CN112099317B - 一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质 - Google Patents

一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质,其中光刻设备的控制方法包括:位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度,使得导轨的振动较小,进而保证在曝光区进行曝光工序的运动台受到的扰动尽可能小,使两个运动台之间的串扰尽可能被消除,保证运动台的曝光精度。

Description

一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质
技术领域
本发明实施例涉及光刻技术领域,尤其涉及一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质。
背景技术
随着光刻技术的发展,大世代双运动台的光刻机得到越来越广泛的应用。
大世代的光刻机可用于尺寸较大的基板的曝光,但是基板尺寸较大造成运动台承载基板运动时惯性较大,运动台运动时也会带来光刻机设备的振动,使得两个运动台已发生串扰,影响曝光精度。
发明内容
本发明提供一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质,以实现降低光刻机两个运动台之间的串扰,提高曝光精度。
第一方面,本发明实施例提供了一种光刻设备的控制方法,光刻设备包括两运动台,运动台的工作区包括曝光区和非曝光区;光刻设备的控制方法包括:
位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
其中,第一预设速度等于0。
其中,位于曝光区的一运动台在曝光工序匀速运动,包括:
在曝光工序,控制运动台在同一曝光场内匀速运动;
在曝光工序,还包括:
控制运动台在不同曝光场之间加速或减速运动。
其中,光刻设备的控制方法还包括:
位于曝光区的一运动台在曝光工序中加速或减速运动时,控制另一运动台从非曝光区向曝光区运动以进行物料对准,且另一运动台从非曝光区向曝光区运动的速度大于第一预设速度。
其中,在曝光区进行的工序包括掩模对准工序和曝光工序,在非曝光区进行的工序包括运动台归位工序、交接物料工序、预对准工序、物料对准工序;
光刻设备的控制方法包括:
控制运动台在曝光区进行曝光工序之前,控制运动台运动至曝光区进行掩模对准工序。
其中,控制运动台运动至曝光区进行掩模对准工序包括:
控制一运动台进行掩模对准工序,控制另一运动台依次进行运动台归位工序、交接物料工序和预对准工序。
其中,控制运动台在曝光区进行曝光工序,包括:
控制一运动台进行曝光工序,控制另一运动台进行物料对准工序。
其中,一运动台在曝光区进行曝光工序的时间等于另一运动台在非曝光区进行物料对准工序的时间。
其中,控制一运动台进行曝光工序,控制另一运动台进行物料对准工序,包括:
一运动台的曝光工序和另一运动台的物料对准工序同时完成时,控制完成物料对准工序的运动台处于曝光区和非曝光区的交界处。
其中,在控制运动台运动至曝光区进行掩模对准工序之前,还包括初始化工序,初始化工序包括:
控制物料传输装置对两运动台进行上料;
控制上料预对准装置对两运动台进行预对准;
控制物料对准装置对两运动台进行物料对准;
控制两运动台之中的任一运动台运动至曝光区。
第二方面,本发明实施例还提供了一种光刻设备的控制装置,光刻设备包括两运动台,运动台的工作区包括曝光区和非曝光区;光刻设备的控制装置包括:
控制模块,控制模块用于位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
其中,第一预设速度等于0。
第三方面,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现第一方面提供的光刻设备的控制方法。
第四方面,本发明实施例还提供了一种光刻设备,包括第二方面提供的光刻设备的控制装置,还包括两运动台,运动台的工作区包括曝光区和非曝光区。
本发明实施例提供的光刻设备及其控制方法、装置和存储介质,通过在位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度,使得导轨的振动较小,进而保证在曝光区进行曝光工序的运动台受到的扰动尽可能小,使两个运动台之间的串扰尽可能被消除,保证运动台的曝光精度。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种光刻设备的控制方法的流程图;
图2是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图;
图3是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图;
图4是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图;
图5是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图;
图6是本发明实施例提供的一种光刻设备的控制方法中两个运动台进行各个工序的对应情况;
图7是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图;
图8是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图;
图9是本发明实施例提供的一种光刻设备的示意图;
