포된다. 또한 각 제2 서브 채널(620)은 모두 환형 채널의 반경 방향을 따라 연장되는 직선 채널이다. 상기 직선 채널의 일단은 환형 채널과 연통된다. 상기 직선 채널의 타단은 상술한 가스 소스 채널(900)과 연통된다. 이처럼 가스 소스 채널(900)에서 유출되는 가스는 동시에 복수의 직선 채널을 경유해 균일하게 상술한 환형 채널을 향해 흐를 수 있다. 따라서 가스 분포 균일성이 향상될 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 서브 채널(610)과 제2 서브 채널(620)의 형성 방식은 다양할 수 있다. 본 발명 실시예에서 제1 서브 채널(610)과 제2 서브 채널(620)의 형성 방식은 한정하지 않는다. 구체적으로, 상술한 환형 채널(즉, 제1 서브 채널(610))과 복수의 직선 채널(즉, 제2 서브 채널(620))은 각각 가스로판(500)과 가열 본체(300)가 대향하는 두 표면 중 적어도 하나에 개설된 환형 홈과 복수의 연결 홈이다. 홀을 개설하여 제1 서브 채널(610)과 제2 서브 채널(620)을 형성하는 방식에 비해, 가스로판(500)과 가열 본체(300) 중 적어도 하나 상에 환형 홈과 연결 홈을 개설하는 방식은 가공이 용이하고 공정이 비교적 적으며 가공이 간단하다. 따라서 가스로판(500) 및/또는 가열 본체(300)의 가공 난이도를 낮출 수 있으며, 가공 과정에서의 중간 비용을 줄일 수도 있다.
일부 실시예에 있어서, 선택적으로, 가열 어셈블리는 가열 본체(300)의 주위를 감싸는 에지링(301)을 더 포함한다. 상술한 제1 가스 채널(310)은 제3 서브 채널(310b) 및 제4 서브 채널(310a)을 포함한다. 여기에서 제3 서브 채널(310b)은 가열 본체(300)에 설치된다. 제3 서브 채널(310b)의 출구는 가열 본체(300)의 외주벽 상에 위치한다. 제3 서브 채널(310b)의 입구는 가열 본체(300)의 상술한 가열면을 등지는 표면에 위치하며, 상술한 제1 서브 채널(610)과 연통된다. 또한 에지링(301)의 내주벽과 가열 본체(300)의 외주벽은 이격 설치되어, 상술한 제4 서브 채널(310a)을 형성한다. 제4 서브 채널(310a)은 제3 서브 채널(310b)과 연통된다. 선택적으로, 에지링(301)의 내주벽과 가열 본체(300)의 외주벽 중 하나에는 트렌치가 개설된다. 에지링(301)과 가열 본체(300)가 서로 연결된 후 제4 서브 채널(310a)을 형성할 수 있다. 본 발명의 실시예에서 제4 서브 채널(310a)의 형성 방식은 한정하지 않는다. 에지링(301)과 가열 본체(300)의 다른 구조 및 기능은 모두 공지된 기술이므로, 본원의 간결한 설명을 위해 여기에서 반복하여 언급하지 않기로 한다.
선택적 실시예에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 에지링(301)에는 냉매를 이송하기 위한 냉각 채널(320)이 설치된다. 냉매는 예를 들어 냉각 가스 또는 냉각수이다. 냉각 채널(320) 중의 냉각 가스 또는 냉각수는 가열 본체(300) 에지의 열을 가져가 가열 본체(300) 에지의 온도를 비교적 낮게 만들 수 있다. 가열 장치가 가공할 공작물(100)을 가열하는 과정에서, 가공할 공작물(100)과 가열 본체(300) 사이의 열전도 가스가 균일하게 분포되어, 가공할 공작물(100)과 가열 본체(300) 사이의 열전도 가스가 가공할 공작물(100) 에지에서는 기압이 비교적 커지고 가공할 공작물(100) 중간 영역에서는 기압이 비교적 작아지는 것을 방지할 수 있다. 따라서 가열 본체(300)가 가공할 공작물(100)을 균일하게 가열하도록 만들어, 가공할 공작물(100)의 에지 온도와 중간 영역 온도를 최대한 동일하게 만들 수 있다. 나아가 가공할 공작물(100)의 온도 분포를 비교적 균일하게 만들어, 동일한 가공할 공작물(100)이 상이한 영역에서 막 형성 두께가 상이하지 않도록 방지하여, 가공할 공작물(100)의 막 형성 균일성을 더 우수하게 만들 수 있다.
