JP2000516723A - 位相制御エバネッセントフィールドシステムおよび方法 - Google Patents

位相制御エバネッセントフィールドシステムおよび方法

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Abstract

(57)【要約】 位相制御エバネッセントフィールドに近接して位置づけされているとき、表層に置かれている実質的に波長以下の形状を生成するまたは検知することによって、リアルタイムでまたは実質的にリアルタイムで全フィールドについての情報を符号化および復号化する、位相制御エバネッセントフィールド（８９）により物体（４５）の層に設けられる形状を検知または生成するシステム（１０）。このシステム（１０）は、記録媒体（３００）にサブミクロンの形状が検知され生成されるような高密度情報の格納の場合、特に有用である。エバネッセント電磁場を含む放射波は、物体（４５）の表層に実質的に垂直な一定の位相の面を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 位相制御エバネッセントフィールドシステムおよび方法 発明の背景 発明の分野 本発明は、一般に、位相制御エバネッセントフィールドを利用して、物体表面 で極めて小さな形状（features）を検知しまたは生成するシステムおよび方法に 関する。従来技術の説明 サブミクロンの表面形状を測定しかつそれらを可視化するためのエバネッセン トフィールドの使用は公知である。従来技術では全視野反射エバネッセント光顕 微鏡(whole-field reflected evanesent light microscopes)が開示されており 、それによれば、サンプルは落射型照射器または反射光型照射器の物体表面での 無制限全反射表面からのエバネッセントフィールドにより照射される。サンプル は不透明でも透明でもよく、また厚くても薄くてもよく、高エネルギー処理能力 によりリアルタイムで目視可能である。この顕微鏡は、指数関数的に変化するエ バネッセントフィールドの垂直方向の振幅を利用して極めて小さい表面高さ変化 を検知するため、平滑な表面に対して極めて高感度である。これと対照的に、粗 表面は光を顕微鏡内に散乱し返し、このことはコントラストおよび感度を低減さ せる傾向にある。より深い表面形状は明るいと表現（render）されるが、その理 由は、これら領域がエバネッセントフィールドを僅かに透過し、結果的に落射照 射がほぼ全反射されるためである。明るい視界の僅かな変化を検出しかつ測定す ることが困難なため、観測可能な形状深さは照射線の波長の約４分の３まで制限 される。更に、画像化対物レンズは照射集光レンズとしても作用するので、照射 オプティックスと画像化オプティックスとが結合される。このような機器の設計 は 市販の対物レンズ、拡大率、視野、および開口数に制限される。更に、画像化オ プティックスと照射オプティックスとを結合したために、偏光、位相、入射角、 および照射方向を修正するのが困難である。これが今度はトンネル効果の範囲を 最大化する能力、または水平方向解像度を増大させる能力、もしくは典型的には 生物学的用途に存在する水のような余り希有でない媒体を介してトンネル効果を 生じる能力に制約を加える。 先行技術はまた、透過照射されたサンプルからのエバネッセント光が光学エバ ネッセント明視野顕微鏡のような対物レンズ瞳孔内に散乱され、そこで対物レン ズ瞳孔に入る光はサンプル表面から散乱されてきたエバネッセントフィールド光 であるような装置を開示している。しかしながら、顕微鏡においては、サンプル は臨界角を越える角度で入射する照明で透過照射され、その結果、サンプル表面 からのエバネッセントフィールドが受け取られる。そこで、サンプルは放射周波 数（radiative frequency）で透明であるか、または透明になる程、十分に薄く されることが必要である。 上記の従来技術は垂直方向の表面形状を調べるためのエバネッセントフィール ド照射を利用する多様な装置について述べているが、従来のシステムでは現時点 で見つかっていない利点や能力を提供する改良を依然として必要としており、本 発明の主要な目的は、このような改良を提供することである。 発明の要旨 画像化装置は、位相制御エバネッセント光の位相シフトおよび位相分析を行っ て、位相制御エバネッセントフィールドに近接して物体の表層に位置されている 実質的に波長以下の大きさの形状を生成または検知する、向上された能力を提供 する。位相制御エバネッセントフィールドの使用によって向上された解像度が利 用できれば、特に、水平方向解像度が向上するため、光学記憶能力を向上させる こと可能となる。 エバネッセントフィールドを含む電磁波は複数の一定位相の面を備え、そして それらの面は一定振幅の実質的に直交する面である。したがって、それらの一定 位相の面は物体の表層に垂直である。位相分析または位相対振幅復号化のいずれ かにより光源の位相を制御し、かつ、表層からの出力を分析することによって、 波長以下の水平方向表面形状は垂直方向形状の細部を犠牲にすることなく向上さ せられる。エバネッセントフィールドを含む非均質波長の動的位相シフトまたは 静的位相シフトの方法および手段ならびに他の非画像化応用例が開示される。 本発明の他の特徴に従って、位相シフトおよび位相分析が、照射波長の制御お よび選択、２種の波長の使用、ならびに、電気光学変調、入射角、方位入射角、 光学キャビティ制御、および位相リタデーションを含む偏光状態制御により達成 されるが、この場合、全ての実施態様における制御は一方向入射照射または全方 向入射照射のいずれかを目的としていればよい。 本発明のさらに別の特徴によれば、エバネッセントフィールドの位相を制御お よびシフトする手段とは、可変格子周期(variable grating perlod)が照射波長 よりも実質的に短い回折構造であって、このように形成されたエバネッセントモ ードの位相は局所的に回折構造にロックされて、可変格子周期は変化させられ得 る。 本発明の別な特徴によれば、位相シフトの手段および方法は、高度束縛波（hi ghly-bound waves）からのエバネッセントフィールドに例えば光学走査プローブ の先端において適合されるが、プローブはそのカットオフ（cutoff）周波数未満 で作動する光学導波管を含み、それによりプローブの有効開口を小さくし、その 結果、水平方向解像度を増大させる。 本発明のさらに別の特徴によれば、光学導波管または走査プローブのコアを包 囲するエバネッセントフィールドの位相を制御する手段は、誘電体層積層型ブラ ッグ反射板の形態を呈し、プローブの有効開口が標準の金属性開口より小さくさ れる。 本発明の別の特徴によれば、エバネッセントフィールドの位相を制御およびシ フトする手段は、カットオフ周波数未満で作動する、複数の密に詰められたテー パ状の導波管またはプローブと短い距離にわたって水平方向に複数のプローブを 局所的に走査する付加的手段とを備え、結果的に生じるエバネッセントフィール ドの位相は個別の導波管にロックされる。 本発明のまた別な特徴によれば、複数の密に詰められたテーパ状導波管は位相 アレイ合成開口を形成するように配置される。 本発明のその他の特徴は、以下の詳細な説明を図面と関連づけて読めば、容易 に明白となる。 図面の簡単な説明 本発明の構造および動作は、発明の他の目的および利点と共に、下記の詳細な 説明を図面と関連づけて読むことにより最も良好に理解できる。図面において、 特定の参照符号は各部品について一貫して使用されている。 図１は、本発明に沿った位相制御エバネッセントフィールド照射セクションを 用いたシステムの部分立面斜視図である。 図２は、図１の発明の動作を示すフローチャートである。 図３Ａおよび図３Ｂは、エバネッセントフィールドの振幅および位置が位相変 化の結果として修正される態様を示す図である。 図４は、従来の位相シフトδPによって、伝播中の放射に軸方向シフトが生じ 、従って、高さ情報が検出される態様を示す図である。 