图10是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法中两个运动台进行各个工序的对应情况;
图11是本发明实施例提供的一种控制装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
为提高光刻设备的整机产率,具备双运动台的光刻设备应用越来越广泛。然而对于大世代(例如6代,8.5代)双运动台光刻机,运动台的尺寸较大,且两个运动台在同一导轨上运动。而现有对双运动台光刻机的控制方法中,通常一个运动台在曝光区进行曝光时,另一运动台在非曝光区高速进行基板对准,给正在进行曝光的运动台带来很大扰动,最终影响曝光精度。
图1为本发明实施例提供的一种光刻设备的控制方法的流程图,本实施例可适用于对具备双运动台的光刻设备进行控制的情况,该方法可以由光刻设备的控制装置来执行,光刻设备的控制装置可以通过软件和/或硬件来实现,光刻设备包括两运动台,运动台的工作区包括曝光区和非曝光区;光刻设备的控制方法包括:
步骤110、位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
具体的,光刻设备的运动台可用于承载物料在曝光区和非曝光区运动,以辅助进行对物料的曝光。曝光工序的精度要求很高,尤其是运动台在曝光工序中匀速运动进行曝光时,对精度要求极高。因此,当一运动台位于曝光区,并在曝光工序中匀速运动时,光刻设备中承载运动台的导轨最好不发生振动,以保证进行曝光工序的运动台的曝光精度。
一运动台在曝光区匀速运动的第一速度可以不只表示某一固定速度,因对不同物料进行曝光时的曝光要求可能不同,或者对相同物料不同位置的曝光要求也可能不同,使得匀速运动的速度也可能不同,因此本发明实施例中第一速度的大小可以不限定为一个具体的速度大小,可以泛指多个速度值。为了尽可能减小两个运动台之间的串扰,提高曝光精度,本发明实施例的方案中,在位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,并且第一预设速度小于第一速度,所以在非曝光区运动台运动的速度小于在曝光区进行曝光工序中匀速运动的运动台的速度,例如在曝光区进行曝光工序中匀速运动的运动台的速度为10mm/s时,则第一预设速度小于10mm/s,进而使得在非曝光区的运动台不致使导轨发生较大振动,进而不会对正在进行曝光工序的运动台产生扰动,保证曝光精度。
其中,第一预设速度为一预设值,其具体大小可以根据对光刻设备的多次试验测试得到。并且,不同的导轨长度,不同尺寸的运动台,第一预设速度可以不同。因此,在确定第一预设速度大小时,可以在固定导轨尺寸,固定尺寸的运动台以及固定尺寸的物料等条件下多次试验,每次试验使一运动台在曝光区以固定速度v1匀速运动进行曝光工序,另一运动台则在非曝光区以某一速度v2进行运动,若经过一次试验后在曝光区进行曝光工序的运动台上的物料不能满足曝光精度,则在v1速度不变的条件下,改变v2值,直到在曝光区的运动台进行曝光后的物料可以满足精度要求,则将在曝光区进行曝光后可以满足精度要求时,对应的在非曝光区运动的运动台的运动速度v2的大小确定为第一预设速度。在曝光区运动台匀速运动速度v1值改变后,可用同样的方法继续对另一运动台在非曝光区的运动速度进行测试,以确定在在曝光区运动的运动台以不同速度匀速运动时对应的第一预设速度,进而保证非曝光区运动的运动台不会到影响到在曝光区进行曝光工序的运动台的曝光精度。本发明实施例,在位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,另一运动在非曝光区的运动速度小于或等于第一预设速度,可以使得导轨的振动较小,进而保证在曝光区进行曝光工序的运动台受到的扰动尽可能小,使两个运动台之间的串扰尽可能被消除,保证运动台的曝光精度。
本发明实施例提供的光刻设备的控制方法,通过在位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度,使得导轨的振动较小,进而保证在曝光区进行曝光工序的运动台受到的扰动尽可能小,使两个运动台之间的串扰尽可能被消除,保证运动台的曝光精度。
在上述方案的基础上,可选的,第一预设速度等于0。
具体的,第一预设速度等于0,即位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,控制另一运动台在非曝光区静止,可以使得在非曝光区的运动台不会造成光刻机设备以及导轨的振动,进而可以保证在曝光区进行曝光工序,匀速运动的运动台不会受到另一运动台的扰动,消除了因在非曝光区运动台的运动给在曝光区进行曝光的运动台所带来的扰动,保证了曝光精度。
图2是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图,参考图2,该光刻设备的控制方法包括:
步骤210、在曝光工序,控制运动台在同一曝光场内匀速运动;在曝光工序,控制运动台在不同曝光场之间加速或减速运动;位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
具体的,在对物料进行曝光时,需要分多个曝光场进行曝光,在同一曝光场内,运动台匀速运动,可以保证均匀对物料进行曝光。在切换曝光场,即在不同曝光场之间,运动台可以加速或减速运动。运动台在同一曝光场内匀速运动时的精度要求相对于运动台在不同曝光场之间加速或减速运动时的精度要求高。在位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,使得在曝光区的运动台在进行对精度要求较高的工序步骤时,在非曝光区的另一运动台尽量不造成振动,有利于减小两个运动台之间的扰动,提高曝光精度。
