CN112147856B - 一种光刻检查图形结构及光刻检查方法 - Google Patents

一种光刻检查图形结构及光刻检查方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种光刻检查图形结构及光刻检查方法，所述结构至少包括对位游标图形，所述对位游标图形至少包括第一层次对位图形和第二层次对位图形，其中所述第一、第二层次对位图形分别包括相同数量的依次排列的刻度图案，然而所述第二层次对位图形的依次排列的所述刻度图案的间距自一侧至相对一侧的方向上先增加后减小，以提高光刻检查图形结构的对位偏差的测量范围。

Description

一种光刻检查图形结构及光刻检查方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光刻检查图形结构。
背景技术
在现在的IC电路、半导体芯片制造过程中，一个完整的芯片一般都要经过十几到二十几次的光刻，在这么多次光刻中，除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。对位的过程存在于上版和圆片曝光的过程中，其目的是将光刻版上的图形最大精度的覆盖到圆片上已存在的图形上。它包括了以下几部分：光刻版对位系统、圆片对位系统。
具体可参见图1，其为现有技术中的光刻检查图形结构，其包括两个层次的对位图形，第一层次对位图形10和第二层次对位图形20。由于尺寸和面积的限制，所述第一层次对位图形10具有9个第一刻度图案101，所述第二层次对位图形20分别具有9个第二刻度图案201。所述第一层次对位图形10中的每一个所述第一刻度图案101间距D1相同，所述第二层次对位图形20中的每一个所述第二刻度图案201间距D2相同，其中D1>D2。当上述两个层次对位图形的正中间的刻度图案(即第5根刻度图案)相互对齐时，可以确定光刻对位无偏差。然而当光刻对位存在偏差时，所述第一层次对位图形10会与所述第二层次对位图形20相对向左或者右移动。参考图2，所述第二层次对位图形20相对所述第一层次对位图形10向右移动，当所述第二层次对位图形20的最左侧的第二刻度图案201与所述第一层次对位图形10的最左侧的第一刻度图案101对齐时，所述光刻检查图形结构达到了其对位偏差测量范围的极限值c1。比如，所述间距D1为1微米，所述间距D2为0.9微米，经计算可知附图1和2中的光刻检查图形的对位偏差的测量范围c1为正负0.4微米。然而，其对于超出了所述测量范围c1的对位偏差并不能测量，限制了光刻检查的应用。因此，需要对目前所述检查图形进行改进，以提高其测量范围。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种光刻检查图形，以在不增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，解决提高其测量范围的问题。
根据第一方面，本发明实施例提供了一种光刻检测图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N＝2n+1，其中n为正整数；
所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案；
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少。
所述光刻检测图形结构可以在不增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，提高光刻检测图形结构的对位偏差的测量范围。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距。自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加。自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。
因此，在知晓所述公差和公比的具体数值的基础上，即提高光刻检测图形结构的测量范围，同时也方便了操作人员计算其具体的光刻对位偏差值。
可选地，所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。
可选地，每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，所述第一层次对位图形与所述第二层次对位图形之间具有一定间距。
以上设置可以方便操作人员对各层次对位图案进行识别及读数，提高检查效率。
根据第二方面，本发明实施例提供了另一种可行的光刻检查图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N1个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N1＝2n1，其中n1为正整数；
所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N1个相互间隔的第二刻度图案；
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加；自所述第二层次对位图形的第n1+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少。
所述光刻检测图形结构可以不明显增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，提高光刻检测图形结构的测量范围。同时，每个层次对位图形的刻度图案为偶数个时，处于正中间的刻度图案为两个，更便于在无偏差对位时的检查和读数，提高检查效率。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距；自所述第二层次对位图形的第n1+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加；自所述第二层次对位图形的第n1+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。
因此，在知晓所述公差和公比的具体数值的基础上，即提高光刻检测图形结构的测量范围，同时也方便了操作人员计算其具体的光刻对位偏差值。
可选地，所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。
可选地，每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，所述第一层次对位图形与所述第二层次对位图形之间具有一定间距。
以上设置可以方便操作人员对各层次对位图案进行识别及读数，提高检查效率。
根据第三方面，本发明实施例提供了一种光刻检查方法。所述光刻检查方法包括采用上述所述的光刻检测图形结构作为光刻检测图形结构。
可选地，所述光刻检测图形结构为多个，多个所述光刻检测图形结构分别用于检测不同方向上的对位偏差值。
可选地，多个所述光刻检测图形结构中具有至少两个所述光刻检测图形结构的检测方向为互相垂直。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中：
图1显示为现有技术中的光刻检查图形结构在没有对位偏差时的示意图。
图2显示为现有技术中的光刻检查图形结构在最大对位偏差时的示意图。
图3显示为本发明第一实施例的光刻检查图形在没有对位偏差时的示意图。
图4显示为本发明第一实施例的光刻检查图形在最大对位偏差时的示意图。
图5显示为本发明第二实施例的光刻检查图形在没有对位偏差时的示意图。
图6显示为本发明第二实施例的光刻检查图形在最大对位偏差时的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种光刻检测图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N＝2n+1，其中n为正整数；
所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案；
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少。
所述光刻检测图形结构可以不增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，提高光刻检测图形结构的测量范围。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距d。自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距d。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加。自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。
具体地，本发明公开了提高光刻检测图形结构的测量范围的第一实施例，参见附图3和4，所述光刻检查图形结构包括第一层次对位图形1和第二层次对位图形2。
所述第一层次对位图形1包括9个依次排列的第一刻度图案11；所述第二层次对位图形2包括9个依次排列的第二刻度图案21。
可选地，所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。
其中，对于所述第一层次对位图形1，每个相邻的所述第一刻度图案11具有相等的间距a；而对于所述第二层次对位图形2，自所述第二层次对位图形2左侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加，分别为间距b3、间距b2、间距b1和间距b0；自所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的右侧最边缘处的第9个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少，分别为间距b0、间距b1、间距b2和间距b3。
基于附图4可知，当所述第二层次对位图形2左侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案21与所述第二层次对位图形1左侧最边缘处的第1个所述第一刻度图案11对齐时，所述光刻检查图形结构的对位偏差达到了其测量范围的端点值c2。
