CN112038083A - 一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法 - Google Patents

一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法。所述方法包括：提供钐钴永磁作为基体材料，所述基体材料为粉末取向成型生坯，所述基体材料的化学式为Sm(CoxFeyCuzZrm)n，其中，0.5<x<0.9，0.01<y<0.1，0.01<z<0.1，0.01<m<0.1，6<n<9；采用涂覆和/或包覆的方式将低熔点相扩散源施加于所述基体材料表面，之后对所获基体材料进行真空和/或加压热扩散处理；以及，对热扩散处理后的基体材料进行烧结致密化、时效处理，制得钐钴永磁材料。本发明提供的方法有效提高了钐钴永磁材料的磁性能，拓展了钐钴稀土永磁材料的应用领域。

Description

一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法
技术领域
本发明属于永磁材料技术领域，具体涉及一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法。
背景技术
2:17型钐钴永磁材料由于其优异的耐热性、抗氧化能力以及较高的居里温度(＞800℃)被广泛用于航空航天、高速电机、军工产品等领域。相比于钕铁硼和铝镍钴等永磁材料，2:17型钐钴稀土永磁在高温和高稳定性应用领域有着不可替代的作用。
2:17型钐钴磁体的微观组织结构由菱方结构的2:17R胞内相和六方结构的胞壁相以及富Zr元素的片状相组成。研究表明，具有高饱和磁化强度钐钴永磁材料胞状组织结构难以均匀形成，且在晶界附近处没有完整地胞状组织结构，胞状组织结构的缺陷使磁畴壁的钉扎场弱，难以获得高的矫顽力，严重阻碍了磁体的应用。大量的研究分析发现，具有高饱和磁化强度钐钴永磁材料的胞状组织结构形成与磁体的成分波动极为敏感，传统通过合金熔炼、双合金等工艺无法实现精细的成分调控，难以获得高的矫顽力和磁性能。专利CN102568807A中采用双合金法将铜粉和钐钴气流磨粉进行混合均匀后进行烧结固溶以及时效处理后可以显著提升磁体的矫顽力，但非磁性铜元素的大量添加显著降低了磁体的剩磁和磁能积，无法用于高性能钐钴磁体的制备，而常规的固溶和时效热处理调控工艺对钐钴磁体磁性能提升有限，因此发展一种简便高效的钐钴永磁材料磁性能提升方法显得尤为重要。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法，以克服现有技术的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其包括：
提供钐钴永磁作为基体材料，所述基体材料为粉末取向成型生坯，所述基体材料的化学式为Sm(CoxFeyCuzZrm)n，其中，0.5<x<0.9，0.01<y<0.1，0.01<z<0.1，0.01<m<0.1，6<n<9；
采用涂覆和/或包覆的方式将低熔点相扩散源施加于所述基体材料表面，之后对所获基体材料进行真空和/或加压热扩散处理；
以及，对热扩散处理后的基体材料进行烧结致密化、时效处理，制得钐钴永磁材料。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
(1)传统的烧结工艺趋于成熟和稳定，无法对成分进行精细调控，很难明显提升钐钴磁体的磁性能，利用扩散方法能更精细调控磁体的成分；
(2)本发明的方法采用稀土-过渡族合金相(RE-TM，其中RE选自Sm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Lu，TM选自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Cu、Zn)、单过渡族金属(Cu、Fe、Co、Zr)以及稀土RE(Sm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Lu)低熔点相作为扩散源具有流动性好，能够有效进入基体，从而实现调控组织结构的作用；
