CN106154739A - 掩膜版与焦点偏移的判断方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种掩膜版与焦点偏移的判断方法。该掩膜版包括套刻标记，该套刻标记具有至少两个图形，且各图形平行或垂直，各图形具有至少三个相互平行的矩形，各矩形的宽度不相等，相邻两个矩形之间具有间距。上述掩膜版的图形中的矩形的宽度不相等，当将掩膜版的套刻标记转移到光刻胶上时，若焦点出现较小的偏移，光刻胶上的宽度较小的矩形出现桥接现象，光刻胶上的两个图形的中心点就会偏离初始掩膜版的套刻标记，从而可以判断焦点出现偏移；焦点偏移的程度增加，光刻胶上出现桥接的矩形的数目增加，测量得到中心点的偏移程度增加，所以利用本申请的掩膜版可以灵敏地、实时地判断焦点是否出现了偏移。

Description

掩膜版与焦点偏移的判断方法

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种掩膜版与焦点偏移的判断方法。

背景技术

曝光是进行半导体光刻时一种必不可少的加工工艺，通过曝光可将掩膜版上的图形转移至涂有光刻胶层的晶片上，并经过显影图形化光刻胶层，之后再以图形化光刻胶层为掩膜对晶片进行刻蚀以得到各种半导体集成电路。

在进行曝光前，为了在光刻胶层上得到更加清晰的图形，常常需要检测曝光设备的焦点位置以获得其最佳焦距位置(当待刻蚀晶片设置在曝光设备的最佳焦距位置时，此时经过曝光、显影后能在涂有光刻胶层的晶片上获得最为清晰的图形)。当获得曝光设备的最佳焦距位置后，可依次对若干晶片进行曝光、显影以在晶片上得到清晰的图形，对形成有清晰图形的晶片进行一系列后续加工可得到制造精度较高的半导体器件。但加工若干晶片之后，由于多种原因如机械设备的震动，曝光设备的最佳焦距的位置已经发生变动，如果依然在此焦距的位置下对涂有光刻胶层的晶片进行曝光、显影将会在晶片上形成非常不清晰的图形，从而会影响后续半导体器件的尺寸精度。因此，进行曝光之前常常需监测焦点的位置。

现有技术中，在产品进行下一步工艺之前，经常采用曝光聚焦点矩阵的方法来监测焦点的位置。该方法包括：步骤S1’，首先在具有与上述产品结构相同的晶片上设置光刻胶，在每个曝光区设置不同的焦距；步骤S2’，通过曝光与显影获得图形化的光刻胶层，测量CD(关键尺寸)，获得不同曝光能量时的焦距与CD的泊松曲线，如图1所示；步骤S3’，根据下一步制程的CD与图1中曲线的最大值确定焦点的位置；以及步骤S4’，在产品上进行上述的下一步工艺。

上述的方法周期长，测试数据多，并且只能在产品进行下一步工艺之前进行试验进而获得焦点的位置，不能在产品上进行检测，所以该方法不能实时地检测产品的焦点位置的变化，而随着线宽的不断缩小，曝光机的焦点位置会不断漂移，为了工艺的稳定，需要实时监测曝光机焦点的位置。

另外，现有技术中，为了监测光刻图形是否发生偏移或者焦点位置是否发生改变，常常在掩膜版的切割道里设置套刻标记，该套刻标记包括以套刻标记的中心点为中心设置的如图2所示的四个图形，分别为第一图形Q1’、第二图形Q2’、第三图形Q3’与第四图形Q4’，图形为矩形。

按照本领域技术人员的常规做法，在光刻过程中，各步骤所采用的掩膜版中套刻标记的中心点都应与初始掩模板中套刻标记的中心点对应，且正常情况下，各个步骤中掩膜版形成的光刻胶图形的中心点应该与初始掩膜版的套刻标记的中心点对应。一旦利用某一个掩膜版形成的光刻图形的中心点与初始掩膜版的套刻标记的中心点出现偏移，即可判定判断焦点出现偏移。

但是，现有的如图2所示的上述套刻标记的矩形的尺寸较大，只有当焦点偏移值较大时才能监测出，所以该方法不能灵敏地、实时地监测出焦点位置的改变。

因此，亟需一种能够灵敏地、实时地监测出焦点偏移的一种方法。

发明内容

本申请旨在提供一种掩膜版与焦点偏移的判断方法，以解决现有技术中的监测焦点偏移的方法不能准确地、时实地监测焦点发生偏移的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了提出了一种掩膜版，该掩膜版包括套刻标记，上述套刻标记具有至少两个图形，且各上述图形平行或垂直，各上述图形具有至少三个相互平行的矩形，各上述矩形的宽度不相等，相邻两个上述矩形之间具有间距。

进一步地，上述图形的各矩形的宽度沿远离上述套刻标记的中心点的方向递增。

进一步地，上述的间距等于上述相邻矩形中宽度较小的宽度值。

进一步地，当上述套刻标记具有两个上述图形时，上述两个图形平行设置。

进一步地，上述图形为四个，分别为第一图形、第二图形、第三图形与第四图形，上述第一图形与上述第三图形平行，上述第二图形与上述第四图形平行，上述第一图形与上述第二图形垂直，上述第一图形与上述第三图形之间具有第一距离，上述第二图形与上述第四图形之间具有第二距离，上述第一距离等于上述第二距离。

进一步地，上述图形具有五个相互平行的矩形，分别为第一矩形、第二矩形、第三矩形、第四矩形与第五矩形，上述第一矩形、上述第二矩形、上述第三矩形、上述第四矩形与上述第五矩形的宽分别为W1、W2、W3、W4与W5，上述第一矩形与上述第二矩形的间距为P1，上述第二矩形与上述第三矩形的间距为P2，上述第三矩形与上述第四矩形的间距为P3、上述第四矩形与上述第五矩形的间距为P4，上述P1等于上述W1，上述P2等于上述W2，上述P3等于上述W3，上述P4等于上述W4。

根据本申请的另一方面，提供了一种焦点偏移的判断方法，上述判断方法包括：步骤S1，在具有第一初始光刻图形的第一晶片上设置第一光刻胶；步骤S2，将上述的掩膜版的上述套刻标记转移至上述第一光刻胶上，上述套刻标记的图形在上述第一光刻胶上形成第一光刻图形；步骤S3，检测上述第一光刻图形的中心点与上述第一初始掩膜版的套刻标记的中心点的偏移距离；以及步骤S4，判断上述偏移距离是否为0，若为0，则焦点未出现偏移；若不为0，则焦点出现偏移。

进一步地，上述步骤S3还包括：根据偏移距离与焦点偏移值的对应关系确定上述偏移距离对应的焦点偏移值。

进一步地，上述判断方法还包括建立上述对应关系的过程，上述过程包括：步骤A，获取曝光系统的焦点位置；步骤B，在具有第二初始光刻图形第二晶片上设置第二光刻胶；步骤C，将上述第二光刻胶的第一曝光区设置在上述曝光系统的第一焦点偏移值的位置处；步骤D，将上述的掩膜版的上述套刻标记转移至上述第二光刻胶上，上述套刻标记的图形在上述第二光刻胶上形成第二光刻图形；步骤E，计算上述第二光刻图形的中心点与上述初始掩膜版的套刻标记的中心点的距离，得到一个对应上述第一焦点偏移值的距离；以及步骤F，重复上述步骤B至上述步骤E，获取不同焦点偏移值对应的距离，建立上述距离与上述焦点偏移值的对应关系。

进一步地，上述曝光系统的焦点采用曝光聚焦点矩阵法获取。

本申请的掩膜版的图形中的矩形的宽度不相等，当将掩膜版的套刻标记转移到光刻胶上时，若焦点出现较小的偏移，光刻胶上的宽度较小的矩形出现桥接现象，形成在光刻胶上的两个图形的中心点就会偏离初始掩膜版的套刻标记的中心点，从而可以判断焦点出现偏移；而且光刻胶上出现桥接的矩形的数目增加，测量得到中心点的偏移程度增加，焦点偏移的程度增加，所以利用本申请的掩膜版可以灵敏地、实时地判断焦点是否出现了偏移。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了现有技术中获取的不同曝光能量时的焦距与CD关系的泊松曲线；

图2示出了现有技术中掩膜版的套刻标记的剖面结构示意图；

图3示出了本申请一种优选的实施方式中的掩膜版的套刻标记的结构示意图；

图4示出了本申请一种优选的实施方式中的焦点偏移的判断方法流程图；

图5示出了本申请一种优选的实施方式中的掩膜版的套刻标记的结构示意图；以及

图6示出了图5中套刻标记的图形的结构示意图；以及

图7示出了本申请另一种优选的实施方式中的掩膜版的套刻标记的结构示意图。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

现在，将参照附图更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。

正如背景技术所介绍的，现有的判断焦点位置是否发生偏移的方法不能在产品上实时地监测焦点位置是否发生偏移。为了解决上述问题，本申请提出了一种掩膜版，如图3所示，该掩膜版包括套刻标记，上述套刻标记具有两个图形Q，且各上述图形平行或垂直，各上述图形具有至少三个相互平行的矩形，如图3所示分别为第一矩形R1、第二矩形R2与第三矩形R3，上述各矩形的宽度不相等，相邻两个上述矩形之间具有间距。

上述掩膜版的图形中的矩形的宽度不相等，当将掩膜版的套刻标记转移到光刻胶上时，若焦点出现较小的偏移，光刻胶上的宽度较小的矩形出现桥接现象，形成在光刻胶上的两个图形的中心点就会偏离初始掩膜版的套刻标记的中心点，从而可以判断焦点出现偏移；而且光刻胶上出现桥接的矩形的数目增加，测量得到中心点的偏移程度增加，焦点偏移的程度增加，所以利用本申请的掩膜版可以灵敏地、实时地判断焦点是否出现了偏移。

为了利用桥接现象更灵敏地反映焦点偏移情况，优选上述图形的各矩形的宽度沿远离上述套刻标记的中心点的方向递增。当各矩形的宽度沿远离上述套刻标记的中心点的方向递增时，桥接现象累加因此反应的焦点偏移情况会更准确。比如：当掩膜版中具有两个平行的图形Q，且每个图形中包括三个宽度不相等的矩形，分别为第四矩形R4、第五矩形R5与第六矩形R6，矩形的宽度按照图4的方式设置，即三个矩形的宽度沿远离套刻标记的中心点的方向递减，当焦点出现较小的偏移时，距离套刻标记中心点最远的第六矩形R6先出现桥接现象，但是，套刻标记的中心点并没有偏离初始掩膜版的套刻标记的中心点，二者仍然重合，此时不能判断出焦点已经发生了偏移；当焦点的偏移值增大时，距离套刻标记中心点较远的第五矩形R5也出现桥接现象，但是此时套刻标记的中心点与初始掩膜版的套刻标记的中心点仍然重合，此时仍不能判断出焦点发生了偏移；当焦点的偏移值继续增大时，距离套刻标记中心点最近的第四矩形R4也出现桥接现象，套刻标记的中心点与初始掩膜版的套刻标记的中心点不重合，二者之间具有偏移距离，此时才能判断出焦点出现了偏移，所以虽然说利用该掩膜版可以判断出焦点是否发生了偏移，且利用该掩膜版判断焦点偏移较采用背景技术中的掩膜版判断焦点偏移更加灵敏，但是采用本申请中图形的各矩形的宽度沿远离上述套刻标记的中心点的方向递增的掩膜版判断焦点偏移灵敏，能更准确、灵敏地获取偏移距离。

本申请的又一种优选的实施方式中，优选上述间距等于所述相邻矩形中宽度较小的宽度值，这样当焦点出现偏移时，光刻胶上的矩形出现桥接，在测量光刻胶上的图形的中心点相对于初始掩膜版的套刻标记的中心点的偏移距离时，忽略测试与出现桥接矩形宽度相同的间距，这样中心点偏移的距离为出现桥接的矩形宽度的两倍，这样可以以更加简单的方式获取中心点的偏移距离，从而可以高效地确定焦点是否发生偏移，同时也可以更准确地获取焦点的偏移距离。

为了能够更加方便快捷地测量光刻胶上的图形的中心点相对于初始掩膜版的套刻标记的中心点的偏移距离，进而可以高效地检测出焦点是否发生了偏移，同时可以使得获取准确的中心点的偏移距离。本申请优选当上述套刻标记具有两个上述图形时，上述两个图形平行设置。

本申请的又一种优选的实施方式中，上述优选图形为四个，如图5和图6所示，分别为第一图形Q1、第二图形Q2、第三图形Q3与第四图形Q4，上述第一图形Q1与上述第三图形Q3平行，上述第二图形Q2与上述第四图形Q4平行，上述第一图形Q1与上述第二图形Q2垂直，上述第一图形Q1与上述第三图形Q3之间具有第一距离，上述第二图形Q2与上述第四图形Q4之间具有第二距离，上述第一距离等于上述第二距离。

这样的四个图形可以全面精确地监测焦点的偏移情况；另外，集成电路的工艺过程中，除用到本申请的掩膜版之外，还会用到具有图2所示的图形的掩膜版，当利用本申请中的判断方法判断焦点是否发生偏移时，并且前一制程使用具有图2所示的图形的掩膜版时，本申请掩膜版的套刻标记中的图形与图2所示的图形的中心点重合，使得后续可以量测连续的两个制程的图形的中心点的距离。

为了能够灵敏地监测中心点的偏移，进而判断焦点是否发生了偏移，本申请优选上述图形具有五个相互平行的矩形，如图5和图6所示，分别为第一矩形R1、第二矩形R2、第三矩形R3、第四矩形R4与第五矩形R5，上述第一矩形R1、上述第二矩形R2、上述第三矩形R3、上述第四矩形R4与上述第五矩形R5的宽分别为W1、W2、W3、W4与W5，上述第一矩形R1与上述第二矩形R2的间距为P1，上述第二矩形R2与上述第三矩形R3的间距为P2，上述第三矩形R3与上述第四矩形R4的间距为P3、上述第四矩形R4与上述第五矩形R5的间距为P4，上述P1等于上述W1，上述P2等于上述W2，上述P3等于上述W3，上述P4等于上述W4。

根据本申请的又一方面，提供了一种焦点偏移的判断方法，如图7所示，上述判断方法包括：步骤S1，在具有第一初始光刻图形的第一晶片上设置第一光刻胶；步骤S2，将上述的掩膜版的上述套刻标记转移至上述第一光刻胶上，上述套刻标记的图形在上述第一光刻胶上形成第一光刻图形；步骤S3，检测上述第一光刻图形的中心点与上述第一初始掩膜版的套刻标记的中心点的偏移距离；以及步骤S4，判断上述偏移距离是否为0，若为0，则焦点未出现偏移；若不为0，则焦点出现偏移。

上述的判断方法，采用上述的掩膜版将套刻标记的图形在上述第一光刻胶上形成第一光刻图形，当焦点的位置发生偏移时，光刻胶上的图形出现异常，图形中的某几个矩形出现桥接现象，在光刻机台测量时，忽略桥接的矩形，直接测试第一光刻图形中正常图形成的图形的中心点，此中心点与第一初始掩膜版的套刻标记的中心点不重合，通过检测得到二者的距离不等于0，即偏移距离不等于0，由此则可实时地、灵敏地判断出焦点出现了偏移。

为了对出现焦点偏移的晶片进行合适的处理，即应该对出现焦点偏移的晶片进行返工还是执行下一步工艺，优选上述步骤S3包括：根据距离与焦点偏移值的对应关系确定上述偏移距离对应的焦点偏移值。

本申请一种优选的实施方式中，优选上述判断方法还包括建立上述对应关系的过程，上述过程包括：步骤A，获取曝光系统的焦点位置；步骤B，在具有第二初始光刻图形的第二晶片上设置第二光刻胶；步骤C，将上述第二光刻胶的第一曝光区设置在上述曝光系统的第一焦点偏移值的位置处；步骤D，将上述的掩膜版的上述套刻标记转移至上述第二光刻胶上，上述套刻标记的图形在上述第二光刻胶上形成第二光刻图形；步骤E，计算上述第二光刻图形的中心点与上述第二初始掩膜版的套刻标记的中心点的距离，得到一个对应上述第一焦点偏移值的距离；以及步骤F，重复上述步骤B至上述步骤E，获取不同焦点偏移值对应的距离，建立上述距离与上述焦点偏移值的对应关系。采用该过程可以较快捷地建立上述对应关系，并且该过程的应用较成熟，建立的对应关系较准确，使得后续对出现焦点偏移的晶片的处理更加合适准确。

本申请的又一种优选的实施方式中，上述曝光系统的焦点采用曝光聚焦点矩阵法获取。曝光聚焦点矩阵法是现有技术中较成熟的方法，采用该方法可以高效、准确地获取焦点的位置。

为了使本领域技术人员更加清楚地理解本申请的技术方案，以下将结合一种优选的判断方法实施例与附图进行详细说明。

此焦点偏移的判断方法采用的掩膜版包括多个套刻标记，套刻标记包括四个图形，分别为第一图形Q1、第二图形Q2、第三图形Q3与第四图形Q4，四个图形分别在一个矩形的四条边上，四个图形互不连接，如图5所示。四个图形具有相同的结构，每个图形都包括五个相互平行的矩形，如图6所示，分别为第一矩形R1、第二矩形R2、第三矩形R3、第四矩形R4与第五矩形R5，上述第一矩形R1、上述第二矩形R2、上述第三矩形R3、上述第四矩形R4与上述第五矩形R5的宽分别为W1＝0.14μm、W2＝0.16μm、W3＝0.18μm、W4＝0.20μm与W5＝0.22μm，上述第一矩形R1与上述第二矩形R2的间距为P1＝0.14μm，上述第二矩形R2与上述第三矩形R3的间距为P2＝0.16μm，上述第三矩形与上述第四矩形的间距为P3＝0.18μm、上述第四矩形与上述第五矩形的间距为P4＝0.20μm，图形的宽度为1.58μm。

采用上述的掩膜版判断焦点偏移的方法具体如下。

首先，在具有第一初始光刻图形的第一晶片上设置光刻胶，采用曝光系统对晶片上的光刻胶进行曝光并进行RIE干法刻蚀，在晶片的光刻胶上形成第一光刻图形。

然后，光刻机台对晶片上的第一光刻图形的中心点与第一初始掩膜版的套刻标记的中心点的距离进行检测，得出偏移距离为0.28μm，由此可知，焦点出现偏移。

最后，为了对出现焦点偏移的晶片进行合理地处理，需要根据表1所示的偏移距离与焦点偏移值的对应关系得出偏移距离对应的焦点偏移值为0.05μm。本领域技术人员可以根据实际工艺制程对该出现焦点偏移的晶片进行返工或者下一步工艺。

表1

差值(μm)	焦点偏移值(μm)
		0.28	0.05
0.60	0.10
		0.96	0.20

根据上述的确定焦点偏移的判断的方法，掩膜版的套刻标记中包括四个图形，这样可以灵活地、全面地监测到焦点是否出现了偏移，每个图形中包括五个宽度不等的、间距不等的矩形，当焦点出现不同程度的偏移，光刻胶形成的第一图形的中心点的位置不同，即光刻胶形成的第一光刻图形的中心点与第一初初始掩膜版的套刻标记的中心点的偏移距离不同，根据偏移距离是否为0，即可判断出焦点是否出现了位置偏移，进而可以灵敏地、精确地监测出焦点的偏移。另外该方法还可以由偏移距离与焦点偏移值的对应关系确定偏移距离对应的焦点偏移值，进而可以根据晶片的焦点偏移值灵活地决定是进行下一步工艺还是返工。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)、本申请中的掩膜版的图形中的矩形的宽度不相等，当将掩膜版的套刻标记转移到光刻胶上时，若焦点出现较小的偏移，光刻胶上的宽度较小的矩形出现桥接现象，形成在光刻胶上的两个图形的中心点就会偏离初始掩膜版的套刻标记的中心点，从而可以判断焦点出现偏移；而且光刻胶上出现桥接的矩形的数目增加，测量得到中心点的偏移程度增加，焦点偏移的程度增加，所以利用本申请的掩膜版可以灵敏地、实时地判断焦点是否出现了偏移。

2)、本申请中的焦点偏移的判断方法，采用上述的掩膜版将套刻标记的图形在上述第一光刻胶上形成第一光刻图形，当焦点的位置发生偏移时，光刻胶上的图形出现异常，图形中的某几个矩形出现桥接现象，在光刻机台测量时，忽略桥接的矩形，直接测试第一光刻图形中正常图形成的图形的中心点，此中心点与第一初始掩膜版的套刻标记的中心点不重合，通过检测得到二者的距离不等于0，即偏移距离不等于0，由此则可实时地、灵敏地判断出焦点出现了偏移。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种掩膜版，包括套刻标记，所述套刻标记具有至少两个图形，且各所述图形平行或垂直，其特征在于，各所述图形具有至少三个相互平行的矩形，各所述矩形的宽度不相等，相邻两个所述矩形之间具有间距。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述图形的各矩形的宽度沿远离所述套刻标记的中心点的方向递增。

3.根据权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述间距等于所述相邻矩形中宽度较小的宽度值。

4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，当上述套刻标记具有两个所述图形时，所述两个图形平行设置。

5.根据权利要求1或2所述的掩膜版，其特征在于，所述图形为四个，分别为第一图形、第二图形、第三图形与第四图形，所述第一图形与所述第三图形平行，所述第二图形与所述第四图形平行，所述第一图形与所述第二图形垂直，所述第一图形与所述第三图形之间具有第一距离，所述第二图形与所述第四图形之间具有第二距离，所述第一距离等于所述第二距离。

6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述图形具有五个相互平行的矩形，分别为第一矩形、第二矩形、第三矩形、第四矩形与第五矩形，所述第一矩形、所述第二矩形、所述第三矩形、所述第四矩形与所述第五矩形的宽分别为W1、W2、W3、W4与W5，所述第一矩形与所述第二矩形的间距为P1，所述第二矩形与所述第三矩形的间距为P2，所述第三矩形与所述第四矩形的间距为P3、所述第四矩形与所述第五矩形的间距为P4，所述P1等于所述W1，所述P2等于所述W2，所述P3等于所述W3，所述P4等于所述W4。

7.一种焦点偏移的判断方法，其特征在于，所述判断方法包括：

步骤S1，在具有第一初始光刻图形的第一晶片上设置第一光刻胶；

步骤S2，将权利要求1至6中任一项所述的掩膜版的所述套刻标记转移至所述第一光刻胶上，所述套刻标记的图形在所述第一光刻胶上形成第一光刻图形；

步骤S3，检测所述第一光刻图形的中心点与所述第一初始掩膜版的套刻标记的中心点的偏移距离；以及

步骤S4，判断所述偏移距离是否为0，若为0，则焦点未出现偏移；若不为0，则焦点出现偏移。

8.根据权利要求7所述的判断方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：

根据偏移距离与焦点偏移值的对应关系确定所述偏移距离对应的焦点偏移值。

9.根据权利要求8所述的判断方法，其特征在于，所述判断方法还包括建立所述对应关系的过程，所述过程包括：

步骤A，获取曝光系统的焦点位置；

步骤B，在具有第二初始光刻图形第二晶片上设置第二光刻胶；

步骤C，将所述第二光刻胶的第一曝光区设置在所述曝光系统的第一焦点偏移值的位置处；

步骤D，将权利要求1至6中任一项所述的掩膜版的所述套刻标记转移至所述第二光刻胶上，所述套刻标记的图形在所述第二光刻胶上形成第二光刻图形；

步骤E，计算所述第二光刻图形的中心点与所述第二初始掩膜版的套刻标记的中心点的距离，得到一个对应所述第一焦点偏移值的距离；以及

步骤F，重复所述步骤B至所述步骤E，获取不同焦点偏移值对应的距离，建立所述距离与所述焦点偏移值的对应关系。

10.根据权利要求9所述的判断方法，其特征在于，所述曝光系统的焦点采用曝光聚焦点矩阵法获取。