図５は、位相シフトδPによってエバネッセントフィールド放射に水平方向シ フトが生じ、従って、Ｘ−Ｙ平面における空間情報が検出される態様を示す図で ある。 図６は、全反射表面上に入射する伝播波面を示す図であり、波面に挿入される 位相シフト装置により引き起こされる位相シフトが示され、装置は断面部として 立面的に示される。 図７は、図６の位相シフト装置を示す平面図である。 図８は、図６および図７の位相シフト装置を、プリズムおよびサンプル表面と 組み合わせて示す立面図である。 図９は、図１のプリズム要素の光学路に設置するための位相シフトプレートの 平面図である。 図１０は、例えば図１のシステムにおけるように、位相シフトを制御する際に 使用するための直線偏光子の平面図である。 図１１は、画像領域の図である。 図１２は、静的または動的のいずれかにエバネッセントフィールド照射の位相 を制御するために入射角が用いられる様態を示す図である。 図１３は、図１２に示されるような特定の入射角を選択するためのマスクの平 面図である。 図１４は、プリズム配置で使用される場合に入射角が選択され得る態様を示す 図である。 図１５は、例えばピエゾアクチュエータによる制御におけるように、物理的軸 方向運動により光学路を変化させることにより達成される位相シフトの図である 。 図１６は、位相が構造ジオメトリにより決定され、構造が同調されヘテロダイ ン検波される位相制御について動的に調節可能である、波長以下の回折構造によ り生成されるエバネッセントフィールドの立面図である。 図１７は、近視野プローブにおけるエバネッセントフィールドジオメトリの立 面図であり、視野の中心のみがプローブに垂直な均等位相平面を有し、位相シフ トおよび位相制限が結果としてより小さい有効開口とより高い解像度とを生じる 様態を示す。 図１８は、開口が多層積層型ブラッグ反射板である改良された近視野プローブ の立面図である。 図１９は、Ｘ−Ｙ平面において移動可能なプローブの位相シフトマトリクスの 部分斜視図である。 図２０は、増大された水平方向空間解像度を介して記録媒体に向上された情報 記憶密度を提供する、データの読み出しおよび書き込み用の位相制御エバネッセ ントフィールド照射を用いるシステムの立面図である。 図２１は、図２０のシステムにおいて使用され得るアプラナート球の立面図で ある。 図２２は、位相制御放射を受けるように分散形状が組み入れられた媒体の立面 図であり、一部に断面図を含む。 図２３は、回折格子構造体がエバネッセントフィールドを生成するように形成 された媒体の立面図であり、一部に断面図を含む。 図２４は、レンチキュラマイクロレンズ構造体が基板に積層され、そこで情報 が深さの変化する複数のピットとして符号化される媒体の立面図であり、一部に 断面図を含む。 好ましい実施態様の説明 本発明は一般に、ｉ）表層および下層検出またはその画像化、および波長以下 の光学活性特性の詳細測定、ならびに、ｉｉ）記録媒体の表層に置かれる光学活 性特性の生成を利用した情報の記録に対する位相制御エバネッセントフィールド の適用、の各分野に関連する。特に、本発明は位相制御束縛エバネッセントフィ ールド照射を全内的反射の漏れおよび／または伝播放射への散乱により変換する 方法および装置に関連する。この伝播放射は後の表示または光学的記憶を目的と して分析および画像処理技術により回収されるが、この技術により伝播放射に存 在する位相符号化情報が復号化される。 図１は、一般に位相制御エバネッセントフィールド画像化システム１０の好ま しい実施態様を示しており、以下に解説される態様の表面形状検出、格納、およ び検索の各システムにおける用途の基礎として働くシステムについて、ここでこ の図を参照する。システム１０は、以下に列挙する表面特徴を有し得る媒体の微 細形状および下層形状の全視野、ビデオ可視化、および検出に特に好適であり、 表面特徴とは、ｉ）平滑である、ｉｉ）粗である、ｉｉｉ）部分的に屈折するも のと回折するものとが組み合わさっており（すなわち、屈折性がある）、ｉｖ） 部分的に散乱し、または、より一般的には、ｖ）束縛エバネッセントフィールド を伝播放射に変換するのが可能などのような光学特性（例えば、微細空間インデ ックス変化）を有する、である。さらに理解されるように、システム１０は屈折 性様式の伝播放射を回収し、平滑表面の特徴を査定し、粗表面の査定を目的とし て散乱様式の伝播放射を回収する。平滑表面の査定では、画像は明るい背景に反 して暗く、粗表面すなわち光学散乱表面の査定では、画像は暗い背景に反して明 るい（共通して「暗視野」画像化と称する）。典型的には、暗視野画像化システ ムにおいては、照射放射の経路は伝播放射の経路からデカプリングされる。従っ て、物体表面を検出および画像化するのに使用される部分は、物体表面を照射す るのに使用される部分からは物理的に遠くかつ分離されている。システム１０は 、機械的構造体、塗料、紙、布、およびこれ以外の材料の表面特徴の測定を目的 とするばかりか、情報記録および情報検索のためにも使用できる。 システム１０は照射および画像形成セクション１２と画像処理および表示セク ション１４とを備える。セクション１４は、ＣＰＵ、ＲＡＭメモリ、ハードドラ イブ、フロッピードライブ、キーボード１８やマウス２０のような入力装置、お よび参照符号２２のようなカラー表示モニターを有する周知の汎用コンピュータ １６またはワークステーションを備える。コンピュータ１６は１６メガバイト以 上のＲＡＭを有し、さらに別途、高出力データおよびビデオ経路が装備されるの が好ましい。内蔵ビデオカードは、３２ビット以上の高色調解像度の色を生成す る能力を有する２メガバイト以上の常駐メモリを備えるのが好ましい。内部信号 および画像処理プログラムは、所望どおりの処理要求に適うＲＡＭに転送するた めのコンピュータ１６の内蔵ハードドライブまたは外部記憶装置に格納されれば よい。 照射および画像形成セクション１２は、可視化および測定されるべき物体の表 面の照射を容易にするための光ヘッド２４のような放射変換装置と、物体表面か らの伝播放射を回収および画像化するためのビデオカメラ２６および２７とを備 える。ビデオカメラ２６および２７は所望の好適な従来から利用可能なタイプの 空間的色調解像度であればよい。ビデオカメラ２６および２７の各々は広角型で あるのが好ましく、拡大対物レンズ２８と僅縮小対物レンズ２９とをそれぞれ有 し得る。あるいは、対物レンズ２８および２９は適切な遠距離角設計ないし広角 設計のズームレンズであり得る。ある用途では、ビデオカメラ２６および２７は 顕微鏡に連結され得る。 対物レンズ２８の最良焦点の面に光検出器３０が配置され、これは、従来のＣ ＣＤまたはビジコンチューブであってもよい。光検出器３０から生成されるビデ オ信号はカメラ２６内でその目的で設計された内蔵チップ３２によりディジタル 化され、あるいは、コンピュータ１６の適切なエレクトロニクス基板に伝送され 得る。対物レンズ２９の最良焦点の面に光検出器３１が配置され、これもまた従 来のＣＣＤまたはビジコンチューブであってもよい。光検出器３１から生成され るビデオ信号は基板カメラ２７内でその目的で設計された内蔵チップ３３により ディジタル化され、あるいは、コンピュータ１６にも伝送され得る。カメラ２６ および２７ならびにコンピュータ１６は以下のような周知の態様で構成され、ビ デオ信号はディジタル化され、画像処理速度が許容するように、ディジタル画像 がモニタ２２に表示されるように生成される。 光ヘッド２４は、好ましい実施態様では、バルク放射透過性プリズム誘電体ボ ディ３４を備え、これは放射認知ファセット４２、例えば、物体表面４５のよう な物体表面に隣接した設置を目的とする活性ファセット４４、ならびに放射出射 ファセット４６および４７を備える。あるいは、図２１に示すように、アプラナ ート球３２０は放射変換装置として使用され得る。図１においてファセット４２ に光学的に結合されているのは、位相制御照射セクション４０であり、光源３９ 、照準セクション３６、および位相制御器４１を備える。 光源３９は狭帯域幅であるのが好ましく、放射の波長を所定の範囲に制限する ように狭帯域通過フィルターと結合される放射源を備えていてもよい。システム １０が表面形状の検出ために使用される場合、光源３９は発光ダイオード（ＬＥ Ｄ）のような比較的低電力の放射源を備え得る。しかし、システム１０が表面形 状を生成するために使用される場合、または記録媒体に情報を記録するために使 用される場合、光源３９はレーザダイオードまたはレーザアレイのような比較的 高電力の放射装置を備えることになる。光源３９の電力要件は記録媒体の特徴の 関数である。 照準セクション３６は、図中に参照符号３８で示される、周知のバルク光学レ ンズシステムの形態の好適な照準オプティックスを備えたチューブを含む。光源 ３９により出射される放射は位相制御器４１を介して方向付けされるが、位相制 御器４１は、以下により詳細に説明されるように、光ヘッド２４に向けられた放 射の位相を制御する手段として働く。 図２は画像化システム１０の一般動作を示すためのフローチャートである。チ ャートに示されるように、光源３９は、ブロック５０に示されるように、所定の 波長、位相、および開口数の放射ビームをまず提供する。ブロック５２に示され るように、放射ビームの位相が次に選択的に制御され、ブロック６２に通信され 、今度はそれがブロック５２へ位相変化制御信号を提供し、要求どおりに位相を 選択的に変調する。位相が設定されると、位相制御照射が光ヘッド２４に入り、 以下により詳細に記載されるように、活性ファセット４４で位相制御エバネッセ ントフィールドを生成する。次に位相制御エバネッセントフィールドは、ブロッ ク５６に示されるように、伝播放射として反射され、屈折され、回折され、ある いは散乱されることにより「だめになる（frustrated）」。物体４５の表層がフ ィールドに近接状態に置かれると、位相制御エバネッセントフィールドがだめに なる。 放射により照射されると、大半の物体の表面は、表層の平滑さ特性または粗さ 特性に従って、屈折放射、回折放射、または散乱放射を生成する。表面が極めて 平滑な場合、表面は放射を主として反射し、粗い場合は、放射を主として散乱す る。図１で最もよくわかるように、平滑表面から伝播する放射は、活性表面４４ とサンプル４５の隣接表面の境界でだめになることは全内反射から生じる。この 伝播放射は屈折性で一般に参照符号５３に指定されている。散乱された放射は一 般に参照符号５１に指定され、サンプル４５の表面の各形状により決定される立 体角にわたって伝播する。 屈折性伝播放射５３は位相分析器７６により分析され、ビデオカメラ２７によ り画像化される。伝播散乱放射５１は位相分析器７８により分析され、ビデオカ メラ２６により画像化される。ブロック５８に示されるように、これらの構成部 品はコンピュータ１６の制御下にある。伝播放射の強度は照射ビームの位相およ び物体４５の表面の波長以下の局所的形状の水平方向位置の関数として変化する 。対応する伝播放射は制御された照射放射の各位相について分析され、１以上の 対応する画像信号がブロック６０で生成される。各画像信号は放射の照射ビーム の位相の画像関連の変化に対応して変化する。従って、顕微鏡の補助を受けてブ ロック５８で得られる画像を直接的に可視化することも可能である。伝播放射５ １および５３のいずれか一方または両方のタイプを考慮にいれてもよいこと、同 時にまたは別々に行われてもよいことが明確である。 ブロック６２に示されるように、色調レベルがサンプルの水平方向形状および 垂直方向形状を位相の関数として示すグレイ色調マップとして、画像信号は符号 化される。この符号化は、関連技術で周知のように、ルックアップテーブル（Ｌ ＵＴ）を介して達成されればよい。次に、ブロック６４に示されるように、符号 化された画像信号は処理され、複合信号を形成する。この情報は、ブロック６６ に示されるように、メモリに格納され得るか、または、ブロック６８に示すよう に、ハードコピーの形態でデータとしてプリントアウトされる。次いで、グレイ 色調マップ信号はコンピュータ１６または他の好適な専用画像プロセッサにより ２次元表示用または３次元表示用にフォーマットされる。ブロック７０に示され るように、複合フォーマット信号は次にコンピュータ１６のビデオプロセッサに 送信され、そこから信号は、ブロック７２に示されるように、モニタ２２上に表 示され得る。 複合画像信号を生成するようにブロック６４で発生する信号処理の量は、所要 の情報に依存して変化し得る。例えば、２つのグレイ色調マップは、その各々が 異なる位相で生成されるが、互いに減算されて、エッジが強化される画像を提供 できる。別な実施例として、信号処理は、一組みの連続する干渉画像の複雑な減 少を含み得るが、その場合、干渉情報は空間ドメインにおいて（すなわち、Ｘ− Ｙ平面において）振幅または放射強度パターンに変換される。図３および図５は 、エバネッセント照射フィールドの位相制御および分析がどのように利用されて 、この空間面における解像度の向上を達成するかを示す。 図５で最もよく分かるように、放射は臨界角θCに等しいかそれより大きい入 射角で光ヘッド２４の放射透過性誘電体ボディ３４（図１を参照のこと）の中へ 通り、その結果、放射は活性ファセット４４で全内反射させられる。活性ファセ ット４４は、誘電体媒体とより低い屈折率を有する、空気、油、または水のよう な、より低密度の媒体との間に形成されるインターフェイスである。光ヘッド２ ４が、用途に依存して光（すなわち、紫外線または赤外線）、Ｘ線、およびミリ メートル波周波数を含む（それに限定されないが）電磁スペクトルの全てまたは そのいずれか一部にわたって透過性があるようにできることが理解されるべきで ある。入射放射は、入射放射波８５、８６、および８７を含む平行ビームである のが好ましいように図示されているけれども、放射は平行にされる必要がない。 図３Ａには、活性ファセット４４と活性ファセット４４に隣接する、より低密 度でより低屈折率の媒体との間の境界で生成される第１の位相角φ1でのエバネ ッセントフィールド８０のグラフが提示されている。エバネッセントフィールド ８０の強度は、活性ファセット４４の表面からの距離の関数として（すなわち、 Ｚ軸に沿って）、指数関数的に減少する。エバネッセントフィールド８０の振幅 Ｅは次の数式で与えられるが、 Ｅevanescent＝ＥOｅｘｐ（−ｚ／ｄp） （１ ここで、ＥOは光ヘッド２４を形成するより高密度でより高屈折率の媒体におけ る放射と関連する電界の位相依存振幅であり、ｄPは、ＥOがＥO／ｅまで減少す る、より低密度な媒体における透過深さである。透過深さは次の数式で与えられ るが、 ｄP＝λ1／２π（ｓｉｎ2θ−ｎ21 2）1/2 （２ ここで、λ1はより低密度な媒体における波長であり、θは入射角であり、ｎ21 は活性ファセット４４の境界におけるより高い屈折率のより低い屈折率に対する 比である。Ｅevanescentが検出可能な限界まで下降する実際の透過深さは、光検 出器感度と物体の表層の各光学特性との両方に依存するのと同様に各変数に依存 し、典型的にはおよそ０．７５λである。しかし、数式（２）のパラメータが最 適化される場合、エバネッセントフィールドは、いかに強度が小さくとも、数十 の波長ごとに存在する。関連技術で周知のように、エバネッセントフィールド８ ０は活性ファセット４４の表面に垂直に伸び、活性ファセット４４に極めて近接 して置かれる物体の表層により影響を及ぼされる。 Ｅ01で示される、活性ファセット４４に近接するエバネッセントフィールド８ ０の振幅は位相角に依存し、その理由は、定在波ＥOが全反射インターフェイス （すなわち、より高密度の高屈折率媒体と低屈折率媒体との間の境界）で入射波 および反射波の重畳の結果として生じるからである。電界振幅ＥOは以下の数式 により与えられるが、 ＥO＝２ｃｏｓ［（２πｚ／λe）＋φ］ （３ これは、入射波と反射波の加算の結果得られる、所与の位相での定在波の振幅の ２倍であり、エバネッセント波長λeを有する。 λe＝λ1／ｓｉｎθ （４ ここでは、λ1はλ／ｎ1すなわち媒体１の屈折率により除算される自由空間波長 である。ここで、媒体１は光ヘッド２４の高屈折率の媒体であると推定される。 