CN112054116A - 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器 - Google Patents

一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器 Download PDF

Info

Publication number
CN112054116A
CN112054116A CN202010962769.7A CN202010962769A CN112054116A CN 112054116 A CN112054116 A CN 112054116A CN 202010962769 A CN202010962769 A CN 202010962769A CN 112054116 A CN112054116 A CN 112054116A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
iii
bandgap semiconductor
narrow bandgap
spin orbit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010962769.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112054116B (zh
Inventor
寇煦丰
孙璐
张勇
薛丰铧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ShanghaiTech University
Original Assignee
ShanghaiTech University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ShanghaiTech University filed Critical ShanghaiTech University
Priority to CN202010962769.7A priority Critical patent/CN112054116B/zh
Publication of CN112054116A publication Critical patent/CN112054116A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112054116B publication Critical patent/CN112054116B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Abstract

本发明涉及一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III‑V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs。本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。

Description

一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器
技术领域
本发明涉及一种基于窄禁带III-V族半导体异质结构的可编程自旋轨道力矩-磁随机存储器。
背景技术
随着信息技术领域的不断发展，存储器技术越来越受到重视。其中，基于磁性隧道结的磁随机存储器因其具有非易失性、高存储密度、读写速度快的特性，并且与现有的CMOS器件和工艺兼容，因此一直受到广泛关注。传统的磁随机存储器通过磁场来实现数据的读写，但受制于磁场写入速度慢，磁场大小不可控等缺点，导致器件尺寸停滞在90nm而无法进一步减小。随后，基于自旋转移力矩的磁随机存储器(STT-MRAM)以电流代替磁场进行读写操作，一方面进一步降低了器件的尺寸，另一方面也简化了磁随机存储器件的设计与制备。近年来，三星、Everspin、Global Foundary等国际知名半导体公司相继推出了STT-MRAM产品，最大存储密度可达1G-bit。然而，STT-MRAM面临的一大挑战仍然是实现读写所需的电流密度较高(～108A/cm2)，进而导致器件功耗增大；与此同时，在STT-MRAM器件中，翻转电流会通过用于器件存储的磁性隧道结，其产生的热量会降低信息存储的稳定性。
近年来，人们提出基于自旋轨道力矩的磁随机存储器(SOT-MRAM)。其原理是基于自旋轨道力矩进行磁矩翻转。目前提出的器件主要是利用重金属材料产生的自旋霍尔效应提供自旋轨道力矩实现磁性隧道结中自由层的翻转。SOT-MRAM相比于STT-MRAM，翻转所需的电流密度减小(～106A/cm2)，因此降低了写入的功耗。同时，由于写场电流不通过磁性隧道结器件，因此器件存储的热稳定性高。另外，由于自旋轨道力矩(SOT)的进动方式与自旋转移力矩(STT)不同，因此SOT-MRAM在STT-MRAM的基础上进一步提升了写入速度。目前报道的SOT-MRAM体系主要是利用重金属材料层提供自旋轨道力矩，用于翻转磁性隧道结的自由层。一方面，重金属材料的自旋轨道力矩并不是很大，而对SOT-MRAM写入电流密度的降低主要依赖于重金属材料的自旋轨道力矩。自旋轨道力矩越大，翻转磁性隧道结自由层所需的电流密度就越小。另一方面，近年来虽然在一些拓扑绝缘体及新型二维材料体系中发现了很强的自旋轨道耦合和自旋轨道力矩，但这些材料大部分工作在低温区且在室温、暴露空气的环境中无法稳定，因此并不适用于制备成实用的器件。而无论是重金属材料还是新型二维材料，其制备工艺的特殊性决定了相应的器件很难与现有成熟的半导体器件及制备工艺相结合。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：传统的基于重金属材料的SOT-MRAM器件很难与现有成熟的半导体器件及制备工艺相结合。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是提供了一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，其中：
介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；
自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III-V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs；
由介电层与自旋轨道力矩作用层共同组成InSb/CdTe双层结构或InAs/ZnTe双层结构，InSb/CdTe双层结构中碲化镉CdTe材料与III-V族窄禁带半导体锑化铟InSb界面处或者InAs/ZnTe双层结构中碲化锌ZnTe材料与III-V族窄禁带半导体砷化铟InAs界面处产生能够形成Rashba系数α可达
Figure BDA0002681146690000021
的Rashba效应的自旋轨道耦合力矩，以减小相应翻转MTJ所需的电流密度；
MTJ结构层由下至上依次包括自由层、遂穿势垒层和钉扎层。
优选地，所述介电层的厚度为1微米左右。
优选地，所述自旋轨道力矩作用层的厚度为十几纳米到几十纳米之间。
优选地，在所述介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层中，载流子浓度可根据实际掺杂在1017-1018cm-3范围内变动，相应的载流子迁移率为μ＝1000-5000cm2/Vs。
优选地，通过施加背栅电压Vg，调控所述InSb/CdTe双层结构或所述InAs/ZnTe双层结构的界面的能带结构从而进一步调控所述Rashba系数α。
优选地，所述衬底晶圆采用N型掺杂的硅或砷化镓晶圆。
本发明提供了一种基于窄禁带III-V族半导体的自旋轨道力矩磁随机存储器单元(SOT-MRAM)。与传统的基于重金属材料的SOT-MRAM器件相比，本发明的基于III-V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。
附图说明
图1为基于III-V族半导体结构的SOT-MRAM器件材料构成图；
图2为基于III-V族半导体结构的SOT-MRAM器件工作示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
如图1所示，本发明提供的一种SOT-MRAM器件包含衬底晶圆、介电层I、自旋轨道力矩作用层II及MTJ结构层。
衬底晶圆采用N型掺杂的硅或砷化镓晶圆。
介电层I采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料，厚度为1微米左右。自旋轨道力矩作用层II采用高迁移率的III-V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs，厚度为十几到几十纳米之间，替代传统的重金属材料层如铂Pt、钽Ta等。
MTJ结构层包含自由层III、隧穿势垒层IV和钉扎层V，主要构成材料为CoFeB合金、AlOX绝缘层、Ta、Ru金属等。
