CN112094649A - 稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料及其制备方法 - Google Patents
稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112094649A CN112094649A CN202011008793.3A CN202011008793A CN112094649A CN 112094649 A CN112094649 A CN 112094649A CN 202011008793 A CN202011008793 A CN 202011008793A CN 112094649 A CN112094649 A CN 112094649A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- rare earth
- luminescent material
- conversion luminescent
- tellurium dioxide
- earth doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 55
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 40
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 claims description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007873 sieving Methods 0.000 abstract 1
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000003872 anastomosis Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 rare earth ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，该上转换发光材料的化学通式为Te1‑ xLnxO2，其中，Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种，0＜X≤0.10。本发明还公开了该材料的制备方法，包括：按照上述化学组成式的摩尔配比，以二氧化碲为基质材料，掺杂稀土氧化物，加无水乙醇将混合料研磨混匀，进行两次高温固相烧结，再经研磨、过筛即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。本发明制备得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有化学稳定性好，结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点，适用于工业化生产，可作为新一代LED的潜在应用材料，能有效改善LED的显色性及使用性能。
Description
技术领域
本发明属于光学材料技术领域，具体涉及稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料及其制备方法。
背景技术
上转换发光过程是通过稀土离子的能级结构将长波辐射转换为短波辐射的过程。上转换发光材料是一类非常重要的光功能材料，在红外探测技术、显示材料、信息处理、高密度数据存储、海底通信等方面有着广阔的应用前景。在上转换发光材料中，稀土掺杂的上转换发光材料具有可有效降低光致电离作用引起基质材料的衰退、输出波长具有一定的可调谐性等优点而备受关注。对于稀土掺杂的上转换发光能否得到实际应用的一个关键影响因素是基质材料的性质。这要求基质材料不仅要具有较好的析晶稳定性和机械性能，又要具有足够低的声子能量。
稀土掺杂的多晶粉末的基质材料主要包括氧化物、氟化物、含卤素化合物和硫化物等。从上转换发光效率来讲，含卤素化合物和硫化物最髙，氧化物最低，这是因为卤化物的声子能量较低。从稳定性方面来讲，氧化物最为稳定，而含卤素化合物和硫化物稳定性较差。二氧化碲作为一种氧化物，不但具有较低的声子能量(约为650cm-1)，同时具有较高的折射率(约2.0)、非线性折射率、绝缘常数以及较好的化学稳定性和较宽的红外透过范围(350nm~5μm)。因此，以二氧化碲作为上转换发光材料的基质材料，并广泛地应用于高密度数据存输、通信等领域，具有广泛的应用前景。白燕等人首次以纳米二氧化碲为基质，通过水热法制备了一种性质稳定的上转换发光材料，但水热法设备要求高，安全性差，技术难度高，本发明以二氧化碲为基质，通过高温固相法制备得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，合成工艺简单、原料来源广泛、操作方便、重复性好。因此，提供稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有重要的研究意义和应用价值。
发明内容
本发明的首要目的在于提供一系列发光效率高的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。还提供了该稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法。
为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：
稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，该上转换发光材料的化学通式为Te1-xLnxO2，其中， Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种，0＜X≤0.10。
优选地，所述上转换发光材料为Te0.98Nd0.02O2、Te0.98Sm0.02O2或Te0.988Ho0.012O2中的任一种。
稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法，包括如下步骤：
（1）将二氧化碲、稀土氧化物分别按化学式Te1-xLnxO2中的化学计量比称取原料，将称好的原料置于玛瑙研钵中，并加入无水乙醇研磨，使原料混合均匀，得到混合料；
