CN105607308A - 一种测量标尺、以及制造方法和使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种测量标尺、及其制造方法和使用方法，本测量标尺位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，该测量标尺包括多个标记图形，该标记图形由阵列基板或彩膜基板的任两层图案的材料形成，通过该测量标尺目视该两个图案的线宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。本发明结合阵列基板或彩膜基板上的制造过程中的图案成形机制，制造位于像素区域外的测量标尺，本发明测量标尺不采用绝对标尺进行衡量，而采用对比的方法，消除了绝对标尺本身的精度误差问题，并且可以直接读出具体的线宽单边蚀刻量和重合精度的偏移值；本发明测量标尺在蚀刻前后任何工程段均可使用，消除了量测设备误差，方便异常追踪和进行试验。
Description
技术领域
本发明属于液晶显示面板的制造领域，尤其涉及一种用于线宽和重合精度的测量标尺、以及制造方法和使用方法。
技术背景
液晶显示面板包括贴合在一起的阵列基板和彩膜基板、以及夹设于阵列基板和彩膜基板之间的液晶，阵列基板上设有纵横交错的多个数据线和栅极线、连接在数据线和栅极线交错处的TFT开关、以及由数据线和栅极线交错形成的多个像素单元。
液晶显示面板在制造过程中，由于设备、材料以及人员的不稳定性会发生精度的偏移，相关参数与设计值的离异会导致产品出现各种各样的问题，布线和器件的尺寸以及位置精度是其中非常关键的两个因素。线宽的偏移会导致各类电特性的异常；重合精度偏移会导致图形的干涉、电场分布的改变、产生额外的寄生电容等异常。
阵列基板的生产制造线对此类要求精度较高的参数普遍采用高精度检测设备进行检测，虽然对于大批量的产品监控来说精度和稳定性较高，但是设备的精度会附加在量测结果中，并且后段没有配置专门的高精度检测设备，分断后的面板出现问题后的解析需要用到显微镜等离线设备，比较麻烦并且精度偏移较大。另外对于做实验来说，需要加入自动化系统和量产品一起排队等待量测也耗费了较多不必要的时间。
在液晶显示面板的制造工艺技术，液晶显示面板的阵列基板制造工艺似于半导体工艺在玻璃基板上有规则地做成TFT器件、像素等图案的过程，阵列基板的制造工艺包括洗净工艺、CVD成膜技术、Sputter成膜技术、光刻胶或光致抗蚀剂(简称PR)涂布、显影和剥离技术、曝光技术、湿刻技术、以及干刻技术等，以5层薄膜图案的工艺为例，一般，阵列基板的制造工艺根据成膜的先后顺序依次分为形成栅极层相关图案的G工程、形成TFT沟道用硅岛图案的I工程、形成源极层相关的图案的D工程、形成接触孔图案的C工程、以及形成像素电极图案的PI工程，每形成一层薄膜图案，就需要一张MASK(掩膜版)，故5层薄膜图案的工艺称为5MASK工艺。
曝光是光刻工艺中的重要环节，曝光工艺实现了MASK上的图形向PR的转写，PR形成图形后，对下面的膜层进行相应刻蚀，膜层上就形成图形。曝光工艺在PR涂布后，用带有图像的MASK对玻璃基板形成选择性UV(紫外)照射，PR显影后，MASK上的图案被转写到PR层上，在膜层刻蚀、PR剥离后，PR层上的图案被撰写到膜层上，膜层上就形成了与MASK上相同的图案，以上就是曝光的过程。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用对比方法、消除绝对标尺本身的精度误差问题、通过直接读出具体的线宽单边刻蚀量和重合精度的偏移量的测量标尺、以及制造方法和使用方法。
本发明提供一种测量标尺，位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，该测量标尺包括多个标记图形，该标记图形由阵列基板或彩膜基板的任两层图案的材料形成，通过该测量标尺目视该两个图案的线宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
本发明还提供一种测量标尺的制造方法，该测量标尺位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，包括如下步骤：第一步：设定与阵列基板的栅极线平行的方式为X方向，与阵列基板的数据线平行的方向为Y方向；第二步：选定需要阵列基板或彩膜基板内需要测量的两个图案，假定分别选定第一图案和第二图案，第一图案由第一材料形成，第二图案由第二材料形成；第三步：第一图案和第二图案在刻蚀前在掩膜版上具有在空间上的重叠区域，该重叠区域在X方向上的宽度为L；第四步：刻蚀前在掩膜版上，第一图案设有与第二图案重叠的第一基准边和与第一基准边相对的第二基准边，第二图案设有与第一图案重叠的第三基准边和与第三基准边相对的第四基准边，所述第三基准边与第一基准边在X方向上的间距为L/2，所述第四基准边与第二基准边在X方向上的间距也为L/2；第五步：当第一图案曝光刻蚀时：假设当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀a后，其中，a＜L/2，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第一基准边在X方向上的宽度为(L-2a)；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀L/2后，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第一基准边在X方向上的宽度为0；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀b后，其中，b＞L/2；刻蚀后，第一图案与第二图案不再具有重叠区域；第六步：设定位于重叠区域上方的方向为正方向，位于重叠区域下方的方向为负方向，其中，所述第一基准边和第三基准边均位于正方向，所述第二基准边和第四基准边均位于负方向；第七步：当第二图案曝光时：当第二图案先向X负方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第二基准边和第二图案的第四基准边重合；当第二图案先向X正方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第一基准边和第二图案的第三基准边重合，其中，c+d+e＝L/2；第八步：根据上述方法得到的标记图形，再经过更改上述的数字L、a、b、c、d、e得到一系列的标记图形，将得到的一系列的标记图形按照递减或递增的方法依序排列在像素区域外形成X方向测量标尺；第九步：将X方向测量标尺顺时针旋转90度得到Y方向测量标尺。
本发明还提供一种测量标尺的使用方法，包括如下步骤：第一步：当目视X方向测量标尺在标识为f处第一图案的第一基准边和第二基准边开始断开，读出第一图案单边蚀刻量为f；第二步：当目视X方向测量标尺在标识为g处第二图案的第三基准边和第四基准边开始断开，读出第二图案单边蚀刻量为g；第三步：当目视X方向测量标尺在标识为h处下半部分重叠面积小于上半部分，判断往X负方向偏移，第一图案的第二基准边与第二图案的第四基准边最靠近的标尺h，根据公式：-(h-f-g)＝-i，计算出X方向的重合精度值的偏差为﹣i；第四步：依据上述第一步至第三步所述的方法进行目视阵列基板的该两个图案在X方向的线宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
本发明还提供一种测量标尺的使用方法，包括如下步骤：第一步：当目视Y方向测量标尺在标识为f处第一图案的第一基准边和第二基准边开始断开，读出第一图案单边蚀刻量为f；第二步：当目视Y方向测量标尺在标识为g处第二图案的第三基准边和第四基准边开始断开，读出第二图案单边蚀刻量为g；第三步：当目视X方向测量标尺在标识为h处所有的标识左半部分重叠面积小于右半部分，判断往Y正方向偏移，第一图案的第二基准边与第二图案的第四基准边最靠近的标尺j，根据公式：(j-f-g)＝k，计算出X方向的重合精度偏差为k；第四步：依据上述第一步至第三步所述的方法进行目视阵列基板的该两个图案在Y方向的线宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
本发明结合阵列基板或彩膜基板上的制造过程中的图案成形机制，制造位于像素区域外的测量标尺，本发明测量标尺不采用绝对标尺进行衡量，而采用对比的方法，消除了绝对标尺本身的精度误差问题，并且可以直接读出具体的线宽单边蚀刻量和重合精度的偏移值；本发明测量标尺在蚀刻前后任何工程段均可使用，消除了量测设备误差，方便异常追踪和进行试验。