또한 냉각 채널(320)은 환형 수로이다. 환형 수로는 가열 본체(300)를 감싸며 가열 본체(300) 에지의 열이 냉각 채널(320) 중의 냉각 가스 또는 냉각수에 의해 더 많이 제거되도록 만들 수 있다. 나아가 냉각 채널(320)의 가열 본체(300) 에지에 대한 냉각 효과를 향상시키고, 가공할 공작물(100)에서 상이한 영역의 막 형성 균일성을 향상시킨다.
베이스부(200)는 가열 장치의 기초 구성 요소이다. 베이스부(200)는 가열 장치의 다른 부재에 설치 기반을 제공할 수 있다. 구체적으로, 베이스부(200)는 상술한 가열 어셈블리의 그 가열면을 등지는 일측에 설치된다. 베이스부(200)와 상술한 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 상기 냉각 메커니즘(400)은 상기 장착 공간에 설치되며, 상술한 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 위치하여, 상술한 가열 어셈블리를 냉각하는 데 사용된다.
냉각 메커니즘(400)을 상술한 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 설치함으로써, 냉각 메커니즘(400)이 가열 어셈블리의 에지 영역을 냉각하도록 만들어, 가공할 공작물(100)과 가열 어셈블리 사이의 열전도 가스를 균일하게 분포시킬 수 있다. 따라서 가공할 공작물(100)과 가열 어셈블리 사이의 열전도 가스가 가공할 공작물(100) 에지 지점에서는 기압이 비교적 크고, 가공할 공작물(100) 중간 지점에서는 기압이 비교적 작은 문제를 방지할 수 있다. 동시에 냉각 메커니즘(400)을 통해 가열 어셈블리의 에지 영역을 냉각하며, 가공할 공작물(100) 가열 과정에서 가공할 공작물(100)의 에지 온도와 중간 영역 온도를 최대한 동일하게 만들 수도 있다. 이를 통해 가공할 공작물(100) 에지의 온도가 공정 온도에 도달했을 때 가공할 공작물(100) 중간 영역의 온도가 공정 온도에 도달하지 않는 것을 방지하여 가공할 공작물(100)의 온도 분포를 비교적 균일하게 만든다. 따라서 동일한 가공할 공작물의 상이한 영역에서 막 형성 두께가 다른 문제를 방지하여 가공할 공작물의 막 형성 균일성을 향상시킨다.
냉각 메커니즘(400)은 운행 시 열을 흡수하여 가열 본체(300)를 냉각하는 작용을 나타낼 수 있다. 가스로판(500) 상에는 복수의 가스로가 개설된다. 일부 가스로는 가공할 공작물(100)의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용되어, 가공할 공작물(100)에 후면 코팅 또는 측면 코팅의 상황이 발생하는 것을 방지하고, 가공할 공작물(100)의 수율을 향상시킨다. 일부 가스로는 가열 장치 중 부압을 형성하여, 가열 장치가 가공할 공작물(100)을 흡착하도록 만드는 데 사용된다.
일부 실시예에 있어서, 선택적으로 상기 냉각 메커니즘(400)은 환형 어셈블리를 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 환형 어셈블리에는 냉각액을 이송하기 위한 냉각 수로(430) 및 냉각 가스를 이송하기 위한 냉각 가스로(410) 중 적어도 하나가 집적된다. 여기에서 냉각 가스로(410)의 출구와 상술한 가열 어셈블리의 상술한 가열면을 등지는 표면이 대향하여, 상기 표면에 냉각 가스를 블로잉하는 데 사용된다. 냉각 메커니즘(400)은 환형 어셈블리를 채택하며, 이는 상술한 가열면의 에지 영역에 대응하여, 가열 어셈블리의 에지 영역을 냉각할 수 있다. 또한 환형 어셈블리와 가스로판(500) 에지 영역의 대향하는 면적이 비교적 크다. 따라서 환형 어셈블리가 더욱 신속하게 가스로판(500) 에지 영역의 열을 가져갈 수 있다. 또한 냉각 메커니즘(400)이 더욱 잘 가열 본체(300)를 냉각할 수 있도록 만들어, 가공할 공작물(100)의 상이한 영역에서 막 두께가 최대한 동일하도록 만들 수 있다.