(3)本发明中真空热处理扩散以及加压热处理扩散等扩散工艺既可以不破坏钐钴永磁材料基体的胞状组织结构，又可以实现扩散过程中元素通过扩散通道向基体的充分扩散。尤其是加压热扩散，借助外加压力可以提高低熔点相扩散源的扩散动能，使得在扩散过程中达到更大的扩散深度；
(4)本发明中低熔点相扩散源通过扩散进入钐钴基体，起到的是调控和优化胞状组织结构中元素分布的作用，该过程有利于元素的富集(胞壁处)、扩散(富Zr相通道)等；
(5)本发明中的扩散工艺更贴合常规生产，宽松的扩散温度保证了样品的稳定性和质量的可靠性，并且可以引入机械自动化操作，提高生产效率适用产业化。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1制备的钐钴永磁体的截面电镜图。
具体实施方式
鉴于现有技术的缺陷，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例的一个方面提供了一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其包括：
提供钐钴永磁作为基体材料，所述基体材料为粉末取向成型生坯，所述基体材料的化学式为Sm(CoxFeyCuzZrm)n，其中，0.5<x<0.9，0.01<y<0.1，0.01<z<0.1，0.01<m<0.1，6<n<9；
采用涂覆和/或包覆的方式将低熔点相扩散源施加于所述基体材料表面，之后对所获基体材料进行真空和/或加压热扩散处理；
以及，对热扩散处理后的基体材料进行烧结致密化、时效处理，制得钐钴永磁材料。
在一些较为具体的实施方案中，所述低熔点相扩散源包括稀土-过渡族合金RE-TM、单过渡族金属TM、稀土RE中的任意一种或两种以上的组合，且不限于此。
进一步的，所述RE包括Sm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Lu中的任意一种或两种以上的组合，且不限于此。
更进一步的，所述RE包括Sm、Pr、Ce中的任意一种或两种以上的组合，且不限于此。
进一步的，所述TM包括Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Cu、Zn中的任意一种或两种以上的组合，且不限于此。
更进一步的，所述TM包括Fe、Co、Cu、Zr中的任意一种或两种以上的组合，且不限于此。
在一些较为具体的实施方案中，所述低熔点相扩散源为合金、粉体或悬浊液中的任意一种，且不限于此。
进一步的，所述悬浊液为稀土-过渡族合金、单过渡族金属或稀土的粉末的悬浊液。
进一步的，所述粉体的粒径为0.01-10μm。
进一步的，所述悬浊液的粘度为50-700mPa·s。
在一些较为具体的实施方案中，所述制备方法包括：
将施加有低熔点相扩散源的基体材料于真空度为1×10-1～1×10-5Pa的条件下进行热扩散处理。
进一步的，所述制备方法包括：在压力为0.02～0.15MPa的惰性气氛下，对施加有低熔点相扩散源的基体材料进行热扩散处理，或者，对施加有低熔点相扩散源的基体材料施加5～20N的压力并进行热扩散处理。
进一步的，所述热扩散处理包括：在真空或加压条件下，以5～7℃/min的速度升温至350～450℃，保温处理1.5～2.5h，再以5～7℃/min的速度降温至750～850℃，保温处理5.5～6.5h，然后以0.6-0.8℃/min降温至350～450℃，保温处理4.5～5.5h，最后随炉空冷至室温。
在一些较为具体的实施方案中，所述制备方法包括：将热扩散处理后的基体材料于1140-1250℃进行烧结致密化处理30-90min。
在一些较为具体的实施方案中，所述制备方法包括：将烧结致密化处理后的基体材料在真空或加压条件下，先于750～850℃，保温处理12～24h，再以0.5～0.7℃/min的速度降温至500～400℃，保温处理4～5h，然后急冷至室温，制得钐钴永磁材料。
进一步的，所述加压条件为惰性气体气氛下进行加压。
在一些更为具体的实施方案中，所述提高钐钴永磁材料磁性能的方法包括：
(1)制备含低熔点相扩散源的合金、粉体或悬浊液，其中，粉体的平均粒径范围为0.01-10μm，悬浊液的粘度为50-700mPa.s；
(2)择钐钴永磁作为基体材料，基体材料化学式为Sm(CoxFeyCuzZrm)n，其中0.5<x<0.9，0.01<y<0.1，0.01<z<0.1，0.01<m<0.1，6<m<9；
(3)将低熔点相扩散源通过涂覆或包覆等方法均匀施加在钐钴生坯材料表面；
(4)采用不同的热处理工艺进行扩散，调控磁体的主相结构，扩散方式为在真空或加压条件下的热扩散处理；
(5)将扩散后的粉末取向生坯，一定温度范围能进行烧结致密化，随后进行时效处理。
进一步的，步骤(1)中所述的低熔点相扩散源可以是稀土-过渡族合金(RE-TM，其中RE＝Sm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Lu)、单过渡族金属TM(Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Cu或Zn等)以及稀土RE(Sm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Lu)。
进一步的，所述的RE优选Sm、Pr或Ce。
进一步的，所述的TM优选Fe、Co、Cu或Zr等。
进一步的，步骤(2)中钐钴永磁基体材料可以是粉末取向成型生坯。
进一步的，步骤(4)中所述的真空热处理条件为1×10-1～1×10-5Pa。
进一步的，步骤(4)中所述的加压热处理条件为0.02～0.15MPa的惰性气氛或利用外用模具施加5～20N压力。
进一步的，步骤(5)中所述烧结致密过程是将粉末取向生坯在1140℃-1250℃温度下进行烧结致密化形成烧结态磁体。
进一步的，步骤(5)中所述时效处理是将粉末取向生坯在1140℃-1250℃温度下进行烧结致密化后。
下面结合若干优选实施例及附图对本发明的技术方案做进一步详细说明，本实施例在以发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
下面所用的实施例中所采用的实验材料，如无特殊说明，均可由常规的生化试剂公司购买得到。
实施例1
采用真空条件下扩散处理方式：
(1)选用4μm的稀土-过渡族合金Sm0.3Cu0.7(熔点在600℃)低熔点粉末作为低熔点相扩散源，称取10g的合金粉末与酒精按3:1质量比混合充分搅拌形成悬浊液，其中悬浊液的粘度为50-700mPa.s；
(2)将钐钴生坯Sm(Co0.7Fe0.05Cu0.05Zr0.05)7经等静压后加工成20mm×20mm×1mm的基体薄片(即粉末取向生坯)，在所述基体薄片表层涂覆0.4mm厚的扩散源，之后于3×10-2Pa的真空环境下50℃干燥30min，再放入高真空烧结炉中；
(3)对烧结炉抽真空，当真空度达到所要求的设定值4×10-3Pa时开始加热，以6℃/min的速度升温至400℃，保温处理2h，再以6℃/min的速度降温至800℃，保温处理6h，然后以0.7℃/min降温至400℃，保温处理5h，最后随炉空冷至室温，整个过程中保持真空4×10- 3Pa；
(4)将步骤(3)中扩散处理后的生坯于1200℃下进行烧结致密化处理60min，形成烧结态磁体；
(5)将步骤(4)制备的烧结态磁体在真空4×10-3Pa环境下830℃等温处理12h，随后以0.7℃/min冷却速度缓慢冷却至400℃保温4h，然后急冷至室温，最终制备得到高性能钐钴永磁体，用线切割切出一块尺寸为1mm×1mm×3mm的方块，其中较长方向为易磁化轴方向，后用综合物性测量系统(PPMS)测量磁性能。
实施例2
实施例2的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：将实施例1步骤(1)中低熔点相扩散源更改为平均粒度为4μm的Pr0.3Cu0.7低熔点合金粉末(区别于实例1中的Sm0.3Cu0.7)，其合金熔点为710℃。
实施例3
实施例3的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：将实施例1步骤(1)中低熔点相扩散源更改为平均粒度为4μm的Ce0.73Cu0.18低熔点合金粉末(区别于实例1中的Sm0.3Cu0.7)，其合金熔点为700℃。
