CN112071879A - 一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Abstract
本发明公开了一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法，包括制作电致变色层步骤和制作透明显示结构步骤；制作电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面；或者制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面；透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上，透明显示结构包括有空白区域和画素，电致变色层与空白区域错开设置，且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域，竖直方向垂直于基板方向；上述技术方案使每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的第一电致变色层，使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果，以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度，提高深色画面的显示效果，拓宽透明显示面板的应用场景。
Description
技术领域
本发明涉及透明面板结构制作领域，尤其涉及一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的日益发展，各种新型技术不断涌现，透明显示技术因其透明的显示面板这一特性及其独特的应用，越来越受到人们的关注。AMOLED面板其自发光的特性使得在透明显示上拥有更多的可能性，但是由于透明AMOLED面板自身的条件限制，无法独立显示“黑”色，需配合使用黑色幕布背景才能实现不同灰阶以及深色显示，这以特殊条件限制了透明显示面板的使用场景。
发明内容
为此，需要提供一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法，解决无法独立显示“黑”色的问题。
为实现上述目的，本申请提供了一种提高对比度的透明面板结构的制作方法，包括制作电致变色层步骤和制作透明显示结构步骤；
制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面；或者制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面；
所述透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上，所述透明显示结构包括有空白区域和画素，所述电致变色层与空白区域错开设置，且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域，所述竖直方向垂直于基板方向；
当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面时，制作所述方法包括：
于基板上制作第一电致变色层，并于所述第一电致变色层上制作缓冲层；
于所述缓冲层上制作以所述第一电致变色层为底的第一通孔，
在缓冲层上完成制作所述透明显示结构步骤，透明显示结构中的一栅极层通过第一通孔与第一电致变色层连接；
当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面时，所述制作方法包括：
在基板上完成制作所述透明显示结构步骤，在透明显示结构中发光层上的非空白区域制作第二电致变色层。
进一步地，制作所述透明显示结构步骤包括：
制作第一栅极层和第二栅极层，且所述第二栅极层通过所述第一通孔与所述第一电致变色层连接；
制作栅极绝缘层，并蚀刻所述栅极绝缘层，形成以所述第二栅极层为底的第二通孔；
制作第一有源层和第二有源层，所述第一有源层置于所述第一栅极上方的所述栅极绝缘层上，所述第二有源层置于所述第二栅极上方的所述栅极绝缘层上；
制作第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；所述第一源极和第一漏极分别置于所述第一有源层两侧，且所述第一源极或第一漏极通过所述第二通孔与所述第二栅极连接；所述第二源极和第二漏极分别置于所述第二有源层的两侧；
制作钝化层，并蚀刻钝化层形成以第二源极或者第二漏极为底的第三通孔；蚀刻所述钝化层和栅极绝缘层形成以缓冲层为底的第四通孔，第四通孔为所述空白区域；
制作平坦层，并蚀刻第三通孔和第四通孔位置处的平坦层；
制作透明阳极，所述阳极通过所述第三通孔与所述第三通孔的孔底连接；
制作画素定义层，并于所述画素定义层上制作以所阳极为底的第五通孔；并去除所述第四通孔所在位置上的画素定义层；
蒸镀发光层于所述第五通孔内；
制作透明阴极，并去除位于所述第四通孔所在位置上的所述阴极。
进一步地，所述于基板上制作第一电致变色层包括步骤：
依次制作层叠在所述基板上的第一透明电极层、第一电解质层、第一变色层、第一离子存储层和第二透明电极层。
进一步地，当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面时，在所述制作透明显示结构后还包括步骤：
在所述透明显示结构上制作第二电致变色层；
去除位于所述空白区域所在位置上全部的所述第二电致变色层；
在所述第二电致变色层上对应所述发光层的位置设置有透光孔。
进一步地，所述第一电致变色层与第二电致变色层在所述竖直方向上分别与发光层的不同部分重叠。
为实现上述目的，本申还请提供了一种提高对比度的透明面板结构，包括：电致变色层、制作透明显示结构和基板；
所述电致变色层设置于所述透明显示结构与所述基板之间，或者所述电致变色层设置于所述透明显示结构上；
所述透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上，所述透明显示结构包括有空白区域和画素，所述电致变色层与空白区域错开设置，且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域，所述竖直方向垂直于基板方向；
当所述电致变色层置于所述透明显示结构和所述基板之间时：第一电致变色层置于基板上，并于所述第一电致变色层上设置缓冲层；于所述缓冲层上设置有以所述第一电致变色层为底的第一通孔，所述透明显示结构置于所述缓冲层上，且所述透明显示结构中的一栅极层通过第一通孔与第一电致变色层连接；
当所述电致变色层置于所述透明显示结构上时：制作所述透明显示结构置于所述基板上，且在所述透明显示结构中发光层上的非空白区域设置第二电致变色层。
进一步地，所述透明显示结构还包括：缓冲层、第一栅极层、栅极绝缘层、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、钝化层、平坦层、阳极、画素定义层和阴极；
所述缓冲层置于所述基板上，并将所述第一电致变色层覆盖；所述第一栅极层和第二栅极层设置于所述缓冲层上，且所述第二栅极层通过第一通孔与所述第一电致变色层连接；所述第一栅极层和第二栅极层上还设置有所述栅极绝缘层；所述第一有源层和第二有源层设置于所述栅极绝缘层上，且分别设置于所述第一栅极层和第二栅极层上方；所述第一有源层两侧分别设置有所述第一源极和第一漏极，且所述第一源极或第一漏极通过所述栅极绝缘层上的第二通孔与所述第二栅极连接；所述第二有源层两侧分别设置有所述第二源极和第二漏极；于第一有源层、第二有源层、第一源漏极层、第二源漏极层和栅极绝缘层上依次设置有钝化层和平坦层；所述阳极设置于平坦层上，并通过钝化层、平坦层上的第三通孔与第二源漏极层连接；所述阳极和平坦层上还设置有所述画素定义层，所述画素定义层上设置有以阳极为底的第五通孔；所述发光层置于所所述第五通孔内，于第二栅极层远离第一栅极层的一侧还设置有以所述缓冲层为底的第四通孔。
进一步地，所述第一电致变色层包括依次层叠在所述基板上的第一透明电极层、第一电解质层、第一变色层、第一离子存储层和第二透明电极层。
进一步地，当所述电致变色层置于所述透明显示结构和所述基板之间时，在所述透明显示结构上还设置有第二电致变色层；
且在所述空白区域所在位置上不设置有所述第二电致变色层；
在所述第二电致变色层上对应所述发光层的位置设置有透光孔。
进一步地，所述第一电致变色层与第二电致变色层在所述竖直方向上分别与发光层的不同部分重叠。
区别于现有技术，上述技术方案通过在所述基板上设置所述第一电致变色层，并于所述第一电致变色层上制作透明显示结构，使每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的所述第一电致变色层，使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果，以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度，提高深色画面的显示效果，拓宽透明显示面板的应用场景。
附图说明
图1为所述第一电致变色层关闭状态；
图2为所述第一电致变色层开启状态；
图3为所述第一电致变色层结构图；
图4为所述第一电致变色层位置关系图；
图5为所述第二电致变色层位置关系图；
图6为所述第一电致变色层和第二电致变色层位置关系图；
图7为所述第二电致变色层结构图；
图8为所述发光层、第一电致变色层和第二电致变色层结构图；
图9为所述发光层、第四通孔、第一电致变色层和第二电致变色层结构图；
图10为所述第二电致变色层覆盖于第四通孔位置关系图；
图11为制作所述第一电致变色层步骤图；
图12为所述缓冲层结构图；
图13为所述第一栅极层和第二栅极层结构图；
图14为所述栅极绝缘层和第二通孔结构图；
图15为所述第一有源层和第二有源层结构图；
图16为所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极结构图；
图17为所述钝化层结构图；
图18为所述平坦层结构图；
图19为所述阳极结构图；
图20为所述画素定义层和第五通孔结构图；
图21为所述发光层结构图；
图22为所述阴极结构图；
附图标记说明：
1、基板；2、第一电致变色层；3、缓冲层；4、第一通孔；5、第一栅极层；6、第二栅极层；7、栅极绝缘层；8、第二通孔；9、第一有源层；10、第二有源层；11、第一源极；12、第一漏极；13、第二源极；14、第二漏极；15、钝化层；16、第三通孔；17、第四通孔；18、平坦层；19、阳极；20、画素定义层；21、第五通孔；22、发光层；23、阴极；24、第二电致变色层；
201、第一透明电极层；202、第二透明电极层；2401、第三透明电极层。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至图22，本实施例提供了一种提高对比度的透明面板结构的制作方法，包括步骤：于基板1上制作第一电致变色层2，并于所述第一电致变色层2上制作缓冲层3；于所述缓冲层3上制作以所述第一电致变色层2为底的第一通孔4，制作第一栅极层5和第二栅极层6，且所述第二栅极层6通过所述第一通孔4与所述第一电致变色层2连接；制作栅极绝缘层7，并蚀刻所述栅极绝缘层7，形成以所述第二栅极层6为底的第二通孔8；制作第一有源层9和第二有源层10，所述第一有源层9置于所述第一栅极上方的所述栅极绝缘层7上，所述第二有源层10置于所述第二栅极上方的所述栅极绝缘层7上；制作第一源极11、第一漏极12、第二源极13和第二漏极14；所述第一源极11和第一漏极12分别置于所述第一有源层9两侧，且所述第一源极11或第一漏极12通过所述第二通孔8与所述第二栅极连接；所述第二源极13和第二漏极14分别置于所述第二有源层10的两侧；制作钝化层15，并蚀刻钝化层15形成以第二源极13或者第二漏极14为底的第三通孔16；蚀刻所述钝化层15和栅极绝缘层7形成以缓冲层3为底的第四通孔17；制作平坦层18，并在所述第三通孔16和第四通孔17所在位置上蚀刻所述平坦层18；制作透明阳极19，所述阳极19通过所述第三通孔16与所述第三通孔16的孔底连接；制作画素定义层20，并于所述画素定义层20上制作以所阳极19为底的第五通孔21；并去除所述第四通孔17所在位置上的画素定义层20；蒸镀发光层22于所述第五通孔21内；制作透明阴极23，并去除位于所述第四通孔17所在位置上的所述阴极23。第四通孔为所述空白区域，画素为所述透明显示结构中的非空白区域。需要说明的是，在本申请中，先于所述基板1上制作所述第一电致变色层2，且所述第一电致变色层2的上下两个电极均为透明电极。所述缓冲层3置于所述第一电致变色层2上，并通过所述缓冲层3上的第一通孔4与所述第二栅极层6连接。需要进一步说明的是，所述第一电致变色层2在本实施例中可以延伸至所述发光层22下方将所述发光层22完全遮挡；也可以延伸至发光层22下方，但不将所述发光层22完全遮挡，使发光层22可以向下透光；当然所述第一电致变色层2也可将所述发光层22和第四通孔17下方完全覆盖住。需要进一步说明的是，所述缓冲层3的材料可选无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等材料，在制作所述缓冲层3时可以进行单层镀膜或多层镀膜，亦或者采用其他有机绝缘材料作为缓冲层3；在缓冲层3之上成膜制作薄膜晶体管栅极，即，所述第一栅极层5和第二栅极层6以及相关驱动电路走线，所述第一栅极层5和第二栅极层6可选用铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金等，为了提高整体面板透明度亦可选用具有导电能力的氧化物如ITO、ZnO以及纳米材料如纳米银线等；在所述第一栅极层5和第二栅极层6上制作所述栅极绝缘层7，材料可选无机绝缘氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等，并在所述栅极绝缘层7上蚀刻出第二通孔8，露出第二栅极层6的上表面，第二通孔8起连接第二栅极层6与源极和漏极的作用；在栅极绝缘层7之上制作第一有源层9和第二有源层10，本申请对一有源层和第二有源层10材料不做限定可以由多晶硅、氧化物半导体、石墨烯、碳纳米管、有机半导体等制成；在所述栅极绝缘层7之上成膜制作薄膜晶体管源漏，即，第一源极11、第一漏极12、第二源极13、第二漏极14以及相关信号电路走线，第一源极11、第一漏极12、第二源极13和第二漏极14可选用铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金等，为了提高整体面板透明度亦可选用具有导电能力的氧化物如ITO、ZnO以及纳米材料如纳米银线等，同时使所述第一源极11或第一漏极12通过第二通孔8与所述第二栅极层6连接；在第一源极11、第一漏极12、第二源极13和第二漏极14之上制作所述钝化层15，材料可选无机绝缘氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等，并在钝化层15上蚀刻出第三通孔16，露出第二漏极14表面，第三通孔16起连接第二漏极14与OLED器件阳极19的作用，同时制作出第四通孔17(留白区)与缓冲层3表面，以增肌面板透明度；在所述钝化层15之上成膜平坦层18，并在所述第三通孔16、第四通孔17的位置上蚀刻所述平坦层18，所述平坦层18可选无机材料或有机材料，与所述缓冲层3材料相同，特别的，平坦层18可以和钝化层15可结合，只需通过增加钝化层15厚度可充当平坦层18作用，可减少一道膜层和光罩。在平坦层18上制作透明所述阳极19，材料可选ITO等，并图案化，阳极19通过第三通孔16连接第二漏极14；制作有机画素定义层20，并显影出RGB图案开口，即，第五通孔21，并露出所述阳极19的上表面，以及留白区底的第四通孔17；在第五通孔21区蒸镀RGB有机发光层22，包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层22EM、电子传输层ETL、电子注入层EIL，发光层22优选的为OLED器件；继续蒸镀透明所述阴极23，所述阴极23材料为：镁银合金等，完成阵列基板1工艺，后续可继续进行封装等工艺。面板在根据不同的讯号条件下具有透明以及颜色显示等不同状态。并且该面板相较于普通透明显示器在没有外界的辅助条件下便具有独立显示不同色阶的能力，并且可以一定程度上独立显示黑色，对比已面世的透明显示器具有更高的画面对比度。面板通过所述第一电致变色层2的位置设置将提供不同的发光模式，可以实现单面透光，也可双面透光。上述技术方案通过在所述基板1上设置所述第一电致变色层2，并于所述第一电致变色层2上制作透明显示结构，使每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的所述第一电致变色层2层，使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果，以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度，提高深色画面的显示效果，拓宽透明显示面板的应用场景。
为解决透明显示器需搭配黑色背景才能具有较好的灰阶显示效果所带来的使用场景限制，本发明提出了一种解决方案，通过在每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的膜层，使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果，以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度，提高深色画面的显示效果，拓宽透明显示面板的应用场景。
请参阅图3，本实施例中所述于基板1上制作第一电致变色层2包括步骤：依次制作层叠在所述基板1上的第一透明电极层201、第一电解质层、第一变色层、第一离子存储层和第二透明电极层202。需要说明的是，第一透明电极层201和第二透明电极层202可选基于Zn、In、Sn等氧化物，如ITO、ZnO、AZO(ZnO：Al)、GZO(ZnO：Ga)、SnO2等。制备所述第一电致变色层2根据所选材料可以有：真空蒸镀沉积、溅射沉积(PVD)、溅射沉积(CVD)、喷雾热解法、喷雾热解法、阳极19氧化法、水热法与溶剂热法等；具体的，根据设计需要所述第一电致变色层2的材料选择可选择无机电致变色材料如：WO3、MoO3、Nb2O5、TiO2、NiO、IrOx、Co2O3、Rh2O3、MnO2等；有机电致变色材料如：聚噻吩类及其衍生物、四硫富瓦烯、紫罗精类、金属酞菁类化合物等；
请参阅图7至图10，本实施例中，还包括步骤：在所述阴极23上制作第二电致变色层24；去除位于所述第四通孔17所在位置上部分或者全部的所述第二电致变色层24；去除位于所述发光层22上的所述第二电致变色层24。需要说明的是，在本实施例中，所述第二电致变色层24可以完全覆盖于所述发光层22上，也可以部分覆盖在所述发光层22上；当然，在某些实施例中，所述第二电致变色层24也可不覆盖与所述发光层22上。请参阅图9，本实施例中，所述在所述阴极23上制作第二电致变色层24步骤，包括步骤：依次制作层叠在所述阴极23上的第二电解质层、第二变色层、第二离子存储层和第三透明电极层2401。在本实施例中，所述第二电致变色层24与所述阴极23共用一个膜层。上述技术方案通过在所述基板1上设置所述第一电致变色层2，并于所述第一电致变色层2上制作透明显示结构，使每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的所述第一电致变色层2层，使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果，以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度，提高深色画面的显示效果，拓宽透明显示面板的应用场景。
请参阅图22，本实施例还提供了一种提高对比度的透明面板结构，包括：透明显示结构、第一电致变色层2和基板1；所述第一电致变色层2设置于所述透明显示结构与所述基板1之间；透明显示结构包括：第二栅极层6、发光层22和第四通孔17；所述第二栅极层6通过所述透明显示结构内的第一通孔4与所述第一电致变色层2连接；所述发光层22设置于所述第二栅极的上方，且所述发光层22在竖直方向与所述第二栅极层6无重叠部分，所述第四通孔17置于所述发光层22远离所述第二栅极层6的一侧。需要说明的是，在本申请中，所述第一电致变色层2的上下两个电极均为透明电极。所述缓冲层3置于所述第一电致变色层2上，并通过所述缓冲层3上的第一通孔4与所述第二栅极层6连接。上述技术方案通过在所述基板1上设置所述第一电致变色层2，并于所述第一电致变色层2上制作透明显示结构，使每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的所述第一电致变色层2层，使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果，以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度，提高深色画面的显示效果，拓宽透明显示面板的应用场景。
本申请还提供了一种提高对比度的透明面板结构，包括：电致变色层、制作透明显示结构和基板；所述电致变色层设置于所述透明显示结构与所述基板之间，或者所述电致变色层设置于所述透明显示结构上；所述透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上，所述透明显示结构包括有空白区域和画素，所述电致变色层与空白区域错开设置，且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域，所述竖直方向垂直于基板方向；当所述电致变色层置于所述透明显示结构和所述基板之间时：第一电致变色层置于基板上，并于所述第一电致变色层上设置缓冲层；于所述缓冲层上设置有以所述第一电致变色层为底的第一通孔，所述透明显示结构置于所述缓冲层上，且所述透明显示结构中的一栅极层通过第一通孔与第一电致变色层连接；当所述电致变色层置于所述透明显示结构上时：制作所述透明显示结构置于所述基板上，且在所述透明显示结构中发光层上的非空白区域设置第二电致变色层。
请参阅图18，在本实施例中，所述透明显示结构还包括：缓冲层3、第一栅极层5、栅极绝缘层7、第一有源层9、第二有源层10、第一源极11、第一漏极12、第二源极13、第二漏极14、钝化层15、平坦层18、阳极19、画素定义层20和阴极23；所述缓冲层3置于所述基板1上，并将所述第一电致变色层2覆盖；所述第一栅极层5和第二栅极层6设置于所述缓冲层3上，且所述第二栅极层6通过第一通孔4与所述第一电致变色层2连接；所述第一栅极层5和第二栅极层6上还设置有所述栅极绝缘层7；所述第一有源层9和第二有源层10设置于所述栅极绝缘层7上，且分别设置于所述第一栅极层5和第二栅极层6上方；所述第一有源层9两侧分别设置有所述第一源极11和第一漏极12，且所述第一源极11或第一漏极12通过所述栅极绝缘层7上的第二通孔8与所述第二栅极连接；所述第二有源层10两侧分别设置有所述第二源极13和第二漏极14；于第一有源层9、第二有源层10、第一源漏极层、第二源漏极层和栅极绝缘层7上依次设置有钝化层15和平坦层18；所述阳极19设置于平坦层18上，并通过钝化层15、平坦层18上的第三通孔16与第二源漏极层连接；所述阳极19和平坦层18上还设置有所述画素定义层20，所述画素定义层20上设置有以阳极19为底的第五通孔21；所述发光层22置于所所述第五通孔21内，于第二栅极层6远离第一栅极层5的一侧还设置有以所述缓冲层3为底的第四通孔17。需要进一步说明的是，所述缓冲层3的材料可选无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等材料，在制作所述缓冲层3时可以进行单层镀膜或多层镀膜，亦或者采用其他有机绝缘材料作为缓冲层3；在缓冲层3之上成膜制作薄膜晶体管栅极，即，所述第一栅极层5和第二栅极层6以及相关驱动电路走线，所述第一栅极层5和第二栅极层6可选用铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金等，为了提高整体面板透明度亦可选用具有导电能力的氧化物如ITO、ZnO以及纳米材料如纳米银线等；在所述第一栅极层5和第二栅极层6上制作所述栅极绝缘层7，材料可选无机绝缘氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等，并在所述栅极绝缘层7上蚀刻出第二通孔8，露出第二栅极层6的上表面，第二通孔8起连接第二栅极层6与源极和漏极的作用；在栅极绝缘层7之上制作第一有源层9和第二有源层10，本申请对一有源层和第二有源层10材料不做限定可以由多晶硅、氧化物半导体、石墨烯、碳纳米管、有机半导体等制成；在所述栅极绝缘层7之上成膜制作薄膜晶体管源漏，即，第一源极11、第一漏极12、第二源极13、第二漏极14以及相关信号电路走线，第一源极11、第一漏极12、第二源极13和第二漏极14可选用铝、钼、钛、镍、铜、银、铬等导电性优良金属一种或多种，以及合金等，为了提高整体面板透明度亦可选用具有导电能力的氧化物如ITO、ZnO以及纳米材料如纳米银线等，同时使所述第一源极11或第一漏极12通过第二通孔8与所述第二栅极层6连接；在第一源极11、第一漏极12、第二源极13和第二漏极14之上制作所述钝化层15，材料可选无机绝缘氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等，并在钝化层15上蚀刻出第三通孔16，露出第二漏极14表面，第三通孔16起连接第二漏极14与OLED器件阳极19的作用，同时制作出第四通孔17(留白区)与缓冲层3表面，以增肌面板透明度；在所述钝化层15之上成膜平坦层18，并在所述第三通孔16、第四通孔17的位置上蚀刻所述平坦层18，所述平坦层18可选无机材料或有机材料，与所述缓冲层3材料相同，特别的，平坦层18可以和钝化层15可结合，只需通过增加钝化层15厚度可充当平坦层18作用，可减少一道膜层和光罩。在平坦层18上制作透明所述阳极19，材料可选ITO等，并图案化，阳极19通过第三通孔16连接第二漏极14；制作有机画素定义层20，并显影出RGB图案开口，即，第五通孔21，并露出所述阳极19的上表面，以及留白区底的第四通孔17；在第五通孔21区蒸镀RGB有机发光层22，包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、有机发光层22EM、电子传输层ETL、电子注入层EIL，发光层22优选的为OLED器件；继续蒸镀透明所述阴极23，所述阴极23材料为：镁银合金等，完成阵列基板1工艺，后续可继续进行封装等工艺。面板在根据不同的讯号条件下具有透明以及颜色显示等不同状态。并且该面板相较于普通透明显示器在没有外界的辅助条件下便具有独立显示不同色阶的能力，并且可以一定程度上独立显示黑色，对比已面世的透明显示器具有更高的画面对比度。面板通过所述第一电致变色层2的位置设置将提供不同的发光模式，可以实现单面透光，也可双面透光。在发光层22工作时，由于第一电致变色层2、第二电致变色层24处于不透光的状态，可以对发光层22形成遮光作用，减少光线对发光层22器件工作状态的影响。所述发光层22上下侧均设置有电致变色层，既满足不同观察面的显示需求有可以进一步增加画面对比度。
需要进一步说明的是，所述第一电致变色层2在本实施例中可以延伸至所述发光层22下方将所述发光层22完全遮挡；也可以延伸至发光层22下方，但不将所述发光层22完全遮挡，使发光层22可以向下透光；当然所述第一电致变色层2也可将所述发光层22和第四通孔17下方完全覆盖住。具体的，所述第一电致变色层2与所述发光层22在竖直方向上有重叠部分；且所述第一电致变色层2靠近所述第四通孔17的一端位于所述发光层22下方，即，靠近所述第四通孔17的一端延伸至所述发光层22下方。或者所述发光层22在竖直方向上与所述第一电致变色层2完全重叠，且所述第一电致变色层2在竖直方向上与所述第四通孔17无重叠部分。或者所述第一电致变色层2与所述发光层22在竖直方向上完全重叠，且所述第一电致变色层2在竖直方向上与所述第四通孔17完全重叠。
请参阅图4至图6，还包括：第二电致变色层24；所述第二电致变色层24置于所述透明显示结构上，所述第二电致变色层24靠近所述透明显示结构的一侧与所述阴极23共用一个膜层，且在竖直方向上与所述发光层22有部分重叠或无重叠。具体的，所述第一电致变色层2与所述第二电致变色层24相互组合形成多种透光模式。如：所述透明显示结构上方无所述第二电致变色层24，且下方设置有所述第一电致变色层2，所述第一电致变色层2与所述发光层22在竖直方向上完全重合；所述透明显示结构下方无所述第一电致变色层2，且上方设置有所述第二电致变色层24，所述第二电致变色层24与所述发光层22在竖直方向上完全重合；所述透明显示结构上下侧分别设置有所述第一电致变色层2和第二电致变色层24，且第一电致变色层2用于遮盖部分所述发光层22，第二电致变色层24用于遮盖另一部分发光层22。上述技术方案通过在所述基板1上设置所述第一电致变色层2，并于所述第一电致变色层2上制作透明显示结构，使每个像素点位置正对方向独立加入黑色或可调颜色的所述第一电致变色层2层，使得每个像素点都拥有独立“幕布”的效果，以提高在无深色背景下透明显示面板画面对比度，提高深色画面的显示效果，拓宽透明显示面板的应用场景。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种提高对比度的透明面板结构的制作方法，其特征在于，包括制作电致变色层步骤和制作透明显示结构步骤；
制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面；或者制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面；
所述透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上，所述透明显示结构包括有空白区域和画素，所述电致变色层与空白区域错开设置，且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域，所述竖直方向垂直于基板方向；
当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面时，制作所述方法包括：
于基板上制作第一电致变色层，并于所述第一电致变色层上制作缓冲层；
于所述缓冲层上制作以所述第一电致变色层为底的第一通孔，
在缓冲层上完成制作所述透明显示结构步骤，透明显示结构中的一栅极层通过第一通孔与第一电致变色层连接；
当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤后面时，所述制作方法包括：
在基板上完成制作所述透明显示结构步骤，在透明显示结构中发光层上的非空白区域制作第二电致变色层。
2.根据权利要求1所述一种提高对比度的透明面板结构的制作方法，其特征在于，制作所述透明显示结构步骤包括：
制作第一栅极层和第二栅极层，且所述第二栅极层通过所述第一通孔与所述第一电致变色层连接；
制作栅极绝缘层，并蚀刻所述栅极绝缘层，形成以所述第二栅极层为底的第二通孔；
制作第一有源层和第二有源层，所述第一有源层置于所述第一栅极上方的所述栅极绝缘层上，所述第二有源层置于所述第二栅极上方的所述栅极绝缘层上；
制作第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极；所述第一源极和第一漏极分别置于所述第一有源层两侧，且所述第一源极或第一漏极通过所述第二通孔与所述第二栅极连接；所述第二源极和第二漏极分别置于所述第二有源层的两侧；
制作钝化层，并蚀刻钝化层形成以第二源极或者第二漏极为底的第三通孔；蚀刻所述钝化层和栅极绝缘层形成以缓冲层为底的第四通孔，第四通孔为所述空白区域；
制作平坦层，并蚀刻第三通孔和第四通孔位置处的平坦层；
制作透明阳极，所述阳极通过所述第三通孔与所述第三通孔的孔底连接；
制作画素定义层，并于所述画素定义层上制作以所阳极为底的第五通孔；并去除所述第四通孔所在位置上的画素定义层；
蒸镀发光层于所述第五通孔内；
制作透明阴极，并去除位于所述第四通孔所在位置上的所述阴极。
3.根据权利要求1所述一种提高对比度的透明面板结构的制作方法，其特征在于，所述于基板上制作第一电致变色层包括步骤：
依次制作层叠在所述基板上的第一透明电极层、第一电解质层、第一变色层、第一离子存储层和第二透明电极层。
4.根据权利要求1所述一种提高对比度的透明面板结构的制作方法，其特征在于，当制作所述电致变色层步骤在制作所述透明显示结构步骤前面时，在所述制作透明显示结构后还包括步骤：
在所述透明显示结构上制作第二电致变色层；
去除位于所述空白区域所在位置上全部的所述第二电致变色层；
在所述第二电致变色层上对应所述发光层的位置设置有透光孔。
5.根据权利要求1所述一种提高对比度的透明面板结构的制作方法，其特征在于，所述第一电致变色层与第二电致变色层在所述竖直方向上分别与发光层的不同部分重叠。
6.一种提高对比度的透明面板结构，其特征在于，包括：电致变色层、制作透明显示结构和基板；
所述电致变色层设置于所述透明显示结构与所述基板之间，或者所述电致变色层设置于所述透明显示结构上；
所述透明显示结构和所述电致变色层设置在基板上，所述透明显示结构包括有空白区域和画素，所述电致变色层与空白区域错开设置，且所述电致变色层在竖直方向上与发光层具有重叠区域，所述竖直方向垂直于基板方向；
当所述电致变色层置于所述透明显示结构和所述基板之间时：第一电致变色层置于基板上，并于所述第一电致变色层上设置缓冲层；于所述缓冲层上设置有以所述第一电致变色层为底的第一通孔，所述透明显示结构置于所述缓冲层上，且所述透明显示结构中的一栅极层通过第一通孔与第一电致变色层连接；
当所述电致变色层置于所述透明显示结构上时：制作所述透明显示结构置于所述基板上，且在所述透明显示结构中发光层上的非空白区域设置第二电致变色层。
7.根据权利要求6所述一种提高对比度的透明面板结构，其特征在于，所述透明显示结构还包括：缓冲层、第一栅极层、栅极绝缘层、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、钝化层、平坦层、阳极、画素定义层和阴极；
所述缓冲层置于所述基板上，并将所述第一电致变色层覆盖；所述第一栅极层和第二栅极层设置于所述缓冲层上，且所述第二栅极层通过第一通孔与所述第一电致变色层连接；所述第一栅极层和第二栅极层上还设置有所述栅极绝缘层；所述第一有源层和第二有源层设置于所述栅极绝缘层上，且分别设置于所述第一栅极层和第二栅极层上方；所述第一有源层两侧分别设置有所述第一源极和第一漏极，且所述第一源极或第一漏极通过所述栅极绝缘层上的第二通孔与所述第二栅极连接；所述第二有源层两侧分别设置有所述第二源极和第二漏极；于第一有源层、第二有源层、第一源漏极层、第二源漏极层和栅极绝缘层上依次设置有钝化层和平坦层；所述阳极设置于平坦层上，并通过钝化层、平坦层上的第三通孔与第二源漏极层连接；所述阳极和平坦层上还设置有所述画素定义层，所述画素定义层上设置有以阳极为底的第五通孔；所述发光层置于所所述第五通孔内，于第二栅极层远离第一栅极层的一侧还设置有以所述缓冲层为底的第四通孔。
8.根据权利要求6所述一种提高对比度的透明面板结构，其特征在于，所述第一电致变色层包括依次层叠在所述基板上的第一透明电极层、第一电解质层、第一变色层、第一离子存储层和第二透明电极层。
9.根据权利要求6所述一种提高对比度的透明面板结构，其特征在于，当所述电致变色层置于所述透明显示结构和所述基板之间时，在所述透明显示结构上还设置有第二电致变色层；
且在所述空白区域所在位置上不设置有所述第二电致变色层；
在所述第二电致变色层上对应所述发光层的位置设置有透光孔。
10.根据权利要求6所述一种提高对比度的透明面板结构，其特征在于，所述第一电致变色层与第二电致变色层在所述竖直方向上分别与发光层的不同部分重叠。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010882817.1A CN112071879A (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010882817.1A CN112071879A (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 一种提高对比度的透明面板结构及其制作方法 |
Publications (1)
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| CN109065601A (zh) * | 2018-09-21 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN109148544A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-04 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置 |
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2020
- 2020-08-28 CN CN202010882817.1A patent/CN112071879A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105278199A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-01-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 电致变色显示面板及其制作方法 |
| CN108987451A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其控制方法和显示装置 |
| CN109148544A (zh) * | 2018-08-30 | 2019-01-04 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种透明显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN109065601A (zh) * | 2018-09-21 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN212323003U (zh) * | 2020-08-28 | 2021-01-08 | 福建华佳彩有限公司 | 一种提高对比度的透明面板结构 |
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