图3是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图,参考图3,该光刻设备的控制方法包括:
步骤310、在曝光工序,控制运动台在同一曝光场内匀速运动;在曝光工序,控制运动台在不同曝光场之间加速或减速运动;位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
步骤320、位于曝光区的一运动台在曝光工序中加速或减速运动时,控制另一运动台从非曝光区向曝光区运动以进行物料对准,且另一运动台从非曝光区向曝光区运动的速度大于第一预设速度。
如上述分析,运动台在不同曝光场之间运动时,对精度要求相对较低,故此时可以适当增加在非曝光区运动台的运动速度。因位于曝光区的运动台在曝光工序中匀速运动时,另一运动台在非曝光区的运动速度小于或者等于第一预设速度,为了保证在非曝光区的运动台不会对正在曝光的运动台造成扰动,在非曝光区的运动台的运动速度一般较小。通过在位于曝光区的一运动台在曝光工序中加速或减速运动时,控制另一运动台从非曝光区向曝光区运动的速度大于第一预设速度,可以使得在非曝光区的运动台物料对准的速度增加,进而可以使得一运动台在曝光区完成曝光工序时,在非曝光区的运动台也可尽可能完成物料对准,有利于提高光刻设备的产率。
在上述方案的基础上,可选的,在曝光区进行的工序包括掩模对准工序和曝光工序,在非曝光区进行的工序包括运动台归位工序、交接物料工序、预对准工序、物料对准工序;
图4是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图,参考图4,该光刻设备的控制方法包括:
步骤410、控制运动台运动至曝光区进行掩模对准工序;
具体的,运动台运动至曝光区后,首先进行掩模对准工序,即进行掩模板与物料的对准,进而保证物料上曝光图形位置的准确性。
步骤420、位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
图5是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图,参考图5,该光刻设备的控制方法包括:
步骤510、控制一运动台进行掩模对准工序,控制另一运动台依次进行运动台归位工序、交接物料工序和预对准工序。
图6是本发明实施例提供的一种光刻设备的控制方法中两个运动台进行各个工序的对应情况,图6中以一运动台在曝光区进行曝光工序匀速运动时,另一运动台静止为例进行说明。参考图6,具体的,为了提高光刻设备的整机产率,一运动台在曝光区的工序和另一运动台在非曝光区的工序同时进行。在曝光区所进行的工序中,掩模对准工序耗时较短,在非曝光区进行的工序中,运动台归位工序、交接物料工序和预对准工序耗时较短,因此,一运动台在曝光区的掩模对准工序和另一运动台在非曝光区的运动台归位工序、交接物料工序和预对准工序可同时进行,保证光刻机产率的提高。
步骤520、位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
图7是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图,参考图7,该光刻设备的控制方法包括:
步骤610、控制一运动台进行曝光工序,控制另一运动台进行物料对准工序;位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
继续参考图6,具体的,在一运动台进行曝光工序时,控制另一运动台进行物料对准工序,即使一运动台的曝光工序和另一运动台的物料对准工序同时进行,有利于提高光刻机的产率。
表1是本发明实施例提供的光刻设备的运动台进行各个工序所带来振动的振动等级以及进行各个工序时的精度要求。
表1
Figure BDA0002098272680000101
Figure BDA0002098272680000111
运动台在曝光工序中,在曝光场内匀速运动时的精度要求极高,此时控制在非曝光区的运动台的运动速度小于或者等于第一预设速度,使得一运动台在进行精度要求极高的工序时,另一运动台所带来的振动等级尽可能低,进而保证曝光精度较高。
运动台在曝光工序中,在曝光场与场间加速或减速运动时,对精度要求相对较低,此时控制在非曝光区的运动台以大于第一预设速度的速度运动,进而保证光刻设备的产率较高。
继续参考图6,在上述方案的基础上,可选的,一运动台在曝光区进行曝光工序的时间等于另一运动台在非曝光区进行物料对准工序的时间。
具体的,一运动台在曝光区进行曝光工序的时间和另一运动台在非曝光区的进行物料对准工序的时间相等,并且,如上述实施例中所述的,控制一运动台进行曝光工序,控制另一运动台进行物料对准工序,即一运动台的曝光工序和另一运动台的物料对准工序同时进行,且两个工序时间相等,进而可以使得一运动台的曝光工序与另一运动台的物料对准工序同时完成,可以使得完成物料对准的运动台无需等待,可直接向曝光区运动进行相应工序,有利于提高光刻设备的整机产率。
在上述方案的基础上,可选的,控制一运动台进行曝光工序,控制另一运动台进行物料对准工序,包括:
一运动台的曝光工序和另一运动台的物料对准工序同时完成时,控制完成物料对准工序的运动台处于曝光区和非曝光区的交界处,进而可以保证在非曝光区完成物料对准工序的运动台,可以直接进入曝光区,实现在非曝光区和曝光区中进行工序的无缝衔接,进一步提高光刻设备的整机产率。
图8是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法的流程图,图9是本发明实施例提供的一种光刻设备的示意图,参考图8和图9,在上述方案的基础上,该光刻设备的控制方法还包括:
