CN1120716A - 利用短暂光的光头以及光学数据记录/再生装置 - Google Patents

Abstract

一种光学信息记录/再生方法，用于利用短暂光光束记录及再生信息，它在靠近光学信息记录介质处安装一个光头，该光头具有半导体激光器，用于检测从该半导体激光器的第一端表面放出的激光光束的检测器，以及用于产生短暂光的装置，该短暂光由从该半导体激光器的第二端表面发出的激光光束产生。

Description

利用短暂光的光头以及光学 数据记录/再生装置

本发明涉及一种光盘装置以及采用该光盘装置的光学信息处理器。

至今人们一直在注视着作为具有大容量的内部可交换介质的光盘。但在最近几年内，磁盘装置的容量已增加而且记录密度达到的1千兆字节/平方英寸，这几乎与光盘的密度相等。从目前的容量增加速度来看，在未来的几年里，磁盘装置在记录密度方面有可能超过光盘装置。

至今人们通过下列技术途径来提高光盘装置的密度：缩短所用的半导体激光光束的波长，开发形成非常小的信息记录标记符号，以及开发精确重复比光束斑点的直径小的记录标记符号的信息的技术。作为第一种方法，已经取得了一些革新进展，如最近在室温下利用由族II—VI半导体制成的绿色激光可以实现连续波振荡以及由氮化镓的族III—V半导体制成的发射蓝光的二极管的商业化。第二和第三种方法进展稳定。但是即使将这些方法综合在一起，可以预料记录密度最多仅增加十倍。其基本原因在于由于光的衍射现象光不可能被变得小于光的波长。

为了打破这个限制以及成百倍地增加记录密度(与现行的记录密度相比)，人们现在已经对一种采用近似场(短暂场)的光学记录/再生方法有所注视。例如有一篇报告(Applied Physics，Letters，Vol.62，No.2.P142—144，1992)中公开了一种制备实施例，其中将光纤的一端制成圆锥形状。该光纤的这一端上除了几十纳米的顶部区域以外其余部分则涂覆了金属，从而用该端作为探针，该探针安装在一个精密调节器上，该调节器采用一种压电元件来控制其位置，在一多层膜上形上直径为60μm的记录符号，并且由这些符号产生信息。在这种情况下，记录密度达到4.5千兆字节/平方英寸，它大约是目前获得的记录密度的50倍。

此外，最近还有另外一篇报告(Applied Physics Letters.Vol.63，NO.2，P3550—3552，1993)报导了一个例子，它通过采用掺杂铵的光纤以及采用激光振荡来改善S/N比。

但是上述现有技术存在如下面所述的问题。

首先，信号量较小。在上述第二种现有技术中，探针靠近其上有薄金膜形成的玻璃基体，该探针沿着与该基体垂直的方向以约10nm的距离移动，并且检测信号(其强度30％被调节)。但是检测功率小到0.3mW，而入射光的功率为45mW。

第二，纤维激光的松驰频率很低为92KHz，使它难以高速传送数据。

第三，基体和探针之间的距离必须采用扫描加强显微镜进行非常精确的控制。当上面记录了光学信号的光盘以高速旋转时，由于光盘偏心，就难以控制基体与探针之间距离的高速变化。