定在波および透過波は表面に垂直である。 ここで図３Ｂを参照すると、活性ファセット４４における、エバネッセントフ ィールド８０の位相角とはことなる位相角を有する入射放射の結果として生じる 第２のエバネッセントフィールド８２のグラフが示されている。位相角がφ2で ある数式（３）によると、活性ファセット４４における第２のエバネッセントフ ィールドの振幅Ｅ02はＥ01の振幅（図３Ａに示す）よりも小さい。図３Ｂでは、 位相角のこの変化の結果として、Ｘ軸上で水平方向に、位置ＸOから位置ＸO＋δ Ｘまでの、エバネッセントフィールドの変位をもたらす。位相に関する振幅の低 減に関連して採択された場合、この水平方向変位は、本発明によって有用となる ように利用される位相制御エバネッセントフィールド照射の重要な特性である。 正しく評価できることであるが、所与の位相で、ｉ）一定振幅の面、すなわち、 一般に活性ファセット４４に平行に配向される一定振幅面と、ｉｉ）一定位相の 面、すなわち、一般に一定振幅面に直交して活性ファセット４４には垂直に配向 される一定位相面とが存在する。 放射を伝播するための一定位相の面と一定振幅の面との間の関係が図５に示さ れている。活性ファセット４４に垂直な光軸ＯAから測定されるように、照射波 ８５、８６、および８７は臨界角θCよりも大きい角度で入射する。活性ファセ ット４４は、この放射を全内反射し、かつ、一般に参照符号８９で示されるエバ ネッセントフィールドを生成する。物体４５の表面がエバネッセントフィールド ８９に近接して置かれると、エバネッセントフィールド８９はだめになり、それ により伝播放射が生成される。仮想線（phantom line）８８により示される、エ バネッセントフィールド８９の一定位相の各面は、このように、活性ファセット ４４に垂直であり、一般には物体４５の表面に直交し、また、仮想線９０により 示される、一定振幅の面に直交する。したがって、照射放射δPにおける位相差 が結果として対応するエバネッセントフィールド放射における水平方向変位を生 じる。この効果は、物体４５の表面上の形状を検知または生成することを目的と して、本発明により利用される。このような形状は、典型的にはＸ−Ｙ平面（Ｙ 軸は図５にあるとおりにとられる）における物体表面の空間形状の変動である。 入射角は入射照射波８７、８６、および８５について増大されるので、図示の ように、対応するエバネッセントフィールドの振幅は減少する。入射角の差のた めこれらの波面の間で水平方向位相シフトが存在するが、明瞭にするためにこれ は図示しない。入射照射の位相が変化するにつれて、照射の一定位相面８８はＸ −Ｙ平面における物体４５の表面形状にわたって変位される。これが生じると、 対応伝播放射の位相は変調される。スペクトル伝播放射５３の変調は位相分析器 ７６により分析され、伝播散乱放射５１の変調は位相分析器７８（図１を参照の こと）により分析される。図５に表されるように、この変調はエバネッセントフ ィールド８９と物体４５の表面の水平方向光学活性特性との相互作用の結果生じ る。 比較のため、ここで図４を参照するが、ここには従来の光学顕微鏡に存在する 位相−振幅間関係が示される。ここでは、一定位相の面１００は一定振幅の面に 平行であり、その両方が伝播方向に直交するが、例示のために、光学軸ＯAに沿 っているように示される。伝播入射放射１０２の位相シフトδPは、サンプル４ ５の表面によって分かるような伝播放射１０２の軸シフトを結果として生じる。 基準表面１０４が示されており、これは対物光ヘッドまたはプリズム光ヘッドの ものであってもよく、また、乾燥ヘッドまたはオイル浸潤ヘッドであってもよい 。この実施例では、従来の干渉測定用の基本を示すが、位相情報は光学路測定し か与えることができず、光学路測定は、サンプル表面の度量衡に適用されると、 表面形状の高さに関する（すなわち、Ｚ方向の）情報しか与えず、Ｘ−Ｙ平面の 水平方向に関する情報を提供することはない。 図６には全内反射表面１１２に入射する一般伝播波面１１０が示されており、 ここでは、波面１１０の入射角は臨界角θCを越える。波面１１０は波長λおよ び振幅ＥOを有する。一定位相１１４の面は伝播の方向に直交し、位相差δPが示 される。波面１１０の経路に置かれている一般位相制御装置１１６（図１の位相 制御器４１に対応する）は波面１１０の一部の位相をシフトし、位相制御装置１ １６の第１のセクション１２０を通過した位相シフトされた波面１１８を提供す る。波面１１８の位相はこの態様で、位相制御装置１１６の第２のセクション１ ２２を通過した波面に関して制御可能にシフトされる。 極めて概略的かつ象徴的形態で図７に最もよく示されるように、位相制御装置 １１６は２つのセクションから成るが、実際は、位相制御装置１１６はいくつの セクションを備えていてもよいと理解されるべきである。例えば、位相制御装置 １１６は微分位相プレート、差動偏光子、差動色フィルター、または他の位相に 影響を及ぼす電磁装置を備えていればよいが、構成要素に制限されない。セクシ ョン１２０および１２２の位相に影響を及ぼす形状の差は、２つの各セクション について斜線パターンの差として図中で象徴的に表されている。シフトされた位 相の領域の間の境界の実際のジオメトリは環状、対向スロット、または以下によ り十分に解説されるような他のジオメトリであればよい。位相制御装置１１６は ここでは象徴に示され、静的位相シフト装置および動的位相シフト装置の両方を 表す。動的位相シフト装置は同調可能光学キャビティー、電気光学変調器、ピエ ゾ作動基準プレート、または位相共役ミラーを含むが、これらに制限されない。 ここで図８を参照すると、位相制御装置１１６は物体１３０の表層およびプリ ズム光ヘッド２４のような全内反射プリズムと組み合わせて示されている。入射 照射１１０は装置１１６により位相シフトされ、励起放射１３２は、符号化され た伝播放射１３２として表面１３０についての水平方向位相情報を抽出するため に、例えば、干渉測定または偏光測定により位相分析される。この分析のために 使用される位相分析器は、位相分析器７６か位相分析器７８（図１を参照のこと ）のいずれかであり得る。 本明細書中に記載されるように、エバネッセントフィールドの位相シフトを利 用する干渉測定は、関連技術で開示されている近視野近接マスク、近視野走査顕 微鏡、光子走査光学顕微鏡、および光子トンネリング顕微鏡のようなエバネッセ ント照射を用いる任意の光学装置を益する。例えば、位相制御を利用した場合、 光子トンネリング顕微鏡はＸ−Ｙ平面において水平方向の解像度を達成し得るが 、これはＺ方向で達成される垂直方向解像度と比較可能である。このようなＸ− Ｙ解像度は崩壊エバネッセントフィールドの振幅測定により可能であり、その理 由は、放射の位相が波長の約０．０１以内の割合まで測定され得るからである。 位相制御を利用すれば、非走査高速取得全視野画像は、走査光学近視野プローブ 顕微鏡の水平方向解像度で保持される。 エバネッセント放射の位相は、例えば、以下のいずれかの方法によりシフトさ れ得る：ｉ）角度が全反射についての臨界角を既に越えている状態で、照射の入 射角をある量だけ変化させる、または、ｉｉ）入射角を一定に保ちながら他方で 特定の偏光を選択する。掃引干渉縞を生成する方法として利用できる方法は、 （ｉ）特定の角度により分離される２個のコヒーレント放射源の間の干渉を利用 する方法で、この場合、分離角が可変で、かつ、放射源が一定である状態で行わ れるか、または、分離角が一定で、かつ放射源が角度的に共に移動させられる状 態で行われる。方法（ｉｉ）では、掃引干渉縞は放射源の２個の偏光の間で生成 される。これが最もうまく行われるのは、平行偏光と直交偏光との間の位相差が 最大値にある主要角度（plincipal angle）のときである。入射照射が全方向性 である場合、照射の偏光は、回転されたブルースター角偏光子を利用して、また は、その光学軸に対して直角に偏光された放射を通過させるように電気石プレー トを切断して、もしくは、類似の装置を用いて、制御されることができる。 両方の場合において、干渉縞は物体１３０の表層にわたって変位され、物体１ ３０に存在する水平方向変化または光学活性特性により変調される。波長以下の 水平方向変化は、位相角と共に干渉縞の基準縞からの偏差により明らかにされる 。例えば、これは、数式（３）のφがゼロに設定されると生じる。この技術を利 用した場合、水平方向解像度は精度の関数であり、それを使って位相が制御また は分解され得る。この技術の解像度は、したがって、波長やアッベ解像度限界よ りも実質的に良い。 別種の位相シフトは、開口数（ＮＡ）が１に等しいところで起こる。全内反射 された後で臨界角より大きい角度で入射すると、放射はπだけシフトされるが、 臨界角より小さい角度のスペクトル反射された放射は、入射角と共に変化する量 までシフトされる。このシフトは静的シフトまたは動的シフトのいずれかであり 得る。 上記議論は平行ないし弱く収束するビームを広義に仮定しており、よって、入 射照射波はほぼ面状である。しかし、本発明は、同様に、より強く収束する高束 縛ビームにも適用される。このようなビームは、極めて高い開口数の光学系での 屈折の結果であるが、また、全反射表面における波長以下の直径開口を設置する ことによっても引き起こされる。波長以下の照射開口は、水平方向空間解像度を 増大させるように、いわゆる近視野光学走査顕微鏡において使用される。しかし 、これら顕微鏡でも本明細書中で開示される水平方向位相シフトから益を受ける こ とができる。それは開口寸法、したがって解像度が開口自体の有限透過により究 極的に制限されるからである。 更に、アレイ状に配置される複数のこのようなプローブは極めて小さな領域を 走査できる。走査が小さな平行部分で行われる場合、画像処理および表示セクシ ョン１４（図１を参照のこと）により小規模走査が組み合わされ、極めて高速の 画像取得を生み出す。走査モーションを利用して、位相面が物体１３０の表面に 沿って変位される。更に、複数のプローブが配置されて、フェーズドアレイ（ph ased array）合成開口を形成する。 非面状入射照射波面と共に実現される別の特徴は、エネルギーがエバネッセン トフィールドのＸ−Ｙ平面で流れることである。これは、Ｇｏｏｓ−Ｈａｅｎｃ ｈｅｎシフトすなわちＧ−Ｈシフトとして公知の、反射の際のビームシフトを結 果として生じる。それ故に、入射放射の方位方向を選択することによりＧ−Ｈシ フトが循環し、エバネッセント放射特有の位相シフトの形態となる。また、偏光 の選択は、エバネッセントフィールドにおけるエネルギーフローの方位方向に影 響を及ぼす。乱れた波面と基準波面との間の干渉は好ましい技術であるが、２個 の異なる位相角度で取得されたビデオ画像を直接減算することにもっても、位相 コントラストの形態における（図２のブロック６４により示される）水平方向形 状についての増補情報をもたらす。 回折から生じるエバネッセントフィールドの位相シフトも有効である。波長以 下の格子が空間で隔てられた垂直照射面格子からの回折により引き起こされるエ バネッセントフィールドにおける非均質波の波長は、その格子の空間周波数によ り決定され、そのため極めて小さくできる。それゆえ位相は格子構造にロックさ れ、その結果、格子周期を変えることにより、エバネッセントフィールドにおけ る均等位相面それぞれが同様にシフトされる。格子は、以下に論じられるように 、音響、ピエゾ、その他の手段により変調され得る。一般に、数式（２）により 示される高い視野強度およびより小さい波長のために、エバネッセント照射は、 例えば、光記録でも有効である。エバネッセント照射に上述の位相シフトおよび 位相検出を付加することにより、より高い情報記憶密度さえもが許容される。 ここで図９を参照するが、この図には、光子トンネリング顕微鏡で見られるも ののような、顕微鏡対物レンズの開口数と一致するように環状ジオメトリを有す る位相制御装置１１６が示される。エバネッセント放射のみに影響を及ぼすよう に、ここでは各マスクが１より大きい開口数で作動されるという点を除いて、環 状位相マスクによる静的位相シフトは位相コントラスト顕微鏡測定において実施 される。ゾーン１４０は１より小さい開口数（ＮＡ）と一致し、これは反射放射 であるが、一方、境界１４２は臨界角であり、ゾーン１４４は対物レンズの最大 開口数にある。破線円１４６は、そこを貫通する波面に微分位相を引き起こす２ 個の環帯の間の境界を示す。２を越えるこのようなゾーンが追加され得て、ゾー ンの間の位相シフトは静的または動的であればよく、コンピュータ１６の制御下 にあることが好ましい。位相シフトは、光学路差、偏光、波長、または入射角な どを原因として、例えば、状況に応じて選択された位相分析のそれぞれの手段を 用いた場合に起こり得る。 図１０では、位相シフトプレート１３９のジオメトリはスロット開口１４８お よび対向スロット開口１５０の間にπの角度をもって、スロット開口１４８と１ ５０を構成する。別の実施態様においては、スロット間の角度を変えながら、１ 以上の追加スロットが追加され得る。臨界角環帯はここでは１４２で同様に示さ れており、最大開口数は１４４で示される。このジオメトリは偏光に関して特に 有用である。プレート１３９ならびにスロット１４８および１５０は静的であれ ばよいが、矢印の弧により示されるように、光学軸の回りを回転させられた場合 はより一層有用となる。このようにして得られる図１１の典型的な画像１５２は 、２個の回転セッティング間のフレーム減算の結果であり、標準光子トンネリン グ技術を用いて視覚可能でない微粒子の可視化を示している。光学軸の回りを回 転した場合、スロットを設けたプレート１３９は、スロット開口が開いていても 、エバネッセントフィールドにおける位相シフトに影響を与える。それは水平方 向へのエネルギーフローがＧ−Ｈシフトのためにサンプル面における方位方向を 変化するからである。 図１２において、位相シフトは、静的または動的のいずれかで、波面１６０と 波面１６２の間、または代替例では、いずれかの波面と基準波面との間にあるよ うな入射角を変化させることにより達成される。図示するように、臨界角θCは 光学法線ＯAに関して、および、全反射境界１６４に関して規定される。図１３ は、比入射角（specific incident angle）（それ故、位相）を選択するための 静的マスク１７０の概略を示し、臨界角環帯が１７２で示され、さらに、最大開 口数が対物レンズのそれと対応して１７０で示されている。環状開口の選択は１ ７４と１７６で示される。 図１４に示されるように、簡単な全内反射プリズム１８０について、波面１８ ２は波面１８４の角度とは異なる入射角を有する。従って、波面１８２は、波面 １８４により生成されるエバネッセントフィールドおよび対応する位相角とは異 なるエバネッセントフィールドおよび対応する位相角を生成する。 動的位相シフトを利用する位相制御のための別の実施態様が図１５に示される 。ここで、位相シフトは、双方向矢印により示されるように、光学路１８６の適 切な軸に沿った物理的移動により達成され得る。この移動はピエゾ作動器１８８ により制御され得る。あるいは、動的位相シフトは位相プレートまたは同調可能 光学キャビティーにより生成され得る。 図１６は、波長以下の回折構造１９２の結果として生じるエバネッセントフィ ールド１９０の図であり、これは位相が構造ジオメトリ１９４により決定され、 構造空間周波数１９６が同調ヘテロダイン位相制御について動的に調節可能であ る。動的位相シフトは同調可能構造を用いて達成され、これは一般に参照符号１ ９５により示される。構造周期を動的に調節する手段は機械的であればよく、例 えば、ピエゾ制御、熱制御、または湿度制御でもよく、もしくは表面音波の使用 を介することもある。 位相シフトは静的構造を用いて達成されてもよく、この構造は局所空間周波数 変動を有しているか、または、サンプル表面に関して移動させられる。