对比例1
对比例1的制备方法与实施例1基本相同，不同之处在于：本对比例中钐钴生坯的基体薄片表面不涂覆低熔点相扩散源。
性能表征：图1为本发明实施例1制备的钐钴永磁体的截面电镜图，可以看到随着深度的加深，图像上呈现出衬度梯度(颜色明暗梯度由深变浅)，不同衬度表明不同的相组成，说明扩散导致了相组成的变化。
对采用实施列1、2、3和对比例1得到的钐钴磁体进行室温磁性能表征用PPMS综合物性测量系统测试其室温下的矫顽力Hcj、剩磁Br、以及磁能积(BH)max，结果见表1。
表1实施例1、2、3和对比例1制得的钐钴永磁体磁性能
Figure BDA0002657307750000061
以上测试表明，在实施例1、实施例2、实施例3中采用不同的稀土-过渡族合金RE-TM低熔点合金作为低熔点相扩散源，在本发明热处理扩散的方式下其矫顽力均有提升，且提升范围在5kOe-9kOe之间。
实施例4
采用惰性气体加压同时模具加压下扩散处理方式：
(1)选用4μm的稀土-过渡族合金Sm0.3Cu0.7(熔点在600℃)低熔点粉末作为低熔点相扩散源，称取10g的合金粉末与酒精按3:1质量比混合充分搅拌形成悬浊液，其中悬浊液的粘度为50-700mPa.s；
(2)将钐钴生坯Sm(Co0.7Fe0.05Cu0.05Zr0.05)7经等静压后加工成20mm×20mm×1mm的基体薄片(即粉末取向生坯)，将3块尺寸为20mm×20mm×1mm的扩散用基体薄片用砂纸将表层打磨处理干，在所述基体薄片表层涂覆0.4mm厚的扩散源并将3块基体薄片上下叠加压片，用夹具施加10N压力固定叠片，然后在3×10-2Pa真空环境下50℃干燥30min，再放入高真空烧结炉中；
(3)在压力为0.1MPa的惰性气氛下，对施加有低熔点相扩散源的基体材料施加10N的压力，对烧结炉开始加热，以6℃/min的速度升温至400℃，保温处理2h，再以6℃/min的速度降温至800℃，保温处理6h，然后以0.7℃/min降温至400℃，保温处理5h，最后随炉空冷至室温，整个过程中保持压力为0.1MPa。
(4)将步骤(3)中扩散处理后的生坯于1140℃下进行烧结致密化处理60min，形成烧结态磁体；
(5)将步骤(4)中的烧结态磁体在0.06MPa高纯氩气下，800℃等温处理16h，随后以0.6℃/min冷却速度缓慢冷却至450℃保温4.5h，然后急冷至室温的时效处理，，最终制备得到高性能钐钴永磁体。用线切割沿着压片施力方向切出一块尺寸为3mm×1mm×2mm的方块(包含两个扩散界面)，其中2mm长方向为易磁化轴方向。用PPMS综合物性测量系统测试其磁性能。
实施例5
实施例5的制备方法与实施例4基本相同，不同之处在于：将实施例4步骤(1)中低熔点相扩散源更改为平均粒度为4μm的稀土Sm金属。
对比例2
对比例2的制备方法与实施例4基本相同，不同之处在于：本对比例中钐钴生坯的基体薄片表面不涂覆低熔点相扩散源。
性能表征：对采用实施列4、5和对比例2得到的高性能钐钴磁体进行室温磁性能表征用PPMS综合物性测量系统测试其室温下的矫顽力Hcj、剩磁Br、以及磁能积(BH)max，结果见表2。
表2实施例4、5和对比例2得到的钐钴永磁体磁性能
Figure BDA0002657307750000071
以上测试表明，使用相同的低熔点稀土-过渡族合金RE-Cu(Sm0.3Cu0.7)作为扩散源，其加压时效扩散效果要好于单纯的真空条件下时效扩散，其具体表现在实施例4加压扩散矫顽力与对比例2相比提升了7.47kOe，同时，实施例5在使用低熔点稀土Sm金属作为扩散源，采用加压扩散方式其矫顽力与对比例2相比提升了4.36kOe左右。
实施例6
(1)选用4μm的过渡金属Cu作为低熔点相扩散源，称取10g的扩散合金粉末与酒精按3:1质量比混合充分搅拌形成悬浊液；
(2)将钐钴生坯Sm(Co0.7Fe0.05Cu0.05Zr0.05)7经等静压后加工成20mm×20mm×1mm的基体薄片，在所述基体薄片表层涂覆0.4mm厚的扩散源，之后在3×10-2Pa的真空环境下50℃干燥30min，再放入高真空烧结炉中；
