CN112103128A - 真空灭弧室筒体、真空灭弧室屏蔽罩及真空灭弧室 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种真空灭弧室筒体、真空灭弧室屏蔽罩及真空灭弧室。真空灭弧室屏蔽罩，为单体零件，包括：主罩体，为筒状结构，以主罩体的轴向为上下方向，主罩体的上下端分别设有上翻边和下翻边；上翻边，从所述主罩体的上端开始向主罩体的径向外侧翻折，上翻边与主罩体形成横截面为开口朝下的U形结构；下翻边，从所述主罩体的下端开始向主罩体的径向外侧翻折，下翻边与主罩体形成横截面为开口朝上的U形结构；法兰边，从上翻边和下翻边中的其中一个的端部开始向远离主罩体的一侧延伸，法兰边垂直于主罩体的轴线设置，用于封接在上瓷壳和下瓷壳之间。

Description

真空灭弧室筒体、真空灭弧室屏蔽罩及真空灭弧室

技术领域

本发明涉及一种真空灭弧室筒体、真空灭弧室屏蔽罩及真空灭弧室。

背景技术

高电压等级的陶瓷真空灭弧室，其筒体一般包括两个瓷壳，以满足高电压等级下的绝缘要求。相邻两个瓷壳之间封接有屏蔽罩，屏蔽罩不仅能够屏蔽三交面（即瓷壳与金属、真空的交汇处）的二次电子，防止瓷壳沿面击穿，而且也起到均匀电场的作用。其中，由于耐压的要求，屏蔽罩上设有翻边。

如图1所示，真空灭弧室的筒体包括上瓷壳1和下瓷壳2，筒体内设有屏蔽罩，屏蔽罩包括主罩体3，主罩体3的上端设有上翻边4，主罩体3的下端设有法兰边5，法兰边5封接在上瓷壳1和下瓷壳2之间，上述的屏蔽罩只能实现单向屏蔽，即只能屏蔽上瓷壳1与法兰边5、真空三交面的二次电子，而不能屏蔽下瓷壳2与法兰边5、真空三交面的二次电子。

为了解决上述问题，如图2所示，真空灭弧室的筒体包括上瓷壳11和下瓷壳12，筒体内设有屏蔽罩，屏蔽罩包括主罩体13，主罩体13的上端设有上翻边14，主罩体13的下端设有下翻边15，主罩体13的外侧于凸起的下方焊接有封接环16，封接环16封接在上瓷壳1和下瓷壳2之间，该屏蔽罩通过上翻边14和下翻边15实现双向屏蔽。

在焊接时，上述屏蔽罩、封接环、上瓷壳和下瓷壳先是预装配到一起，然后再放入真空炉中进行高温钎焊，在将上述零件放入真空炉之前，需要在屏蔽罩和封接环之间设置焊料圈，焊料圈在高温下融化，以使屏蔽环和封接环焊接在一起。但上述的筒体零件较多，不仅不利于装配，而且焊接时需要使用较多的焊料，增加了成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种真空灭弧室筒体，以解决现有技术中实现双向屏蔽的筒体零件较多，而导致装配不方便且焊接时成本较高的技术问题；本发明的目的还在于提供一种真空灭弧室屏蔽罩，以解决现有技术中实现双向屏蔽的筒体零件较多，而导致装配不方便且焊接时成本较高的技术问题；本发明的目的在于提供一种真空灭弧室，以解决现有技术中实现双向屏蔽的筒体零件较多，而导致装配不方便且焊接时成本较高的技术问题；。

为实现上述目的，本发明真空灭弧室屏蔽罩的技术方案是：

真空灭弧室屏蔽罩，为单体零件，包括：

主罩体，为筒状结构，以主罩体的轴向为上下方向，主罩体的上下端分别设有上翻边和下翻边；

上翻边，从所述主罩体的上端开始向主罩体的径向外侧翻折，上翻边与主罩体形成横截面为开口朝下的U形结构；

下翻边，从所述主罩体的下端开始向主罩体的径向外侧翻折，下翻边与主罩体形成横截面为开口朝上的U形结构；

法兰边，从上翻边和下翻边中的其中一个的端部开始向远离主罩体的一侧延伸，法兰边垂直于主罩体的轴线设置，用于封接在上瓷壳和下瓷壳之间。

有益效果是：真空灭弧室屏蔽罩通过其上的法兰边封接在上瓷壳和下瓷壳之间，满足法兰边与两个瓷壳的气密性封接；另外，真空灭弧室屏蔽罩上的上翻边和下翻边不仅满足对法兰边与两个瓷壳封接处三交面的二次电子的屏蔽，而且在两个瓷壳的腔体内还起到了均压的作用。另外，由于上述的真空灭弧室屏蔽罩为单体零件，因此，真空灭弧室屏蔽罩的装配方式较为简便，提高了装配效率；而且只需在真空灭弧室屏蔽罩的法兰边处进行焊接即可，减少了焊接位置，节省了焊料，降低了成本，同时还增加了真空灭弧室屏蔽罩固定后的可靠性。

进一步的，连接有所述法兰边的上翻边或下翻边包括弧形段和直段，弧形段连接在主罩体与直段之间，所述法兰边与直段连接。

有益效果是：这样设计，使法兰边能够处于真空灭弧室屏蔽罩的轴向中间位置，更加有利于真空灭弧室屏蔽罩对三交面的屏蔽。

进一步的，所述直段沿上下方向延伸。

进一步的，所述法兰边与直段圆弧过渡连接。

有益效果是：避免法兰边产生应力，保证了法兰边与两个瓷壳的封接性能，进而保证法兰边与两个瓷壳之间的密封性。

进一步的，所述弧形段为半圆形。

进一步的，所述主罩体由不锈钢板或无氧铜板制成。

有益效果是：屏蔽效果和封接性能较好，且成本较低。

进一步的，所述真空灭弧室屏蔽罩通过引伸或旋压的方式制成。

有益效果是：成型工艺较为简单，便于真空灭弧室屏蔽罩的加工成型。

进一步的，所述真空灭弧室屏蔽罩的厚度为1mm-1.5mm。

有益效果是：保证屏蔽效果的情况下，使真空灭弧室屏蔽罩具有一定的强度。

为实现上述目的，本发明真空灭弧室筒体的技术方案是：

真空灭弧室筒体，包括上瓷壳和下瓷壳，上瓷壳和下瓷壳围成的腔体内设有真空灭弧室屏蔽罩，所述真空灭弧室屏蔽罩为单体零件，包括：

主罩体，为筒状结构，以主罩体的轴向为上下方向，主罩体的上下端分别设有上翻边和下翻边；

上翻边，从所述主罩体的上端开始向主罩体的径向外侧翻折，上翻边与主罩体形成横截面为开口朝下的U形结构；

下翻边，从所述主罩体的下端开始向主罩体的径向外侧翻折，下翻边与主罩体形成横截面为开口朝上的U形结构；

法兰边，从上翻边和下翻边中的其中一个的端部开始向远离主罩体的一侧延伸，法兰边垂直于主罩体的轴线设置，用于封接在上瓷壳和下瓷壳之间。

有益效果是：真空灭弧室屏蔽罩通过其上的法兰边封接在上瓷壳和下瓷壳之间，满足法兰边与两个瓷壳的气密性封接；另外，真空灭弧室屏蔽罩上的上翻边和下翻边不仅满足对法兰边与两个瓷壳封接处三交面的二次电子的屏蔽，而且在两个瓷壳的腔体内还起到了均压的作用。另外，由于上述的真空灭弧室屏蔽罩为单体零件，因此，真空灭弧室屏蔽罩的装配方式较为简便，提高了装配效率；而且只需在真空灭弧室屏蔽罩的法兰边处进行焊接即可，减少了焊接位置，节省了焊料，降低了成本，同时还增加了真空灭弧室屏蔽罩固定后的可靠性。

进一步的，连接有所述法兰边的上翻边或下翻边包括弧形段和直段，弧形段连接在主罩体与直段之间，所述法兰边与直段连接。

有益效果是：这样设计，使法兰边能够处于真空灭弧室屏蔽罩的轴向中间位置，更加有利于真空灭弧室屏蔽罩对三交面的屏蔽。

进一步的，所述直段沿上下方向延伸。

进一步的，所述法兰边与直段圆弧过渡连接。

有益效果是：避免法兰边产生应力，保证了法兰边与两个瓷壳的封接性能，进而保证法兰边与两个瓷壳之间的密封性。

进一步的，所述弧形段为半圆形。

进一步的，所述主罩体由不锈钢板或无氧铜板制成。

有益效果是：屏蔽效果和封接性能较好，且成本较低。

进一步的，所述真空灭弧室屏蔽罩通过引伸或旋压的方式制成。

有益效果是：成型工艺较为简单，便于真空灭弧室屏蔽罩的加工成型。

进一步的，所述真空灭弧室屏蔽罩的厚度为1mm-1.5mm。

有益效果是：保证屏蔽效果的情况下，使真空灭弧室屏蔽罩具有一定的强度。

为实现上述目的，本发明真空灭弧室的技术方案是：

真空灭弧室，包括真空灭弧室筒体，真空灭弧室筒体内设有动触头和静触头，所述真空灭弧室筒体包括上瓷壳和下瓷壳，上瓷壳和下瓷壳围成的腔体内设有真空灭弧室屏蔽罩，所述真空灭弧室屏蔽罩为单体零件，包括：

主罩体，为筒状结构，以主罩体的轴向为上下方向，主罩体的上下端分别设有上翻边和下翻边；

上翻边，从所述主罩体的上端开始向主罩体的径向外侧翻折，上翻边与主罩体形成横截面为开口朝下的U形结构；

下翻边，从所述主罩体的下端开始向主罩体的径向外侧翻折，下翻边与主罩体形成横截面为开口朝上的U形结构；

法兰边，从上翻边和下翻边中的其中一个的端部开始向远离主罩体的一侧延伸，法兰边垂直于主罩体的轴线设置，用于封接在上瓷壳和下瓷壳之间。

有益效果是：真空灭弧室屏蔽罩通过其上的法兰边封接在上瓷壳和下瓷壳之间，满足法兰边与两个瓷壳的气密性封接；另外，真空灭弧室屏蔽罩上的上翻边和下翻边不仅满足对法兰边与两个瓷壳封接处三交面的二次电子的屏蔽，而且在两个瓷壳的腔体内还起到了均压的作用。另外，由于上述的真空灭弧室屏蔽罩为单体零件，因此，真空灭弧室屏蔽罩的装配方式较为简便，提高了装配效率；而且只需在真空灭弧室屏蔽罩的法兰边处进行焊接即可，减少了焊接位置，节省了焊料，降低了成本，同时还增加了真空灭弧室屏蔽罩固定后的可靠性。

进一步的，连接有所述法兰边的上翻边或下翻边包括弧形段和直段，弧形段连接在主罩体与直段之间，所述法兰边与直段连接。

有益效果是：这样设计，使法兰边能够处于真空灭弧室屏蔽罩的轴向中间位置，更加有利于真空灭弧室屏蔽罩对三交面的屏蔽。

进一步的，所述直段沿上下方向延伸。

进一步的，所述法兰边与直段圆弧过渡连接。

有益效果是：避免法兰边产生应力，保证了法兰边与两个瓷壳的封接性能，进而保证法兰边与两个瓷壳之间的密封性。

进一步的，所述弧形段为半圆形。

进一步的，所述主罩体由不锈钢板或无氧铜板制成。

有益效果是：屏蔽效果和封接性能较好，且成本较低。

进一步的，所述真空灭弧室屏蔽罩通过引伸或旋压的方式制成。

有益效果是：成型工艺较为简单，便于真空灭弧室屏蔽罩的加工成型。

进一步的，所述真空灭弧室屏蔽罩的厚度为1mm-1.5mm。

有益效果是：保证屏蔽效果的情况下，使真空灭弧室屏蔽罩具有一定的强度。

附图说明

图1为现有技术中的一种真空灭弧室筒体的结构示意图；

图2为现有技术中的另一种真空灭弧室筒体的结构示意图；

图3为本发明的真空灭弧室筒体的实施例1的结构示意图；

图4为图3中屏蔽罩的结构示意图；

图1中：1-上瓷壳；2-下瓷壳；3-主罩体；4-上翻边；5-法兰边；

图2中：11-上瓷壳；12-下瓷壳；13-主罩体；14-上翻边；15-下翻边；16-封接环；

图3和图4中：21-上瓷壳；22-下瓷壳；23-主罩体；24-上翻边；241-弧形段；242-直段；25-下翻边；26-法兰边。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。此外，术语“上”、“下”是基于附图所示的方位和位置关系，仅是为了便于描述本发明，而不是指示所指的装置或部件必须具有特定的方位，因此不能理解为对本发明的限制。

以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。

本发明真空灭弧室筒体的具体实施例1：

如图3所示，真空灭弧室筒体包括上瓷壳21和下瓷壳22，上瓷壳21处于下瓷壳22的上方，上瓷壳21和下瓷壳22均为筒状结构，两个瓷壳的尺寸相同并在上下方向上相互连通；在上瓷壳21和下瓷壳22形成的腔体内设有真空灭弧室屏蔽罩。

如图4所示，真空灭弧室屏蔽罩包括主罩体23，主罩体23为筒状结构，主罩体23的轴线沿上下方向延伸；本实施例中，主罩体23的上端设有上翻边24，上翻边24从主罩体23的上端开始向主罩体23的径向外侧翻折，上翻边24的端部朝下设置，以使上翻边24与主罩体23形成横截面为开口朝下的U形结构。

本实施例中，主罩体23的下端设有下翻边25，下翻边25从主罩体23的下端向主罩体23的径向外侧翻折，下翻边25的端部朝上设置，以使下翻边25与主罩体23形成开口朝上的U型结构。应当说明的是，下翻边25的横截面为半圆形。

如图4所示，上翻边24包括弧形段241和直段242，弧形段241连接主罩体23和直段242，直段242沿上下方向延伸，即直段242平行于主罩体23的轴线。其中，弧形段241为半圆形。

本实施例中，直段242远离弧形段241的一端端部向远离主罩体23的一侧延伸有法兰边26，即直段242的下端端部向远离主罩体23的一侧延伸有法兰边26，法兰边26垂直于主罩体23的轴线设置，并封接在上瓷壳21和下瓷壳22之间。

其中，法兰边26与直段242圆弧过渡连接，避免法兰边26产生应力，保证了法兰边26与两个瓷壳的封接性能，进而保证法兰边26与两个瓷壳之间的密封性。

本实施例中，真空灭弧室屏蔽罩由无氧铜板通过旋压的方法制成，真空灭弧室屏蔽罩在加工完成后，需要用酸洗或电抛光的方法对其进行表面处理，以保证表面的平滑和整洁。在其他实施例中，真空灭弧室屏蔽罩可以由不锈钢板制成。在其他实施例中，真空灭弧室屏蔽罩由无氧铜板通过引伸的方法制成。

本实施例中，无氧铜板的厚度为1mm~1.5mm，在其他实施例中，根据加工要求，真空灭弧室屏蔽罩可选用其他厚度的无氧铜板制成。

本实施例中的真空灭弧室筒体特别适用于高电压等级的真空灭弧室，即适用于具有两个瓷壳的真空灭弧室。

在具体装配焊接时，如图4所示，先在下瓷壳22的上端端面上放置第一焊料环，再将真空灭弧室屏蔽罩的法兰边26放置在第一焊料环上，以使真空灭弧室屏蔽罩支撑在下瓷壳22上；之后再在法兰边26上放置第二焊料环，并使第二焊料环与第一焊料环对应，然后再将上瓷壳21的下端端面放置在第二焊料环上，并使上瓷壳21的下端端面与下瓷壳22的上端端面对齐；最后将装配完成的真空灭弧室筒体放入真空炉中进行钎焊，通过真空炉中的高温熔融焊料环，以使法兰边26封接在上瓷壳21和下瓷壳22之间，进而将真空灭弧室屏蔽罩焊接固定在上瓷壳21和下瓷壳22的腔体内。

本实施例中的真空灭弧室屏蔽罩通过其上的法兰边26封接在上瓷壳21和下瓷壳22之间，满足法兰边26与两个瓷壳的气密性封接；另外，真空灭弧室屏蔽罩上的上翻边24和下翻边25不仅满足对法兰边26与两个瓷壳封接处三交面的二次电子的屏蔽，而且在两个瓷壳的腔体内还起到了均压的作用。

由于上述的真空灭弧室屏蔽罩为单体零件，因此，真空灭弧室屏蔽罩的装配方式较为简便，提高了装配效率；而且只需在真空灭弧室屏蔽罩的法兰边处进行焊接即可，减少了焊接位置，节省了焊料，降低了成本，同时还增加了真空灭弧室屏蔽罩固定后的可靠性。

本发明真空灭弧室筒体的具体实施例2：

实施例1中，上翻边24包括弧形段241和直段242，直段242的下端向远离主罩体23的一侧延伸有法兰边26，法兰边26与上瓷壳21和下瓷壳22气密性封接，本实施例中，上翻边仅包括弧形段，弧形段的端部向远离主罩体的一侧延伸有法兰边，法兰边与上瓷壳和下瓷壳气密性封接。

本发明真空灭弧室筒体的具体实施例3：

实施例1中，上翻边24包括弧形段241和直段242，直段242的下端向远离主罩体23的一侧弯折有法兰边26，法兰边26与上瓷壳21和下瓷壳22气密性封接，本实施例中，上翻边仅包括弧形段，下翻边包括弧形段和直段，弧形段连接直段和主罩体，直段的上端向远离主罩体的一侧弯折有法兰边，法兰边与上瓷壳和下瓷壳气密性封接。

本发明真空灭弧室筒体的具体实施例4：

实施例1中，直段242沿上下方向延伸，直段242的下端与法兰边26圆弧过渡连接，本实施例中，直段自上而下、沿主罩体径向由内向外倾斜延伸，直段的下端与法兰边圆弧过渡连接。

本发明真空灭弧室屏蔽罩的具体实施例，本实施例中的真空灭弧室屏蔽罩与上述真空灭弧室筒体的具体实施例1至4中任一个所述的真空灭弧室屏蔽罩的结构相同，在此不再赘述。

本发明真空灭弧室的具体实施例，本实施例中真空灭弧室包括真空灭弧室筒体，真空灭弧室筒体内设有动触头和静触头，该真空灭弧室筒体与上述真空灭弧室筒体的具体实施例1至4中任一个所述的真空灭弧室筒体的结构相同，在此不再赘述。本实施例中的动触头和静触头与授权公告号为CN205122472U中的动触头和静触头的分合方式相同，在此不再赘述。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，本发明的专利保护范围以权利要求书为准，凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，为单体零件，包括：

主罩体，为筒状结构，以主罩体的轴向为上下方向，主罩体的上下端分别设有上翻边和下翻边；

上翻边，从所述主罩体的上端开始向主罩体的径向外侧翻折，上翻边与主罩体形成横截面为开口朝下的U形结构；

下翻边，从所述主罩体的下端开始向主罩体的径向外侧翻折，下翻边与主罩体形成横截面为开口朝上的U形结构；

法兰边，从上翻边和下翻边中的其中一个的端部开始向远离主罩体的一侧延伸，法兰边垂直于主罩体的轴线设置，用于封接在上瓷壳和下瓷壳之间。

2.根据权利要求1所述的真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，连接有所述法兰边的上翻边或下翻边包括弧形段和直段，弧形段连接在主罩体与直段之间，所述法兰边与直段连接。

3.根据权利要求2所述的真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述直段沿上下方向延伸。

4.根据权利要求2或3所述的真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述法兰边与直段圆弧过渡连接。

5.根据权利要求2或3所述的真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述弧形段为半圆形。

6.根据权利要求1或2或3所述的真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述主罩体由不锈钢板或无氧铜板制成。

7.根据权利要求1或2或3所述的真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述真空灭弧室屏蔽罩通过引伸或旋压的方式制成。

8.根据权利要求1或2或3所述的真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述真空灭弧室屏蔽罩的厚度为1mm-1.5mm。

9.真空灭弧室筒体，包括上瓷壳和下瓷壳，上瓷壳和下瓷壳围成的腔体内设有真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述真空灭弧室屏蔽罩为权利要求1-8中任一项所述的真空灭弧室屏蔽罩。

10.真空灭弧室，包括真空灭弧室筒体，真空灭弧室筒体内设有动触头和静触头，所述真空灭弧室筒体包括上瓷壳和下瓷壳，上瓷壳和下瓷壳围成的腔体内设有真空灭弧室屏蔽罩，其特征在于，所述真空灭弧室屏蔽罩为权利要求1-8中任一项所述的真空灭弧室屏蔽罩。

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