提供され た実施例においては、エバネッセントフィールドの位相の制御は、空間格子周期 １９６が照射波長より小さい回折構造１９２を照射することにより達成され、エ バネッセントモードが回折構造にロックされた位相になるようにし、次いで、格 子周期１９６を修正して、結果的に、例えば、ピエゾ結晶変調器または同調可能 音波変調器のような手段により、エバネッセントフィールド位相をシフトする。 結果として生じるエバネッセントフィールドは、回折オーダーが減衰するように 格子空間周期が放射の波長よりも小さくされた構造による入射放射の回折から生 じ、この場合、エバネッセントフィールドの局所位相は局所回折構造素子により 決定され、位相ロックされる。 上述のように、位相シフトと干渉測定の恩恵は、水平方向空間Ｘ−Ｙ平面にお ける増補情報が所望されるエバネッセントフィールドを用いるどのような光学装 置にも適用される。図１７では、例えば、走査近視野プローブ顕微鏡は、典型的 には、実質的に波長以下の先端開口２０８を有するテーパ状導波管または光ファ イバ２００を用いるが、生成されたエバネッセントフィールド２１０を利用して 、表面にわたって開口２０８を並進させることにより隣接物体表面（図示せず） を画像化する。例えば開口から出る放射の高非平面的性質のために、視野２１０ の中心のみがプローブに垂直な均等位相面２０４を有する。そのため、放射の位 相を制限することにより、結果としてより小さい有効開口とより高い解像度とが 得られる。更に、先端開口２０８が、不完全導体であって放射を含み得ない金属 化層２０２から形成されるために、水平方向解像度は有効開口直径２０６に依存 し、これは先端開口２０８よりも大きい。 図１８は開口２２０を含む改良された近視野プローブ２２１の概略図であり、 これは、開口を制限するように放射の位相に作用する、多層積層型ブラッグ反射 板である。明瞭にするために２つの層２２２ａおよび２２２ｂのみが図示されて いるが、層がいくつ使用されていてもかまわない。当該技術で公知のように、こ のような構造は典型的には高低交互の指数の材料から成り、ある特定波長の放射 には透過不能なエネルギー障壁を形成する。このような構造は多くの方法で形成 され得る。しかしながら、好ましい方法は、より大きな層厚を有するプレフォー ムで始め、次に、プレフォームを加熱およびドローダウンして最終的な所要の寸 法にすることである。 複数のこのようなプローブは、密に詰められたマトリクスアレイに製造および 配置され得る。図１９は、位相シフトが、Ｘ−Ｙ平面で移動する、プローブ２３ ０のマトリクスを用いてどのように達成され得るかを示している。密に詰められ たマトリクスのプローブ２３０は小距離にわたって局所的に走査され、全走査領 域の増大と走査時間の減少に加えて、水平方向の位相シフトが達成される。合成 開口は、プローブ２３０のマトリクスを位相アレイに配置することにより形成さ れ得る。従って、本発明は、入射放射と戻り（returning）放射をそれぞれ制御 し、次いで測定することによりエバネッセントフィールドで照射された表面に関 する水平方向空間情報を得る能力を有する。水平方向位相が既知の数量である間 は、サンプル表面は未知の数量である。 図２０を参照すると、これは、位相制御エバネッセントフィールドシステムが 有効に用いられて高密度読み出し能力および書き込み能力を達成する構成を示す 。図２０には、記録媒体３００が示されており、これは従来のポリカーボネート コンパクトディスクのような円形ディスクを備え得る。あるいは、記録媒体３０ ０はＸ−Ｙ平面において走査される光学カードを備えていてもよい。媒体３００ は、さらに異なる屈折率を有する複数の層３２２、３２６、および３２８を備え 得、情報は１以上の層３２２、３２６、および３２８に記憶されあるいはそこか ら検索され得る。 記憶情報を検索する目的で使用された場合、記録媒体３００は、媒体３００の 層に配置される、光学活性サイトのような形状３０２または放射散乱特性、もし くは類似の放射摂動の形態でデータビットを含む。情報記録を目的として使用さ れる場合は、記録媒体３００は層３２４のような活性書き込み可能層を備え、エ バネッセントフィールド８９による照射に際しての形状の特徴を変化させるよう に適合される。変更された形状３０２は、後の読み出し動作において検知される データビットを含む。 あるいは、データビットは層上に配置されたナノメートル高さのジオメトリ的 突起または隆起（図示せず）を備え、これに対しエバネッセントフィールドが感 応する。媒体３００は、形状３０２の形成を可能にするための、周知の半導体ド ープされたカルコゲナイドガラスまたは好適なフォトポリマー層を備えていれば よい。光学摂動により生成される形状３０２については、形状３０２は深さが変 化する属性があってもよいし、または、位相が変化するサイトとして表層の下に 存在していてもよい。 浮動全内反射ヘッド３０４は、上述のように構成されるが、位相制御エバネッ セントフィールド放射で媒体３００を照射するのに役立ち得る。形状３０２の存 在は、エバネッセントフィールドを、光検出器３０６を介して捕獲される伝播放 射へと変換する。照射および位相制御は放射源３０８および位相制御器３１０に より供与される。位相分析器３１２はヘッド３０４と光検出器３０６との間に設 けられる。プロセッサ３１４は光検出器３０６から得られる信号を分析するため に使用される。あるいは、形状３０２は媒体３００に内在していてもよい。開示 されているように、位相制御はここでは水平方向解像度を大いに向上させ、した がって、媒体３００の情報保有能力のための充填率を大いに向上させる。 図２１は、浮動全内反射ヘッド３０４の代わりに有益に使用され得るアプラナ ート球３２０を示している。アプラナート球の底部表面には、エバネッセントフ ィールドを形成するための回折構造も設けられ得る。上述のシステムは、必要な 位相制御エバネッセントフィールド照射を搬送するための媒体３００とは分離し た光学手段を含む。しかし、これはまた、媒体３００の必須部分を形成する放射 変換構造により達成され得る。例えば、回折表面、マイクロレンズ、またはマイ クロプリズムは、媒体３００の表面において形成され得る。図２２において、光 学特性が上述のように入射書き込みエバネッセントフィールドにより局所的に変 化させられ得る活性書き込み可能層３３４上にある分布されたマイクロレンズ３ ３２を備える光学記録媒体３３０が示されている。 書き込み可能層３３４の下には、機械的支持およびこわさのために設ける基板 ３３６がある。分布されたマイクロレンズ３３２は、書き込み可能層３３４の屈 折率よりも大きい屈折率を有する。分布されたマイクロレンズ３３２は一連の周 期的アプラナートマイクロレンズ３３８を備える。個々のマイクロレンズ３３８ の各々からマイクロレンズアレイ３３２の対向表面までの距離「ｙ」はマイクロ レンズ３３８のアプラナート点を表す。典型的には大きさ「ｙ」はマイクロレン ズ３３８の表面の半径のおよそ１．４倍である。マイクロレンズ３３８の活性セ グメントの水平方向伸びが図示されているように臨界角ＩCの伸びよりも幾分か だけ大きい必要がある。この構成を利用した場合、各マイクロレンズ３３８間の 未使用表面領域は最小限にされる。更に、マイクロレンズ媒体の屈折率が増大さ れるにつれ、臨界角は減少し、マイクロレンズ３３８はより小さくされ得る。 位相制御照射は３４２により示されるように提供され、層３３４にある符号化 された情報は好適な対物レンズ３４０により画像化される。上述のように、対物 レンズ３４０は、そのように獲得された画像をビデオカメラ２６に伝送する顕微 鏡対物レンズであればよい。情報が読み出されている間は、対物レンズ３４０が 媒体３３０の表面にわたり変位され得るか、あるいは、媒体３３０が顕微鏡対物 レンズ３４０に関して変位され得る。いずれの運動方法でも、回転または変位の いずれかとして、実施され得る。 図２３は別の記録媒体３５０を示し、これは、支持基板３５６の上にある読み 出し／書き込み層３５４の上にある回折格子構造体３５２を備える。回折格子構 造体３５２は位相制御照射３５８のビームの波長以下の空間格子周期を有し、回 折されたオーダーが減衰するようにし、この場合、エバネッセントフィールドの 局所位相は回折構造３５２にロックされた位相により決定される。