상술한 환형 어셈블리의 구조는 다양할 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 환형 어셈블리에는 냉각액을 이송하기 위한 냉각 수로(430) 및 냉각 가스를 이송하기 위한 냉각 가스로(410)가 집적된다. 또한 환형 어셈블리는 환형 본체(401), 제1 환형 덮개판(402) 및 제2 환형 덮개판(403)을 포함한다. 여기에서 환형 본체(401)의, 상술한 가열 어셈블리의 가열면을 등지는 표면과 대향하는 제1 표면(즉, 환형 본체(401)에서 위를 향한 표면) 상에 환형 오목홈이 형성된다. 제1 환형 덮개판(402)은 환형 본체(401)와 밀봉 연결되며, 상술한 환형 오목홈과 폐쇄된 냉각 수로(430)를 구성한다. 냉각 수로(430)에 냉각수를 주입할 수 있다. 구체적인 냉각 과정에서, 냉각 수로(430) 중의 냉각수는 가스로판(500)의 외측 에지 영역으로부터 냉각 메커니즘(400)에 전도되는 열을 가져갈 수 있다. 따라서 냉각 메커니즘(400)이 가스로판(500) 외측 에지 영역의 열을 가져갈 수 있도록 한다. 이를 통해 가스로판(500) 외측 에지 영역을 냉각하는 효과를 구현하고, 가열 본체(300) 에지를 냉각하는 효과를 구현한다. 가스 냉각의 방식에 비해, 이러한 수냉 방식은 냉각 효과가 더욱 우수하다. 따라서 냉각 메커니즘(400)이 더욱 잘 가스로판(500)의 외측 에지 영역을 냉각시킬 수 있도록 한다. 나아가 가공할 공작물(100)의 온도 분포를 더욱 균일하게 만들어 가공할 공작물(100)의 막 형성 균일성을 더욱 우수하게 만들 수 있다.
또한 도 3에 도시된 바와 같이, 환형 본체(401)에는 복수의 가스 블로잉 홀(410b)이 더 설치된다. 각 가스 블로잉 홀(410b)의 출구는 환형 본체(401)의 상술한 제1 표면 상에 위치한다. 각 가스 블로잉 홀(410b)의 입구는 환형 본체(401)의 상술한 제1 표면을 등지는 제2 표면(환형 본체(401)에서 아래를 향한 표면) 상에 위치한다. 제2 환형 덮개판(403)은 환형 본체(401)의 상기 제2 표면이 있는 일측이 환형 본체(401)와 밀봉 연결된다. 또한 제2 환형 덮개판(403)과 환형 본체(401)는 폐쇄된 환형 가스로(410a)를 구성하며, 상기 환형 가스로(410a)와 각 가스 블로잉 홀(410b)의 입구를 연통시키는 데 사용된다. 냉각 가스는 순차적으로 환형 가스로(410a)를 거쳐 각 가스 블로잉 홀(410b)을 향해 흐른다. 또한 가스 블로잉 홀(410b)의 출구를 거쳐 가스로판(500)의 외측 에지 영역에 블로잉되어, 냉각 가스가 가스로판(500) 외측 에지 영역의 열을 가져가도록 만든다. 따라서 가스로판(500) 외측 에지 영역을 냉각하는 효과를 구현한다. 이러한 설치 방식은 간단하고 신뢰할 수 있으며 설계자가 냉각 메커니즘(400)을 설계하기 용이하게 만들고 냉각 메커니즘(400)의 설계 난이도를 낮춘다. 또한 냉각 가스가 블로잉된 후 가공할 공작물(100)의 가공에 영향을 미치기 비교적 어렵다. 동시에 냉각 가스는 환경에 영향을 미치기 어려우며 냉각 가스의 비용이 비교적 낮다.
일부 선택적 실시예에 있어서, 환형 본체(401)의 원주 방향 상에서의 냉각 균일성을 향상시키기 위해, 상술한 복수의 가스 블로잉 홀(410b)은 냉각 수로(430)의 내외 양측에 분포된다. 또한 동일 측의 가스 블로잉 홀(410b)은 환형 본체(401)의 둘레 방향을 따라 이격 분포된다.