第四，在上述现有技术中，记录光强度时的光强度采用一种使用声—光作用的偏转器进行调节。因而在频率高达几十兆赫兹的频率下很难调节该光强。

第五，现有技术尚没有找到一种跟踪随动方法以使光束跟随记录轨迹，因此无法提供实用的光学信息记录/再生装置。

为了解决上述问题采用了下列手段。

第一，通过采用具有高放大率的半导体激光器作为激光谐振器，光头由该半导体激光器和一种用于检测沿该半导体激光器的一个方向由一平面镜出去的激光光束的检测器组成，并且在该平面镜的另一面则放着产生短暂光的装置。在该光头中，采用一种锥形介电探针作为产生短暂光的装置。此外，在该光头中，采用具有同心圆形等周期和比该半导体激光器的光束的波长更短的周期的衍射光栅作为产生短暂光的装置。该衍射光栅沿着朝向该衍射光栅中心的方向放光，并且在该中心处该发光方向发生逆转。另外，在该光头中，采用在垂直于该光轴的方向上具有椭圆形截面的锥形介电探针作为产生短暂光的装置。另外，在该光头中，用于产生短暂光的装置是一种在具有比半导体激光器或固体激光器的光束的波长更短的周期的一维方向上具有等周期的衍射光栅，其中其相位在其中心线处发生180度反转。另外，该衍射光栅是放光的，并且放光方向在其中心线处逆转。

本发明还描述了一种光学信息记录/再生装置，它由上述光头及光学信息记录介质组成，在该光学数据记录/再生装置中，在电流接通时间内射入该半导体激光器中用于照射该光学信息记录介质的电流应充分大于极限电流值，而且通过传射入该半导体激光器中的电流接通或断路而将信息记录在该光学记录介质上。此外，用于照射该光学信息记录介质的射入该半导体激光器的电流应达到极限电流值或靠近该值，并且由该检测器检测该半导体激光器的振荡条件的变化，该变化是由于记录在被照射的光学信息记录介质上的信息的存在或不存在而引起的。还进一步提供了用于将该半导体的纵向模式转变成多向模式的结构或手段，以降低噪音。

在该光学数据记录/再生装置中，还进一步地将该半导体激光器、检测器及介电光探针或衍射光栅安装在一浮动滑块上，并利用空气进行浮动，从而以高速度跟踪光盘转动。

在该光学数据记录/再生装置中，在部分光学数据记录介质中形成用于进行跟踪的摆动槽，对来自该摆动槽的光强进行测试，并利用该检测信号进行抽样跟踪，从而实行跟踪随动控制操作。另外，在该光学数据记录/再生装置中，落在该光学记录介质上的光束的尺寸在该光学记录介质的圆周方向以及与该圆周方向垂直的方向上有所不同，并且在该光学记录介质的圆周方向上落在该光学记录介质上的光束的尺寸a与其在垂直于该圆周方向的方向上的尺寸b的比值a/b设定为不小于5，在垂直于该圆周方向的方向上不会大量增加记录密度，但在圆周方向上则大量增加记录密度，从而容易进行随动操作。另外，利用具有椭圆形横截面的介电探针线或利用一维衍射光栅形成光束。

上述装置按下面所述进行工作，以克服这些问题。

首先，通过采用具有高放大率的半导体激光器作为激光谐振器，光头由该半导体激光器和一种用于检测沿该半导体激光器的一个方向由一平面镜出去的激光光束的检测器组成，并且在该平面镜的另一面放置产生短暂光的装置，从而将该短暂光和该光学信息记录介质之间的相互作用的细小变化放大并且作为光学输出的大变化而取出。此外，在该光头中，用于产生短暂光的装置是一种圆锥形的介电探针或者一种具有同心圆形等周期和比该半导体激光器的光束的波长更短的周期的衍射光栅，特别是一种在朝着该衍射光栅的中心方向上放光而且在该中心处放光方向发生逆转的衍射光栅，从而增加该短暂光和该光学信息记录介质之间的相互作用并且增强检测信号。此外，在该光头中，还使用一种在垂直于光轴的方向上具有椭圆形横截面的圆锥形介电探针或者在具有比该半导体激光器的光线的波长更短的周期的方向上具有等周期的衍射光栅，其中相位在其中心线处发生180°逆转，尤其是该光栅是闪光的而且其闪光方向在其中心线处发生逆转。这样就可以产生在纵向和横向方向上具有不同直径的短暂光光束。