经计算可知，所述测量范围c2＝±(4a-(b0+b1+b2+b3))。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距d。自所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第9个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距d。
经计算可知，所述测量范围c2＝±(4a-(4b3+6d))。
可选地，附图3和4中的所述间距a为1微米，所述公差间距d为0.05微米，所述间距b0为0.95微米，所述间距b1为0.9微米，所述间距b2为0.85微米，所述间距b3为0.8微米。经过计算可知，其测量范围c2＝±0.5微米。
由此可见，相对于附图1和2中的光刻检查图形结构，本发明第一实施例中的刻度图案数量并没有增加，相应的光刻检查图形结构的面积和尺寸也没有增加，但是却增大了其对位偏差的测量范围。也就是说，本发明的该实施例在不增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，提高光刻检测图形结构的测量范围。
可选地，附图3和4中的所述间距a为1微米，所述公差间距d为0.05微米，所述间距b0为0.9微米，所述间距b1为0.85微米，所述间距b2为0.8微米，所述间距b3为0.75微米。经过计算可知，其测量范围c2＝±0.7微米。
可选地，自所述第二层次对位图形左侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比q增加。自所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的右侧最边缘处的第9个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比q减少。
经计算可知，所述测量范围c2＝±(4a-b0(1-q4)/(1-q))微米。
可选第，所述间距a为1微米，所述公比q为0.9，所述间距b0为0.9，所述间距b1为0.81微米，所述间距b2为0.73微米，所述间距b3为0.58微米。经过计算可知，其测量范围c2＝±0.9微米。
由此可见，相对于附图1和2中的光刻检查图形结构，本发明第一实施例中的刻度图案数量并没有增加，相应的光刻检查图形结构的面积和尺寸也没有增加，但是却增大了其对位偏差的测量范围。也就是说，本发明的该实施例在不增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，提高光刻检测图形结构的测量范围。
总之，本发明的光刻检查图形结构，可以在知晓所述公差和公比的具体数值的基础上，即提高光刻检测图形结构的测量范围，同时也方便了操作人员计算其具体的光刻对位偏差值。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。
可选地，每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，所述第一层次对位图形与所述第二层次对位图形之间具有一定间距。
以上设置可以在提高测量范围的同时，方便操作人员对各层次对位图案进行识别及读数，提高检查效率。
本发明还提供另外一种光刻检查图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N1个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N1＝2n1，其中n1为正整数；
所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N1个相互间隔的第二刻度图案；
可选地，所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加；自所述第二层次对位图形的第n1+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少。
其中第n1个所述第二刻度图案和第n1+1个所述第二刻度图案之间的间距可以提前设定。
所述光刻检测图形结构可以不明显增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，提高光刻检测图形结构的测量范围。同时，每个层次对位图形的刻度图案为偶数个时，处于正中间的刻度图案为两个，更便于在无偏差对位时的检查和读数，提高检查效率。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距；自所述第二层次对位图形的第n1+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加；自所述第二层次对位图形的第n1+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。
可选地，参考附图5和6，本发明第二实施例提供一种光刻检查图形结构，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形100和第二层次对位图形200；
所述第一层次对位图形100作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形100为依次排列的10个相互间隔的第一刻度图案110，每个相邻的所述第一刻度图案110的中线的间距相同；
所述第二层次对位图形200作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形200为依次排列的10个相互间隔的第二刻度图案210；
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加，分别为间距b30、间距b20、间距b10和间距b00；自所述第二层次对位图形的第6个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的右侧最边缘处的第10个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少，分别为间距b00、间距b10、间距b20和间距b30。
基于附图6可知，当所述第二层次对位图形2左侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案21与所述第二层次对位图形1左侧最边缘处的第1个所述第一刻度图案11对齐时，所述光刻检查图形结构的对位偏差达到了其测量范围的端点值c20。
经计算可知，所述测量范围c20＝±(4a1-(b00+b10+b20+b30))微米。
可选地，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距d1。自所述第二层次对位图形的第6个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第10个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距d1。
经计算可知，所述测量范围c2＝±(4a1-(4b30+6d1))微米。
可选地，附图5和6中的所述间距a1为1微米，所述公差间距d1为0.05微米，所述间距b00为0.95微米，所述间距b10为0.9微米，所述间距b20为0.85微米，所述间距b03为0.8微米。经过计算可知，其测量范围c20＝±0.5。
由此可见，相对于附图1和2中的光刻检查图形结构，本发明第二实施例中的刻度图案数量并没有明显增加，相应的光刻检查图形结构的面积和尺寸也没有明显增加，但是却增大了其对位偏差的测量范围。也就是说，本发明的该实施例在不增加现有技术中光刻检查图形的面积和尺寸的前提下，提高光刻检测图形结构的测量范围。
可选地，附图5和6中的所述间距a1为1微米，所述公差间距d1为0.05微米，所述间距b00为0.9微米，所述间距b10为0.85微米，所述间距b20为0.8微米，所述间距b30为0.75微米。经过计算可知，其测量范围c20＝±0.7。
可选地，自所述第二层次对位图形左侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第5个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比q1增加。自所述第二层次对位图形的第6个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的右侧最边缘处的第10个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比q1减少。
经计算可知，所述测量范围c20＝±(4a1-b0(1-q14)/(1-q1))。
可选第，所述间距a1为1微米，所述公比q1为0.9，所述间距b00为0.9，所述间距b10为0.81微米，所述间距b20为0.73微米，所述间距b30为0.58微米。经过计算可知，其测量范围c20＝±0.9微米。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。
可选地，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。
可选地，每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同
可选地，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
可选地，所述第一层次对位图形与所述第二层次对位图形之间具有一定间距。
以上设置可以在提高测量范围的同时，方便操作人员对各层次对位图案进行识别及读数，提高检查效率。
根据第三方面，本发明实施例提供了一种光刻检查方法。所述光刻检查方法包括采用上述所述的光刻检测图形结构作为光刻检测图形结构。
可选地，所述光刻检测图形结构为多个，多个所述光刻检测图形结构分别用于检测不同方向上的对位偏差值。
可选地，多个所述光刻检测图形结构中具有至少两个所述光刻检测图形结构的检测方向为互相垂直。
具体地，至少两个所述光刻检测图形结构分别测量互相垂直的x轴方向和y轴方向。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型，这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。

Claims (17)

1.一种光刻检查图形结构，其特征在于，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N＝2n+1，其中n为正整数；
所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案；
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距；或
自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。
2.根据权利要求1所述的光刻检查图形结构，其特征在于所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。
3.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。
4.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。
5.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
6.根据权利要求2所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
7.根据权利要求5所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
8.一种光刻检查图形结构，其特征在于，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N＝2n，其中n为正整数；
所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案；
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距；或
自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。
9.根据权利要求8所述的光刻检查图形结构，其特征在于所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。
10.根据权利要求9所述的光刻检查图形结构,其特征在于，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。
11.根据权利要求9所述的光刻检查图形结构,其特征在于，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。
12.根据权利要求9所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
13.根据权利要求9所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
14.根据权利要求12所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。
15.一种光刻检查方法，其特征在于，所述光刻检查方法包括采用权利要求1-14之一所述的光刻检查图形结构作为光刻检测图形结构。
16.根据权利要求15所述的光刻检查方法，其特征在于，所述光刻检查图形结构为多个，多个所述光刻检测图形结构分别用于检测不同方向上的对位偏差值。
17.根据权利要求16所述的光刻检查方法，其特征在于，多个所述光刻检查图形结构中具有至少两个所述光刻检查图形结构的检测方向为互相垂直。
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