본 실시예에 있어서, 환형 어셈블리에는 냉각 수로(430) 및 냉각 가스로(410)가 집적된다. 이는 냉각 가스를 통해 가스로판(500)의 외측 에지 영역을 냉각시킬 수 있을 뿐만 아니라, 냉각수를 통해 가스로판(500)의 외측 에지 영역을 냉각시킬 수도 있다. 동시에 냉각 수로(430) 중의 냉각수는 냉각 가스로(410) 중의 냉각 가스를 냉각시켜, 냉각 메커니즘(400)의 가스로판(500) 외측 에지 영역에 대한 냉각 효과를 더욱 우수하게 만들 수도 있다. 또한 냉각 메커니즘(400)이 가열 본체(300)의 에지를 더욱 잘 냉각하도록 만들어, 가공할 공작물(100)의 온도 분포를 더욱 균일하게 만들 수 있다. 물론 실제 적용에서, 구체적인 수요에 따라 냉각 수로(430)와 냉각 가스로(410) 중 하나만 설치할 수도 있다.
냉각 메커니즘(400)이 가열 본체(300) 에지를 냉각하는 과정에서, 냉각 가스 또는 냉각수의 온도가 너무 낮아 냉각 메커니즘(400)이 가열 본체(300)의 에지를 과도하게 냉각할 수 있다. 이로 인해 가공할 공작물(100) 에지의 온도가 비교적 낮고 가공할 공작물(100) 중간 영역의 온도가 비교적 높아, 가공할 공작물(100)의 온도 분포가 불균일해질 수 있다. 따라서 동일한 가공할 공작물(100)의 상이한 영역에서 막 형성 두께가 다를 수 있다. 이를 기반으로 선택적으로 실시예에 있어서, 상술한 환형 어셈블리에 가열부(440)를 더 집적한다. 상기 가열부(440)는 상술한 환형 어셈블리에 집적된 냉각 수로(430)와 냉각 가스로(410) 중 적어도 하나를 가열하는 데 사용된다. 이처럼 냉각 가스의 온도가 너무 낮아 냉각 메커니즘(400)의 가열 본체(300) 에지에 대한 과도한 냉각을 방지할 수 있다. 따라서 가공할 공작물(100)의 온도 분포를 비교적 균일하게 만들어, 가공할 공작물(100) 에지의 온도가 비교적 낮고 가공할 공작물(100) 중각 영역의 온도가 비교적 높은 문제를 방지할 수 있다. 나아가 동일한 가공할 공작물(100)의 상이한 영역에서 막 형성 두께를 최대한 동일하게 만들 수 있다.
물론 가열부(440)는 냉각 수로(430) 중의 냉각수를 가열하여 냉각수의 온도가 너무 낮아 냉각 메커니즘(400)의 가열 본체(300) 에지에 대한 과도한 냉각을 방지할 수도 있다. 이와 유사하게, 본 출원 실시방식은 가공할 공작물(100)의 운도 분포를 비교적 균일하게 만들어, 가공할 공작물(100) 에지의 온도가 비교적 낮고 가공할 공작물(100) 중간 영역의 온도가 비교적 높은 문제를 방지할 수 있다. 따라서 동일한 가공할 공작물(100)의 상이한 영역에서 막 형성 두께를 최대한 동일하게 만들 수 있다.
상술한 가열부(440)의 구조는 다양할 수 있다. 예를 들어, 가열부(440)는 상술한 환형 어셈블리(예를 들어, 환형 본체(401))에 내장된 가열관이다. 상기 가열관은 환형 어셈블리의 축선을 중심으로 평면 나선형으로 감긴다. 따라서 환형 본체(401)의 원주 방향 상의 가열 균일성을 보장할 수 있다.
본 발명의 실시예에 있어서, 냉각 메커니즘(400)은 상술한 가열 어셈블리의 가열면을 등지는 표면과 서로 접촉될 수 있다. 예를 들어, 상술한 환형 어셈블리는 가스로판(500)의 외측 에지 영역과 서로 접촉되어, 냉각 메커니즘(400)을 가스로판(500)의 외측 에지 영역과 직접 연결시킬 수 있다. 냉각 메커니즘(400)은 가스로판(500)의 외측 에지 영역을 통해 가열 본체(300) 에지의 열을 흡수하여, 냉각 메커니즘(400)이 가열 본체(300) 에지를 냉각하도록 만들 수 있다. 가공할 공작물(100) 가열 과정에서, 가열 본체(300)는 가공할 공작물(100)을 균일하게 가열하여 가공할 공작물(100)의 운도 분포를 비교적 균일하게 만들 수 있다.
또는 냉각 메커니즘(400)은 상술한 가열 어셈블리의 가열면을 등지는 표면과 이격 설치될 수도 있다. 또한 냉각 메커니즘(400)과 상술한 가열 어셈블리의 가열면을 등지는 표면 사이에는 각각 이들 둘과 접촉되는 열전도부(700)가 설치된다. 예를 들어, 상술한 환형 어셈블리와 가스로판(500)의 외측 에지 영역은 대향한다. 즉, 상술한 환형 어셈블리와 가스로판(500)의 외측 에지 영역 사이에는 거리가 있다. 또한 상술한 환형 어셈블리와 가스로판(500)의 외측 에지 영역 사이에는 열전도부(700)가 설치된다. 상기 열전도부(700)는 가스로판(500) 외측 에지 영역의 열을 상술한 환형 어셈블리에 전도할 수 있다. 따라서 상술한 환형 어셈블리가 가스로판(500) 외측 에지 영역의 을 가져가도록 하여, 가열 본체(300) 에지를 냉각하는 작용을 일으킬 수 있다. 상술한 2가지 열전도 연결 방식은 모두 냉각 메커니즘(400)이 비교적 잘 가열 본체(300) 에지를 냉각할 수 있도록 만든다. 따라서 가공할 공작물(100)의 온도 분포가 더욱 균일해진다. 열전도부(700)는 구리판, 스테인리스강 핀, 구리 핀, 열전도성 접착제 및 열전도성 폼 등일 수 있다.
전술한 바와 같이, 베이스부(200)와 가열 어셈블리(예를 들어 가스로판(500))는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 냉각 메커니즘(400)은 장착 공간에 설치된다. 구체적으로, 베이스부(200)의, 가스로판(500)과 대향하는 표면에는 장착홈이 개설될 수 있다. 베이스부(200)와 가스로판(500)이 서로 연결된 후, 장착홈은 가스로판(500)과 장착 공간을 형성할 수 있다. 냉각 메커니즘(400)은 장착홈의 홈 바닥에 설치되어, 냉각 메커니즘(400)을 장착 공간에 설치시킨다. 또한 냉각 메커니즘(400)과 홈 바닥 사이에는 내고온부가 설치되어, 가열 본체(300) 상의 열이 베이스부(200)에 전도되는 것을 방지한다. 또한 내고온부는 냉각 메커니즘(400)을 비교적 안정적으로 장착홈의 홈 바닥에 설치하여, 온도가 비교적 높아 냉각 메커니즘(400)과 홈 바닥의 연결 관계가 실효되는 것을 방지할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 장착 공간을 형성하는 방식은 간단하다. 또한 냉각 메커니즘(400) 장착 방식도 간단하며 신뢰할 수 있으며 작업자가 설치하기가 용이하다.
또한 장착 공간에는 지지 부재(800)가 설치될 수 있다. 지지 부재(800)는 냉각 메커니즘(400)과 장착홈의 홈 바닥 사이에 지지되어, 냉각 메커니즘(400)과 홈 바닥의 접촉 면적을 비교적 크게 만든다. 따라서 냉각 메커니즘(400)이 베이스부(200) 상의 열을 흡수하는 것을 방지할 수 있다. 또한 냉각 메커니즘(400)이 비교적 잘 가열 본체(300)를 냉각하여 냉각 메커니즘(400)의 가열 본체(300)에 대한 냉각 효과가 향상되도록 보장할 수 있다.