由介电层和自旋轨道力矩作用层组成的InSb/CdTe双层结构(介电层I采用碲化镉CdTe材料、自旋轨道力矩作用层II采用高迁移率的III-V族窄禁带半导体锑化铟InSb)或InAs/ZnTe双层结构(介电层I采用碲化锌ZnTe材料、自旋轨道力矩作用层II采用高迁移率的III-V族窄禁带半导体砷化铟InAs)为该器件的核心结构，以下以InSb/CdTe双层结构为例进行说明，InAs/ZnTe双层结构与其相同，不再赘述。
一方面，InSb/CdTe双层结构界面处会产生非常大的自旋轨道耦合力矩，从而形成Rashba效应。通常用Rashba系数α来进行自旋轨道耦合力矩的表征。在我们提出的材料体系中，Rashba系数α可达
Figure BDA0002681146690000042
比传统材料提升了近2个数量级。即使与现有报道中高Rashba系数的体系如拓扑绝缘体、二维电子气材料相比，其Rashba系数也提高了近一个量级。因此，在这种结构中，自旋轨道力矩很大，相应翻转MTJ所需的电流密度就可以进一步减小，从而极大地降低了器件的功耗，提升了存储数据的热稳定性。
另一方面，作为常见的高迁移率的半导体材料，本发明提出的结构中载流子浓度可根据实际掺杂在1017-1018cm-3范围内变动，相应的载流子迁移率为μ＝1000-5000cm2/Vs。因此基于InSb/CdTe双层结构的SOT-MRAM器件不仅功耗小(写入临界电流为106A·cm-2)，器件的读写速度也更高(100MHz-1GHz)。而本发明通过施加背栅电压Vg，可以调控InSb/CdTe双层结构界面的能带结构从而进一步调控该体系的Rashba系数。在该结构中，背栅电压对Rashba系数α的调控能力可以达到
Figure BDA0002681146690000041
比其他材料提升1-2个量级。因此，与传统STT或SOT-MRAM器件相比，除了用电流调控以外，本发明还可以实现利用电场调控器件的读写性能，从而增加了这一新型器件的功能性。
如图2所示，本发明提供的器件结构具体的工作过程为：
(1)电流由写入通道流向InSb/CdTe双层结构，在通过InSb/CdTe双层结构时电流会产生自旋轨道力矩并作用在InSb的上界面处，即产生有效的Rashba场。
(2)与InSb上界面接触的是MTJ的自由层III，在Rashba场的作用下发生磁矩翻转。
(3)此时自由层III的磁化方向发生改变，而钉扎层V的磁化方向保持不变，自由层III和钉扎层V之间的磁矩排列变为反平行排列，导致MTJ结构层的磁阻值从低阻态“1”变为高阻态“0”，即完成一次数据存储。
(4)当电流方向发生改变时，自旋轨道力矩的方向发生反向，致使MTJ结构层的自由层III的磁矩再次翻转，回到与钉扎层V磁矩平行的状态。
(5)位线(bit-line)和字线(word-line)用于读取MTJ结构层的隧穿磁电阻；钉扎层V和自由层III磁矩排列反平行时为高阻态，平行时为低阻态，分别代表“0”和“1”。与STT-MRAM不同，SOT-MRAM的读和写操作是两个不同的通道，且写入时的电流只通过SOT层，而不会通入MTJ结构，因此电流产生的热效应不会对MTJ结构层的势垒层造成影响，从而有效地提升了器件存储的稳定性。
除了实现基本的存储和读写功能以外，将背栅电压作为一路控制信号，通过背栅电压对自旋轨道力矩作用层II的Rashba系数的调控实现其对临界电流大小的改变，进而实现可编程逻辑操作。本发明以实现“与非门”的逻辑为例，如表1所示。
写入电流 背栅电压 磁隧道结状态 输出结果
0 0 平行 1
1 0 平行 1
0 1 平行 1
1 1 反平行 0
表1
1、磁隧道结的初始状态为平行状态，电阻值为低阻态“1”；当写入电流和背栅电压均小于阈值时，磁隧道结的状态没有改变，仍然为平行排列，因此输出结果为1；
2、写入电流到达阈值而背栅电压小于阈值，此时写入电流所产生的自旋力矩不足以翻转磁隧道结自由层的磁矩，因此磁隧道结保持平行状态，输出结果仍然为1；
3、写入电流小于阈值而背栅电压大于阈值，此时虽然通过背栅电压的调控提升了InSb界面的Rashba系数，使得电流转化为自旋流的效率得到提升，降低了MTJ结构层的阈值电流；但由于此时通入的写入电流仍然小于该阈值电流，因此无法翻转磁隧道结，输出结果为1；
4、写入电流和背栅电压同时达到阈值时，背栅电压的调控增加了电流转化为自旋流的效率，降低了磁矩翻转所需的阈值电流；此时通入的写入电流大于该阈值电流，足以翻转磁隧道结的自由层，磁矩状态由平行态转变为反平行态，输出结果为0。因此，通过两路信号的调控，可以实现“与非门”的逻辑运算。

Claims (6)

1.一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层(I)、自旋轨道力矩作用层(II)及MTJ结构层，其中：
介电层(I)采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；
自旋轨道力矩作用层(II)采用高迁移率的III-V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs；
由介电层(I)与自旋轨道力矩作用层(II)共同组成InSb/CdTe双层结构或InAs/ZnTe双层结构，InSb/CdTe双层结构中碲化镉CdTe材料与III-V族窄禁带半导体锑化铟InSb界面处或者InAs/ZnTe双层结构中碲化锌ZnTe材料与III-V族窄禁带半导体砷化铟InAs界面处产生能够形成Rashba系数α可达
Figure FDA0002681146680000011
的Rashba效应的自旋轨道耦合力矩，以减小相应翻转MTJ所需的电流密度；
MTJ结构层由下至上依次包括自由层(III)、遂穿势垒层(IV)和钉扎层(V)。
2.如权利要求1所述一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，所述介电层(I)的厚度为1微米。
3.如权利要求1所述一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，所述自旋轨道力矩作用层(II)的厚度为20纳米。
4.如权利要求1所述一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，在所述介电层(I)、自旋轨道力矩作用层(II)及MTJ结构层中，载流子浓度可根据实际掺杂在1017-1018cm-3范围内变动，相应的载流子迁移率为μ＝1000-5000cm2/Vs。
5.如权利要求1所述一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，通过施加背栅电压Vg，调控所述InSb/CdTe双层结构或所述InAs/ZnTe双层结构的界面的能带结构从而进一步调控所述Rashba系数α。
6.如权利要求1所述一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，所述衬底晶圆采用N型掺杂的硅或砷化镓晶圆。
CN202010962769.7A 2020-09-14 2020-09-14 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器 Active CN112054116B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010962769.7A CN112054116B (zh) 2020-09-14 2020-09-14 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010962769.7A CN112054116B (zh) 2020-09-14 2020-09-14 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112054116A true CN112054116A (zh) 2020-12-08
CN112054116B CN112054116B (zh) 2023-03-21

Family

ID=73610616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010962769.7A Active CN112054116B (zh) 2020-09-14 2020-09-14 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112054116B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112928206A (zh) * 2021-01-28 2021-06-08 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种mtj及其驱动方法和制作方法
CN113015330A (zh) * 2021-03-05 2021-06-22 湖南科技大学 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9490297B1 (en) * 2015-09-30 2016-11-08 HGST Netherlands B.V. Half select method and structure for gating rashba or spin hall MRAM
US9564523B1 (en) * 2015-12-11 2017-02-07 International Business Machines Corporation Non-linear spin-orbit interaction devices and methods for current-to-spin conversion and amplification of spin-polarizations
US20180233188A1 (en) * 2017-02-13 2018-08-16 Purdue Research Foundation Single nanomagnet memory device for magnetic random access memory applications
CN109300495A (zh) * 2018-09-18 2019-02-01 西安交通大学 基于人工反铁磁自由层的磁性结构及sot-mram
CN109560193A (zh) * 2018-10-29 2019-04-02 西安交通大学 基于人工反铁磁固定层的磁性结构及sot-mram
US20190115060A1 (en) * 2017-10-13 2019-04-18 Everspin Technologies, Inc. Perpendicular magnetic memory using spin-orbit torque
US10276784B1 (en) * 2017-10-30 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and associated operating and fabricating method
US20190165254A1 (en) * 2017-11-30 2019-05-30 Korea Institute Of Science And Technology Spin orbit torque magnetic ram
US20200006636A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Intel Corporation Magnetically doped spin orbit torque electrode for perpendicular magnetic random access memory
US20200006643A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Intel Corporation Integration of top spin orbit electrode in magnetic random access memory devices using atomic later etching
US20200136016A1 (en) * 2018-10-30 2020-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Magnetic tunnel junction structures and related methods
WO2020135053A1 (zh) * 2018-12-26 2020-07-02 浙江驰拓科技有限公司 磁存储单元及sot-mram存储器

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9490297B1 (en) * 2015-09-30 2016-11-08 HGST Netherlands B.V. Half select method and structure for gating rashba or spin hall MRAM
US9564523B1 (en) * 2015-12-11 2017-02-07 International Business Machines Corporation Non-linear spin-orbit interaction devices and methods for current-to-spin conversion and amplification of spin-polarizations
US20180233188A1 (en) * 2017-02-13 2018-08-16 Purdue Research Foundation Single nanomagnet memory device for magnetic random access memory applications
US20190115060A1 (en) * 2017-10-13 2019-04-18 Everspin Technologies, Inc. Perpendicular magnetic memory using spin-orbit torque
US10276784B1 (en) * 2017-10-30 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and associated operating and fabricating method
US20190165254A1 (en) * 2017-11-30 2019-05-30 Korea Institute Of Science And Technology Spin orbit torque magnetic ram
US20200006643A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Intel Corporation Integration of top spin orbit electrode in magnetic random access memory devices using atomic later etching
US20200006636A1 (en) * 2018-06-29 2020-01-02 Intel Corporation Magnetically doped spin orbit torque electrode for perpendicular magnetic random access memory
CN109300495A (zh) * 2018-09-18 2019-02-01 西安交通大学 基于人工反铁磁自由层的磁性结构及sot-mram
US20200013444A1 (en) * 2018-09-18 2020-01-09 Xi'an Jiaotong University Magnetic structure based on synthetic antiferromagnetic free layer and derivative SOT-MRAM
CN109560193A (zh) * 2018-10-29 2019-04-02 西安交通大学 基于人工反铁磁固定层的磁性结构及sot-mram
US20200136016A1 (en) * 2018-10-30 2020-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Magnetic tunnel junction structures and related methods
WO2020135053A1 (zh) * 2018-12-26 2020-07-02 浙江驰拓科技有限公司 磁存储单元及sot-mram存储器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KANGKANG MENG等: ""Modulated switching current density and spin-orbit torques in MnGa/Ta films with inserting ferromagnetic layers"", 《SCIENTIFIC REPORTS》 *
李栋等: ""电流驱动垂直磁化异质结磁矩翻转和磁畴运动的研究"", 《万方数据库》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112928206A (zh) * 2021-01-28 2021-06-08 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种mtj及其驱动方法和制作方法
CN113015330A (zh) * 2021-03-05 2021-06-22 湖南科技大学 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器
CN113015330B (zh) * 2021-03-05 2022-03-11 湖南科技大学 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器

Also Published As

Publication number Publication date
CN112054116B (zh) 2023-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10475815B2 (en) Three dimension integrated circuits employing thin film transistors
CN107658382B (zh) 一种基于自旋霍尔效应的磁随机存储器
CN107611255B (zh) 一种高密度磁性存储器件
US8952470B2 (en) Low cost high density nonvolatile memory array device employing thin film transistors and back to back Schottky diodes
Endoh et al. Recent progresses in STT-MRAM and SOT-MRAM for next generation MRAM
US8159856B2 (en) Bipolar select device for resistive sense memory
US20110122674A1 (en) Reverse connection mtj cell for stt mram
US9178137B2 (en) Magnetoresistive element and magnetic memory
CN111354392B (zh) 磁性存储器阵列及读写控制方法
CN111489777B (zh) 磁性存储器结构、阵列、读写控制方法及制备方法
CN111740011A (zh) 自旋轨道扭矩磁随机存储单元、存储阵列及存储器
CN112054116B (zh) 一种基于iii-v族窄禁带半导体的磁随机存储器
TW201913656A (zh) 記憶體裝置、用於提供所述記憶體裝置的方法以及三維可堆疊記憶體裝置
US20230276637A1 (en) Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory
CN105449099A (zh) 交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法
WO2018236356A1 (en) FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS (FEFET) HAVING COMPOUND SEMICONDUCTOR CHANNELS
CN108807413B (zh) 使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构
CN105405860A (zh) 交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法
Alhalabi et al. High density SOT-MRAM memory array based on a single transistor
CN105448320A (zh) 交叉矩阵列式磁性随机存储器及其读写方法
US20170256298A1 (en) Magnetic storage device
KR101043384B1 (ko) 고온 초전도체를 이용한 자기저항 램
Sverdlov et al. CMOS technology compatible magnetic memories
JP2004297072A (ja) スピントランジスタ磁性ランダムアクセスメモリデバイス
WO2022252099A1 (zh) 磁性随机存储器及其控制方法、电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant