CN114334531A - 一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构及装配方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及真空灭弧室技术领域,公开一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构及装配方法。其中,真空灭弧室包括瓷壳和屏蔽筒,瓷壳的内壁中部设有环形凸台,屏蔽筒套接在瓷壳的内侧,屏蔽筒的外壁与环形凸台的端面抵接,以使屏蔽筒与瓷壳同轴连接。屏蔽筒外壁上设有第一限位凸起和第二限位凸起,第一限位凸起与环形凸台的第一侧面卡接,第二限位凸起与环形凸台的第二侧面卡接。采用卡接而非焊接结构,避免了钎焊时蒸散的液态钎料影响到真空灭弧室的绝缘性,同时不需要在瓷壳内设置金属化层,简化了加工工艺。
Description
技术领域
本发明涉及真空灭弧室技术领域,尤其涉及一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构及装配方法。
背景技术
真空断路器作为环保、绿色的电力产品,在电网中得到越来越广泛的应用,真空灭弧室作为真空断路器的核心元件,真空灭弧室的不断进步,促进了真空断路器的发展。真空灭弧室,又名真空开关管,是中真空断路器的核心部件,其主要作用是,通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流,避免事故和意外的发生,真空灭弧室中所用的屏蔽筒是真空灭弧室不可缺少的配套部件,屏蔽筒的作用是是屏蔽真空灭弧室的电极,防止电极开断时产生的金属蒸汽或金属液滴落在瓷壳上,从而降低瓷壳的绝缘性。
现有技术中,屏蔽筒的固定方式主要分为旋压式、焊接式两种。旋压式屏蔽筒的一端为旋压端,屏蔽筒两端口无法实现完全对称,故灭弧室管内动静端电场分布不均匀,直接影响灭弧室绝缘。在灭弧室绝缘检测时,造成灭弧室瓷壳击穿,致使灭弧室失效。
焊接式屏蔽筒通过钎焊材料和屏蔽筒直接焊接,相对应地,与屏蔽筒焊接的瓷壳内台需增加焊接用的金属化层,如此设置对瓷壳内台尺寸精度要求高,制造成本高。
发明内容
基于以上所述,本发明的目的在于提供一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构及装配方法,以解决上述现有技术中存在的问题。
为达上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,真空灭弧室包括瓷壳和屏蔽筒,瓷壳的内壁中部设有环形凸台,屏蔽筒的外壁与环形凸台的端面抵接,以使屏蔽筒与瓷壳同轴连接;
屏蔽筒外壁上设有第一限位凸起和第二限位凸起;
屏蔽筒套接在瓷壳的内侧,第一限位凸起与环形凸台的第一侧面卡接,第二限位凸起与环形凸台的第二侧面卡接。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,第一限位凸起包括一个局部凸起,局部凸起与第一侧面卡接。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,第一限位凸起包括至少两个局部凸起,多个局部凸起均位于同一径向截面内,且沿屏蔽筒的周向等夹角均匀设置。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,局部凸起为半球形。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,第一限位凸起为环状凸起。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,第二限位凸起包括一个局部凸起,局部凸起与第二侧面卡接。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,第二限位凸起包括至少两个局部凸起,多个局部凸起均位于同一径向截面内,且沿屏蔽筒的周向等夹角均匀设置。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,第二限位凸起为环状凸起。
作为一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的可选方案,环形凸台的端面上设有定位结构,以使瓷壳和屏蔽筒的同轴度<φ0.5mm。
一种真空灭弧室屏蔽筒的装配方法,基于如以上任一技术方案所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,包括如下步骤:
S1、从屏蔽筒的内侧向外冲压筒壁,形成第一限位凸起;
S2、将屏蔽筒套入瓷壳内,使屏蔽筒的外壁与环形凸台的端面抵接,且第一限位凸起与环形凸台的第一侧面卡接;
S3、从屏蔽筒的内侧向外冲压筒壁,形成第二限位凸起,且第二限位凸起与环形凸台的第二侧面卡接。
本发明的有益效果为:
本发明提供一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构及装配方法,真空灭弧室包括瓷壳和屏蔽筒,瓷壳的内壁中部设有环形凸台,屏蔽筒套接在瓷壳的内侧,屏蔽筒的外壁与环形凸台的端面抵接,以使屏蔽筒与瓷壳同轴连接。屏蔽筒外壁上设有第一限位凸起和第二限位凸起,第一限位凸起与环形凸台的第一侧面卡接,第二限位凸起与环形凸台的第二侧面卡接。采用卡接而非焊接结构,避免了钎焊时蒸散的液态钎料影响到真空灭弧室的绝缘性,同时不需要在瓷壳内设置金属化层,简化了加工工艺。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
图1是本发明具体实施方式提供的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构的剖视图;
图2是本发明具体实施方式提供的瓷壳的剖视图;
图3是本发明具体实施方式提供的屏蔽筒的俯视图。
图中:
1、瓷壳;11、环形凸台;111、第一侧面;112、第二侧面;113、端面;
2、屏蔽筒;21、第一限位凸起;22、第二限位凸起。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本实施方式提供一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,真空灭弧室包括瓷壳1和屏蔽筒2,屏蔽筒2为金属件,用于屏蔽真空灭弧室的电极,防止电极打火时产生的金属蒸汽或金属液滴落在瓷壳1上,从而降低瓷壳1的绝缘性。
结合图1和图2,瓷壳1的内壁中部设有环形凸台11,屏蔽筒2的外壁与环形凸台11的端面113抵接,以使屏蔽筒2与瓷壳1同轴连接。优选地,环形凸台11的端面113上设有定位结构,以使瓷壳1和屏蔽筒2的同轴度<φ0.5mm。可选地,定位结构可以是凸起或凸棱。
屏蔽筒2外壁上设有第一限位凸起21和第二限位凸起22,屏蔽筒2套接在瓷壳1的内侧,第一限位凸起21与环形凸台11的第一侧面111卡接,第二限位凸起22与环形凸台11的第二侧面112卡接。采用卡接而非焊接结构,避免了钎焊时蒸散的液态钎料影响到真空灭弧室的绝缘性,同时不需要在瓷壳1内设置金属化层,简化了加工工艺。
具体地,第一限位凸起21包括一个局部凸起,局部凸起与第一侧面111卡接,限制屏蔽筒2沿瓷壳1的轴向一个方向的移动。可选地,第一限位凸起21包括至少两个半球形的局部凸起,多个局部凸起均位于同一径向截面内,且沿屏蔽筒2的周向等夹角均匀设置。示例性地指出,当第一限位凸起21包括两个半球形的局部凸起时,两个局部半球形的凸起均位于同一径向截面内,且沿屏蔽筒2的周向等夹角均匀设置,即间隔180°相对设置。当第一限位凸起21包括三个半球形的局部凸起时,三个局部半球形的凸起均位于同一径向截面内,且沿屏蔽筒2的周向等夹角均匀设置,即间隔120°均匀设置,如图3所示。当第一限位凸起21包括四个半球形的局部凸起时,四个局部半球形的凸起均位于同一径向截面内,且沿屏蔽筒2的周向等夹角均匀设置,即间隔90°均匀设置。
于其他实施例中,第一限位凸起21可设置根据加工工艺或实际需要设置为环状凸起,同样用于限制屏蔽筒2沿瓷壳1的轴向移动。
进一步具体地,在本实施例中,第二限位凸起22也包括一个局部凸起,局部凸起与第二侧面112卡接,限制屏蔽筒2沿瓷壳1的轴向另一个方向的移动。可选地,第二限位凸起22包括至少两个局部凸起,多个局部凸起均位于同一径向截面内,且沿屏蔽筒2的周向等夹角均匀设置。第二限位凸起22的布置方式与第一限位凸起21类似,在此不再赘述。
进一步可选地,第二限位凸起22也可设置根据加工工艺或实际需要设置为环状凸起。
本实施方式还提供一种真空灭弧室屏蔽筒的装配方法,基于以上任一技术方案所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,包括如下步骤:
S1、从屏蔽筒2的内侧向外冲压筒壁,形成第一限位凸起21;
S2、将屏蔽筒2套入瓷壳1内,使屏蔽筒2的外壁与环形凸台11的端面113抵接,且第一限位凸起21与环形凸台11的第一侧面111卡接;
S3、从屏蔽筒2的内侧向外冲压筒壁,形成第二限位凸起22,且第二限位凸起22与环形凸台11的第二侧面112卡接。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。其中,术语“第一位置”和“第二位置”为两个不同的位置。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
Claims (10)
1.一种真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,所述真空灭弧室包括瓷壳(1)和屏蔽筒(2),其特征在于,
所述瓷壳(1)的内壁中部设有环形凸台(11),所述屏蔽筒(2)的外壁与所述环形凸台(11)的端面(113)抵接,以使所述屏蔽筒(2)与所述瓷壳(1)同轴连接;
所述屏蔽筒(2)外壁上设有第一限位凸起(21)和第二限位凸起(22);
所述屏蔽筒(2)套接在所述瓷壳(1)的内侧,所述第一限位凸起(21)与所述环形凸台(11)的第一侧面(111)卡接,所述第二限位凸起(22)与所述环形凸台(11)的第二侧面(112)卡接。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述第一限位凸起(21)包括一个局部凸起,所述局部凸起与所述第一侧面(111)卡接。
3.根据权利要求2所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述第一限位凸起(21)包括至少两个局部凸起,多个所述局部凸起均位于同一径向截面内,且沿所述屏蔽筒(2)的周向等夹角均匀设置。
4.根据权利要求2所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述局部凸起为半球形。
5.根据权利要求1所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述第一限位凸起(21)为环状凸起。
6.根据权利要求1所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述第二限位凸起(22)包括一个局部凸起,所述局部凸起与所述第二侧面(112)卡接。
7.根据权利要求6所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述第二限位凸起(22)包括至少两个局部凸起,多个所述局部凸起均位于同一径向截面内,且沿所述屏蔽筒(2)的周向等夹角均匀设置。
8.根据权利要求1所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述第二限位凸起(22)为环状凸起。
9.根据权利要求1所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,其特征在于,所述环形凸台(11)的所述端面(113)上设有定位结构,以使所述瓷壳(1)和所述屏蔽筒(2)的同轴度<φ0.5mm。
10.一种真空灭弧室屏蔽筒的装配方法,其特征在于,基于如权利要求1-9任一项所述的真空灭弧室屏蔽筒的固定结构,包括如下步骤:
S1、从屏蔽筒(2)的内侧向外冲压筒壁,形成第一限位凸起(21);
S2、将所述屏蔽筒(2)套入所述瓷壳(1)内,使所述屏蔽筒(2)的外壁与所述环形凸台(11)的端面(113)抵接,且所述第一限位凸起(21)与所述环形凸台(11)的第一侧面(111)卡接;
S3、从所述屏蔽筒(2)的内侧向外冲压筒壁,形成所述第二限位凸起(22),且所述第二限位凸起(22)与所述环形凸台(11)的第二侧面(112)卡接。
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