상기 내용을 요약하면, 본 발명의 실시예에서 개시된 가열 장치에 있어서, 가열 어셈블리에 통기 구조가 개설된다. 상기 통기 구조는 가공할 공작물의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용된다. 블로잉된 가스는 가공할 공작물 에지의 열을 가져갈 수 있다. 동시에 베이스부와 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 그 가열면을 등지는 일측에 설치된다. 베이스와 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성된다. 냉각 메커니즘은 상기 장착 공간에 설치되며, 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 위치하여, 가열 어셈블리를 냉각하는 데 사용된다. 냉각 메커니즘을 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 설치함으로써, 냉각 메커니즘이 가열 어셈블리의 에지 영역을 냉각하도록 만들어, 가공할 공작물과 가열 어셈블리 사이의 열전도 가스를 균일하게 분포시킬 수 있다. 따라서 가공할 공작물과 가열 어셈블리 사이의 열전도 가스가 가공할 공작물 에지 지점에서는 기압이 비교적 크고, 가공할 공작물 중간 지점에서는 기압이 비교적 작은 문제를 방지할 수 있다. 동시에 냉각 메커니즘이 가열 어셈블리의 에지 영역을 냉각함으로써, 가공할 공작물 가열 과정에서 가공할 공작물의 에지 온도와 중간 영역 온도를 가능한 동일하게 만들 수도 있다. 따라서 가공할 공작물의 온도가 공정 온도에 도달했을 때 가공할 공작물 중간 영역의 온도가 아직 공정 온도에 도달하지 않는 문제를 방지할 수 있다. 이를 통해 가공할 공작물의 온도 분포를 비교적 균일하게 만들어, 동일한 가공할 공작물의 상이한 영역에서 막 형성 두께가 다른 문제를 방지하여 가공할 공작물의 막 형성 균일성을 향상시킨다.
본 발명 실시예에서 개시된 가열 장치를 기반으로, 본 발명의 실시예는 반도체 가공 디바이스를 더 개시한다. 개시된 반도체 가공 디바이스는 반응 챔버를 포함한다. 반응 챔버에는 상술한 실시예에 따른 가열 장치가 설치된다.
본 발명의 실시예에 개시된 반도체 가공 디바이스는, 본 발명 실시예에 개시된 가열 장치를 채택함으로써, 가공할 공작물 가열 과정에서 가공할 공작물의 에지 온도와 중간 영역 온도를 가능한 동일하게 만들 수도 있다. 따라서 가공할 공작물의 온도가 공정 온도에 도달했을 때 가공할 공작물 중간 영역의 온도가 아직 공정 온도에 도달하지 않는 문제를 방지할 수 있다. 이를 통해 가공할 공작물의 온도 분포를 비교적 균일하게 만들어, 동일한 가공할 공작물의 상이한 영역에서 막 형성 두께가 다른 문제를 방지하여 가공할 공작물의 막 형성 균일성을 향상시킨다.
본 발명의 상술한 실시예에서는 각 실시예의 차이점을 중점적으로 설명하였다. 각 실시예 사이에서 최적화된 상이한 특징은 모순되지 않는 한 모두 조합하여 더욱 바람직한 실시예를 형성할 수 있다. 간결한 설명을 위해 이는 여기에서 반복하여 설명하지 않기로 한다.
상기 내용은 본 발명의 실시예일 뿐이며 본 발명을 제한하지 않는다. 본 발명이 속한 기술 분야의 당업자는 본 발명을 다양하게 변경 및 수정할 수 있다.본 발명의 사상과 원리 내에서 이루어진 모든 수정, 균등한 대체, 개선 등은 본 발명의 특허청구범위에 포함된다.

Claims (16)

  1. 가열 장치에 있어서,
    반도체 가공 디바이스에서 가공할 공작물을 운반 및 가열하는 데 사용되고, 상기 가열 장치는 베이스부, 가열 어셈블리 및 냉각 메커니즘을 포함하고, 여기에서,
    상기 가열 어셈블리에는 통기 구조가 개설되고, 상기 통기 구조는 상기 가공할 공작물의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용되고,
    상기 베이스부는 상기 가열 어셈블리의 그 가열면을 등지는 일측에 설치되고, 상기 베이스부와 상기 가열 어셈블리는 그 사이에 장착 공간이 형성되고, 상기 냉각 메커니즘은 상기 장착 공간에 설치되며, 상기 가열면의 에지 영역과 대응하는 지점에 위치하여, 상기 가열 어셈블리를 냉각하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 메커니즘은 환형 어셈블리를 포함하고, 상기 환형 어셈블리에는 냉각액을 이송하기 위한 냉각 수로 및 냉각 가스를 이송하기 위한 냉각 가스로 중 적어도 하나가 집적되고, 여기에서 상기 냉각 가스로의 출구는 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 대향하여, 상기 표면을 향해 상기 냉각 가스를 블로잉하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 환형 어셈블리에는 냉각액을 이송하기 위한 냉각 수로 및 냉각 가스를 이송하기 위한 냉각 가스로가 집적되고, 상기 환형 어셈블리는 환형 본체, 제1 환형 덮개판 및 제2 환형 덮개판을 포함하고, 상기 환형 본체의, 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 대향하는 제1 표면 상에는 환형 오목홈이 형성되고, 상기 제1 환형 덮개판과 상기 환형 본체는 밀봉 연결되며, 상기 환형 오목홈과 폐쇄된 상기 냉각 수로를 구성하고,