層３５４に存 在する情報は、顕微鏡対物レンズ３６０または他の好適な検知装置により画像化 され得る。 図２４はさらに別の記録媒体３６２の概略図を示し、これは、レンチキュラマ イクロレンズシステム３６４が情報層３６６の上にある積層型構造を備え、この 場合、情報層３６６の表面は、情報を符号化するための手段として異なる深さの 複数のピット３６８および３７０を備える。ピット３６８および３７０は、平行 処理のために異なる光学信号を同時に提供するように単一の対応するレンチキュ ルを介してアクセスされ得る異なるトラックであればよい。媒体３３０および３ ５０を利用した場合と同様に、媒体３６２を利用した場合、符号化された情報は 、２以上のレンチキュルを同時に画像化することが可能な顕微鏡対物レンズによ り検知され得る。情報は一度に単一トラックとしてではなく、むしろ全視野的に 画 像化されるので、そのように獲得されたディジタル画像における対応するピクセ ルにアドレスするだけで、多くのレンチキュルにわたって走査することが可能に なる。システム１０を参照して関連して説明された特徴のいずれかまたは全てが 図２０のシステムに組み込まれ得るか、あるいは、図２２から図２４の媒体と関 連して使用され得ることも、理解されるべきである。 本発明を特定の実施態様に言及しながら記載されてきたが、本発明は、本明細 書中に開示されかつ／または図中に示された特定の構成および方法に限定するも のではなく、請求の範囲に入おける改変例または均等物をも含み得ることが理解 されるであろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/135 Ｇ１１Ｂ 7/135 Ｚ 7/26 7/26 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＡ，ＣＮ，ＪＰ，Ｋ Ｒ，ＲＵ，ＳＧ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．位相制御エバネッセントフィールドにより物体の層（４５）に設けられた形 状を検知または生成するシステム（１０）であって、前記システムは、 少なくとも１つの所定の波長と位相角を有する放射ビーム（８５）の少なくと も１つのビームを供与する照射手段（３９）と、 活性ファセット（４４）を含む放射変換手段（２４）であって、前記放射変換 手段（２４）は放射（８５）の前記少なくとも１つのビームを受け、かつ、前記 活性ファセット（４４）で対応するエバネッセントフィールド（８９）を生成す るようにされ、前記エバネッセントフィールド（８９）は等しい振幅（９０）の 面が前記活性ファセット（４４）に実質的に平行であり、前記エバネッセントフ ィールド（８９）は等しい位相（８８）の面が前記活性ファセット（４４）に実 質的に垂直であり、前記エバネッセントフィールド（８９）が物体（４５）の層 に近接して置かれた場合は、前記エバネッセントフィールド（８９）は放射変換 手段（２４）の表面で伝播放射（５１）を生成するようにした、放射変換手段と 、 前記エバネッセントフィールド（８９）の強度が前記ビーム（８５）の位相の 関数として変化するように、かつ、前記活性ファセット（４４）にわたる等しい 位相（８８）の前記各面の変位が前記放射ビーム（８５）の位相の関数として変 化するように、前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長および位相角を選択的 に制御する位相制御手段（４１）とを備える、システム。 ２．前記伝播放射（５１）を受ける手段（２８）と、前記エバネッセントフィー ルド（８９）により検知される表層形状に対応する画像信号を生成する検出器手 段（３２）とを更に備える、請求項１に記載のシステム。 ３．前記放射変換手段（２４）と前記伝播放射（５１）を受ける前記手段（２８ ）との間に設けられる位相分析器手段（７８）を更に備える、請求項２に記載の システム。 ４．前記画像信号を受け、かつ、複合画像信号を生成する画像処理手段（１６） を更に備え、前記複合画像信号から、物体（４５）の層に設けられる信号および 光学特性が表示または測定され得る、請求項３に記載のシステム。 ５．前記画像信号を受け、かつ、色調マッピング信号を生成する手段（１４）を 更に備え、前記マッピング信号において、前記各形状が画像色調の変化として符 号化される、請求項３または４に記載のシステム。 ６．前記照射手段（３９）がレーザーを備える、請求項１または２に記載のシス テム。 ７．前記照射手段（３９）が発光ダイオードを備える、請求項１または２に記載 のシステム。 ８．前記位相制御手段（４１）が、予め選択された放射の波長に対して、前記照 射手段（３４）の出力を選択的に制御するフィルタリング手段を備える、請求項 １または２に記載のシステム。 ９．前記位相制御手段（４１）が偏光手段を備える、請求項１または２に記載の システム。 １０．前記位相制御手段（４１）が電気光学変調器を備える、請求項１または２ に記載のシステム。 １１．前記位相制御手段（４１）が同調可能光学キャビティーを備える、請求項 １または２に記載のシステム。 １２．前記位相制御手段（４１）が、前記活性ファセット（４４）に関して、前 記放射ビーム（８５）の入射角を変える手段を備える、請求項１または２に記載 のシステム。 １３．前記位相制御手段（４１）がリタデーション位相プレートを備える、請求 項１または２に記載のシステム。 １４．前記位相制御手段（４１）が、Ｇｏｏｓ−Ｈａｅｎｃｈｅｎシフトの方向 が決定されるように、前記放射ビーム（８５）の方位角を選択する手段を備える 、請求項１または２に記載のシステム。 １５．前記放射変換手段（２４）が、前記放射ビーム（８５）を受けるエントラ ンスファセット（４２）を備えるプリズム誘電体ボディを更に備える、請求項１ または２に記載のシステム。 １６．前記放射変換手段（２４）が、前記伝播放射（５１）を出射する出射ファ セット（４７）を備えるプリズム誘電体ボディを更に備える、請求項１または２ に記載のシステム。 １７．前記放射変換手段（２４）が、前記放射ビーム（８５）を受けるエントラ ンスファセット（４２）と、反射（specular）伝播放射（５３）を出射する放射 出射ファセット（４６）とを更に備え、前記活性ファセット（４４）が前記放射 ビーム（８５）について全内反射表面を提供するように、前記エントランスファ セット（４２）および放射出射ファセット（４６）が前記活性ファセット（４４ ）に関連して構成されおよび位置付けられる、請求項１または２に記載のシステ ム。 １８．前記放射変換手段（２４）がアプラナート球（３２０）を備える、請求項 １または２に記載のシステム。 １９．前記放射変換手段（２４）が、前記放射ビーム（８５）の波長以下の空間 格子周期を有する回折格子構造体（１９２）を備える、請求項１または２に記載 のシステム。 ２０．前記放射変換手段（２４）が、前記エバネッセントフィールド（８９）の 位相がシフトされるように、前記回折格子構造体（１９２）の前記空間格子周期 を変化させる手段を更に備える、請求項１９に記載のシステム。 ２１．前記空間格子周期を変化させる前記手段が同調可能音波変調器を備える、 請求項２０に記載のシステム。 ２２．前記空間格子周期を変化させる前記手段がピエゾ結晶変調器を備える、請 求項２０に記載のシステム。 ２３．前記放射変換手段（２４）が、水平方向解像度を増大させるように波長以 下の開口（２２０）を備えるテーパ状誘電体近視野プローブ（２２１）を備える 、請求項１または２に記載のシステム。 ２４．前記テーパ状誘電体近視野プローブ（２２１）が、前記エバネッセントフ ィールド（８９）が水平方向面において制限されるように、複数の誘電体層ブラ ッグ反射板（２２２ａおよび２２２ｂ）を備える、請求項２３に記載のシステム 。 ２５．前記放射変換手段（２４）が、密に詰められたマトリクスに配置された複 数のプローブ（２３０）を備える、請求項１または２に記載のシステム。 ２６．前記複数のプローブ（２３０）が、合成開口を生成するように、位相アレ イに配置される、請求項２５に記載のシステム。 ２７．複数の形状（３０２）が形成されている少なくとも１つのインターフェイ ス表面（３２２）を備える記録媒体（３００）を更に備え、前記各形状により、 前記記録媒体（３００）において情報が符号化される、請求項１に記載のシステ ム。 ２８．複数の形状（３０２）が形成されている少なくとも１つの活性層（３２４ ）を備える記録媒体（３００）を更に備え、前記各形状により、前記記録媒体（ ３００）において情報が符号化される、請求項１に記載のシステム。 ２９．前記放射変換手段（２４）が、前記記録媒体（３００）上にある分布され たマイクロ光学構造体を備える、請求項２７または２８に記載のシステム。 ３０．前記記録媒体が円形ディスクを更に備える、請求項２７から２９のいずれ かに記載のシステム。 ３１．前記各形状（３０２）が、前記記録媒体（３００）の前記表面（３２２） から変化する距離に配置される、請求項２７から２９のいずれかに記載のシステ ム。 ３２．前記記録媒体（３００）が、異なる屈折率の複数の層（３２６および３２ ８）を更に備える、請求項２７から２９のいずれかに記載のシステム。 ３３．前記層（３２４）において符号化された情報が、照射波長、入射角、偏光 、または前記放射ビーム（８５）の位相を変化させることにより選択される、請 求項３２に記載のシステム。 ３４．前記各形状（３０２）が誘電体または半導体における位相変化を含む、請 求項２７から２９のいずれかに記載のシステム。 ３５．前記記録媒体（３００）が、半導体ドープされ、カルコゲナイドガラス、 またはフォトポリマー材料を更に含む、請求項２７から２９のいずれかに記載の システム。 ３６．前記分布されたマイクロ光学構造体が、複数の周期性のあるマイクロレン ズ（３３８）を備える、請求項２９に記載のシステム。 ３７．前記マイクロレンズ（３３８）の各々がアプラナートレンズを含む、請求 項３６に記載のシステム。 ３８．前記分布されたマイクロ光学構造体が回折格子構造体（３５２）を備える 、請求項２９に記載のシステム。 ３９．物体（４５）の表層で形状を検知または生成するように位相制御エバネッ セントフィールドを利用する方法であって、前記方法は、 少なくとも１つの所定の波長および位相角を有する放射ビーム（８５）の少な くとも１つを供与する工程と、 活性ファセット（４４）で前記放射ビーム（８５）をエバネッセントフィール ド（８９）に変換する工程と、 前記エバネッセントフィールド（８９）の強度が前記放射ビーム（８５）の位 相角の関数として変化するように、前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長お よび位相角を選択的に制御する工程と、 伝播放射（５１）を生成するように、前記エバネッセントフィールドに近接し て物体（４５）の表層を位置付ける工程と、を含む方法。 ４０．前記エバネッセントフィールド（８９）により物体（４５）の前記表層で 形状を生成する工程段を更に含む、請求項３９に記載の方法。 ４１．位相分析器（７８）により前記伝播放射（５１）を分析し、対応する形状 の存在または不在によって変化する振幅を有する画像信号を生成する工程を更に 含む、請求項３９に記載の方法。 ４２．前記画像信号から色調マッピング信号を生成する工程を更に備え、前記画 像信号において、形状の存在または不在が色調の変化として符号化される、請求 項４１に記載の方法。 ４３．前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長および位相角を選択的に制御す る前記工程が動作において動的である、請求項３９に記載の方法。 ４４．前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長および位相角を選択的に制御す る前記工程が動作において静的である、請求項３９に記載の方法。 ４５．前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長および位相角を選択的に制御す る前記工程が、前記放射ビーム（８５）をフィルタリングして、その出力を放射 の予め選択された波長に修正する、請求項３９に記載の方法。 ４６．前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長および位相角を選択的に制御す る前記工程が、前記放射ビーム（８５）を偏光する工程を含む、請求項３９に記 載の方法。 ４７．前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長および位相角を選択的に制御す る前記工程が、前記放射ビーム（８５）の入射角を変える工程を含む、請求項３ ９に記載の方法。 ４８．前記放射ビーム（８５）の前記所定の波長および位相角を選択的に制御す る前記工程が、前記放射ビーム（８５）の方位角を選択する工程を含む、請求項 ３９に記載の方法。 ４９．前記放射ビーム（８５）をエバネッセントフィールド（８９）に変換する 前記工程が、前記放射ビーム（８５）の波長以下の空間格子周期を有する回折格 子構造体（１９２）を照射する工程を含む、請求項３９に記載の方法。 ５０．前記エバネッセントフィールド（８９）の位相をシフトするように、前記 空間格子周期を変化させる工程を更に含む、請求項４９に記載の方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000079313A1 (en) * 1999-06-21 2000-12-28 Trustees Of Boston University Numerical aperture increasing lens (nail) techniques for high-resolution sub-surface imaging
AU2003283175A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Unaxis Balzers Ag Method for generating electromagnetic field distributions
WO2005031432A1 (de) * 2003-09-25 2005-04-07 Leica Microsystems Cms Gmbh Beleuchtungsmodul zur evaneszenten beleuchtung und mikroskop

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3584230A (en) * 1969-01-24 1971-06-08 Bell Telephone Labor Inc Light wave coupling into thin films
JP3135389B2 (ja) * 1992-10-23 2001-02-13 松下電器産業株式会社 情報再生方法、情報記録再生方法、情報再生装置、記録媒体及び光ヘッド
JPH0712826A (ja) * 1993-06-29 1995-01-17 Hitachi Ltd 干渉計、光走査型トンネル顕微鏡および光プローブ
JPH087323A (ja) * 1994-06-17 1996-01-12 Hitachi Ltd 光ヘッドおよび光情報記録再生装置
KR0162331B1 (ko) * 1995-02-09 1998-12-15 구자홍 광 픽업장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010052072A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Fujikoshi Mach Corp パッド表面状態観察方法およびパッド表面状態観察装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69722008D1 (de) 2003-06-18
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