CN112151243A - 逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，涉及纳米晶磁环技术领域，包括纳米晶磁芯、内凸条和外凸条，所述纳米晶磁芯的外侧固定有绝缘层，且纳米晶磁芯和绝缘层的外部安装有外护壳，所述纳米晶磁芯的内侧与外护壳之间填充有密封胶层，所述内凸条固定于外护壳的内壁，所述外凸条固定于外护壳的外壁。本发明的有益效果是：逆变电源上的纳米晶磁环采用绕制磁环和热处理步骤制备，该纳米晶磁环采用超薄铁基纳米晶带材制备而成，通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，从而提高了常规纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率，使磁环达到了逆变电源需要的特殊性能要求，同时降低了铁芯的温升。

Description

逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法
技术领域
本发明涉及纳米晶磁环技术领域，具体为逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法。
背景技术
逆变焊机是一种采用把直流电变为交流电技术的弧焊电源，随着各行业对EMC要求的提升，传统的铁氧体材料已经无法满足需求。越来越多的EMC整改方案中运用到了一种新型材料制作的电感，叫纳米晶磁环。纳米晶磁环的是由一种叫铁基纳米晶软磁合金做成的。它具有良好的高频特性，更低的矫顽力以及损耗。它的制作过程是把铁硅硼铜铌五种元素按固定的比例混合加热到1400度后进行急速冷却制作成的带状材料。随后再卷绕成圆形磁芯。再进行热处理使得其再次晶化，便拥有了良好的软磁性能。
现有的逆变焊机电源专用纳米晶磁环不便于绕线，且在纳米晶磁环制备的过程中，不能够通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，从而不能够提高常规纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率，为此，我们提出一种逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的现有的逆变焊机电源专用纳米晶磁环不便于绕线，且在纳米晶磁环制备的过程中，不能够通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，从而不能够提高常规纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，包括纳米晶磁芯、内凸条和外凸条，所述纳米晶磁芯的外侧固定有绝缘层，且纳米晶磁芯和绝缘层的外部安装有外护壳，所述纳米晶磁芯的内侧与外护壳之间填充有密封胶层，所述内凸条固定于外护壳的内壁，所述外凸条固定于外护壳的外壁。
优选的，所述纳米晶磁芯与外护壳均为环形状结构，且纳米晶磁芯的对称中心与外护壳的对称中心重合。
优选的，所述内凸条和外凸条均与外护壳之间为固定连接，且内凸条和外凸条均关于外护壳的中心线呈对称状均匀分布。
优选的，所述逆变焊机电源专用纳米晶磁环的制备方法包括以下步骤：
A、绕制磁环
采用超薄铁基纳米晶带材，绕制形成磁环，完成纳米晶磁环的制备；
B、热处理加工
将该纳米晶磁环放入到加热炉中，然后抽真空，再通入氮气作为保护气，而后通过热处理炉进行加热，同时施加磁场，从而对纳米晶磁环进行加磁热处理；
C、控温处理
通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，提高该纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率；
D、冷却成型
设定冷却温度，待纳米晶磁环随炉冷却至目标温度后取出，然后出炉冷却至室温，并于纳米晶磁环外表面喷涂环氧粉末，即可获得成型的纳米晶磁环；
E、封装成型
最后在纳米晶磁芯的外侧包覆固定绝缘层，然后于纳米晶磁芯和绝缘层的外部安装外护壳，同时在纳米晶磁芯与外护壳之间填充密封胶层，完成该逆变焊机电源专用纳米晶磁环的封装。
优选的，所述绕制磁环过程中超薄铁基纳米晶带材的厚度为26-36μm。
优选的，所述热处理加工过程中通入的氮气的浓度为99.99％。
优选的，所述C、控温处理包括以下具体步骤：
C1：设定第一升温速率10℃/min、第一热处理温度400℃和第一保温时间60min，然后热处理炉以10℃/min的第一升温速率将纳米晶磁环加热到400℃的第一热处理温度，并保温60min；
C2：设定第二升温速率5℃/min、第二热处理温度480℃和第二保温时间80min，然后热处理炉以5℃/min的第二升温速率将纳米晶磁环加热到480℃的第二热处理温度，并保温80min；
C3：设定第三升温速率2℃/min、第三热处理温度560℃和第三保温时间120min，然后热处理炉以2℃/min的第三升温速率将纳米晶磁环加热到560℃的第三热处理温度，并保温120min。