步骤710、初始化工序:控制物料传输装置3和4对两运动台(图9中附图分别对应附图标记1和2)进行上料;
控制上料预对准装置5和6对两运动台进行预对准;
控制物料对准装置7和8对两运动台进行物料对准;
控制两运动台之中的任一运动台运动至曝光区。
图10是本发明实施例提供的另一种光刻设备的控制方法中两个运动台进行各个工序的对应情况,参考图10,具体的,在光刻设备刚开始工作时,两个运动台未承载物料,且都位于各自的上下料工位上,因此可同时控制与两个运动台对应的物料传输装置3和4对两个运动台进行上料,上料时预对准装置5和6可对物料和运动台进行预对准,使物料不会偏离运动台。预对准后,可同时控制与两运动台对应的物料对准装置7和8进行物料对准,并可控制物料对准后,两个运动台到达曝光区与非曝光区的边界,然后控制一运动台运动至曝光区进行相应的掩模对准工序和曝光工序,另一运动台在曝光区与非曝光区的边界等待。
继续参考图10,初始化工序后,两个运动台交替进入到曝光区进行曝光,对应图10中的周期1,周期2……同时在一运动台曝光区进行掩模对准工序和曝光工序时,另一运动在可在非曝光区进行运动台归位工序、交接物料工序和预对准工序。
步骤720、控制运动台运动至曝光区进行掩模对准工序;
步骤730、位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
本发明实施例还提供了一种光刻设备的控制装置,该控制装置可以执行本发明任意实施例提供的光刻设备的控制方法,图11是本发明实施例提供的一种控制装置的结构示意图,光刻设备包括两运动台,运动台的工作区包括曝光区和非曝光区;光刻设备的控制装置包括:
控制模块810,控制模块810用于位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
本发明实施例提供的光刻设备的控制装置,通过控制模块在位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度,使得导轨的振动较小,进而保证在曝光区进行曝光工序的运动台受到的扰动尽可能小,使两个运动台之间的串扰尽可能被消除,保证运动台的曝光精度。
可选的,第一预设速度等于0,可以使得在非曝光区的运动台不会造成光刻机设备以及导轨的振动,进而可以保证在曝光区进行曝光工序,匀速运动的运动台不会受到另一运动台的扰动,消除了因在非曝光区运动台的运动给在曝光区进行曝光的运动台所带来的扰动,保证了曝光精度。
上述产品可执行本发明任意实施例所提供的方法,具备执行方法相应的功能模块和有益效果。
本发明实施例还提供了一种光刻设备,该光刻设备的控制装置,还包括两运动台,所述运动台的工作区包括曝光区和非曝光区。光刻设备的结构示意图可参考图9。
本发明实施例提供的光刻设备,通过光刻设备的控制装置的控制模块在位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度,使得导轨的振动较小,进而保证在曝光区进行曝光工序的运动台受到的扰动尽可能小,使两个运动台之间的串扰尽可能被消除,保证运动台的曝光精度。
本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现如本发明实施例提供的光刻设备的控制方法:
位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度,第一预设速度小于第一速度。
可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件,或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括:具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本文件中,计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质,该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号,其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式,包括——但不限于——电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质,该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输,包括——但不限于——无线、电线、光缆、RF等等,或者上述的任意合适的组合。
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本发明操作的计算机程序代码,所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如Java、Smalltalk、C++,还包括常规的过程式程序设计语言—诸如”C”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或本实施例提供的设备上执行。在涉及远程计算机的情形中,远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机,或者,可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种光刻设备的控制方法,其特征在于,所述光刻设备包括两运动台,所述运动台的工作区包括曝光区和非曝光区;所述光刻设备的控制方法包括:
位于所述曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,所述运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在所述非曝光区运动的速度等于第一预设速度,所述第一预设速度小于所述第一速度;
位于所述曝光区的一运动台在曝光工序中加速或减速运动时,控制另一运动台从所述非曝光区向所述曝光区运动以进行物料对准,且另一运动台从所述非曝光区向所述曝光区运动的速度大于所述第一预设速度;
所述第一预设速度等于0。
2.根据权利要求1所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,所述位于所述曝光区的一运动台在曝光工序匀速运动,包括:
在曝光工序,控制所述运动台在同一曝光场内匀速运动;
在曝光工序,还包括:
控制所述运动台在不同曝光场之间加速或减速运动。
3.根据权利要求1所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,在所述曝光区进行的工序包括掩模对准工序和曝光工序,在所述非曝光区进行的工序包括运动台归位工序、交接物料工序、预对准工序、物料对准工序;
所述光刻设备的控制方法包括:
控制所述运动台在所述曝光区进行曝光工序之前,控制所述运动台运动至所述曝光区进行所述掩模对准工序。
4.根据权利要求3所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,所述控制所述运动台运动至所述曝光区进行所述掩模对准工序包括:
控制一所述运动台进行掩模对准工序,控制另一所述运动台依次进行运动台归位工序、交接物料工序和预对准工序。
5.根据权利要求3所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,控制所述运动台在所述曝光区进行曝光工序,包括:
控制一所述运动台进行曝光工序,控制另一所述运动台进行物料对准工序。
6.根据权利要求5所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,一所述运动台在所述曝光区进行曝光工序的时间等于另一运动台在所述非曝光区进行物料对准工序的时间。
7.根据权利要求6所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,所述控制一所述运动台进行曝光工序,控制另一所述运动台进行物料对准工序,包括:
一运动台的所述曝光工序和另一运动台的所述物料对准工序同时完成时,控制完成所述物料对准工序的所述运动台处于所述曝光区和所述非曝光区的交界处。
8.根据权利要求3所述的光刻设备的控制方法,其特征在于,在所述控制所述运动台运动至所述曝光区进行所述掩模对准工序之前,还包括初始化工序,所述初始化工序包括:
控制物料传输装置对两所述运动台进行上料;
控制上料预对准装置对两所述运动台进行预对准;
控制物料对准装置对两所述运动台进行物料对准;
控制两所述运动台之中的任一运动台运动至所述曝光区。
9.一种光刻设备的控制装置,其特征在于,所述光刻设备包括两运动台,所述运动台的工作区包括曝光区和非曝光区;所述光刻设备的控制装置包括:
控制模块,所述控制模块用于位于所述曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时,所述运动台的匀速速度为第一速度,控制另一运动台在所述非曝光区运动的速度等于第一预设速度,所述第一预设速度小于所述第一速度;
位于所述曝光区的一运动台在曝光工序中加速或减速运动时,控制另一运动台从所述非曝光区向所述曝光区运动以进行物料对准,且另一运动台从所述非曝光区向所述曝光区运动的速度大于所述第一预设速度;所述第一预设速度等于0。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1-8任一所述的光刻设备的控制方法。
11.一种光刻设备,其特征在于,包括权利要求9所述的光刻设备的控制装置,还包括两运动台,所述运动台的工作区包括曝光区和非曝光区。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1244021C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
US6836093B1 (en) 1999-12-21 2004-12-28 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP2005317916A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
KR100675302B1 (ko) * 2006-01-19 2007-01-29 삼성전자주식회사 반도체 제조설비 및 이를 이용한 반도체 제조방법
JP2007293376A (ja) * 2007-08-14 2007-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置及び基板製造方法
CN101526747B (zh) * 2009-01-07 2011-06-29 上海微电子装备有限公司 双工件台装置
CN109856862A (zh) * 2017-11-30 2019-06-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 双台光配向装置及配向方法

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