（2）将步骤（1）中的混合料用铂金包裹装入刚玉坩埚中，并放入马弗炉里煅烧，煅烧完成后，冷却至室温，得到烧结料；
（3）将步骤（2）中得到的烧结料放置玛瑙研钵中研磨后通过筛网过滤后即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。优选地，将步骤（2）中装有混合料的刚玉坩埚先进行预烧，预烧之后再进行煅烧。
优选地，所述预烧温度为300~500℃，预烧烧结时间为6~12h。
优选地，在步骤（2）中所述煅烧的温度为600~700℃，煅烧烧结时间为15~24h。
优选地，在步骤（3）中所述筛网的目数为200目。
优选的，步骤（2）中所述煅烧的气氛为空气或纯氧。
稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，通过上述制备方法制备得到。
本发明的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有如下优点：
本发明以TeO2为发光材料的基质，此种材料最大声子能比较低，使得发光常温的发光强度比较强。本发明提供的制备方法为高温固相法，合成工艺简单、原料来源广泛、操作方便、重复性好。
本发明得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，相较于现有的荧光粉，具有化学稳定性好，发光性能稳定、发光效率高、结晶度高、均匀性好等特点，适用于工业化生产，可作为新一代LED的潜在应用材料，能有效改善LED的显色性及使用性能。
附图说明
图1是实施例中不同稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的XRD谱图；
图2是实施例1的上转换发光材料在功率为0.65mw的980nm激发下的上转换发射光谱图；
图3是实施例2提供的上转换发光材料在功率为0.65mw的980nm激发下的上转换发射光谱图；
图4是实施例3提供的上转换发光材料在功率为0.65mw的980nm激发下的上转换发射光谱图；
图5是实施例中不同稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的色坐标图和发光效果图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
实施例1
本实施例制备的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料为Te0.98Nd0.02O2。
该上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤：
（1）根据化学通式Te0.98Nd0.02O2的摩尔比，用电子天平称取合适质量的TeO2和Nd2O3，将称好的原料置于玛瑙研钵中，加入无水乙醇研磨，使得原料充分混合，得到混合料；
（2）将步骤（1）中的混合料用铂金包裹装入刚玉坩埚中，然后将刚玉坩埚放在马弗炉里在500℃下烧结8h，冷却至室温，完成预烧；将预烧完成的中间料取出进行二次研磨，之后再装入铂金包裹的刚玉坩埚中，放在马弗炉里在650℃下高温固相烧结15h，得到烧结料；
（3）将步骤（2）中得到的烧结料放置玛瑙研钵中研磨3次后通过200目的筛网过滤后即得Te0.98Nd0.02O2上转换发光材料。
实施例1合成的上转换发光材料的X射线衍射图谱如图1所示。通过与α-TeO2标准卡片PDF#42-1365的对比，可以看出，实施例1提供的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料衍射峰位置和相对强度与α-TeO2标准卡片几乎完全一致，因此可以确定实施例1提供的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的相结构为纯相，其晶型与四方晶体α-TeO2吻合；此外，该材料的衍射峰尖锐且强度较高，说明此材料具有较高的结晶度。
图2是实施例1提供的上转换发光材料在功率为0.65mw的980nm激发下的上转换发射光谱图。在图中可以观察到上转换绿光发射（551nm）和上转换红光发射（662nm）。
将本实施例1所制备的Te0.98Nd0.02O2上转换发光材料的发射光谱数据导入色坐标计算软件中，计算出该材料在980nm激光激发下发射光的CIE色坐标，将此色坐标（0.3912，0.5981）导入CIE色坐标图中，色坐标图显示出发光色坐标位于黄绿光区域，如图5所示。
实施例2
本实施例制备的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料为Te0.98Sm0.02O2。
该上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤：
（1）根据化学通式Te0.98Sm0.02O2的摩尔比，用电子天平称取合适质量的TeO2和Sm2O3，将称好的原料置于玛瑙研钵中，加入无水乙醇研磨，使得原料充分混合，得到混合料；
（2）将步骤（1）中的混合料用铂金包裹装入刚玉坩埚中，然后将刚玉坩埚放在马弗炉里在450℃下烧结10h，冷却至室温，完成预烧；将预烧完成的中间料取出进行二次研磨，之后再装入铂金包裹的刚玉坩埚中，放在马弗炉里在700℃下高温固相烧结20h，得到烧结料；
（3）将步骤（2）中得到的烧结料放置玛瑙研钵中研磨3次后通过200目的筛网过滤后即得Te0.98Nd0.02O2上转换发光材料。
实施例2合成的上转换发光材料的X射线衍射图谱如图1所示。通过与α-TeO2标准卡片PDF#42-1365的对比，可以看出，实施例2提供的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料衍射峰位置和相对强度与α-TeO2标准卡片几乎完全一致，因此可以确定实施例2提供的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的相结构为纯相，其晶型与四方晶体α-TeO2吻合；此外，该材料的衍射峰尖锐且强度较高，说明此材料具有较高的结晶度。
图3是实施例2提供的上转换发光材料在功率为0.65mw的980nm激发下的上转换发射光谱图。在图中可以观察到上转换绿光发射（550nm）和上转换红光发射（649nm和698nm）。