本发明还描述了一种光学信息记录/再生装置，它由上述光头及光学信息记录介质组成，在该光学数据记录/再生装置中，在电流接通时间内射入该半导体激光器中用于照射该光学信息记录介质的电流充分大于极限电流值，而且通过使射入该半导体激光器中的电流接通或断路而将信息记录在该光学记录介质上。此外，用于照射该光学信息记录介质的射入该半导体激光器的电流达到极限电流值或靠近该值，并且由该检测器检测该半导体激光器的振荡条件的变化，该变化是由于记录在被照射的光学信息记录介质上的信息的存在或不存在而引起的，由此可以极大地增加该检测信号的放大率。还进一步提供了用于将该半导体的纵向模式转为成多向模式的结构或手段，以降低噪音。

在该光学数据记录/再生装置中，还进一步地将该半导体激光器、检测器和介电探针或衍射光栅安装在一浮动滑块上，并利用空气进行浮动，从而以高速度跟踪光盘转动。因此，该装置可以很容易地安装在现有的磁盘装置上。

在该光学数据记录/再生装置中，在部分光学数据记录介质中形成用于进行跟踪的摆动槽，对来自该摆动槽的光强进行测试，并利用该检测信号进行抽样跟踪，从而实行跟踪随动控制操作。因此，该装置容易安装在现有的磁盘装置上。另外，在该光学数据记录/再生装置中，落在该光学记录介质上的光束的尺寸在该光学记录介质的圆周方向以及与该圆周方向垂直的方向上有所不同，并且在该光学记录介质的圆周方向上落在该光学记录介质上的光束的尺寸a与其在垂直于该圆周方向的方向上的尺寸b的比值a/b设定为不小于5，在垂直于该圆周方向的方向上不会大量增加记录密度，但在圆周方向上则大量增加记录密度，从而容易进行随动操作。因此可以很容易地形成用于抽样跟踪的预备槽，降低随动操作所需的精度，并且容易进行实际操作。此外，由具有椭圆形横截面的介电探针或由一维衍射光栅产生光束，从而可以很容易地形成具有不对称形状的光束，这种光束适用于上述随动操作中。

参照附图，本发明的实施方案描述如下：

图1表示根据本发明的一个方案的光头。由半导体激光器1产生的波长为830nm的光由安装在该激光器背面的测光器2进行监视。该半导体激光器的另一端与菲涅耳透镜3相粘连，该透镜的光栅在横截面上为火焰形状。用来粘接该透镜和该菲涅耳透镜材料的粘接剂的折射率(波长830nm处)是一个适宜的值，以防止在该半导体激光器1和该菲涅耳透镜3之间发生反射。如果将该菲涅耳透镜的周期设定为短于830nm(激光光束的波长)，就可以产生短暂光。

在记录信息时，所产生的短暂光穿过保护膜9而作用在在基体7上形成的相变记录介质8上，并形成光学记录区域10。

在再生信息时，射入该半导体激光器的电流降低到接近该半导体激光器的极限值，以再生所记录的信息。由于该介质的反射率在部分光学记录区域10中由于光学记录而变化，在记录介质和该短暂光之间的相互作用程度发生变化，导致激光器谐振器的反射率发生变化。这个小变化由该激光谐振器而大大放大，从该谐振器出来的激光光束5的功率被大量调整。该信号光5被导向测光器2并被检测。此外，该半导体激光器1，测光器2，和菲涅耳透镜3安装在一个浮动滑块6上，从而保证该光记录介质与探针之间的距离恒定。

所产生的短暂光的光点的强度分布用方程式1表示。

I(r)＝J_o(2πr/∧)   ……方程1

I(r)：离中心r距离处的光强，

J_o：O级贝塞尔函数，

r：离中心的距离，

A：衍射光栅的周期。

表示0级贝塞尔函数主要覆盖区的半宽度的半径r由r＝0.2A得出。因此，分辨力随着该衍射光栅周期的下降而增加。举例来说，如果形成了周期为0.5μm的衍射光栅，则分辨力变成0.1μm直径，并且可以达到高于20千兆字节/平方英寸的记录密度。

根据该实施方案，还可以将该光头制成非常小的尺寸，目前，一直采用光纤作为探针，该装置十分笨重。但是根据本发明，将非常小的半导体激光器1、测光器2及菲涅耳透镜3安装在浮动滑块6上，该装置的尺寸可以大大降低到与现有的磁盘几乎没有不同的尺寸。

