CN104423145A - 掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法 - Google Patents

掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104423145A
CN104423145A CN201310392104.7A CN201310392104A CN104423145A CN 104423145 A CN104423145 A CN 104423145A CN 201310392104 A CN201310392104 A CN 201310392104A CN 104423145 A CN104423145 A CN 104423145A
Authority
CN
China
Prior art keywords
measured
graph
graphic element
mask plate
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310392104.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104423145B (zh
Inventor
宋秀海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Peking University Founder Group Co Ltd
Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University Founder Group Co Ltd, Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd filed Critical Peking University Founder Group Co Ltd
Priority to CN201310392104.7A priority Critical patent/CN104423145B/zh
Publication of CN104423145A publication Critical patent/CN104423145A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104423145B publication Critical patent/CN104423145B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法，该掩膜版上具有多组图形单元，其中，每组图形单元包括第一图形和第二图形，并在第一图形和第二图形上分别设置一个待测基准点，在掩膜版上的图案复制到半导体芯片上时，通过显微镜读取两个待测基准点复制到半导体芯片上形成的两个特定基准点，一般为重合的两个特定基准点，则根据重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离即可获取CD的变化值，只引入一次读取误差，减小了获取的CD变化值的误差，而且采用普通的显微镜即可完成关键尺寸变化值的读取，大大降低了成本。

Description

掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，特别是涉及一种掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法。
背景技术
半导体高压铝栅MOS工艺通常包括7-10层光刻工艺，光刻的目的是将掩膜版里的逻辑电路图形，通过曝光的方法，精确的复制在硅片表面，并通过多层光刻，最终实现产品电性功能。复制逻辑电路图形的过程有两项指标比较关键，一是图像分辨率，二是关键尺寸（CD:Critical dimension）的控制。对于关键尺寸的监控通常是采用测量制作在硅片上的特定图案（由掩膜版上的待测图案形成）的关键尺寸来完成的。如图1所示，传统的待测图案由三条直角图形，按照相同宽度，相同间距排列组成，图形的线宽与图形之间的间距尺寸为关键尺寸。实际制造过程，将监控特定图案的关键尺寸CD（一般为待测图案中的图形线宽）的变化程度，如能满足控制范围要求，即表明逻辑电路图形的关键尺寸已满足设计要求，精确的复制在硅片上。
传统的用于测量特定图案关键尺寸的工具有两种，一是目镜测微尺，二是扫描电子显微镜（Scanning Electronic Microscope，简称SEM）。目镜测微尺测量关键尺寸的方法的具体步骤为：通过单眼目镜，观察硅片上特定图案的关键尺寸,因目镜的镜头里已刻有游标尺，可通过镜外的旋钮装置，改变游标尺的距离，对应特定图案中图形的线宽，此距离即为特定图案的关键尺寸，从而确定关键尺寸大小。此方法适合关键尺寸为3微米以上的产品使用。SEM测量关键尺寸的方法的具体步骤为：SEM设备精密，分辨率高，放大倍率在10000倍以上，而且景深大，适合观察表面起伏的芯片。电子显微镜的介质为电子束，电子束和芯片作用，可将传导能带的电子轰击出，此为二次电子，因二次电子产生的数量，会受到芯片表面起伏状况影响，所以用二次电子影像可以观察出芯片表面的形貌特征及尺寸的大小。关键尺寸为1微米以下的产品较适合此方法。
高压铝栅MOS工艺因其高压应用要求，一般在18V-30V，所以其图形线宽的设计尺寸相对较大，通常关键尺寸（即图形线宽）在4-6微米。目镜测微尺测量方法测量CD,虽然适合3微米以上产品，但其有两步操作，一是目镜读值，二是手动旋转微分尺，这样就引入两步误差。SEM扫描电子显微镜测量CD的方法虽然测量准确，但使用成本较高，测量高压大尺寸产品有大材小用之嫌。
发明内容
本发明提供一种掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法，用以解决传统采用目镜测微尺测量半导体芯片关键尺寸时误差大，而采用扫描电子显微镜测量关键尺寸时成本高的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版，其上具有多组待测图形单元，所述待测图形单元包括第一图形和第二图形；
所述第一图形和第二图形上分别设置有一个待测基准点，在掩膜版上的图形复制到半导体芯片上时，根据所述待测图形单元中两个待测基准点之间的距离获取关键尺寸的变化值。
同时，本发明还提供一种显微镜读取关键尺寸的方法，其特征在于，包括：
步骤100、利用显微镜读取半导体芯片上特定图形单元中的两个特定基准点，其中，所述特定图形单元为如上所述的掩膜版上的待测图形单元复制到半导体芯片上的图案，所述两个特定基准点分别对应所述待测图形单元中的两个待测基准点；
步骤101、根据所述两个待测基准点之间的距离获取关键尺寸的变化值。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述技术方案中，通过在掩膜版上设置多组图形单元，每组图形单元包括第一图形和第二图形，并在第一图形和第二图形上分别设置一个待测基准点，在掩膜版上的图案复制到半导体芯片上时，通过显微镜读取两个待测基准点复制到半导体芯片上形成的两个特定基准点，一般为重合的两个特定基准点，则根据重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离即可获取CD的变化值，只引入一次读取误差，减小了获取的CD变化值的误差，而且采用普通的显微镜即可完成关键尺寸变化值的读取，大大降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示传统的监控关键尺寸的待测图形；
图2a、2b、2c表示本发明实施例中掩膜版上待测图形单元的结构示意图；
图3表示本发明实施例中掩膜版上多组待测图形单元的结构示意图一；
图4表示本发明实施例中掩膜版上多组待测图形单元的结构示意图二；
图5表示本发明实施例中掩膜版上多组待测图形单元的结构示意图三；
图6和图7表示本发明实施例中读取尺寸变化值的工作原理图一；
图8表示表示本发明实施例中掩膜版上多组待测图形单元的结构示意图四；
图9和图10表示本发明实施例中读取尺寸变化值的工作原理图二；
图11和图12表示本发明实施例中掩膜版上的多组待测图形单元复制到半导体芯片上的图案。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明提供一种掩膜版，其上具有多组待测图形单元和逻辑电路图形。在半导体芯片的制作过程中，通过光刻和刻蚀工艺，将掩膜版上的所有图形复制到半导体芯片上，实现特定的电性功能。同时，通过多组待测图形单元复制到半导体芯片上形成的多组特定图形单元可以直接读取半导体芯片CD的变化值。
为了实现上述目的，本发明的待测图形单元包括第一图形和第二图形，在第一图形和第二图形上分别设置一个待测基准点，在掩膜版上的多组待测图形单元复制到半导体芯片上形成特定图形单元时，由于CD的变化会导致特定图形单元中与待测图形单元中对应的尺寸发生变化，则根据待测图形单元中两个待测基准点之间的距离和特定图形单元中两个特定基准点之间的距离即可获取关键尺寸的变化值，其中，所述两个特定基准点由所述两个待测基准点复制形成。一般情况下，为了便于用户的读取，用户可以通过显微镜读取两个特定基准点重合的特定图形单元，则根据重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离即可计算出关键尺寸的变化值。
本发明的技术方案由于只引入了一次读取误差，减小了获取的CD变化值的误差，而且采用普通的显微镜即可完成CD变化值的读取，大大降低了成本。
在实际应用过程中，最好设置多组待测图形单元中两个待测基准点之间的距离各不相同，用以提高获取的CD变化值的精度。
进一步地，还可以设置多组待测图形单元中两个待测基准点之间的距离集合构成一组等差数列X，且等差数列X的初始值a0=0，公差d的绝对值为关键尺寸的最小变化值，使得读取的CD变化值的精度可以达到游标尺测量的精度。当掩膜版上的图形复制到半导体芯片上，CD会发生膨胀时，设置等差数列X的公差d>0，使得待测图形单元中第一图形和第二图形在两个待测基准点处错开，从而待测图形单元形成对应的特定图形单元时，两个待测基准点之间的距离会变小，使得形成的两个特定基准点能够重合；当掩膜版上的图形复制到半导体芯片上，CD会发生收缩时，设置等差数列X的公差d<0，使得待测图形单元中第一图形和第二图形在两个待测基准点处交叠，从而待测图形单元形成对应的特定图形单元时，两个待测基准点之间的距离会变大，使得形成的两个特定基准点能够重合。从而便于用户读取CD的变化值。
当然，为了方便同时读取CD发生膨胀和收缩时的CD变化值，还可以设置多组待测图形单元中两个待测基准点之间的距离集合构成两组等差数列Y和Z。其中，等差数列Y的初始值为a10=0，公差d10>0，使得待测图形单元中第一图形和第二图形在两个待测基准点处错开；等差数列Z的初始值为a20=0，公差d20<0，使得待测图形单元中第一图形和第二图形在两个待测基准点处交叠。且d10和d20的绝对值为关键尺寸的最小变化值。具体的工作原理与上述相同，在此不再赘述。
实施例一
作为一个实施例，本实施例中的第一图形1和第二图形2为矩形，并将矩形的一个顶点作为待测基准点。为了方便后续读值，设置矩形的高为宽的3倍以上，从而可以只考虑矩形的宽度在图形复制过程中的变化，并根据这个变化值来计算CD的变化值。
进一步地，结合图2a、2b和2c所示，待测图形单元中，两个待测基准点o和o’所在的宽位于同一直线L1上，且第一图形1和第二图形2错开设置，两个待测基准点o和o’为第一图形1和第二图形2不同侧且相邻的两个顶点。并优选第一图形1和第二图形2位于直线L1的两侧，使得第一图形1和第二图形2不存在交叠区域，便于读取。当两个待测基准点o和o’的距离s>0时，第一图形1和第二图形2在两个待测基准点o和o’处错开，如图2a所示；当两个待测基准点o和o’的距离s=0时，第一图形1和第二图形2的两个待测基准点o和o’重合，如图2b所示；当两个待测基准点o和o’的距离s<0时，第一图形1和第二图形2在两个待测基准点o和o’处交叠，如图2c所示。
为了便于用户读取CD变化值，用户可以通过显微镜读取半导体芯片上两个特定基准点重合的特定图形单元，因为CD变化时，第一图形1和第二图形2的尺寸同时发生变化，则根据重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点o和o’之间的距离s，可以计算出CD的变化值为s/2。
为此，当CD会发生膨胀时，为了便于读取CD变化值，需要设计待测图形单元中两个待测基准点o和o’之间的距离s>0，如图3所示，使得复制形成的特定图形单元中的两个待测基准点能够重合。并优选待测图形单元中两个待测基准点o和o’之间的距离集合为等差数列Y，其中，等差数列Y的初始值为a10=0，公差d10>0，且d10为关键尺寸的最小变化值，提高获取的CD变化值的精度；当CD会发生收缩时，为了便于读取CD变化值，需要设计待测图形单元中两个待测基准点o和o’之间的距离s<0，如图4所示，使得复制形成的特定图形单元中的两个待测基准点能够重合。并优选待测图形单元中两个待测基准点o和o’之间的距离集合为等差数列Z，其中，等差数列Z的初始值为a20=0，公差d20<0，且d20为关键尺寸的最小变化值，提高获取的CD变化值的精度。而图5中所示的多组待测图形单元的结构为图3和图4的组合，既可以用于CD发生膨胀时CD变化值的读取，也可以用于CD发生收缩时CD变化值的读取，具体原理与上述相同，在此不再赘述。
进一步地，结合图3-图5所示，还可以设置多组待测图形单元中的所有待测基准点o和o’位于同一直线L2上，从而可以根据待测图形单元中两个待测基准点o和o’之间的距离s和相邻两组待测图形单元在直线L2上的间隔距离p来获取关键尺寸的变化值。其中，当p>0时，相邻两组待测图形单元错开设置，如图3所示；当p<0时，相邻两组待测图形单元交叠设置，如图4所示。并设置距离s和p各不相同，在相同读取精度下，减少待测图形单元的个数。具体工作原理为：用户通过显微镜读取两个特定基准点重合的特定图形单元或间隔距离为0的相邻两组特定图形单元，则重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点的距离s或所述相邻两组特定图形单元对应的相邻两组待测图形单元的间隔距离p的一半即为CD的变化值。优选地，如图3所示，当s>0时，距离s和p构成一组等差数列Y，且从右到左以初始值a10=0，公差d10>0逐级递增，用于读取CD膨胀时CD的变化值；如图4所示，当s<0时，距离s和p构成一组等差数列Z，且从左到右以初始值a20=0，公差d20<0逐级递减，用于读取CD收缩时CD的变化值；如图5所示，距离s和p还可以构成两组等差数列Y和Z，以其中一个第一图形F为基准，在第一图形F的左侧，s>0，距离s和p构成一组等差数列Y，且从右到左以初始值a10=0，公差d10>0逐级递增；在第一图形F的右侧，s<0，距离s和p构成一组等差数列Z，且从左到右以初始值a20=0，公差d20<0逐级递减，用于读取CD膨胀和收缩时CD的变化值，其中，公差d10和d20的绝对值可以为CD的最小变化尺寸，进一步提高读取的CD变化值的精度。
当然，待测图形单元中，第一图形1和第二图形2上的两个待测基准点o和o’所在的宽也可以不位于同一直线上，结合图6和图7所示。则同样可以通过显微镜读取两个特定基准点重合的特定图形单元，并根据对应的待测图形单元中两个特定基准点的距离计算CD变化值。具体的，如图6所示，实线为待测图形单元中的第一图形1和第二图形2的位置关系图，顶点o和o’为两个待测基准点，虚线为CD发生变化后的第一图形1’和第二图形2’，顶点Q为重合的两个待定基准点，则可以根据三角形oQ o’以及o o’的距离s计算CD变化值oQ或Q o’。最好设计两个待测基准点o和o’所在的宽垂直，则CD变化值为
当然，第一图形1和第二图形2也可以为三角形，并将三角形的一个顶点作为待测基准点o和o’，其中，待测基准点o和o’所在的边可以位于一条直线上，如图8所示，并设置三角形的高为底边（待测基准点o和o’所在的边）长度的3倍以上，从而可以只考虑底边的长度在图形复制过程中的变化，并根据这个变化值来计算CD的变化值，具体工作原理与矩形一致。同样，待测基准点o和o’所在的边也可以位于不同直线上，结合图9和图10所示，其中，实线为待测图形单元中的第一图形1和第二图形2的位置关系图，顶点o和o’为待测基准点，虚线为CD发生变化后的第一图形1’和第二图形2’，顶点Q为重合的两个待定基准点，以等边三角形为例，待测基准点o和o’所在的直线最好与三角形的中轴线重合，则oo’的距离的一半即为CD变化值。
本领域所属技术人员很容易推出：本发明的技术方案中，待测图形单元中的第一图形和第二图形不仅仅可以为矩形或三角形，也可以为其他图形，如：圆、正五边形、梯形，只需在第一图形和第二图形上分别设置一个待测基准点，且两个待测基准点之间的距离已知，同时，在图形复制过程中，两个待测基准点之间距离的变化与CD变化值的关系确定，就可以直接通过显微镜读取CD的变化值，其都属于本发明的保护范围。
实施例二
本实施例中提供一种显微镜读取关键尺寸的方法，其包括：
步骤100、利用显微镜读取半导体芯片上特定图形单元中的两个特定基准点，其中，所述特定图形单元为上述的掩膜版上的待测图形单元复制到半导体芯片上的图案，所述两个特定基准点分别对应所述待测图形单元中的两个待测基准点；
步骤101、根据所述两个待测基准点之间的距离获取关键尺寸的变化值。
步骤100中，一般是读取两个特定基准点重合的特定图形单元，便于用户读取CD的变化值。
由于待测图形单元中两个待测基准点之间的距离已知，图形复制过程中CD的变化导致形成的两个特定基准点重合，则根据两个待测基准点之间的距离即可获取关键尺寸的变化值，只引入一次读取误差，减小了获取的CD变化值的误差，而且采用普通的显微镜即可完成关键尺寸变化值的读取，大大降低了成本。
当掩膜版上的第一图形和第二图形为矩形，待测基准点为矩形的一个顶点。待测图形单元中，两个待测基准点所在的宽位于同一直线上，且第一图形和第二图形错开设置，两个待测基准点为第一图形和第二图形不同侧且相邻的两个顶点时，步骤101具体为：
获取重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离，则关键尺寸的变化值为所述距离的一半。
进一步地，当掩膜板上的所有待测基准点位于同一直线上时，步骤100具体为：
利用显微镜读取半导体芯片上两个特定基准点重合的特定图形单元或间隔距离为0的相邻两组特定图形单元；
相应地，步骤101具体为：
获取掩膜版上与重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离或与所述相邻两组特定图形单元对应的两组待测图形单元的间隔距离，则关键尺寸的变化值为所述距离的一半。
下面将以待测图形单元中第一图形和第二图形为矩形，待测基准点为矩形的顶点，且所有待测基准点位于同一直线上为例，来具体阐述本发明的工作原理：
其中，矩形的高为宽的3倍以上，方便使用者读取CD变化值。并设计矩形的宽为3.0微米，CD的最小变化值为0.1微米。
如图5所示，待测图形单元中两个待测基准点之间的距离以及相邻两组待测图形单元的间隔距离分别为：
LA=1.0um、AM=0.9um、MB=0.8um、BN=0.7um、NC=0.6um、CO=0.5um、OD=0.4um、DP=0.3um、PE=0.2um、EQ=0.1um
QF=0.0um、FR=0.0um(此为分界线)
RG=-0.1um、GS=-0.2um、SH=-0.3um、HT=-0.4um、TI=-0.5um IU=-0.6um、UJ=-0.7um、JV=-0.8um、VK=-0.9um、KW=-1.0um
如图11所示，通过显微镜读取半导体芯片上第一图形D'和第二图形O'的两个待测基准点o和o’重合，则根据待测图形单元中第一图形D和第二图形O的两个待测基准点之间的距离s=OD=0.4um，计算CD变化值为s/2=0.2um，即CD膨胀0.2um。
如图12所示，通过显微镜读取半导体芯片上第一图形I'和第二图形U'的间隔距离为0，则根据待测图形单元中第一图形I和第二图形U的间隔距离p=IU=0.6um，计算CD变化值为p/2=0.3，即CD收缩0.3um。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版上具有多组待测图形单元，所述待测图形单元包括第一图形和第二图形；
所述第一图形和第二图形上分别设置有一个待测基准点，在掩膜版上的图形复制到半导体芯片上时，根据所述待测图形单元中两个待测基准点之间的距离获取关键尺寸的变化值。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述多组待测图形单元中两个待测基准点之间的距离各不相同。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述多组待测图形单元中两个待测基准点之间的距离集合构成一组等差数列；且所述等差数列的初始值a0=0，公差d的绝对值为关键尺寸的最小变化值。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述等差数列的公差d>0，使得所述第一图形和第二图形在两个待测基准点处错开。
5.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述等差数列的公差d<0，使得所述第一图形和第二图形在两个待测基准点处交叠。
6.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述多组待测图形单元中两个待测基准点之间的距离集合构成两组等差数列；
其中一组等差数列的初始值为a10=0，公差d10>0，使得所述第一图形和第二图形在两个待测基准点处错开；另一组等差数列的初始值为a20=0，公差d20<0，使得所述第一图形和第二图形在两个待测基准点处交叠；且d10和d20的绝对值为关键尺寸的最小变化值。
7.根据权利要求1-6任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一图形和第二图形为矩形；所述待测基准点为矩形的一个顶点；
所述待测图形单元中，所述两个待测基准点所在的宽位于同一直线上；且所述第一图形和第二图形错开设置，所述两个待测基准点为所述第一图形和第二图形不同侧且相邻的两个顶点。
8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述第一图形和第二图形位于所述直线的两侧。
9.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述多组待测图形单元中的所有待测基准点位于同一直线上，根据所述待测图形单元中两个待测基准点之间的距离和相邻两组待测图形单元在所述直线上的间隔距离来获取关键尺寸的变化值。
10.一种显微镜读取关键尺寸的方法，其特征在于，包括：
步骤100、利用显微镜读取半导体芯片上特定图形单元中的两个特定基准点，其中，所述特定图形单元为权利要求1-9任一项所述的掩膜版上的待测图形单元复制到半导体芯片上的图案，所述两个特定基准点分别对应所述待测图形单元中的两个待测基准点；
步骤101、根据所述两个待测基准点之间的距离获取关键尺寸的变化值。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤100具体为：
利用显微镜读取半导体芯片上两个特定基准点重合的特定图形单元。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述掩膜版上的第一图形和第二图形为矩形；所述待测基准点为矩形的一个顶点；
所述待测图形单元中，所述两个待测基准点所在的宽位于同一直线上；且所述第一图形和第二图形错开设置，所述两个待测基准点为所述第一图形和第二图形不同侧且相邻的两个顶点；
步骤101具体为：
获取与重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离，则关键尺寸的变化值为所述距离的一半。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述掩膜版上的所有待测基准点位于同一直线上；
步骤100具体为：
利用显微镜读取半导体芯片上两个特定基准点重合的特定图形单元或间隔距离为0的相邻两组特定图形单元；
步骤101具体为：
获取掩膜版上与所述重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离或与所述相邻两组特定图形单元对应的两组待测图形单元的间隔距离，则关键尺寸的变化值为所述距离的一半。
CN201310392104.7A 2013-09-02 2013-09-02 掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法 Active CN104423145B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310392104.7A CN104423145B (zh) 2013-09-02 2013-09-02 掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310392104.7A CN104423145B (zh) 2013-09-02 2013-09-02 掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104423145A true CN104423145A (zh) 2015-03-18
CN104423145B CN104423145B (zh) 2019-02-22

Family

ID=52972589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310392104.7A Active CN104423145B (zh) 2013-09-02 2013-09-02 掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104423145B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105607308A (zh) * 2015-12-24 2016-05-25 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种测量标尺、以及制造方法和使用方法
CN116344511A (zh) * 2022-12-28 2023-06-27 荣芯半导体(淮安)有限公司 对准标记版图及其操作方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010046321A (ko) * 1999-11-11 2001-06-15 황인길 반도체 소자 제조 공정을 위한 테스트 패턴
KR20010094625A (ko) * 2000-03-31 2001-11-01 박종섭 시디(ｃｄ) 보정 마스크
US20030207181A1 (en) * 2002-05-02 2003-11-06 Lee Sung-Woo Mask for estimating aberration in projection lens system of exposure apparatus
KR20050066844A (ko) * 2003-12-27 2005-06-30 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자의 트렌치 제조 방법 및 그 마스크 패턴 형성방법
KR20060065978A (ko) * 2004-12-11 2006-06-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 슬릿 마스크
CN101241309A (zh) * 2007-01-23 2008-08-13 台湾积体电路制造股份有限公司 利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法
CN102033418A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 特征尺寸近似性图案
CN102280438A (zh) * 2011-08-01 2011-12-14 上海宏力半导体制造有限公司 微影过程中临界尺寸的测试标记
KR20120054467A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지디스플레이 주식회사 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법
CN102566301A (zh) * 2010-11-30 2012-07-11 Asml荷兰有限公司 测量方法、设备和衬底
CN103713471A (zh) * 2012-10-08 2014-04-09 合肥京东方光电科技有限公司 一种关键尺寸测试的校正装置和方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010046321A (ko) * 1999-11-11 2001-06-15 황인길 반도체 소자 제조 공정을 위한 테스트 패턴
KR20010094625A (ko) * 2000-03-31 2001-11-01 박종섭 시디(ｃｄ) 보정 마스크
US20030207181A1 (en) * 2002-05-02 2003-11-06 Lee Sung-Woo Mask for estimating aberration in projection lens system of exposure apparatus
KR20050066844A (ko) * 2003-12-27 2005-06-30 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자의 트렌치 제조 방법 및 그 마스크 패턴 형성방법
KR20060065978A (ko) * 2004-12-11 2006-06-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 슬릿 마스크
CN101241309A (zh) * 2007-01-23 2008-08-13 台湾积体电路制造股份有限公司 利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法
CN102033418A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 特征尺寸近似性图案
KR20120054467A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지디스플레이 주식회사 크롬리스 위상변이마스크의 제조방법
CN102566301A (zh) * 2010-11-30 2012-07-11 Asml荷兰有限公司 测量方法、设备和衬底
CN102280438A (zh) * 2011-08-01 2011-12-14 上海宏力半导体制造有限公司 微影过程中临界尺寸的测试标记
CN103713471A (zh) * 2012-10-08 2014-04-09 合肥京东方光电科技有限公司 一种关键尺寸测试的校正装置和方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105607308A (zh) * 2015-12-24 2016-05-25 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种测量标尺、以及制造方法和使用方法
CN105607308B (zh) * 2015-12-24 2019-01-04 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种测量标尺、以及制造方法和使用方法
CN116344511A (zh) * 2022-12-28 2023-06-27 荣芯半导体(淮安)有限公司 对准标记版图及其操作方法
CN116344511B (zh) * 2022-12-28 2024-04-19 荣芯半导体(淮安)有限公司 对准标记版图及其操作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104423145B (zh) 2019-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220155696A1 (en) Overlay measurement structures and method of overlay errors
CN109828440B (zh) 基于衍射的套刻标识以及套刻误差测量方法
JP6532479B2 (ja) スキャタロメトリ計測法を用いた焦点測定
JP2007103928A (ja) オーバーレイキー、これの形成方法、及びこれを用いるオーバーレイ精度の測定方法
CN109313392A (zh) 用于半导体制造工艺的计量方法和装置
WO2021204024A1 (zh) 掩膜版及掩膜版质量测试方法
TW201832023A (zh) 層疊對準標記與評估製程穩定度的方法
CN201740972U (zh) 一种用于测量套准精度的测量结构
JPH0411801B2 (zh)
CN104423145A (zh) 掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法
JP2009270988A (ja) 重ね合わせずれ量算出方法及び半導体装置の製造方法
KR100695825B1 (ko) 스테퍼 렌즈의 수차 측정 패턴 및 스테퍼 렌즈의 수차특성 평가방법
JP4387583B2 (ja) 校正用プレート、校正用プレート生成方法、及び半導体装置の製造方法
CN204102865U (zh) 一种对准测量结构
CN200983364Y (zh) 一种集成电路制造中提高对准精度的测试结构
CN104934413A (zh) 重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片
CN112147856B (zh) 一种光刻检查图形结构及光刻检查方法
KR100519374B1 (ko) 반도체 장치의 오버레이 측정 방법
CN110767572B (zh) 监测有源区与隔离结构交界区域台阶高度的方法
CN101982880A (zh) 一种套准测量图形
US20140209567A1 (en) Template, manufacturing method of the template, and strain measuring method in the template
JP2995061B2 (ja) フォトマスク
CN116960112A (zh) 一种基于衍射的套刻标记
US6579650B2 (en) Method and apparatus for determining photoresist pattern linearity
JP2874261B2 (ja) 投影露光マスク

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220722

Address after: 518116 founder Microelectronics Industrial Park, No. 5, Baolong seventh Road, Baolong Industrial City, Longgang District, Shenzhen, Guangdong Province

Patentee after: SHENZHEN FOUNDER MICROELECTRONICS Co.,Ltd.

Address before: 100871 room 808, founder building, Zhongguancun, 298 Chengfu Road, Haidian District, Beijing

Patentee before: PEKING UNIVERSITY FOUNDER GROUP Co.,Ltd.

Patentee before: SHENZHEN FOUNDER MICROELECTRONICS Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right