CN112084455B - 一种s参数的最小二乘插值方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种S参数的最小二乘插值方法,属于S参数的插值运算领域。由于对S参数的实部+虚部、线性幅度+相位插值方法,不能完整的表现被测件的特性,所以插值结果会有偏差。由于真实的被测件可以分解成电感、电容、电阻模型的组合,他们在极坐标下是连续的,通常呈现圆形趋势。所以在极坐标下对被测件S参数采用圆形插值,将会得到与实际值更接近的插值数据。本发明利用被测件数据在极坐标下连续且呈现圆形的特点,将S参数转化为线性幅值和线性相位,通过求解极坐标下的圆形参数,然后利用插值点频率对应的相位,进而利用圆形参数得到插值点的幅度。本发明通过引入最小二乘方法,从而进一步提高插值的鲁棒性。

Description

一种S参数的最小二乘插值方法
技术领域
本发明涉及S参数的插值运算领域,具体涉及一种S参数的最小二乘插值方法。
背景技术
在进行网络参数测试、仿真时,通常使用S参数(其通常为复数形式)进行计算。若使用的数据频率与测量到的数据频率不一致,则需要进行插值运算。虽然现有的插值方法种类很多,如线性插值、样条插值、拉格朗日插值等,但是这些都是将S参数的实虚部或幅度相位分开计算。
S参数本身为复数,其有多种格式:实部和虚部、线性幅度和相位、对数幅度和相位等。在需要进行插值的情况下,最简单的是将S参数的实部和虚部数据进行分别插值。更精确的方法是将S参数转化为线性幅度和线性相位格式,然后再分别对线性幅度、相位进行插值。
现有技术的缺点:
实部和虚部数据分别插值时,由于被测件的S参数在实部、虚部格式下没有呈现特定关系,无法表现被测件的特性,所以插值误差最大。
线性幅度和线性相位分别插值,可以将被测件的相位线性关系表现出来。但是由于被测件S参数在线性幅度下没有特定的线性关系,所以通过此种方式的线性幅值会与实际值有偏差。
发明内容
针对现有技术存在的缺点,本发明提供了一种S参数的最小二乘插值方法,利用被测件数据在极坐标下连续且呈现圆形的特点,将S参数转化为线性幅值和线性相位,通过求解极坐标下的圆形参数,然后利用插值点频率对应的相位,进而利用圆形参数得到插值点的幅度。
本发明采用以下的技术方案:
一种S参数的最小二乘插值方法,包括以下步骤:
步骤1:对所有频点的S参数进行线性幅值计算和相位计算;
步骤2:将计算出的相位进行线性展开,得到线性化相位;
步骤3:进行插值点i判断,判断i≤I,其中I为插值点总数,若是则转到步骤4,若不是则转到步骤9;
步骤4:利用当前插值点i的频率进行线性插值,得到插值点的线性相位
步骤5:利用插值点i附近的n个频点的线性幅值和线性化相位,构造参数矩阵;
步骤6:利用步骤5的参数矩阵通过最小二乘计算,得到圆的a、b、c参数;
步骤7:由步骤4得到的插值点线性相位和步骤6得到的圆的a、b、c参数,计算得到插值点的线性幅度;
步骤8:插值点i增加1,转到步骤3;
步骤9:插值结束。
优选地,步骤1中线性幅值的计算公式为:
相位计算公式为:
其中,ρ为S参数的线性幅值,为S参数的相位,r为S参数的实部数据,x为S参数的虚部数据。
优选地,步骤2具体包括:
线性展开公式:
其中,是周期扩展的相位,/>是原始相位值,k为频点,k=2,…,N,N为频点总数,j为周期数。
然后,对相位进行阈值判断,计算前一频点的线性化相位与当前频点的周期扩展的相位/>之差,记作Δk
当相位差值Δk大于阈值δ时,周期数j增加1,当前频点线性化相位等于周期扩展的相位/>加2π;
当相位差值Δk小于负阈值-δ时,周期数j减小1,当前频点线性相位等于周期扩展的相位/>减2π;即:
优选地,参数矩阵构造过程为:
线性幅值和线性化相位的关系在极坐标下的圆方程为:
其中,a、b、c为圆形的参数;
将圆形参数a、b、c作为未知参数,公式可写作:
由公式(7),利用插值点i附近的n个频点的线性幅值和线性化相位,构造的参数矩阵为:
其中,n的取值范围为4至6;
利用参数矩阵求解处a、b、c的值。
优选地,利用a、b、c及插值点线性相位计算插值点线性幅值ρi,其中0<ρi<1;
本发明具有的有益效果是:
由于对S参数的实部+虚部、线性幅度+相位插值方法,不能完整的表现被测件的特性,所以插值结果会有偏差。由于真实的被测件可以分解成电感、电容、电阻模型的组合,他们在极坐标下是连续的,通常呈现圆形趋势。所以在极坐标下对被测件S参数采用圆形插值,将会得到与实际值更接近的插值数据。本发明利用被测件数据在极坐标下连续且呈现圆形的特点,将S参数转化为线性幅值和线性相位,通过求解极坐标下的圆形参数,然后利用插值点频率对应的相位,进而利用圆形参数得到插值点的幅度,从而进一步提高插值的鲁棒性。
附图说明
图1为S参数在极坐标下的轨迹。
图2为本发明的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的具体实施方式做进一步说明:
结合图1和图2,一种S参数的最小二乘插值方法,包括以下步骤:
步骤1:对所有频点的S参数进行线性幅值计算和相位计算;
线性幅值的计算公式为:
相位计算公式为:
其中,ρ为S参数的线性幅值,为S参数的相位,r为S参数的实部数据,x为S参数的虚部数据。
步骤2:将计算出的相位进行线性展开,得到线性化相位;
具体包括:
由于S参数的相位总是在±180°之间,无法反应被测件的真实相位变化,所以需要将相位进行线性展开。
线性展开公式:
其中,是周期扩展的相位,/>是原始相位值,k为频点,k=2,…,N,N为频点总数,j为周期数。
然后,对相位进行阈值判断,计算前一频点的线性化相位与当前频点的周期扩展的相位/>之差,记作Δk
当相位差值Δk大于阈值δ时,周期数j增加1,当前频点线性化相位等于周期扩展的相位/>加2π;
通常两频点的相位变化小于当相位翻折情况出现时,相位变化为大于所以δ可以取/>
当相位差值Δk小于负阈值-δ时,周期数j减小1,当前频点线性相位等于周期扩展的相位/>减2π;即:
步骤3:进行插值点i判断,判断i≤I,其中I为插值点总数,若是则转到步骤4,若不是则转到步骤9;
步骤4:利用当前插值点i的频率进行线性插值,得到插值点的线性相位
步骤5:利用插值点i附近的n个频点的线性幅值和线性化相位,构造参数矩阵;
参数矩阵构造过程为:
线性幅值和线性化相位的关系在极坐标下的圆方程为:
其中,a、b、c为圆形的参数;
将圆形参数a、b、c作为未知参数,公式可写作:
由公式(7),利用插值点i附近的n个频点的线性幅值和线性化相位,构造的参数矩阵为:
其中,n的取值范围为4至6;
利用参数矩阵求解处a、b、c的值。
步骤6:利用步骤5的参数矩阵通过最小二乘计算,得到圆的a、b、c参数;
步骤7:由步骤4得到的插值点线性相位和步骤6得到的圆的a、b、c参数,计算得到插值点的线性幅度。
利用a、b、c及插值点线性相位计算插值点线性幅值ρi,其中0<ρi<1;
步骤8:插值点i增加1,转到步骤3;
步骤9:插值结束。
当然,上述说明并非是对本发明的限制,本发明也并不仅限于上述举例,本技术领域的技术人员在本发明的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换,也应属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种S参数的最小二乘插值方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:对所有频点的S参数进行线性幅值计算和相位计算;
步骤2:将计算出的相位进行线性展开,得到线性化相位;
步骤2具体包括:
线性展开公式:
其中,是周期扩展的相位,/>是原始相位值,k为频点,k=2,…,N,N为频点总数,j为周期数;
然后,对相位进行阈值判断,计算前一频点的线性化相位与当前频点的周期扩展的相位/>之差,记作Δk
当相位差值Δk大于阈值δ时,周期数j增加1,当前频点线性化相位等于周期扩展的相位/>加2π;
当相位差值Δk小于负阈值-δ时,周期数j减小1,当前频点线性相位等于周期扩展的相位/>减2π;即:
步骤3:进行插值点i判断,判断i≤I,其中I为插值点总数,若是则转到步骤4,若不是则转到步骤9;
步骤4:利用当前插值点i的频率进行线性插值,得到插值点的线性相位
步骤5:利用插值点i附近的n个频点的线性幅值和线性化相位,构造参数矩阵;
参数矩阵构造过程为:
线性幅值和线性化相位的关系在极坐标下的圆方程为:
其中,a、b、c为圆形的参数;ρ为S参数的线性幅值;
将圆形参数a、b、c作为未知参数,公式写作:
由公式(7),利用插值点i附近的n个频点的线性幅值和线性化相位,构造的参数矩阵为:
其中,n的取值范围为4至6;
利用参数矩阵求解出a、b、c的值;
步骤6:利用步骤5的参数矩阵通过最小二乘计算,得到圆的a、b、c参数;
步骤7:由步骤4得到的插值点线性相位和步骤6得到的圆的a、b、c参数,计算得到插值点的线性幅度;
步骤8:插值点i增加1,转到步骤3;
步骤9:插值结束。
2.根据权利要求1所述的一种S参数的最小二乘插值方法,其特征在于,步骤1中线性幅值的计算公式为:
相位计算公式为:
其中,ρ为S参数的线性幅值,为S参数的相位,r为S参数的实部数据,x为S参数的虚部数据。
3.根据权利要求1所述的一种S参数的最小二乘插值方法,其特征在于,
利用a、b、c及插值点线性相位计算插值点线性幅值ρi,其中0<ρi<1;
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103913713A (zh) * 2014-03-10 2014-07-09 西安电子科技大学 微波大功率无源调配器的快速校准方法
US9625556B1 (en) * 2011-02-07 2017-04-18 Christos Tsironis Method for calibration and tuning with impedance tuners
CN107203495A (zh) * 2017-06-09 2017-09-26 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种s参数圆形插值方法
CN108845182A (zh) * 2018-05-29 2018-11-20 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种应用于夹具参数提取的相位计算方法
CN109324248A (zh) * 2018-11-15 2019-02-12 中电科仪器仪表有限公司 用于数据域分析的一体化矢量网络分析仪及其测试方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8904330B2 (en) * 2013-03-15 2014-12-02 Synopsys, Inc. Phase determination for extraction from scattering parameters

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9625556B1 (en) * 2011-02-07 2017-04-18 Christos Tsironis Method for calibration and tuning with impedance tuners
CN103913713A (zh) * 2014-03-10 2014-07-09 西安电子科技大学 微波大功率无源调配器的快速校准方法
CN107203495A (zh) * 2017-06-09 2017-09-26 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种s参数圆形插值方法
CN108845182A (zh) * 2018-05-29 2018-11-20 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种应用于夹具参数提取的相位计算方法
CN109324248A (zh) * 2018-11-15 2019-02-12 中电科仪器仪表有限公司 用于数据域分析的一体化矢量网络分析仪及其测试方法

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