下面，将描述用于产生短暂光的探针。

图2详细描述了用于本发明第一方案的菲涅耳透镜型探针。该探针由在该基体21上形成的具有等周期的放光型衍射光栅22。入射光23通过放光型衍射光栅22而转变成衍射光24，并汇集在探针中。当该衍射光栅的周期E^短于该波长时，衍射光不能从该探针中出去，而且大多数光作为光25而反射，但部分光转变成0级贝塞尔函数的短暂光4并从该探针慢慢放出。当光学信息记录介质非常靠近该探针时，就发生定位的短暂光与该光学信息记录介质之间的相互作用，并且该记录介质的反射率对记录信息有效地发生变化。当采用放光方向在中心处发生逆转的衍射光栅时，还可以增加在再生信息中的检测信号。

图3表示用于产生短暂光的第二种探针，它与上述第一方案的不同，其中数字33代表与光源相连的光纤，31代表通过化学蚀刻或类似方法制成的锥形玻璃探针，32代表金属涂层膜，玻璃探针31仅在其顶部部分暴露。探针31的顶角0较小，入射光34由于该探针的锥形表面的全反射而导向该探针顶端。大多数光被金属膜32吸收，但部分光在顶端从开口处作为短暂光而慢慢放出。

该探针的分辨力几乎等于该开口的直径。目前可以形成直径要为50nm的开口，并且在这种情况下，记录密度变得非常大，达到100—150千兆字节/平方英寸。

图4表示用于产生短暂光波的衍射光栅型探针，该光波仅位于一维方向中。该探针由在基体21上形成的具有等周期的放光型衍射光栅组成。与图2所示相同的组成元件用相同的参考数字表示，但光栅的形状不是同心圆形而是线性的。

图4b是该探针的透视图。在该半导体激光器1中，光线几乎仅限于活性层43中进行传播，该引导波23用该放光型衍射光栅衍射，并在探针42的中心处32中。在这种情况下，当该衍射光栅的周期∧短于该波长时，衍射光不能从探针中出去，大多数光作为光25而反射，但部分光变成0级贝塞尔函数型短暂光，并从该探针慢慢放出。

在图4中，与图2的探针不同的是，该衍射光栅是一维的，而且该光作为短暂光仅局限在该衍射光栅的格子向量的方向上，而在垂直于格子向量的方向上的光束尺寸变得几乎与穿过活性层31传播的光束的尺寸相同。举例来说，当该半导体激光器1的活性层43厚度为0.1μm时，在该活性层厚度方向上光束的尺寸b变得几乎等于0.5μm，尽管它取决于活性层和外层之间的折射率差。如果利用周期为∧＝0.5μm的衍射光栅形成宽度a＝0.1μm的短暂光，则可以形成高宽比a/b为5。利用这种光束，可以形成一种光学信息记录/再生装置，其记录密度在该光盘的圆周方向上大量增加，而其轨迹间距未如此降低。在这种情况下，如果采用放光方向在中心线处发生逆转的衍射光栅，可以在该光束系统中有效地形成具有不同纵横比的短暂光。

图5表示用于产生仅仅局限于一维方向中的短暂波的介电探针。和图3中相同的组成元件采用相同的参考数字表示。在如图5b中所示的方案中，该光纤33的顶部形成具有椭圆形横截面的探针51。主轴a与副轴b的比a/b为5，因此，一维方向的光束类似图4的衍射光栅的光束。

记录和再生信息的基础是采用光学信息记录/再生装置。

图6是表示光输出和注入该激光器的电流之间的关系，并解释该半导体激光器在本发明的光学磁头中被驱动的状态。

图7是用于解释根据本发明的记录和再生信息的原则的图。

现在参照图6和7a来描述记录操作。在如图6所示的记录中，比半导体激光器的极限电流Im大得多的记录偏流Iwb被射入，由此获得在记录介质上记录信息必需的激光器功率Pw。真正需要的光学功率根据由该探针产生的短暂光束4的面积A和该探针和记录膜8之间的距离d而发生很大变化。现在将对其进行具体描述。

在通用的Fabry—Perot型半导体激光器中，光学功率P和射入电流I之间的关系由方程式2表示。 $P=\frac{\mathrm{hv}}{e}\·\mathrm{\η}\·(I-I_{\mathrm{th}})$ ………方程2

P：输出功率，

h：普兰克常数，

u：光的频率，

e：基础电荷，

η：斜度效率，

I：射入电流，

Ith：极限电流。

这里，在测光器侧的输出的斜度效率用方程式3表示。 $\mathrm{\η}=\frac{\frac{1}{2}{l}_n\frac{1}{R_1}}{{\mathrm{\α}}_{i}L+\frac{1}{2}{l}_n(\frac{1}{R_1}\·\frac{1}{R_2})}$ …………方程3

αi：该激光器中的光吸收系数，

L：该激光器的长度，

R1：在测光器侧的反射率，

R2：在短暂光探针侧的反射率。

这里，极限电流Lth用方程式4表示。 $I_{\mathrm{th}}=I_0+\frac{J_{0}d}{{\mathrm{\η}}_{\mathrm{spon}}}A+\frac{\mathrm{dA}}{{\mathrm{\η}}_{\mathrm{spon}}\mathrm{\β\Γ}}({\mathrm{\α}}_i+\frac{1}{2L}{l}_n\frac{1}{R_1{R}_2})$ 方程4

I0：泄漏电流，

J0：当放大系数接近g＝β(J_nom—J₀)时使g变为零的J_nom，

J_nom：标准电流密度，

β：表示g和J_nom之间的关系的系数，

d：活性层的厚度，

A：条纹面积，

η_sper：自发射的内部量子效率，

ξ：在该激光器中光的约束系数。

在该方案中，L＝300μm，α＝10(/cm)(假定采用Ga As)，R1＝0.1。根据上述现有技术，当利用图2或3的探针产生直径为100nm的短暂光时，有效探针反射率R2为0.01(当d＝50nm时)，在这种情况下，η变成0.267(W/A)。另外，当条纹宽度W为5μm，d＝0.1pm，β＝23而且J_o＝4(假定采用GaAs)，则考虑到泄漏电流I_o约为10mA，如果ξ＝0.5，则I_th＝32.3(mA)。

从探针出来的短暂光4的输出功率低于在检测器侧的光输出，其缩小比率几乎达到反射率的比值，而斜度效率η估计为0.0267(W/A)。

假定采用一种相变介质作为光学信息记录介值，则在记录速度为50Mbps.的电流条件下所需的记录功率为20mW。根据这个方案，该光点尺寸为0.008平方μm，相对于现有的波长为780nm、物镜透镜的NA为0.55的装置的记录光光点面积1.5平方μm来说，前者是后者的1/188。因此，该记录功率需要为约0.1mW，而射入的电流需要达到比极限电流高出的4mA的值。另外，通过直径调整该半导体激光器的强度，可以实现记录所需的在超过50mbps的速度下进行调整。因此本发明不需要采用在现在技术中采用的声光元件的调整器，并且可以充分与未来所需要的达到1Gbps的高记录速度相抗衡。

参照图6和7b来描述再生过程。当采用本发明的光头时，在高速再生信息中可以获得一个巨大的优点。在再生过程中，射入该半导体激光器中的电流向极限电流Ith偏转。在如图7b所示的本发明的光头中，在位于该半导体激光器1的测光器2侧的平面镜和该光学信息记录介质的记录层8之间有一个谐振器72，该介质的折射率变化取决于数据槽10的存在与否。变化量约为50％，而有效反射率R2根据是否存在槽而由0.01变化到0.005。因此，谐振器72的光学输出/射入电流特性根据是否存在槽而发生变化。在图6中，曲线601代表当该介质具有较低反射率(存在槽)时的特性，而曲线602代表当介质具有较高反射因子(没有槽存在)时的特性。在上述情况下，极限电流Ith增加1.5mA，由32.3mA增加到33.8mA。如果偏流定为33.8mA，原则上当有槽存在时就可以获得光学输出Pr，而当没有槽存在时就没有光输出。由此，可以获得经过槽调整的光学输出信号。在上述实施例中，光学输出Pr在有槽存在时变成0.4mW，对于检测它已经足够大。

由于既使在电流为极限电流时仍有自发射出白光，实际上光学输出不可能为零，而且既使在无槽存在时仍会产生非常弱的光输出Pb。因此，调整程度永远不会达到100％，但是与现有技术的30％程度相比，它是非常大的。此外，该半导体激光器的载体的松驰频率为纳秒级，而且可以足够达到约1GHz的反馈频率，可以实现高速再生及传递，而这用现有技术是无法达到的。

参照图8，描述本发明的定位及随动技术，根据现有技术，仅仅通过在彼此隔开几十个纳米的点处的记录信息槽并再生它们而光学记录信息并再生，这与实用的光学信息记录/再生装置是不一样的，在后一种装置中，信息是沿记录轨迹在光盘上的任意位置上记录的并再生。实际使用时，就必须提供实用的跟踪技术。根据本发明，根据下面所述进行跟踪。

首先，如图8所示，利用如图4或5所示的探针，在跟踪方向上(即在该光盘的周边方向上)形成短暂光，即在其垂直方向上形成具有较宽宽度的光束42。合适的光束直径比为5∶1或更大。

光盘83包括随动区84和数据区85，在随动区84中事先已形成预备槽81。该预备槽81是摆动槽，这些槽被设计成使这些槽的中心朝光偏离一预定的距离，并离开该轨迹的中心82。当用光束扫描这些预备槽时，如果光4偏离轨迹的中心82，则来自两个连续预备槽的信号就会失去平衡，并且这些信号之间的差异被看成是跟踪错误信号。在这种情况下，如果采用在轨迹方向上具有光束直径a，如0.1μm而且在其垂直方向上具有光束直径b，0.5μm的上述光束42，则轨迹间距可以定为0.5μm，而摆动槽的直径可以选定为约0.3μm。

如果预备槽的直径为0.3μm，则利用现有的制造光学母盘的技术可以很好地制造出该光盘，而且无需任何特别的技术就可以很容易地大量制备再生盘。在这种情况下，可以达到约10千兆字节/平方英寸的记录密度。利用具有较小周期的衍射光栅探针或具有较小开口的介电探针可以进一步降低光束的副轴，记录密度还可以再增加几倍以上。根据本发明，通过用跟踪错误信号进行抽样跟踪，可以将光束定位在轨迹上。

根据本发明，还可以利用空气浮动调节光盘与探针之间的距离，因此就不需要所谓的聚焦随动操作。根据上面所述的本发明，该定位系统相当简单，它不需要进行复杂的定位随动操作，而这是超高密光学信息记录/再生装置所必需的。

最后，将对本发明的装置中的噪音进行描述。根据本发明，当再生信息时，该半导体激光器被几乎等于极限电流的电流驱动。当用几乎等于极限电流的电流驱动该半导体激光器时该半导体激光器的噪音会大量增加。为了当用极限电流驱动该半导体激光器时对噪音进行抑制，最好在本发明中将纵向模式在再生过程中转变成多向模式。具体来说，利用高达约100—600MHz的频率对几乎等于极限电流进行调整。这样可以使该半导体激光器的纵向横式转变成多向模式。并且可以大大降低在再生过程中的噪音。

根据上述本发明，可以以较小尺寸制成具有高达10千兆字节/平方英寸记录密度的超高密光学信息/再生装置，该装置保持充分可行的S/N比，采用结构简单的定位系统。

Claims (21)

1.一种光头，它由半导体激光器(1)、用于检测从该半导体激光器(1)的第一端表面放出的激光光束(5)的检测器(2)，以及用于产生短暂光的装置(3)组成，所述的短暂光分布在与所述的第一端表面相对的第二端表面上。

2.权利要求1所述的光头，其中所述的用于产生短暂光的装置(3)具有圆锥形的介电探针。

3.权利要求1所述的光头，其中所述的用于产生短暂光的装置(3)具有一种衍射光栅(22)，该光栅具有同心圆形等周期，该周期比所述半导体激光器的光束的波长短。

4.权利要求3所述的光头，其中所述的衍射光栅(22)在朝着该衍射光栅的中心方向上放光，而且放光方向在所述的中心处发生逆转。

5.权利要求1所述的光头，其中所述的用于产生短暂光的装置(3)是一种锥形介电探针，它在与光轴垂直的方向上具有椭圆形横截面。

6.权利要求1所述的光头，其中所述的用于产生短暂光的装置(3)是一种在一维方向上具有等周期的衍射光栅，具有一个比所述半导体激光器的光束的波长短的周期，并且具有一个在其中心处发生180°逆转的相位。

7.权利要求6所述的光头，其中所述的衍射光栅(41)是放光的，而且放光方向在其中心线处发生逆转。

8.一种光学信息记录/再生方法，其中在靠近光学信息记录介质处装有一种光头，所述的光头具有半导体激光器，用于检测从该半导体激光器(1)的第一端表面放出的激光光束(5)的检测器(2)，以及用于产生短暂光的装置(3)，该短暂光由从所述的半导体激光器的第二端表面放出的激光光束产生，从而利用所述的短暂光光束记录或再生光学信息。

9.权利要求8所述的光学信息记录/再生方法，其中当用于照射光学信息记录介质的半导体激光器接通时射入的电流充分大于极限电流值，并且通过将射入该半导体激光器的电流接通及断开而将信息记录在光学记录介质上。

10.权利要求8所述的光学信息记录/再生方法，其中用于照射所述的光学信息记录介质的射入该半导体激光器中的电流为极限电流或接近该电流的值，利用所述的检测器对由于在所照射的光学信息记录介质中存在或不存在信息而引起的该半导体激光器的振荡条件的变化进行检测。

11.权利要求8所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的半导体激光器的横向模式被转变成多向模式。

12.权利要求8所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的光头安装在浮动滑块上，并且在所述的光学信息记录介质和所述的光头之间保持预定的距离。

13.权利要求8所述的光学信息记录/再生方法，其中采用一种在上面形成用于进行跟踪的摆动标记的光盘作为所述的光学信息记录介质，所述的摆动标记被光束照射，对从所述的摆动标记返回的光的强度进行检测，利用所述的检测信号进行抽样跟踪。

14.权利要求13所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的光束在横截面上的尺寸在所述光盘的周边方向上与在垂直于所述周边方向的方向上有所不同。

15.权利要求14所述的光学信息记录/再生方法，其中所述光束在所述光学记录介质的周边方向上的尺寸a和在垂直于周边方向的方向上的尺寸b的比值a/b不小于5。

16.权利要求8所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的用于产生短暂光的装置是一种锥形介电探针。

17.权利要求8所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的用于产生短暂光的装置具有一种衍射光栅，该光栅具有同心圆形等周期，该周期比所述半导体激光器的光束的波长短。

18.权利要求17所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的衍射光栅在朝着该衍射光栅中心处的方向上放光，并且放光方向在所述的中心处发生逆转。

19.权利要求15所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的用于产生短暂光的装置是一种锥形介电探针，它在垂直于光轴的方向上具有椭圆形横截面。

20.权利要求15所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的用于产生短暂光的装置是在一维方向上具有等周期的衍射光栅，具有比所述的半导体激光器的光束的波长短的周期，以及具有在其中心线处发生180°逆转的相位。

21.权利要求20所述的光学信息记录/再生方法，其中所述的衍射光栅是放光的，并且放光方向在其中心线处发生逆转。

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