本发明提供了一种逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，具备以下有益效果：
该逆变焊机电源专用纳米晶磁环外护壳设置于纳米晶磁芯的外部便于对纳米晶磁芯进行保护，绝缘层可起到绝缘的作用提高使用安全性，对称均匀分布的内凸条之间可形成绕线槽，称均匀分布的外凸条之间可形成绕线槽，从而方便逆变焊机电源使用纳米晶磁环时的绕线操作，内凸条和外凸条可起到限位的作用避免绕线滑动，使用更加便捷；
该逆变焊机电源专用纳米晶磁环的制备方法，逆变电源上的纳米晶磁环采用绕制磁环和热处理步骤制备，该纳米晶磁环采用超薄铁基纳米晶带材制备而成，通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，从而提高了常规纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率，使磁环达到了逆变电源需要的特殊性能要求，同时降低了铁芯的温升，提高了电源效率的运行稳定性，满足逆变焊机高效安全的设计要求。
附图说明
图1为本发明逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法的外护壳内部剖视示意图；
图2为本发明逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法的外护壳外部俯视结构示意图；
图3为本发明逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法的纳米晶磁芯结构示意图。
图中：1、纳米晶磁芯；2、绝缘层；3、外护壳；4、密封胶层；5、内凸条；6、外凸条。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1-3，本发明提供技术方案：逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，包括纳米晶磁芯1、绝缘层2、外护壳3、密封胶层4、内凸条5和外凸条6，纳米晶磁芯1的外侧固定有绝缘层2，且纳米晶磁芯1和绝缘层2的外部安装有外护壳3，纳米晶磁芯1与外护壳3均为环形状结构，且纳米晶磁芯1的对称中心与外护壳3的对称中心重合，外护壳3设置于纳米晶磁芯1的外部便于对纳米晶磁芯1进行保护，绝缘层2可起到绝缘的作用提高使用安全性，纳米晶磁芯1的内侧与外护壳3之间填充有密封胶层4，内凸条5固定于外护壳3的内壁，外凸条6固定于外护壳3的外壁，内凸条5和外凸条6均与外护壳3之间为固定连接，且内凸条5和外凸条6均关于外护壳3的中心线呈对称状均匀分布，对称均匀分布的内凸条5之间可形成绕线槽，称均匀分布的外凸条6之间可形成绕线槽，从而方便逆变焊机电源使用纳米晶磁环时的绕线操作，内凸条5和外凸条6可起到限位的作用避免绕线滑动，使用更加便捷。
逆变焊机电源专用纳米晶磁环的制备方法包括以下步骤：
A、绕制磁环
采用超薄铁基纳米晶带材，绕制形成磁环，完成纳米晶磁环的制备，绕制磁环过程中超薄铁基纳米晶带材的厚度为26-36μm；
B、热处理加工
将该纳米晶磁环放入到加热炉中，然后抽真空，再通入氮气作为保护气，而后通过热处理炉进行加热，同时施加磁场，从而对纳米晶磁环进行加磁热处理，热处理加工过程中通入的氮气的浓度为99.99％；
C、控温处理
通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，提高该纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率；
D、冷却成型
设定冷却温度，待纳米晶磁环随炉冷却至目标温度后取出，然后出炉冷却至室温，并于纳米晶磁环外表面喷涂环氧粉末，即可获得成型的纳米晶磁环；
E、封装成型
最后在纳米晶磁芯的外侧包覆固定绝缘层2，然后于纳米晶磁芯1和绝缘层2的外部安装外护壳，同时在纳米晶磁芯1与外护壳3之间填充密封胶层4，完成该逆变焊机电源专用纳米晶磁环的封装。
C、控温处理包括以下具体步骤：
C1：设定第一升温速率10℃/min、第一热处理温度400℃和第一保温时间60min，然后热处理炉以10℃/min的第一升温速率将纳米晶磁环加热到400℃的第一热处理温度，并保温60min；
C2：设定第二升温速率5℃/min、第二热处理温度480℃和第二保温时间80min，然后热处理炉以5℃/min的第二升温速率将纳米晶磁环加热到480℃的第二热处理温度，并保温80min；
C3：设定第三升温速率2℃/min、第三热处理温度560℃和第三保温时间120min，然后热处理炉以2℃/min的第三升温速率将纳米晶磁环加热到560℃的第三热处理温度，并保温120min。
综上，该逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，使用时该逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法包括以下具体步骤：
A、绕制磁环
采用超薄铁基纳米晶带材，绕制形成磁环，完成纳米晶磁环的制备；
B、热处理加工
将该纳米晶磁环放入到加热炉中，然后抽真空，再通入氮气作为保护气，而后通过热处理炉进行加热，同时施加磁场，从而对纳米晶磁环进行加磁热处理；
C、控温处理
通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，提高该纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率；
C1：设定第一升温速率10℃/min、第一热处理温度400℃和第一保温时间60min，然后热处理炉以10℃/min的第一升温速率将纳米晶磁环加热到400℃的第一热处理温度，并保温60min；
C2：设定第二升温速率5℃/min、第二热处理温度480℃和第二保温时间80min，然后热处理炉以5℃/min的第二升温速率将纳米晶磁环加热到480℃的第二热处理温度，并保温80min；
C3：设定第三升温速率2℃/min、第三热处理温度560℃和第三保温时间120min，然后热处理炉以2℃/min的第三升温速率将纳米晶磁环加热到560℃的第三热处理温度，并保温120min
D、冷却成型
设定冷却温度，待纳米晶磁环随炉冷却至目标温度后取出，然后出炉冷却至室温，并于纳米晶磁环外表面喷涂环氧粉末，即可获得成型的纳米晶磁环；
E、封装成型
最后在纳米晶磁芯的外侧包覆固定绝缘层，然后于纳米晶磁芯和绝缘层的外部安装外护壳，同时在纳米晶磁芯与外护壳之间填充密封胶层，完成该逆变焊机电源专用纳米晶磁环的封装。
以上，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.逆变焊机电源专用纳米晶磁环，包括纳米晶磁芯(1)、内凸条(5)和外凸条(6)，其特征在于：所述纳米晶磁芯(1)的外侧固定有绝缘层(2)，且纳米晶磁芯(1)和绝缘层(2)的外部安装有外护壳(3)，所述纳米晶磁芯(1)的内侧与外护壳(3)之间填充有密封胶层(4)，所述内凸条(5)固定于外护壳(3)的内壁，所述外凸条(6)固定于外护壳(3)的外壁。
2.根据权利要求1所述的逆变焊机电源专用纳米晶磁环，其特征在于：所述纳米晶磁芯(1)与外护壳(3)均为环形状结构，且纳米晶磁芯(1)的对称中心与外护壳(3)的对称中心重合。
3.根据权利要求1所述的逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，其特征在于，所述内凸条(5)和外凸条(6)均与外护壳(3)之间为固定连接，且内凸条(5)和外凸条(6)均关于外护壳(3)的中心线呈对称状均匀分布。
4.根据权利要求1所述的逆变焊机电源专用纳米晶磁环，其特征在于，所述逆变焊机电源专用纳米晶磁环的制备方法包括以下步骤：
A、绕制磁环
采用超薄铁基纳米晶带材，绕制形成磁环，完成纳米晶磁环的制备；
B、热处理加工
将该纳米晶磁环放入到加热炉中，然后抽真空，再通入氮气作为保护气，而后通过热处理炉进行加热，同时施加磁场，从而对纳米晶磁环进行加磁热处理；
C、控温处理
通过多端加时的热处理技术，调整热处理温度、保温时间及磁场电流工艺，提高该纳米晶磁环的高频下剩磁、损耗及导磁率；
D、冷却成型
设定冷却温度，待纳米晶磁环随炉冷却至目标温度后取出，然后出炉冷却至室温，并于纳米晶磁环外表面喷涂环氧粉末，即可获得成型的纳米晶磁环；
E、封装成型
最后在纳米晶磁芯的外侧包覆固定绝缘层(2)，然后于纳米晶磁芯(1)和绝缘层(2)的外部安装外护壳，同时在纳米晶磁芯(1)与外护壳(3)之间填充密封胶层(4)，完成该逆变焊机电源专用纳米晶磁环的封装。
5.根据权利要求4所述的逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，其特征在于：所述绕制磁环过程中超薄铁基纳米晶带材的厚度为26-36μm。
6.根据权利要求4所述的逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，其特征在于：所述热处理加工过程中通入的氮气的浓度为99.99％。
7.根据权利要求4所述的逆变焊机电源专用纳米晶磁环及其制备方法，其特征在于，所述C、控温处理包括以下具体步骤：
C1：设定第一升温速率10℃/min、第一热处理温度400℃和第一保温时间60min，然后热处理炉以10℃/min的第一升温速率将纳米晶磁环加热到400℃的第一热处理温度，并保温60min；
C2：设定第二升温速率5℃/min、第二热处理温度480℃和第二保温时间80min，然后热处理炉以5℃/min的第二升温速率将纳米晶磁环加热到480℃的第二热处理温度，并保温80min；
C3：设定第三升温速率2℃/min、第三热处理温度560℃和第三保温时间120min，然后热处理炉以2℃/min的第三升温速率将纳米晶磁环加热到560℃的第三热处理温度，并保温120min。
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