CN112151436A - 压环组件及半导体工艺腔室 - Google Patents

压环组件及半导体工艺腔室 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种压环组件及半导体工艺腔室，其中，压环与卡盘配合使用，压环通过升降装置将托盘固定在卡盘上，压环组件包括静电组件和绝缘的压环本体，压环本体用于与托盘接触，且压环本体上设置有通孔，通孔用于暴露托盘上所承载的晶片；静电组件与压环本体连接，用于使压环本体产生静电吸附力，以通过压环本体对托盘进行吸附，以及静电组件还用于将压环本体的静电吸附力消除，以释放托盘。本发明提供的压环组件及半导体工艺腔室，能够降低托盘损坏的概率，并能够降低放电现象出现的概率，以降低下电极结构损坏的概率，且能够降低下电极结构的设计难度，以提高反应腔室的密封性。

Description

压环组件及半导体工艺腔室
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种压环组件及半导体工艺腔室。
背景技术
在例如感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，简称ICP)的刻蚀设备中通常设置有多个腔室，机械手需要将承载有晶片(Wafer)的托盘在多个腔室间不断的传递，才能完成对晶片的整个刻蚀工艺。
在现有的用于进行刻蚀工艺的反应腔室中，通常设置有基座、卡盘、顶针和压环，其中，基座设置在反应腔室的底部，卡盘设置在基座上用于承载托盘，且基座和卡盘通常还用作下电极结构，用于在工艺过程中对等离子体进行吸引，顶针可升降的穿设于反应腔室底壁、基座和卡盘中，压环可升降的设置在反应腔室中。当机械手将托盘传递至反应腔室后，压环上升与卡盘分离，机械手携带托盘从压环下方穿过，将托盘传递至卡盘的上方并停止，此时顶针上升将托盘顶起，使托盘与机械手分离，随后机械手缩回，顶针下降使托盘降落至卡盘上，随后压环下降并压住托盘边缘，将托盘压紧在卡盘上。当需要将托盘传递至反应腔室外时，压环上升与托盘分离，顶针上升将托盘顶起，使托盘与卡盘分离，此时机械手伸至托盘下方，顶针下降使托盘降落至机械手上，随后顶针下降至卡盘中，机械手携带托盘缩回。
但是，在上述托盘的升降过程中，由于需要顶针和压环的升降配合，导致若顶针和压环的动作先后顺序出错，则会造成顶针将托盘顶碎的情况出现，并且，顶针的升降及安装需要例如波纹管、升降气缸、针本体和转接件等多个器件结构拼装才能够实现，而针本体、波纹管及一些树脂转接件位于下电极结构的强电场中，若操作或安装不当就会与下电极结构存在放电现象导致其自身以及下电极结构的损坏，并且，由于顶针需要贯穿反应腔室底壁、基座和卡盘，导致下电极结构的设计非常复杂，并且不利于对反应腔室的密封性进行控制。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种压环组件及半导体工艺腔室，其能够降低托盘损坏的概率，并能够降低放电现象出现的概率，从而降低下电极结构损坏的概率，且能够降低下电极结构的设计难度，提高反应腔室的密封性。
为实现本发明的目的而提供一种压环组件，所述压环组件与卡盘配合使用，所述压环组件通过升降装置将托盘固定在所述卡盘上，所述压环组件包括静电组件和绝缘的压环本体，其中，所述压环本体用于与所述托盘接触，且所述压环本体上设置有通孔，所述通孔用于暴露所述托盘上所承载的晶片；
所述静电组件与所述压环本体连接，用于使所述压环本体产生静电吸附力，以通过所述压环本体对所述托盘进行吸附，以及所述静电组件还用于将所述压环本体的静电吸附力消除，以释放所述托盘。
优选的，所述压环组件还包括直流电源，所述静电组件包括电极部件，其中，所述直流电源与所述电极部件电连接，并用于向所述电极部件提供直流电；
所述电极部件设置在所述压环本体中，所述电极部件能够在其通有直流电时，使所述压环本体产生静电吸附力。
优选的，所述通孔和所述托盘上所承载的所述晶片一一对应设置，所述电极部件分布在所述压环本体的所述通孔之外的部分。