将本实施例2所制备的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的发射光谱数据导入色坐标计算软件中，计算出该材料在980nm激光激发下发射光的CIE色坐标，将此色坐标（0.5457，0.4469）导入CIE色坐标图中，色坐标图显示出发光色坐标位于橙黄光区域，如图5所示。
实施例3
本实施例制备的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料为Te0.988Ho0.012O2。
该上转换发光材料的制备方法，包括以下步骤：
（1）根据化学通式Te0.988Ho0.012O2的摩尔比，用电子天平称取合适质量的TeO2和Ho2O3，将称好的原料置于玛瑙研钵中，加入无水乙醇研磨，使得原料充分混合，得到混合料；
（2）将步骤（1）中的混合料用铂金包裹装入刚玉坩埚中，然后将刚玉坩埚放在马弗炉里在400℃下烧结12h，冷却至室温，完成预烧；将预烧完成的中间料取出进行二次研磨，之后再装入铂金包裹的刚玉坩埚中，放在马弗炉里在600℃下高温固相烧结24h，得到烧结料；
（3）将步骤（2）中得到的烧结料放置玛瑙研钵中研磨3次后通过200目的筛网过滤后即得Te0.98Nd0.02O2上转换发光材料。
实施例3合成的上转换发光材料的X射线衍射图谱如图1所示。通过与α-TeO2标准卡片PDF#42-1365的对比，可以看出，实施例3提供的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料衍射峰位置和相对强度与α-TeO2标准卡片几乎完全一致，因此可以确定实施例3提供的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的相结构为纯相，其晶型与四方晶体α-TeO2吻合；此外，该材料的衍射峰尖锐且强度较高，说明此材料具有较高的结晶度。
图4是实施例3提供的上转换发光材料在功率为0.65mw的980nm激发下的上转换发射光谱图。在图中可以观察到上转换绿光发射（549nm）和上转换红光发射（661nm）。
将本实施例3所制备的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的发射光谱数据导入色坐标计算软件中，计算出该材料在980nm激光激发下发射光的CIE色坐标，将此色坐标（0.5294，0.4523）导入CIE色坐标图中，色坐标图显示出发光色坐标位于橙黄光区域，如图5所示。
综上所述，本发明得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，具有发光性能稳定、发光效率高、均匀性好的特点，适用于工业化生产，可作为新一代LED的潜在应用材料，能有效改善LED的显色性及使用性能。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，其特征在于，该上转换发光材料的化学通式为Te1-xLnxO2，其中， Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种，0＜X≤0.10。
2.根据权利要求1所述的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，其特征在于，所述上转换发光材料为Te0.98Nd0.02O2、Te0.98Sm0.02O2或Te0.988Ho0.012O2中的任一种。
3.一种权利要求1所述的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将二氧化碲、稀土氧化物分别按化学式Te1-xLnxO2中的化学计量比称取原料，将称好的原料置于玛瑙研钵中，并加入无水乙醇研磨，使原料混合均匀，得到混合料；
（2）将步骤（1）中的混合料用铂金包裹装入刚玉坩埚中，并放入马弗炉里煅烧，煅烧完成后，冷却至室温，得到烧结料；
（3）将步骤（2）中得到的烧结料放置玛瑙研钵中研磨后通过筛网过滤后即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。
4.根据权利要求3所述的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法，其特征在于，将步骤（2）中装有混合料的刚玉坩埚先进行预烧，预烧之后再进行煅烧。
5.根据权利要求书4所述的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述预烧温度为400~500℃，预烧烧结时间为8~12h。
6.根据权利要求书4所述的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法，其特征在于，在步骤（2）中所述煅烧的温度为600~700℃，煅烧烧结时间为15~24h。
7.根据权利要求书4所述的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法，其特征在于，在步骤（3）中所述筛网的目数为200目。
8.根据权利要求4所述的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述煅烧的气氛为空气或纯氧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011008793.3A CN112094649B (zh) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011008793.3A CN112094649B (zh) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112094649A true CN112094649A (zh) | 2020-12-18 |
| CN112094649B CN112094649B (zh) | 2022-12-09 |
Family