    상기 환형 본체에는 복수의 가스 블로잉 홀이 설치되고, 각 상기 가스 블로잉 홀의 출구는 상기 제1 표면 상에 위치하고, 각 상기 가스 블로잉 홀의 입구는 상기 환형 본체의 상기 제1 표면을 등지는 제2 표면 상에 위치하고, 상기 제2 환형 덮개판은 상기 환형 본체의 상기 제2 표면이 위치한 일측에서 상기 환형 본체와 밀봉 연결되고, 상기 제2 환형 덮개판과 상기 환형 본체는 폐쇄된 환형 가스로를 구성하고, 상기 환형 가스로는 각 상기 가스 블로잉 홀의 입구와 연통되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    복수의 상기 가스 블로잉 홀은 상기 냉각 수로의 내외 양측에 분포되며, 동일 측의 상기 가스 블로잉 홀은 상기 환형 본체의 둘레 방향을 따라 이격 분포되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 환형 어셈블리에는 가열부가 더 집적되고, 상기 가열부는 상기 환형 어셈블리에 집적된 상기 냉각 수로와 상기 냉각 가스로 중 적어도 하나를 가열하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 환형 어셈블리에 내장된 가열관이며, 상기 가열관은 상기 환형 어셈블리의 축선을 중심으로 평면 나선형으로 감기는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 메커니즘은 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 서로 접촉되거나, 상기 냉각 메커니즘은 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면과 이격 설치되고, 상기 냉각 메커니즘과 상기 가열 어셈블리의 상기 가열면을 등지는 표면 사이에는 각각 이들 둘과 접촉되는 열전도부가 설치되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 가열 어셈블리는 가열 본체, 상기 가열 본체의 상기 가열면을 등지는 일측에 설치된 가스로판, 및 가스 소스와 연결된 가스 소스 채널을 포함하고, 여기에서 상기 통기 구조는 제1 가스 채널 및 제2 가스 채널을 포함하고, 여기에서 상기 제1 가스 채널의 출구는 상기 가열 본체의 상기 가열면의 에지 영역에 위치하고, 상기 제1 가스 채널의 입구는 상기 가열 본체의 상기 가열면을 등지는 표면에 위치하고, 상기 제1 가스 채널은 상기 가공할 공작물의 에지에 대해 블로잉을 수행하는 데 사용되고,
    상기 제2 가스 채널은 상기 가스로판과 상기 가열 본체 사이에 위치하고, 상기 제2 가스 채널은 상기 제1 가스 채널의 입구와 연통되고, 상기 제2 가스 채널은 상기 가스 소스 채널과 더 연통되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 가스 채널은 제1 서브 채널 및 제2 서브 채널을 포함하고, 여기에서 상기 제1 서브 채널은 상기 제1 가스 채널과 연통되며, 상기 제2 서브 채널과 연통되고, 상기 제2 서브 채널은 상기 가스 소스 채널과 연통되고,
    여기에서 상기 제2 서브 채널의 가스 저장 부피와 상기 제1 가스 채널의 가스 저장 부피는 모두 상기 제1 서브 채널의 가스 저장 부피보다 작고, 상기 제2 서브 채널의 유량은 상기 제1 가스 채널의 유량보다 큰 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 서브 채널은 환형 채널이고, 상기 제2 서브 채널은 복수개이고, 복수의 상기 제2 서브 채널은 상기 환형 채널의 둘레 방향을 따라 이격 분포되고, 각 상기 제2 서브 채널은 모두 상기 환형 채널의 반경 방향을 따라 연장되는 직선 채널이고, 상기 직선 채널의 일단은 상기 환형 채널과 연통되고, 상기 직선 채널의 타단은 상기 가스 소스 채널과 연통되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2 가스 채널은 상기 가스로판과 상기 가열 본체가 대향하는 두 표면 중 적어도 하나에 개설된 오목홈인 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 베이스부의, 상기 가스로판과 대향하는 표면에 장착홈이 개설되고, 상기 장착홈과 상기 가스로판은 상기 장착 공간을 형성하고, 상기 냉각 메커니즘은 상기 장착홈의 홈 바닥에 설치되고, 상기 냉각 메커니즘과 상기 홈 바닥 사이에는 내고온부가 설치되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 장착 공간에는 지지 부재가 설치되고, 상기 지지 부재는 상기 냉각 메커니즘과 상기 장착홈의 홈 바닥 사이에 지지되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 가열 어셈블리는 상기 가열 본체의 주위를 감싸는 에지링을 더 포함하고, 상기 제1 가스 채널은 제3 서브 채널 및 제4 서브 채널을 포함하고, 여기에서 상기 제3 서브 채널은 상기 가열 본체에 설치되고, 상기 제3 서브 채널의 출구는 상기 가열 본체의 외주벽 상에 위치하고, 상기 제3 서브 채널의 입구는 상기 가열 본체의 상기 가열면을 등지는 표면에 위치하며, 상기 제1 서브 채널과 연통되고,
    상기 에지링의 내주벽과 상기 가열 본체의 외주벽은 이격 설치되어, 상기 제4 서브 채널을 형성하고, 상기 제4 서브 채널은 상기 제3 서브 채널과 연통되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 에지링에는 냉매를 이송하기 위한 냉각 채널이 설치되는 것을 특징으로 하는 가열 장치.
  16. 제1항 및 제15항 중 어느 한 항에 따른 가열 장치가 설치된 반응 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 디바이스.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111607785A (zh) * 2020-05-26 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 一种加热装置及半导体加工设备
CN112144033B (zh) * 2020-09-09 2022-12-09 北京北方华创微电子装备有限公司 基座组件及半导体加工设备
CN112466809B (zh) * 2021-02-02 2021-06-08 北京中硅泰克精密技术有限公司 半导体工艺设备及承载装置
CN112509954B (zh) * 2021-02-04 2021-06-08 北京中硅泰克精密技术有限公司 半导体工艺设备及其承载装置
CN115101444B (zh) * 2022-06-22 2023-07-14 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及半导体工艺设备
CN116666321B (zh) * 2023-07-25 2023-10-27 天津中科晶禾电子科技有限责任公司 一种温度保持装置
CN116705669B (zh) * 2023-08-04 2023-10-20 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 一种冷却效果均匀的半导体设备用加热灯盘及冷却方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
US20060004493A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Jack Hwang Use of active temperature control to provide emmisivity independent wafer temperature
JP5069452B2 (ja) * 2006-04-27 2012-11-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体
US7860379B2 (en) * 2007-01-15 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
TWI508129B (zh) * 2007-10-31 2015-11-11 Lam Res Corp 利用氣體壓力來控制液體冷卻劑與構件體間之熱傳導的溫度控制模組
US8194384B2 (en) * 2008-07-23 2012-06-05 Tokyo Electron Limited High temperature electrostatic chuck and method of using
EP2321846A4 (en) * 2008-08-12 2012-03-14 Applied Materials Inc ELECTROSTATIC FODDER ASSEMBLY
WO2013049589A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with temperature control
KR101937692B1 (ko) * 2012-10-09 2019-01-14 주식회사 원익아이피에스 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치
CN103794538B (zh) * 2012-10-31 2016-06-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘以及等离子体加工设备
KR101751624B1 (ko) * 2012-12-07 2017-06-27 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
CN105489527B (zh) * 2014-09-19 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置以及半导体加工设备
US10008404B2 (en) * 2014-10-17 2018-06-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly for high temperature processes
US10186444B2 (en) * 2015-03-20 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Gas flow for condensation reduction with a substrate processing chuck
US10147610B1 (en) * 2017-05-30 2018-12-04 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including metallized ceramic tubes for RF and gas delivery
CN108987323B (zh) * 2017-06-05 2020-03-31 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及半导体加工设备
WO2019187785A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 日本碍子株式会社 静電チャックヒータ
CN111607785A (zh) * 2020-05-26 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 一种加热装置及半导体加工设备
CN112466809B (zh) * 2021-02-02 2021-06-08 北京中硅泰克精密技术有限公司 半导体工艺设备及承载装置

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