优选的，各所述通孔中均设置有环形的挡环，所述挡环沿所述通孔的周向环绕设置，并与所述压环本体连接，用于遮挡所述通孔侧壁位置处的所述电极部件。
优选的，所述电极部件的边缘轮廓位于所述压环本体的边缘轮廓之内。
优选的，所述电极部件为单电极，所述单电极为金属材质钨。
优选的，所述压环本体的边缘设置有至少一个连接凸部，所述连接凸部用于连接所述升降装置。
优选的，所述连接凸部数量为多个，且所有的所述连接凸部沿所述压环本体的周向间隔分布。
本发明还提供一种半导体工艺腔室，包括反应腔室、托盘、卡盘和升降装置，所述卡盘设置于所述反应腔室内用于承载所述托盘，还包括如本发明提供的所述压环组件，所述压环本体通过所述升降装置移动用以将所述托盘固定在所述卡盘上。
优选的，所述升降装置的固定部设置于所述反应腔室的外部，所述升降装置的驱动部伸入所述反应腔室内，并与所述压环本体连接。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的压环组件，借助与压环本体连接的静电组件，可以使压环本体产生静电吸附力，以通过能够与托盘接触的压环本体对托盘进行吸附，这就使得在托盘的升降过程中，可以仅借助本发明提供的压环组件，就实现对托盘的升降，以无需通过顶针与压环组件的配合来实现托盘的升降，从而可以避免由于顶针和压环组件的动作先后顺序出错而导致顶针将托盘顶碎的情况出现，以降低下电极结构损坏的概率。并且，由于仅借助本发明提供的压环组件，就可以实现对托盘的升降，也就无需在反应腔室中设置顶针及与顶针相关的部件，从而可以避免由于顶针及与顶针相关的部件与下电极结构之间产生放电现象导致下电极结构的损坏，以能够降低放电现象出现的概率，进而降低下电极结构损坏的概率。并且，由于无需在反应腔室中设置顶针及与顶针相关的部件，也就无需在下电极结构以及反应腔室的腔室壁中设计安装顶针及与顶针相关的部件的空间结构，从而能够降低下电极结构的设计难度，提高反应腔室的密封性。
本发明提供的半导体工艺腔室，通过升降装置移动本发明提供的压环组件的压环本体，以借助本发明提供的压环组件的压环本体将托盘固定在卡盘上，从而能够降低托盘损坏的概率，并能够降低放电现象出现的概率，进而降低下电极结构损坏的概率，且能够降低下电极结构的设计难度，提高反应腔室的密封性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的压环组件及半导体工艺腔室的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的压环组件的压环本体的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的压环组件的主视剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的压环组件的俯视剖面结构示意图；
附图标记说明：
11-压环本体；111-通孔；112-挡环；113-限位槽；121-电极部件；122-直流电源；13-升降装置；131-固定部；132-驱动部；14-连接凸部；21-反应腔室；22-托盘；23-卡盘；24-基座。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的压环组件及半导体工艺腔室进行详细描述。
如图1所示，本实施例提供一种压环组件，压环组件与卡盘23配合使用，压环组件通过升降装置13将托盘22固定在卡盘23上，压环组件包括静电组件和绝缘的压环本体11，其中，压环本体11用于与托盘22接触，且压环本体11上设置有通孔111，通孔111用于暴露托盘22上所承载的晶片(图中未示出)；静电组件与压环本体11连接，用于使压环本体11产生静电吸附力，以通过压环本体11对托盘22进行吸附，以及静电组件还用于将压环本体11的静电吸附力消除，以释放所述托盘22。
本实施例提供的压环组件，借助与压环本体11连接的静电组件，可以使压环本体11产生静电吸附力，以通过能够与托盘22接触的压环本体11对托盘22进行吸附，这就使得在托盘22的升降过程中，可以仅借助本实施例提供的压环组件，就实现对托盘22的升降，以无需通过顶针与压环组件的配合来实现托盘22的升降，从而可以避免由于顶针和压环组件的动作先后顺序出错而导致顶针将托盘22顶碎的情况出现，以降低下电极结构损坏的概率。并且，由于仅借助本实施例提供的压环组件，就可以实现对托盘22的升降，也就无需在反应腔室21中设置顶针及与顶针相关的部件，从而可以避免由于顶针及与顶针相关的部件与下电极结构之间产生放电现象导致下电极结构的损坏，以能够降低放电现象出现的概率，进而降低下电极结构损坏的概率。并且，由于无需在反应腔室21中设置顶针及与顶针相关的部件，也就无需在下电极结构以及反应腔室21的腔室壁中设计安装顶针及与顶针相关的部件的空间结构，从而能够降低下电极结构的设计难度，提高反应腔室21的密封性。
如图1所示，具体的，反应腔室21中可以设置有基座24、卡盘23和压环本体11，其中，基座24可以设置在反应腔室21的底部，卡盘23可以设置在基座24上用于承载托盘22，且基座24和卡盘23可以用作下电极结构，用于在工艺过程中对等离子体进行吸引，压环本体11可以通过升降装置13可升降的设置在反应腔室21中。
当机械手(图中未示出)将托盘22传递至反应腔室21后，升降装置13驱动压环本体11上升与卡盘23分离，机械手携带托盘22从压环本体11下方穿过，将托盘22传递至卡盘23上方，压环本体11下方并停止，此时升降装置13驱动压环本体11下降，使压环本体11靠近托盘22，这时可以借助静电组件使压环本体11产生静电吸附力，以通过压环本体11将托盘22吸附，随后升降装置13驱动压环本体11上升，使压环本体11吸附着托盘22上升，以使托盘22与机械手分离，之后机械手缩回，升降装置13驱动压环本体11下降，使压环本体11吸附着托盘22下降，以使托盘22降落至卡盘23上，并将托盘22压紧在卡盘23上，以将托盘22固定在卡盘23上，随后借助静电组件将压环本体11的静电吸附力消除，以释放托盘22，使托盘22脱离压环本体11的吸附，以使托盘22落在卡盘23上，从而实现将托盘22放置于卡盘23上的过程。
当需要将托盘22传递至反应腔室21外时，借助静电组件使压环本体11产生静电吸附力，以通过压环本体11将托盘22吸附，升降装置13驱动压环本体11上升，使压环本体11吸附着托盘22上升，以使托盘22与卡盘23分离，随后机械手伸至托盘22下方，升降装置13驱动压环本体11下降，使压环本体11吸附着托盘22下降，以使托盘22降落至与机械手接触，随后借助静电组件将压环本体11的静电吸附力消除，以释放托盘22，使托盘22脱离压环本体11的吸附，以使托盘22落在机械手上，之后升降装置13驱动压环本体11上升，使压环本体11继续上升与托盘22分离，之后机械手携带托盘22缩回，实现将托盘22从反应腔室21中取出的过程。
在本实施例中，压环本体11上设置的通孔111，是为了暴露托盘22上所承载的晶片，使托盘22上所承载的晶片能够透过通孔111暴露在反应腔室21中，避免托盘22上所承载的晶片被压环本体11所遮挡，以使托盘22上所承载的晶片能够在反应腔室21中顺利的进行半导体工艺。在实际应用中，托盘22上可以仅承载一个晶片，也可以同时承载多个晶片，当托盘22上仅承载一个晶片时，压环本体11上可以仅设置一个通孔111，且该通孔111与托盘22上仅承载的一个晶片对应设置，以使托盘22上仅承载的一个晶片能够透过该通孔111暴露在反应腔室21中，当托盘22上可以同时承载多个晶片时，压环本体11上可以仅设置一个通孔111，且该通孔111能够暴露托盘22上承载的所有晶片，以使托盘22上承载的所有晶片均能够透过该通孔111暴露在反应腔室21中，当托盘22上可以同时承载多个晶片时，压环本体11上也可以设置多个通孔111，且各通孔111与托盘22上承载的各晶片一一对应设置，以使托盘22上承载的各晶片能够透过对应的通孔111暴露在反应腔室21中。
如图1所示，在本发明一优选实施例中，压环组件可以还包括直流电源122，静电组件可以包括电极部件121，其中，直流电源122与电极部件121电连接，并用于向电极部件121提供直流电；电极部件121设置在压环本体11中，电极部件121能够在其通有直流电时，使压环本体11产生静电吸附力。
具体的，当需要使压环本体11产生静电吸附力，对托盘22进行吸附时，可以通过直流电源122向电极部件121提供直流电，使电极部件121中流通有直流电，由于电极部件121设置在压环本体11中，且压环本体11为绝缘的，此时压环本体11会产生极电荷，即，压环本体11带有静电，能够产生静电吸附力，若此时托盘22与压环本体11贴合或者二者之间距离较近，则压环本体11就能够将托盘22吸附，以通过压环本体11带动托盘22升降。当不需要压环本体11对托盘22进行吸附时，即需要将压环本体11的静电吸附力消除，以释放托盘22，使压环本体11与托盘22脱离时，则可以通过将直流电源122断电，或者断开直流电源122与电极部件121之间的电连接，使电极部件121中无直流电通过，这样压环本体11的静电就会消失，即，压环本体11的静电吸附力消失，从而实现将压环本体11的静电吸附力消除，以实现压环本体11与托盘22的脱离。
可选的，电极部件121可以为单电极。
可选的，单电极可以为金属材质。
优选的，单电极可以为钨材质。
可选的，单电极可以镶嵌在压环本体11中。
可选的，压环本体11可以为陶瓷材质。
优选的，压环本体11可以为氧化铝(Al2O3)材质。
如图1所示，在本发明一优选实施例中，直流电源122可以设置在反应腔室21的外部。
如图2和图4所示，在本发明一优选实施例中，通孔111和托盘22上所承载的晶片一一对应设置，电极部件121分布在压环本体11的通孔111之外的部分(如图4压环本体11中网格阴影所示)。
在本实施例中，压环本体11可以呈盘状，而将通孔111和托盘22上所承载的晶片一一对应设置，这样的设计是由于电极部件121使压环本体11产生的静电吸附力的大小与电极部件121的面积成正比，因此，通过将压环本体11设计为盘状，可以增加压环本体11的面积，以增加电极部件121的面积，从而增加电极部件121使压环本体11产生的静电吸附力，进而提高压环本体11吸附托盘22的稳定性，并且这样可以使压环本体11能够吸附的重量更大，从而可以吸附承载有更多的晶片的托盘22，以提高半导体工艺效率。
具体的，当压环本体11吸附托盘22，或者将托盘22压紧在卡盘23上时，呈盘状的压环本体11的通孔111之外的部分与托盘22上除承载有晶片的部分相接触，压环本体11的通孔111与托盘22上所承载的晶片一一对应，以在半导体工艺中，使托盘22上所承载的晶片能够透过与其一一对应的通孔111中暴露在反应腔室21中，从而使晶片能够顺利的进行半导体工艺，避免晶片被压环本体11遮挡，提高压环组件的使用稳定性。
如图2和图4所示，若托盘22上可以同时承载八个晶片，则压环本体11上可以设置八个供晶片暴露的通孔111，且压环本体11上的八个通孔111与托盘22上承载的八个晶片一一对应设置，以在半导体工艺中，使托盘22上承载的八个晶片能够透过与各自一一对应的八个通孔111中暴露在反应腔室21中，从而使托盘22上承载的八个晶片能够顺利的进行半导体工艺，避免八个晶片中的任何一个晶片被压环本体11遮挡。
如图2和图4所示，可选的，压环本体11的形状可以呈圆盘状。
如图2和图4所示，可选的，通孔111的形状可以呈圆形。
如图3所示，在本发明一优选实施例中，各通孔111中可以均设置有环形的挡环112，挡环112沿通孔111的周向环绕设置，并与压环本体11连接，用于遮挡通孔111侧壁位置处的电极部件121。
具体的，由于电极部件121设置在压环本体11的通孔111之外的部分，当对压环本体11开设通孔111时，会使压环本体11中位于通孔111侧壁位置处的电极部件121暴露在通孔111中，这就会导致电极部件121在半导体工艺中受到损伤，而通过在通孔111中设置挡环112，并使挡环112沿通孔111的周向环绕设置，且使挡环112与压环本体11连接，即，各通孔111中的挡环112可以作为该通孔111的周壁，以使挡环112能够对位于通孔111侧壁位置处的电极部件121进行遮挡，避免电极部件121在半导体工艺中受到损伤，从而提高压环组件的稳定性及使用寿命，降低压环组件的使用成本。
如图3所示，在本发明一优选实施例中，电极部件121在压环本体11中的分布可以尽量靠近挡环112，以尽可能的增加电极部件121的面积，从而尽可能的增加电极部件121使压环本体11产生的静电吸附力，进而最大化的提高压环本体11吸附托盘22的稳定性，并且这样可以使压环本体11能够吸附的重量最大化的，从而可以吸附承载有更多的晶片的托盘22，以最大化的提高半导体工艺效率。
如图3和图4所示，在本发明一优选实施例中，电极部件121的边缘轮廓位于压环本体11的边缘轮廓之内。这样的设计可以避免由于电极部件121的边缘轮廓位于压环本体11的边缘轮廓之外，导致电极部件121从压环本体11的边缘轮廓暴露在压环本体11之外，以避免电极部件121在半导体工艺中受到损伤，从而提高压环组件的稳定性及使用寿命，降低压环组件的使用成本。
如图3和图4所示，在本发明一优选实施例中，电极部件121在压环本体11中的分布可以尽量靠近压环本体11的边缘轮廓，以尽可能的增加电极部件121的面积，从而尽可能的增加电极部件121使压环本体11产生的静电吸附力，进而最大化的提高压环本体11吸附托盘22的稳定性，并且这样可以使压环本体11能够吸附的重量最大化的，从而可以吸附承载有更多的晶片的托盘22，以最大化的提高半导体工艺效率。
如图1、图2和图4所示，在本发明一优选实施例中，压环本体11的边缘可以设置有至少一个连接凸部14，连接凸部14用于连接升降装置13。
如图1所示，在实际应用中，升降装置13可以包括固定部131和至少一个驱动部132，各驱动部132可以与各连接凸部14一一对应连接，以实现压环本体11与升降装置13的连接，使升降装置13能够驱动压环本体11升降，固定部131与反应腔室21连接，并与所有的驱动部132连接，以对连接于其上的驱动部132进行支撑。
如图2和图4所示，在本发明一优选实施例中，连接凸部14数量可以为多个，且所有的连接凸部14可以沿压环本体11的周向间隔分布。
如图2和图4所示，若驱动部132的数量为三个，则压环本体11的边缘设置有三个连接凸部14，三个连接凸部14沿压环本体11的周向间隔分布，且压环本体11的边缘上的三个连接凸部14与三个驱动部132一一对应的连接。
可选的，所有的连接凸部14可以沿压环本体11的周向均匀间隔分布，以提高升降装置13驱动压环本体11升降的稳定性。
如图1所示，可选的，固定部131可以设置在反应腔室21的外部，并与反应腔室21的底壁连接，以固定在反应腔室21的外部，反应腔室21的底壁上开设有供驱动部132穿过的安装孔，驱动部132的一端与固定部131连接，另一端与对应的连接凸部14连接。但是，升降装置13与反应腔室21的设置方式并不以此为限。
如图1所示，可选的，驱动部132可以呈杆状。
如图1所示，在本发明一优选实施例中，直流电源122可以通过供驱动部132穿过的安装孔，与压环本体11中的电极部件121电连接，由于与驱动部132共用安装孔，因此，可以降低反应腔室21的设计难度，并提高反应腔室21的密封性。
如图3所示，压环本体11朝向托盘22的一侧面上可以设置有限位槽113，电极部件121位于限位槽113的底面与压环本体11的顶面之间，限位槽113用于在压环本体11与托盘接触时，将托盘22限位在其中。借助限位槽113在压环本体11与托盘接触时，将托盘22限位在其中，可以在压环本体11与托盘接触时，对压环本体11与托盘22的相对位置进行限定，例如，若需要在压环本体11与托盘接触时，使压环本体11与托盘22同轴，则可以通过将限位槽113与压环本体11同轴设置，以在限位槽113将托盘22限位在其中时，使压环本体11与托盘22同轴。并且，通过设置限位槽113可减少电极部件121与托盘22间的距离，进而增大静电吸附力。
如图1所示，作为另一技术方案，本发明实施例还提供一种半导体工艺腔室，包括反应腔室21、托盘22、卡盘23和升降装置13，卡盘23设置于反应腔室21内用于承载托盘22，半导体工艺腔室还包括如本发明实施例提供的压环组件，压环本体11通过升降装置13移动用以将托盘22固定在卡盘23上。
本实施例提供的半导体工艺腔室，通过升降装置13移动本发明实施例提供的压环组件的压环本体11，以借助本发明实施例提供的压环组件的压环本体11将托盘22固定在卡盘23上，从而能够降低托盘22损坏的概率，并能够降低放电现象出现的概率，进而降低下电极结构损坏的概率，且能够降低下电极结构的设计难度，提高反应腔室21的密封性。
如图1所示，在本发明一优选实施例中，升降装置13的固定部131可以设置于反应腔室21的外部，升降装置13的驱动部132伸入反应腔室21内，并与压环本体11连接。通过将升降装置13的固定部131设置于反应腔室21的外部，可以便于对升降装置13的设置，降低固定部131对于在反应腔室21内进行的半导体工艺的干扰。
如图1所示，固定部131设置于反应腔室21的外部，并与反应腔室21的腔室壁连接，以对连接于其上的驱动部132进行支撑，驱动部132伸入反应腔室21内，并与压环本体11连接，以使升降装置13能够驱动压环本体11在反应腔室21内升降。
综上所述，本发明实施例提供的压环组件及半导体工艺腔室，能够降低托盘22损坏的概率，并能够降低放电现象出现的概率，以降低下电极结构损坏的概率，且能够降低下电极结构的设计难度，以提高反应腔室21的密封性。
可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种压环组件，所述压环组件与卡盘配合使用，所述压环组件通过升降装置将托盘固定在所述卡盘上，其特征在于，所述压环组件包括静电组件和绝缘的压环本体，其中，所述压环本体用于与所述托盘接触，且所述压环本体上设置有通孔，所述通孔用于暴露所述托盘上所承载的晶片；
所述静电组件与所述压环本体连接，用于使所述压环本体产生静电吸附力，以通过所述压环本体对所述托盘进行吸附，以及所述静电组件还用于将所述压环本体的静电吸附力消除，以释放所述托盘。
2.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环组件还包括直流电源，所述静电组件包括电极部件，其中，所述直流电源与所述电极部件电连接，并用于向所述电极部件提供直流电；
所述电极部件设置在所述压环本体中，所述电极部件能够在其通有直流电时，使所述压环本体产生静电吸附力。
3.根据权利要求2所述的压环组件，其特征在于，所述通孔和所述托盘上所承载的所述晶片一一对应设置，所述电极部件分布在所述压环本体的所述通孔之外的部分。
4.根据权利要求3所述的压环组件，其特征在于，各所述通孔中均设置有环形的挡环，所述挡环沿所述通孔的周向环绕设置，并与所述压环本体连接，用于遮挡所述通孔侧壁位置处的所述电极部件。
5.根据权利要求3所述的压环组件，其特征在于，所述电极部件的边缘轮廓位于所述压环本体的边缘轮廓之内。
6.根据权利要求2-5任意一项所述的压环组件，其特征在于，所述电极部件为单电极，所述单电极为金属材质钨。
7.根据权利要求1所述的压环组件，其特征在于，所述压环本体的边缘设置有至少一个连接凸部，所述连接凸部用于连接所述升降装置。
8.根据权利要求7所述的压环组件，其特征在于，所述连接凸部数量为多个，且所有的所述连接凸部沿所述压环本体的周向间隔分布。
9.一种半导体工艺腔室，包括反应腔室、托盘、卡盘和升降装置，所述卡盘设置于所述反应腔室内用于承载所述托盘，其特征在于，还包括如权利要求1-8中任一项所述的压环组件，所述压环本体通过所述升降装置移动用以将所述托盘固定在所述卡盘上。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述升降装置的固定部设置于所述反应腔室的外部，所述升降装置的驱动部伸入所述反应腔室内，并与所述压环本体连接。
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