ID=73756496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011008793.3A Active CN112094649B (zh) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | 稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112094649B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116004231A (zh) * | 2023-01-18 | 2023-04-25 | 海南大学 | 一种稀土掺杂的负热膨胀发光材料及其制备方法与应用 |
-
2020
- 2020-09-23 CN CN202011008793.3A patent/CN112094649B/zh active Active
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| F. BELLINI ET AL.: "Response of a TeO2 bolometer to α particles", 《 JOURNAL OF INSTRUMENTATION》 * |
| ZHANG YAO ET AL.: "Visible-light emission properties of α-TeO2:Ho3+/Yb3+/Eu3+ nanoparticles via both up- and down-conversion modes", 《JOURNAL OF RARE EARTHS》 * |
| 徐敏等: "一步水热法制备TeO2∶Eu3+荧光粉及其发光性能研究", 《中国照明电器》 * |
| 田甜等: "Dy3+掺杂TeO2单晶的生长及其发光性能研究", 《中国照明电器》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116004231A (zh) * | 2023-01-18 | 2023-04-25 | 海南大学 | 一种稀土掺杂的负热膨胀发光材料及其制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112094649B (zh) | 2022-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112251226B (zh) | 一种近红外发光材料及其制备方法与转换型led发光装置 | |
| CN114686225A (zh) | 一种近红外荧光粉及其制备方法和应用 | |
| CN113736461B (zh) | 一种Cr3+/Yb3+共掺杂的宽带近红外发光材料、其制备方法及照明与显示光源 | |
| CN105219387A (zh) | 一种锰掺杂的钛酸盐基红色发光材料及其制备方法和应用 | |
| Kang et al. | A novel blue-light excitable Pr3+ doped (Sr, Ba) LaMgTaO6 phosphor for plant growth lighting | |
| CN109021973B (zh) | 一种双钙钛矿型钼酸盐红色荧光粉及其制备方法 | |
| Xie et al. | Up-conversion luminescence properties and energy transfer of Tm3+/Yb3+ co-doped BaLa2ZnO5 | |
| CN102241480A (zh) | 掺杂单质银的稀土离子发光玻璃及其制备方法 | |
| Yang et al. | Sol-gel syntheses of pentaborate β-LaB5O9 and the photoluminescence by doping with Eu3+, Tb3+, Ce3+, Sm3+, and Dy3+ | |
| CN112094649B (zh) | 稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料及其制备方法 | |
| Wu et al. | An Al 3+-incorporated Ca 2 LuNbO 6: Mn 4+ oxide phosphor with dramatic deep-red and far-red emission bands | |
| Zhou et al. | Mn4+, Bi3+ Co-doped K0. 5La0. 5SrMgTeO6 far-red emitting phosphor | |
| CN106701074B (zh) | 一种钛酸盐基红色上转换发光材料及其制备方法 | |
| CN102952543B (zh) | 铥钬共掺杂氧化锆上转换荧光粉及其制备方法 | |
| CN101974329B (zh) | 红光La2Ti2O7:Sm3+荧光粉及其制备方法 | |
| Lv et al. | Sr3GdLi (PO4) 3F: Eu2+, Mn2+: A tunable blue-white color emitting phosphor via energy transfer for near-UV white LEDs | |
| CN110791291A (zh) | 一种磷硅酸盐白光发射荧光粉的合成方法 | |
| CN102660286B (zh) | 一种铒离子Er3+激活的钒酸盐上转换发光材料及其制备方法 | |
| CN113549458B (zh) | 一种基于磷灰石结构的高显色性三价Eu离子掺杂的红色荧光材料及其制备方法 | |
| CN102181287B (zh) | 镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法 | |
| CN108504357B (zh) | 一种钛铝酸盐基上转换发光材料、制备方法及应用 | |
| CN102746844B (zh) | 一种以CaIn2O4为基质的上转换发光材料及其制备方法 | |
| CN102604631B (zh) | 一种上转换发光材料及其制备方法 | |
| CN113956880A (zh) | 一种Mn2+激活的β-Al2O3窄带绿色荧光粉及其制备方法 | |
| CN103525418A (zh) | 一种绿色上转换发光粉及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |