CN112071772A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于处理基板的装置，其包括：具有内部空间的热处理腔室；壳体，其设置在所述内部空间中，所述壳体在其中具有处理空间；气体供应管线，其将疏水性气体供应至所述处理空间中，以疏水化所述基板；和分解单元，其分解从所述处理空间泄漏至所述内部空间的碱性气体。

Description

用于处理基板的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月10日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0068197的专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置，更具体地，涉及一种用于通过将气体供应至基板来处理基板的基板处理装置。
背景技术
在半导体制造工艺中，光刻技术工艺是在晶圆上形成期望的图案的工艺。光刻技术工艺在旋转器设备中执行，该旋转器设备连接有曝光设备，该旋转器设备连续地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。旋转器设备依次执行六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane)(以下称为HMDS)工艺、涂覆工艺、烘烤工艺(bake process)和显影工艺。本文中，HMDS工艺是在施加光刻胶(photo-resist,PR)之前将HMDS分配到晶圆上以促进光刻胶到晶圆的粘附的工艺。
通常，在HMDS工艺中，基板被支承在容纳基板的腔室中，且六甲基二硅氮烷(HMDS)气体被供应至基板。在六甲基二硅氮烷(HMDS)气体供应至基板以处理基板的工艺中，产生诸如氨的碱性气体。当基板装载至腔室中或从腔室中卸载时，碱性气体可能泄漏到外部。因此，排气管线连接到腔室，并且在HMDS工艺中产生的碱性气体通过排气管线释放。
然而，通过连接至腔室的排气管线提供的排气压力或排气量受到限制。因此，腔室内的碱性气体可能无法适当释放。此外，当调节排气压力或排气量以释放碱性气体时，腔室中的气流改变。由于气流的变化，在腔室内可能产生涡流。而且，碱性气体很可能与腔室内的组件碰撞而产生颗粒。另外，由于气流的变化，HMDS气体对基板的处理可能不均匀地执行。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的基板处理装置。
此外，本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理碱性气体的基板处理装置。
本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括热处理腔室，其具有内部空间；壳体，其设置在所述内部空间中，所述壳体在其中具有处理空间；气体供应管线，其将疏水性气体供应至所述处理空间，以疏水化所述基板；和分解单元，其分解从所述处理空间泄漏至所述内部空间的碱性气体。
根据一实施方案，所述壳体可包括：主体，其具有敞开的顶部侧；和盖，其覆盖所述主体的敞开的顶部侧。所述主体和所述盖可以彼此结合以形成处理空间，和所述盖竖直地移动以打开或关闭所述处理空间。
根据一实施方案，所述热处理腔室可具有入口/出口，所述基板通过所述入口/出口进入或离开所述热处理腔室，和所述装置还可包括门，所述门打开或关闭所述入口/出口。
根据一实施方案，所述分解单元可包括光催化剂。
根据一实施方案，所述光催化剂可以以膜形式设置，并可围绕所述壳体。
根据一实施方案，所述光催化剂可具有条形形状，且可设置在一路径上，所述碱性气体沿着该路径从所述处理空间泄漏至所述内部空间。
根据一实施方案，所述分解单元还可包括照射构件，所述照射构件将光照射至所述光催化剂。
根据一实施方案，所述光催化剂可含有二氧化钛(TiO2)。
根据一实施方案，所述碱性气体可为氨气。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性立体图；
图2为示出了图1的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图；
图3为示出了图1的基板处理装置的平面图；
图4为示出了图3的传送单元的手的一个实施例的视图；
图5为示出了图3的热处理腔室的一个实施例的示意性平面图；
图6为示出了图5的热处理腔室的正面截面图；
图7为示出了根据本发明构思的实施方案的热处理腔室分解碱性气体的状态的视图；
图8为示出了根据本发明构思的另一实施方案的热处理腔室的一部分的视图；
图9为示出了根据本发明构思的另一实施方案的热处理腔室的一部分的视图；
图10为示出了根据本发明构思的另一实施方案的热处理腔室的一部分的视图；和
图11为示出了根据本发明构思的另一实施方案的热处理腔室的一部分的视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方案，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实行本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方案。此外，在描述本发明构思的实施方式时，当与已知功能或配置有关的详细描述可能使本发明构思的主题不必要地模糊时，该详细描述被省略。另外，贯穿附图，执行相似功能和操作的组件设置有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括(include)”和“包含(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应组件，并且除非另有特别说明，否则不排除而可能包括额外的组件。特别地，应当理解的是，术语“包括”、“包含”和“具有(have)”，在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了说明的清楚，组件的形状和尺寸可能被夸大。
图1为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的示意性立体图。图2为示出了图1的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图。图3为示出了图1的基板处理装置的平面图。
参照图1至图3，基板处理装置1包括索引模块20、处理模块30和接口模块40。根据一实施方案，索引模块20、处理模块30和接口模块40顺序地设置成一排。在下文中，布置有索引模块20、处理模块30和接口模块40的方向称为X轴方向12，当从上方观察时垂直于X轴方向12的方向称为Y轴方向14，以及与X轴方向12和Y轴方向14都垂直的方向称为Z轴方向16。
索引模块20将基板W从其内容纳有基板W的载体10传送至处理模块30，并将完全处理过的基板W放置在载体10中。索引模块20的纵向方向与Y轴方向14平行。索引模块20具有装载端口22和索引框架24。装载端口22相对于索引框架24位于处理模块30的相反侧。在其内容纳有基板W的载体10放置在装载端口22上。装载端口22可沿Y轴方向14设置。
例如前开式晶圆盒(front opening unified pod,FOUP)的气密载体10可以用作为载体10。载体10可以通过诸如高架传送器、高架运输器或自动引导车的传送装置(未示出)、或通过操作者放置在装载端口22上。
索引机械手2200设置在索引框架24中。导轨2300设置在索引框架24中，导轨2300的纵向方向与Y轴方向14平行。索引机械手2200在导轨2300上为可移动的。索引机械手2200包括手(hand)2220，基板W放置在手2220上，并且手2220为向前和向后可移动的、围绕面向Z轴方向16的轴线可旋转的、以及沿Z轴方向16可移动的。
处理模块30在基板W上执行涂覆工艺和显影工艺。处理模块30具有涂覆块30a和显影块30b。涂覆块30a在基板W上执行涂覆工艺，且显影块30b在基板W上执行显影工艺。涂覆块30a彼此互相堆叠。显影块30b彼此互相堆叠。根据图3的实施方案，设置有两个涂覆块30a和两个显影块30b。涂覆块30a可设置在显影块30b的下方。根据一实施方案，两个涂覆块30a可执行相同的工艺，并且可具有相同的结构。此外，两个显影块30b可执行相同的工艺，并且可具有相同的结构。
参照图3，涂覆块30a具有热处理腔室3200、传送腔室3400、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800。热处理腔室3200在基板W上执行热处理工艺。热处理工艺可包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔室3600通过将液体分配到基板W上在基板W上形成液态膜。液态膜可以是光刻胶膜或增透膜(anti-reflection film)。传送腔室3400在涂覆块30a中的热处理腔室3200和液体处理腔室3600之间传送基板W。
传送腔室3400设置成使得其纵向方向平行于X轴方向12。传送单元3420设置在传送腔室3400中。传送单元3420在热处理腔室3200、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800之间传送基板W。根据一实施方案，传送单元3420具有基板W放置在其上的手A，且手A为向前和向后可移动的、围绕面向Z轴方向16的轴线可旋转的、以及沿Z轴方向16可移动的。导轨3300设置在传送腔室3400中，导轨3300的纵向方向与X轴方向12平行。传送单元3420在导轨3300上为可移动的。
图4为示出了图3的传送单元的手的一个实施例的视图。参照图4，手A具有基部3428和支承突起3429。基部3428可具有环孔形状，基部3428的圆周部分地弯曲。基部3428具有大于基板W的直径的内径。支承突起3429从基部3428向内延伸。支承突起3429支承基板W的边缘区域。根据一实施方案，可以以相等的间隔设置四个支承突起3429。
再次参照图2和图3，设置了多个热处理腔室3200。热处理腔室3200沿X轴方向12并排设置。热处理腔室3200位于传送腔室3400的一侧。
图5为示出了图3的热处理腔室的一个实施例的示意性平面，且图6为示出了图5的热处理腔室的正面截面图。热处理腔室3200具有壳体3210、冷却单元3220、加热单元3230、传送板3240和分解单元3250。
热处理腔室3200具有内部空间3202。热处理腔室3200具有大体上矩形平行六面体的形状。热处理腔室3200在其侧壁中具有入口/出口3204，基板W通过该入口/出口3204进入或离开热处理腔室3200。此外，可以提供门3212以打开或关闭入口/出口3204。可选择地，入口/出口3204可以保持在打开状态。冷却单元3220、加热单元3230、传送板3240和分解单元3250设置在热处理腔室3200的内部空间3202中。冷却单元3220和加热单元3230沿Y轴方向14并排设置。
冷却单元3220具有冷却板3222。当从上方观察时，冷却板3222可具有大体上的圆形形状。冷却构件3224设置在冷却板3222的内部。根据一实施方案，冷却构件3224可形成在冷却板3222的内部，并可以用作冷却流体流过的流体通道。
加热单元3230可包括壳体3232、加热板3234、加热器3235、气体供应管线3237和排气管线3238。壳体3232可包括主体3232a和盖3232b。主体3232a可具有在顶部敞开的形状。主体3232a可具有在顶部敞开的圆柱形形状。盖3232b可覆盖主体3232a的顶部。盖3232b可具有在底部敞开的圆柱形形状。可替代地，盖3232b可具有覆盖主体3232a的顶部的板状。主体3232a和盖3232b可彼此结合以形成处理空间3233。此外，盖3232b可与驱动构件(未示出)连接，该驱动构件在竖直方向移动盖3232b。因此，盖3232b可以竖直地移动以打开或关闭处理空间3233。例如，当将基板W装载到处理空间3233中或从处理空间3233中卸载时，盖3232b可以向上移动以打开处理空间3233。此外，当基板W在处理空间3233中处理时，盖3232b可以向下移动以关闭处理空间3233。
加热板3234可支承处理空间中的基板W。当从上方观察时，加热板3234具有大致圆形形状。加热板3234具有比基板W大的直径。加热板3234配备有加热器3235。加热器3235可以为电阻加热元件，电流被施加到该电阻加热元件。加热板3235具有提升销3236，该提升销为沿Z轴方向16竖直可移动的。提升销3236从加热单元3230外部的传送单元接收基板W，并将基板W向下放置在加热板3234上，或将基板W从加热板3234上抬起并将基板W传送至加热单元3230外部的传送单元。根据一实施方案，可以设置三个提升销3234。
气体供应管线3237可以将气体供应至位于处理空间3233中的基板W。气体可以为疏水化基板W的疏水性气体。疏水性气体可以将基板W的性质从亲水性改变为疏水性。可以在基板W上涂覆光刻胶(PR)之前供应疏水性气体。疏水气体可以包括六甲基二硅氮烷(HMDS)。此外，疏水性气体可以包括惰性气体。例如，惰性气体可为氮气。
排气管线3238可以排空处理空间3233。排气管线3238可以降低处理空间3233中的压力。可以设置多个排气管线3238。多个排气管线3238可以连接至壳体3232的底部。进一步地，多个排气管线3238可以以预定的间隔彼此间隔开。此外，多个排气管线3238可以设置在加热板3234的周围。减压构件(未示出)可连接至排气管线3238。减压构件可以是泵。然而，不限于此，减压构件(未示出)可以包括能够降低处理空间3233中的压力的各种已知的装置。
传送板3240具有大体上的圆形板形状，并具有对应于基板W的直径的直径。传送板3240具有形成于其边缘的槽口(notches)3244。槽口3244可具有与突起3429相对应的形状，该突起形成在上述的传送单元3420的手A上。此外，与在手A上形成的突起3429一样多的槽口3244被形成在与突起3429相对应的位置中。当手A和传送板3240在竖直方向上彼此对齐的竖直位置被改变时，基板W在手A和传送板3240之间传送。传送板3240安装在导轨3249上，并通过致动器3246沿着导轨3249移动。在传送板3240中形成有狭缝形状的多个导向槽3242。导向槽3242从传送板3240的边缘向内延伸。导向槽3242的纵向方向与Y轴方向14平行，并且导向槽3242被定位成沿x轴方向12彼此间隔开。当基板W在传送板3240和加热单元3230之间传送时，导向槽3242防止传送板3240和提升销3236彼此相互干扰。
分解单元3250可以分解从处理空间3232泄漏到内部空间3202的气体。由分解单元3250分解的气体可以是碱性气体。碱性气体可以是氨气。然而，不限于此，分解单元3250可以分解含有机化合物的各种气体。分解单元3250可以包括光催化剂3252和照射构件3254。
光催化剂3252可具有条形形状(bar shape)。光催化剂3252可以设置在加热单元3230上方。例如，光催化剂3252可以设置在加热单元3230上方，以与热处理腔室3200的内壁相邻。例如，用于照射光的照射构件3254可以设置在热处理腔室3200的内壁上，且光催化剂3252可以设置在照射构件3254的一个表面上。
光催化剂3252可以接收由照射构件3254照射的光。光催化剂3252可以包括接收光能并引起催化的材料。也就是说，光催化剂3252可以使用光作为能源来引发催化反应(氧化和还原反应)，且可以通过催化反应产生活性物质(reactive substance)。活性物质可以是活性氧类。此外，光催化剂3252可以包括二氧化钛(TiO2)。光催化剂3252可以接收由照射构件3254照射的光，且光催化剂3252的表面上的孔可以与处理空间3233中的空气或湿气反应以产生活性物质，电子从光催化剂3252的表面上逸出。活性物质可以是羟基基团(R)。
图7为示出了根据本发明构思的实施方案的热处理腔室分解碱性气体的状态的视图。参照图7，在通过将疏水性气体供应至基板W来处理基板W的过程中产生的碱性气体G可能残留在壳体3232的处理空间3233中。当基板W装载到壳体3232的处理空间3233中或从壳体3232的处理空间3233中卸载时，盖3232b通过驱动构件升高。此时，残留在处理空间3233中的碱性气体G可能从处理空间3233泄漏到内部空间3202。此外，当盖3232b升高时，照射构件3254可以将光照射至光催化剂3252。如上所述，光催化剂3252可以包括二氧化钛(TiO2)。因此，光照射的光催化剂3252可以通过催化作用产生活性物质。活性物质可以是羟基基团(R)。羟基基团R可以与从处理空间3232泄漏到内部空间3202的碱性气体G反应。在碱性气体G为氨气的情况下，化学方程式如下。
NH3+OH·→N2+H2O
碱性气体G可通过与活性物质反应而分解成水和惰性气体、如氮气。通常，当碱性气体通过连接至腔室的排气管线来释放时，由于排气量或排气压力的限制，碱性气体可能无法适当地释放。此外，当排气量或排气压力变化时，腔室中的气流可以变化，以有效地释放碱性气体。气流变化可能会产生颗粒，或者可能会阻碍基板被均匀地处理。此外，由于腔室的密封技术的限制，难以完全防止碱性气体从腔室中泄漏。然而，根据本发明构思的实施方案，从处理空间3233泄漏的碱性气体G可以独立于处理空间3233的通过设置在壳体3232处的排气管路3238的排空而分解。碱性气体G分解成无害的物质、例如水和氮气。另外，不受排气管线3238的排气量和排气压力以及壳体3232的密封技术的影响。因此，可以最小化对壳体3232的处理空间3233中的基板W的处理的影响。
再次参照图4和图5，设置了多个缓冲腔室3800。缓冲腔室3800中的一些设置在索引模块20和传送腔室3400之间。在下文中，将这些缓冲腔室称为前部缓冲区3802。前部缓冲区3802沿竖直方向彼此相互堆叠。其他缓冲腔室3800设置于传送腔室3400和接口模块40之间。将这些缓冲腔室称为后部缓冲区3804。后部缓冲区3804沿竖直方向彼此相互堆叠。前部缓冲区3802和后部缓冲区3804临时存储多个基板W。存储在前部缓冲区3802中的基板W由索引机械手2200和传送单元3420装载或卸载。存储在后部缓冲区3804中的基板W由传送单元3420和第一机械手4602装载或卸载。
显影块30b具有热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600。显影块30b的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600以与涂覆块30a的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600的结构类似的结构来设置。因此，将省略对其的描述。然而，显影块30b中的液体处理腔室3600设置为显影腔室3600，所有的显影腔室3600均匀地分配显影溶液以在基板W上执行显影工艺。
接口模块40将处理模块30与外部曝光装置50连接。接口模块40具有接口框架4100、附加工艺腔室4200、接口缓冲区4400和传送构件4600。
接口框架4100在其顶部可以具有风扇过滤单元，该风扇过滤单元在接口框架4100中形成向下的气流。附加工艺腔室4200、接口缓冲区4400和传送构件4600设置在接口框架4100中。在将涂覆块30a中已完全处理的基板W传送至曝光装置50之前，附加工艺腔室4200可以在基板W上执行预定的附加工艺。选择性地，在将曝光装置50中已完全处理的基板W传送到显影块30b之前，附加工艺腔室4200可以在基板W上执行预定的附加工艺。根据一实施方案，附加工艺可以是将基板W的边缘区域暴露于光的边缘曝光工艺、清洁基板W的顶侧的顶侧清洁工艺、或清洁基板W的后侧的后侧清洁工艺。可以设置多个附加工艺腔室4200。附加工艺腔室4200可以彼此相互堆叠。附加工艺腔室4200可以全部执行相同的工艺。选择性地，附加工艺腔室4200中的一些可以执行不同的工艺。
接口缓冲区4400提供一空间，在涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光装置50和显影块30b之间传送的基板W临时停留在该空间中。可以设置多个接口缓冲区4400。接口缓冲区4400可以彼此相互堆叠。
根据一实施方案，附加工艺腔室4200可以设置在面向传送腔室3400的纵向方向的延长线的一侧，且接口缓冲区4400可设置在延长线的相反侧上。
传送构件4600在涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光装置50和显影块30b之间传送基板W。传送腔室4600可以用一个或多个机械手而实施。根据一实施方案，传送构件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602可以在涂覆块30a、附加工艺腔室4200和接口缓冲区4400之间传送基板W。接口机械手4606可以在接口缓冲区4400和曝光装置50之间传送基板W。第二机械手4606可以在接口缓冲区4400和显影块30b之间传送基板W。
第一机械手4602和第二机械手4606中的每一个都包括手，基板W放置在该手上，且手为向前和向后可移动的、围绕平行于Z轴方向16的轴线可旋转的、以及沿Z轴方向16可移动的。
在上述实施例中，已经示例了光催化剂3252设置在壳体3232上。然而，本发明构思不限于此。例如，如图8所示，光催化剂3252可以以膜形式设置。以膜形式设置的光催化剂3252可以围绕壳体3232。在这种情况下，从处理空间3233泄漏的碱性气体G可以通过立即与由光催化剂3252产生的活性物质反应来分解。
在上述实施例中，已经示例了光催化剂3252设置在壳体3232上。然而，本发明构思不限于此。例如，如图9所示，光催化剂3252可以设置在碱性气体G从处理空间3233泄漏到内部空间3202所沿着的路径上。例如，在将盖3232b从主体3232a上抬起的情况下，光催化剂3252可以设置在主体3232a和盖3232b彼此间隔开的区域的外侧。在这种情况下，当从上方观察时，光催化剂3252可以具有环形形状。环形形状的光催化剂3252可以具有比壳体3232更大的半径。此外，环形形状的光催化剂3252可耦合至未示出的支承构件。环形形状的光催化剂3252可以设置成从支承构件为可拆卸的。
替代地，如图10所示，光催化剂3252可具有在顶部和底部敞开的圆柱形形状。在顶部和底部敞开的圆柱形形状的光催化剂3252可以具有比壳体3232更大的半径。根据图10中所示的实施方案，如图9中所示的实施方案，光催化剂3252设置在碱性气体G从处理空间3233泄漏到内部空间3202的所沿着的路径上。因此，可以提高分解碱性气体G的效率。
在另一种情况下，如图11所示，光催化剂3252可以邻近入口/出口3204设置。光催化剂3252可以设置在热处理腔室3200的内壁上，并且可以具有围绕入口/出口3204的形状。由于入口/出口3204为基板W进入或离开热处理腔室3200所通过的开口，因此产生了朝向入口/出口3204的气流。因此，从处理空间3233泄漏到内部空间3202的碱性气体G易于流向入口/出口3204。因此，在光催化剂3252与入口/出口3204相邻设置的情况下，可以提高分解碱性气体G的效率。
在上述实施方案中，已经示例了设置单个光催化剂3252。然而，本发明构思不限于此。例如，上面的实施方案中描述的光催化剂3252的形状和布置可以单独使用或组合使用。
在上述实施方案中，已经示例了照射构件3254与光催化剂3252分开设置。然而，本发明构思不限于此。例如，照射构件3254可以省略。替代地，照射构件3254可以与光催化剂3252集成。
在上述实施方案中，已经示例了工艺气体是HMDS气体，且基板处理工艺是在基板W涂覆有光刻胶之前疏水化基板W的工艺。然而，基板处理工艺可以是与前述工艺不同的工艺。例如，基板处理工艺可以是在基板W上形成薄膜的沉积工艺或者是在基板W上去除膜的蚀刻工艺。
如上所述，根据本发明构思的实施方案，基板处理装置可以有效地处理基板。
此外，基板处理装置可以有效地处理碱性气体。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述示例了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。此外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域的技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种变化和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (18)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
热处理腔室，其具有内部空间；
壳体，其设置在所述内部空间中，所述壳体在其中具有处理空间；
气体供应管线，其被配置为将疏水性气体供应至所述处理空间中，以疏水化所述基板；和
分解单元，其被配置为分解从所述处理空间泄漏至所述内部空间的碱性气体。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述壳体包括：
主体，其具有敞开的顶部侧；和
盖，其被配置为覆盖所述主体的所述敞开的顶部侧，
其中，所述主体和所述盖彼此结合以形成所述处理空间，并且
其中，所述盖竖直地移动以打开或关闭所述处理空间。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述热处理腔室具有入口/出口，所述基板通过所述入口/出口进入或离开所述热处理腔室，并且
其中，所述装置还包括门，所述门被配置为打开或关闭所述入口/出口。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述分解单元包括光催化剂。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述光催化剂以膜形式设置，并且被配置为围绕所述壳体。
6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述光催化剂具有条形形状。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述分解单元还包括照射构件，所述照射构件被配置为将光照射至所述光催化剂。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述照射构件设置在所述热处理腔室的内壁上，且所述光催化剂设置在所述照射构件的一个表面上。
9.根据权利要求4所述的装置，其中，所述光催化剂设置在所述碱性气体从所述处理空间泄漏至所述内部空间所沿着的路径上。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述光催化剂具有环形形状。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述光催化剂被耦合至支承构件。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述光催化剂设置成从所述支承构件为可拆卸的。
13.根据权利要求9所述的装置，其中，所述光催化剂具有在顶部和底部敞开的圆柱形形状。
14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述光催化剂具有比所述壳体更大的半径。
15.根据权利要求4所述的装置，其中，所述光催化剂设置在所述热处理腔室的内壁上。
16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述光催化剂具有围绕所述入口/出口的形状。
17.根据权利要求4所述的装置，其中，所述光催化剂包含二氧化钛(TiO2)。
18.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述碱性气体为氨气。
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