附图说明
图1(a)为本发明测量标尺的结构示意图；
图1(b)为图1(a)的局部放大图；
图2所示为本发明刻蚀前的标记图形的结构示意图；
图3(a)所示为刻蚀前的标记图形的第一金属层的结构示意图；
图3(b)所示为刻蚀前的标记图形的第二金属层的结构示意图；
图4所示为刻蚀前的标记图形的标记刻蚀量的方向的结构示意图；
图5为刻蚀前的标记图形的第一金属层的结构示意图；
图6(a)为图5所示金属层在单边刻蚀1.5um后的结构示意图；
图6(b)为图5所示金属层在单边刻蚀2um后的结构示意图；
图6(c)为图5所示金属层在单边刻蚀2.5um后的结构示意图；
图7(a)为刻蚀前的标记图形的结构示意图；
图7(b)为图7(a)的第一金属层向X﹣方向过刻1um、第二金属层向X﹣方向过刻0.5um后的示意图；
图8(a)为图7(a)标记图形的第二金属层向X﹣方向刻蚀0.5um后的示意图；
图8(b)为图7(a)标记图形的第二金属层向X﹢方向刻蚀0.5um后的示意图；
图9(a)为图8(a)的第一金属层向X﹣方向过刻1um、第二金属层向X﹣方向过刻0.5um后的示意图；
图9(b)为图8(b)的第一金属层向X﹣方向过刻1um、第二金属层向X﹣方向过刻0.5um后的示意图；
图10(a)至图10(c)均为X方向测量标尺的部分标记；
图11(a)至图11(c)均为X方向测量标尺的部分标记。
具体实施方式
如图1(a)和图1(b)所示，本发明根据阵列基板或彩膜基板的制造工艺，在阵列基板或彩膜基板的像素区域外设置测量标尺，该测量标尺用来测量阵列基板或彩膜基板的各层材料的线宽(CD)单边蚀刻量和各层材料之间的重合精度(Overlay)的偏移值，通过该测量标尺直接目视读出线宽(CD)单边蚀刻量和各层材料之间的重合精度(Overlay)的偏移值，达到目视的目的。
其中，阵列基板还包括LTPS(低温多晶硅技术)基板、IGZO(金属氧化物)，基板、和OLED基板。
所述测量标尺包括设置在与阵列基板的栅极线平行的X方向测量标尺和设置在与阵列基板的数据线平行的Y方向测量标尺，其中，X方向测量标尺和Y方向测量标尺的图形结构相同，只是分别放置在X方向和Y方向。
所述X方向测量标尺和Y方向测量标尺均包括多个由阵列基板或彩膜基板内任两个图案的材料形成的标记图形100(如图1所示)，该标记图形100与对应的两个图案的材料在阵列基板的图案制造过程中同时形成。通过标记图形100与对应的两个原始图案的掩膜版上的图形作为对比，消除了绝对标尺本事的精度误差问题，通过直接读出测量标尺上具体的线宽单边蚀刻量和重合精度的偏移。
X方向测量标尺和Y方向测量标尺由阵列基板的第一金属层和第二金属层组成，所述X方向测量标尺和Y方向测量标尺也可以由阵列基板的第一金属层和有源层的材料组成、或由阵列基板的第一金属层和绝缘层的材料组成、或彩膜基板的黑色矩阵层和色阻层的材料组成、或具有在空间上的重叠区域的任意两层图案的材料都可以组成标记图形。
在X方向上，所述X方向测量标尺由多个标记图形的重叠区域从15um至0.5um，以0.25um的单位递减、或重叠区域从0.5um至15um，以0.25um的单位递增形成在像素区域外周围的X方向；Y方向上，所述Y方向测量标尺由所述X方向测量标尺顺时针旋转90°形成，具体如图9(a)和图9(b)所示，图1(b)为图1(a)的局部放大图。
X方向测量标尺由n个标记图形的重叠区域从x至y，以t单位的递增或递减，当递增时，(x－y)/n＝t，x≥y；递减时，(y－x)/n＝t，x≥y，其中，x、y、t的单位为um，n≥1。
假设标记图形100由第一材料和第二材料形成，并设定第一材料形成阵列基板或彩膜基板上的第一图案，第二材料形成阵列基板或彩膜基板上的第二图案，形成第一图案和第二图案在刻蚀前在掩膜版上的空间上的重叠区域在X方向上的宽度为L，其中，x≤L≤y、或y≤L≤x。
通过在制成该标记图形的对应的两个图案所对应在掩膜版上的重叠图形作为对比，因为在掩膜版上的重叠图形是未蚀刻前的标准，通过这样的对比方，消除了绝对标尺本身的精度误差问题，并且可以直接读出具体的该两个图案曝光的线宽的单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
假设第一材料为第一金属层10，第二材料为第二金属层20，第一金属层形成阵列基板上的栅极线图案，第二金属层形阵列基板上的数据线图案。
设定标记图形100由形成栅极层的第一金属层10和形成源极层的第二金属层20，图2所示为刻蚀前的标记图形100为栅极掩膜版与源极掩膜版在空间上重叠形成，设定该刻蚀前的标记图形100具有呈长方形的重叠区域30，该重叠区域30在X方向的宽度为4.00um，L为4.00um；如图3(a)所示，设定该刻蚀前的标记图形100的第一金属层10设有与第二金属层20重叠的第一基准边11和第二基准边12，其中，第一基准边11和第二基准边12均位于重叠区域30外，第一基准边11和与第一基准边11相对的第二基准边12均与Y方向平行；如图3(b)所示，设定该刻蚀前的标记图形100的第二金属层20设有与第一金属层10重叠的第三基准边21和与第三基准边21相对的第四基准边22，其中，所述第三基准边21和第四基准边22均位于重叠区域30边缘，第三基准边21和第四基准边22均与Y方向平行。所述第三基准边21与第一基准边11位于同一侧，所述第四基准边22与第二基准边12也位于同一侧，在刻蚀前的标记图形100中，所述第三基准边21与第一基准边11在X方向上的间距为2.00um，所述第四基准边22与第二基准边12在X方向上的间距也为2.00um。
图4所示为刻蚀前的标记图形100的标记刻蚀量的方向图，在图3中，箭头A至箭头H为经过蚀刻后第一金属层10和第二金属层20的边缘变化的方向，其中，箭头A和箭头B位于第一金属层10的第一基准边11的X方向两侧，箭头C和箭头D位于第一金属层10的第二基准边12的X方向两侧，箭头E和箭头F位于重叠区域30上部分的X方向两侧，箭头G和箭头H位于重叠区域30下部分的X方向两侧。
刻蚀后，第一金属层10和第二金属层20会分别向X方向和Y方向移动，第一金属层10与第二金属层20的重叠区域30会越来越小，通过将箭头A至箭头H设置不同重合区域作为标记，观察到标记图形200断开的那一个标记所对应的设计值，也就是蚀刻量。
图5为刻蚀前的标记图形100的第一金属层10的结构示意图，第一金属层10中的重叠区域30在X方向上的宽度为4.00um，即：第一金属层10的第一基准边11和第二基准边12之间的距离为2.00um。当第一金属层10曝光刻蚀时，如图6(a)所示，当第一金属层10在X方向上分别进行单边刻蚀1.5um后(即：第一金属层10分别向X方向的两边刻蚀1.5um)，第一金属层10的第一基准边11和第一基准边12在X方向上的宽度为1um；如图6(b)所示，当第一金属层10在X方向上分别进行单边刻蚀2um后，第一金属层10的第一基准边11和第一基准边12在X方向上的宽度为0；如图6(c)所示，当第一金属层10在X方向上分别进行单边刻蚀2.5um后，第一金属层10与第二金属层20不再具有重叠区域。
图7(a)所示刻蚀前的标记图形100的结构示意图，位于标记图形100上方为正(﹢)方向，即：位于重叠区域上方的方向为正(﹢)方向；位于标记图形100下方为负(﹣)方向，即：位于重叠区域下方的方向为负(﹣)方向，具体如图7(a)所示。当如图7(a)所示的第二金属层20向X﹣方向刻蚀0.5um(即：第二金属层20整体向X﹣方向偏移0.5um)后，刻蚀后标记图形100如图8(a)所示，第一金属层10的第一基准边11与第二金属层的第三基准边21之间的距离为2.50um，第一金属层10的第二基准边12与第二金属层的第四基准边22之间的距离为1.50um。
当如图7(a)所示的第二金属层20向X﹢方向刻蚀0.5um(即：第二金属层20整体向X﹢方向偏移0.5um)后，刻蚀后标记图形100如图8(b)所示，第一金属层10的第一基准边11与第二金属层的第三基准边21之间的距离为1.50um，第一金属层10的第二基准边12与第二金属层的第四基准边22之间的距离为2.50um。
由于形成具体的图案最后都需要进行过刻(过蚀刻量)，上述图8(a)、图8(a)和图8(b)标记图形100的第一金属层10向X﹣方向过刻1um、第二金属层向X﹣方向过刻0.5um，图7(b)是图7(a)过刻得到的标记图形100，图9(a)是图8(a)过刻得到的标记图形100：第一金属层10的第一基准边11和第二金属层20的第三基准边21重合；图9(b)是图8(b)过刻得到的标记图形100：第一金属层10的第二基准边12和第二金属层20的第四基准边22重合。
本发明还揭示一种测量标尺的制造方法，包括如下步骤：
第一步：设定与阵列基板的栅极线平行的方式为X方向，与阵列基板的数据线平行的方向为Y方向；
第二步：选定需要阵列基板或彩膜基板内需要测量的两个图案，假定分别选定第一图案和第二图案，第一图案由第一材料形成，第二图案由第二材料形成；
第三步：第一图案和第二图案在刻蚀前在掩膜版上具有在空间上的重叠区域，该重叠区域在X方向上的宽度为L；
第四步：刻蚀前在掩膜版上，第一图案设有与第二图案重叠的第一基准边和与第一基准边相对的第二基准边，第二图案设有与第一图案重叠的第三基准边和与第三基准边相对的第四基准边，所述第三基准边与第一基准边在X方向上的间距为L/2，所述第四基准边与第二基准边在X方向上的间距也为L/2；
第五步：当第一图案曝光刻蚀时：假设当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀a后，其中，a＜L/2，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第一基准边在X方向上的宽度为(L-2a)；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀L/2后，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第一基准边在X方向上的宽度为0；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀b后，其中，b＞L/2；刻蚀后，第一图案与第二图案不再具有重叠区域；
第六步：设定位于重叠区域上方的方向为正方向，位于重叠区域下方的方向为负方向，其中，所述第一基准边和第三基准边均位于正方向，所述第二基准边和第四基准边均位于负方向；
第七步：当第二图案曝光时：当第二图案先向X负方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第二基准边和第二图案的第四基准边重合；当第二图案先向X正方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第一基准边和第二图案的第三基准边重合，其中，c+d+e＝L/2；
第八步：根据上述方法得到的标记图形，再经过更改上述的数字L、a、b、c、d、e得到一系列的标记图形，将得到的一些列的标记图形按照递减或递增的方法依序排列在像素区域外形成X方向测量标尺；
第九步：将X方向测量标尺顺时针旋转90度得到Y方向测量标尺。
当需要测量第一金属层10和第二金属层20的线宽、以及第一金属层10和第二金属层20之间的重合精度时，通过将刻蚀前的标记图形100与完成偏移或刻蚀后的标记图形进行对比，通过目视就可以判断出第一金属层10和第二金属层20线宽和重合精度。
假定测量标尺由第一金属层10和第二金属层20组成，经过模拟后，截取标识依据实验条件发生变化的位置处放大。
先判断根据X方向测量标尺的标记图形的标尺：
图10(a)所示为X方向测量标尺的部分标记，根据图10(a)可以看出2.50um标识处第一金属层10开始断开，读出第一金属层10单边蚀刻量为2.5um。
图10(b)所示为X方向测量标尺的部分标记，根据图10(b)可以看出0.50um标识处第二金属层开始断开，读出第二金属层单边蚀刻量为0.50um。
图10(c)所示为X方向测量标尺的部分标记，根据图10(c)可以看出所有的标记图形的下半部分重叠面积小于上半部分，因此判断X往﹣方向偏移，找到第一金属层的第二基准边11与第二金属层的第四基准边22最靠近的标识4.0um，通过如下公式计算出X方向的重合精度(Overlay)偏差值为﹣1.00um：
-(4.00-2.50-0.50)＝-1
与设计的标记图形一致。
再判断根据Y方向测量标的标记图形的标尺：
图11(a)所示为Y方向测量标的部分标记，根据图11(a)可以看出2.50um标识处第一金属层10开始断开，读出第一金属层10单边蚀刻量为2.5um。
图11(b)所示为Y方向测量标的部分标记，根据图11(b)可以看出0.50um标识处第二金属层20开始断开，读出第二金属层单边蚀刻量为0.5um。
图11(c)所示为Y方向测量标的部分标记，根据图11(b)可以看出所有的标识左半部分重叠面积小于右半部分，因此判断Y往﹢方向偏移，找到第一基准边11与第三基准边21最靠近的标识4.5um，通过如下等式算出Y方向重合精度(Overlay)偏差值为﹣1.50um,误差为0.1um：
4.50-2.5-0.5＝1.5
与设计的标记图形一致。
本发明测量标尺的使用方法，包括如下步骤：
第一步：当目视X方向测量标尺在标识为f处第一图案的第一基准边和第二基准边开始断开，读出第一图案单边蚀刻量为f；
第二步：当目视X方向测量标尺在标识为g处第二图案的第三基准边和第四基准边开始断开，读出第二图案单边蚀刻量为g；
第三步：当目视X方向测量标尺在标识为h处下半部分重叠面积小于上半部分，判断往X负方向偏移，第一图案的第二基准边与第二图案的第四基准边最靠近的标尺h，根据公式：-(h-f-g)＝-i，计算出X方向的重合精度偏差为﹣i；
第四步：依据上述第一步至第三步所述的方法进行目视阵列基板或彩膜基板上的该两个图案在X方向的宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度值。
本发明测量标尺的目视方法，包括如下步骤：
第一步：当目视Y方向测量标尺在标识为f处第一图案的第一基准边和第二基准边开始断开，读出第一图案单边蚀刻量为f；
第二步：当目视Y方向测量标尺在标识为g处第二图案的第三基准边和第四基准边开始断开，读出第二图案单边蚀刻量为g；
第三步：当目视X方向测量标尺在标识为h处所有的标识左半部分重叠面积小于右半部分，判断往Y正方向偏移，第一图案的第二基准边与第二图案的第四基准边最靠近的标尺j，根据公式：(j-f-g)＝k，计算出X方向的重合精度偏差为k；
第四步：依据上述第一步至第三步所述的方法进行目视阵列基板或彩膜基板上的该两个图案在Y方向的宽单边蚀刻量和该两个图案形成材料之间的重合精度值。
本发明结合阵列基板或彩膜基板上的制造过程中的图案成形机制，制造位于像素区域外的测量标尺，本发明测量标尺不采用绝对标尺进行衡量，而采用对比的方法，消除了绝对标尺本身的精度误差问题，并且可以直接读出具体的线宽单边蚀刻量和重合精度的偏移值；本发明测量标尺在蚀刻前后任何工程段均可使用，消除了量测设备误差，方便异常追踪和进行试验。
Claims (10)
1.一种测量标尺，其特征在于：位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，该测量标尺包括多个标记图形，该标记图形由阵列基板或彩膜基板的任两层图案的材料形成，通过该测量标尺目视该两个图案的线宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
2.根据权利要求1所述的测量标尺，其特征在于：所述测量标尺包括重叠区域不相同多个标记图形。
3.根据权利要求1所述的测量标尺，其特征在于：所述测量标尺包括与栅极线平行的X方向测量标尺和与数据线平行的Y方向测量标尺，所述Y方向测量标尺由所述X方向测量标尺顺时针旋转90度形成。
4.根据权利要求1所述的测量标尺，其特征在于：所述X方向测量标尺由n个标记图形的重叠区域从x至y，以t单位的递增或递减，当递增时，(x－y)/n＝t，x≥y；当递减时，(y-x)/n＝t，y≥x。
5.根据权利要求4所述的测量标尺，其特征在于：假设标记图形由第一材料和第二材料形成，并设定第一材料形成阵列基板的第一图案，第二材料形成阵列基板的第二图案，形成第一图案和第二图案在刻蚀前在掩膜版上的空间上的重叠区域在X方向上的宽度为L，其中，x≤L≤y或y≤L≤x。
6.根据权利要求5所述的测量标尺，其特征在于：根据形成标记图形的对应两个图案所对应在掩膜版上的重叠图形作对比，直接读出具体的该两个图案曝光的线宽的单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
7.一种测量标尺的制造方法，其特征在于，该测量标尺位于阵列基板或彩膜基板的像素区域外，包括如下步骤：
第一步：设定与阵列基板的栅极线平行的方式为X方向，与阵列基板的数据线平行的方向为Y方向；
第二步：选定需要阵列基板或彩膜基板内需要测量的两个图案，假定分别选定第一图案和第二图案，第一图案由第一材料形成，第二图案由第二材料形成；
第三步：第一图案和第二图案在刻蚀前在掩膜版上具有在空间上的重叠区域，该重叠区域在X方向上的宽度为L；
第四步：刻蚀前在掩膜版上，第一图案设有与第二图案重叠的第一基准边和与第一基准边相对的第二基准边，第二图案设有与第一图案重叠的第三基准边和与第三基准边相对的第四基准边，所述第三基准边与第一基准边在X方向上的间距为L/2，所述第四基准边与第二基准边在X方向上的间距也为L/2；
第五步：当第一图案曝光刻蚀时：假设当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀a后，其中，a＜L/2，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第一基准边在X方向上的宽度为(L-2a)；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀L/2后，刻蚀后，第一图案的第一基准边和第一基准边在X方向上的宽度为0；当第一图案在X方向上分别进行单边刻蚀b后，其中，b＞L/2；刻蚀后，第一图案与第二图案不再具有重叠区域；
第六步：设定位于重叠区域上方的方向为正方向，位于重叠区域下方的方向为负方向，其中，所述第一基准边和第三基准边均位于正方向，所述第二基准边和第四基准边均位于负方向；
第七步：当第二图案曝光时：当第二图案先向X负方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第二基准边和第二图案的第四基准边重合；当第二图案先向X正方向曝光c后、再向第一图案X负方向刻蚀d、第二图案向X负方向刻蚀e后，第一图案的第一基准边和第二图案的第三基准边重合，其中，c+d+e＝L/2；
第八步：根据上述方法得到的标记图形，再经过更改上述的数字L、a、b、c、d、e得到一系列的标记图形，将得到的一系列的标记图形按照递减或递增的方法依序排列在像素区域外形成X方向测量标尺；
第九步：将X方向测量标尺顺时针旋转90度得到Y方向测量标尺。
8.根据权利要求7所述的测量标尺的制造方法，其特征在于：第一基准边和第二基准边均位于重叠区域外，第一基准边和第二基准边均与Y方向平行，所述第三基准边和第四基准边均位于重叠区域边缘，第三基准边和第四基准边均与Y方向平行，所述第三基准边与第一基准边位于同一侧，所述第四基准边与第二基准边也位于同一侧。
9.根据权利要求7或8制造的测量标尺的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步：当目视X方向测量标尺在标识为f处第一图案的第一基准边和第二基准边开始断开，读出第一图案单边蚀刻量为f；
第二步：当目视X方向测量标尺在标识为g处第二图案的第三基准边和第四基准边开始断开，读出第二图案单边蚀刻量为g；
第三步：当目视X方向测量标尺在标识为h处下半部分重叠面积小于上半部分，判断往X负方向偏移，第一图案的第二基准边与第二图案的第四基准边最靠近的标尺h，根据公式：-(h-f-g)＝-i，计算出X方向的重合精度值的偏差为﹣i；
第四步：依据上述第一步至第三步所述的方法进行目视阵列基板的该两个图案在X方向的线宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
10.根据权利要求7或8制造的测量标尺的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步：当目视Y方向测量标尺在标识为f处第一图案的第一基准边和第二基准边开始断开，读出第一图案单边蚀刻量为f；
第二步：当目视Y方向测量标尺在标识为g处第二图案的第三基准边和第四基准边开始断开，读出第二图案单边蚀刻量为g；
第三步：当目视X方向测量标尺在标识为h处所有的标识左半部分重叠面积小于右半部分，判断往Y正方向偏移，第一图案的第二基准边与第二图案的第四基准边最靠近的标尺j，根据公式：(j-f-g)＝k，计算出X方向的重合精度偏差为k；
第四步：依据上述第一步至第三步所述的方法进行目视阵列基板的该两个图案在Y方向的线宽单边蚀刻量和该两个图案之间的重合精度的偏移值。
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