(3)对烧结炉抽真空，当真空度达到所要求的设定值4×10-3Pa时开始加热，以6℃/min的速度升温至400℃，保温处理2h，再以6℃/min的速度降温至800℃，保温处理6h，然后以0.7℃/min降温至400℃，保温处理5h，最后随炉空冷至室温，整个过程中保持真空4×10- 3Pa；
(4)将步骤(3)中扩散处理后的生坯于1200℃进行烧结致密化处理60min，形成烧结态磁体；
(5)将步骤(4)制备的烧结态磁体在在0.06Mpa高纯氩气下，先于850℃保温处理12h，再以0.7℃/min的速度降温至400℃，保温处理5h，然后急冷至室温，最终制备得到钐钴永磁体。用线切割切出一块尺寸为1mm×1mm×3mm的方块，其中较长方向为易磁化轴方向。
对比例3
对比例3的制备方法与实施例6基本相同，不同之处在于：本对比例中钐钴生坯的基体薄片表面不涂覆低熔点相扩散源。
性能表征：对采用实施列6和对比例3得到的钐钴磁体进行室温磁性能表征用PPMS综合物性测量系统测试其室温下的矫顽力Hcj、剩磁Br、以及磁能积(BH)max，结果见表3。
表3实施例6和对比例3得到的钐钴永磁体磁性能
Figure BDA0002657307750000081
以上测试表明，实施例6使用单过渡金属作为扩散源，采用惰性气体加压固溶扩散的方式其矫顽力也有较大提升，较对比例3提升了5kOe左右。
实施例7
(1)选用4μm的稀土-过渡族合金Sm0.3Cu0.7(熔点在600℃)低熔点粉末作为低熔点相扩散源，称取10g的合金粉末与酒精按3:1质量比混合充分搅拌形成悬浊液，其中悬浊液的粘度为50-700mPa.s；
(2)将钐钴生坯Sm(Co0.5Fe0.01Cu0.01Zr0.01)6经等静压后加工成20mm×20mm×1mm的基体薄片(即粉末取向生坯)，在所述基体薄片表层涂覆0.4mm厚的扩散源，之后于3×10-2Pa的真空环境下50℃干燥30min，再放入高真空烧结炉中；
(3)对烧结炉抽真空，当真空度达到所要求的设定值1×10-1Pa时开始加热，以5℃/min的速度升温至350℃，保温处理2.5h，再以5.5℃/min的速度降温至750℃，保温处理6.5h，然后以0.6℃/min降温至450℃，保温处理4.5h，最后随炉空冷至室温，整个过程中保持真空1×10-1Pa；
(4)将步骤(3)中扩散处理后的生坯于1200℃下进行烧结致密化处理60min，形成烧结态磁体；
(5)将步骤(4)中的烧结态磁体在0.06MPa高纯氩气下，先于750℃，保温处理24h，再以0.5℃/min的速度降温至500℃，保温处理4h，然后急冷至室温，最终制备得到高性能钐钴永磁体。
实施例8
(1)选用4μm的稀土-过渡族合金Sm0.3Cu0.7(熔点在600℃)低熔点粉末作为低熔点相扩散源，称取10g的合金粉末与酒精按3:1质量比混合充分搅拌形成悬浊液，其中悬浊液的粘度为50-700mPa.s；
(2)将钐钴生坯Sm(Co0.9Fe0.05Cu0.05Zr0.05)9经等静压后加工成20mm×20mm×1mm的基体薄片(即粉末取向生坯)，在所述基体薄片表层涂覆0.4mm厚的扩散源，之后于3×10-2Pa的真空环境下50℃干燥30min，再放入高真空烧结炉中；
(3)对烧结炉抽真空，当真空度达到所要求的设定值1×10-5Pa时开始加热，以7℃/min的速度升温至450℃，保温处理1.5h，再以6.5℃/min的速度降温至850℃，保温处理5.5h，然后以0.8℃/min降温至350℃，保温处理5.5h，最后随炉空冷至室温，整个过程中保持真空1×10-5Pa；
(4)将步骤(3)中扩散处理后的生坯于1200℃下进行烧结致密化处理60min，形成烧结态磁体；
(5)将步骤(4)中的磁体在0.06MPa高纯氩气下，先于850℃，保温处理12h，再以0.7℃/min的速度降温至400℃，保温处理5h，然后急冷至室温，最终制备得到高性能钐钴永磁体。
此外，本案发明人还参照前述实施例，以本说明书述及的其它原料、工艺操作、工艺条件进行了试验，并均获得了较为理想的结果。
本发明的各方面、实施例、特征及实例应视为在所有方面为说明性的且不打算限制本发明，本发明的范围仅由权利要求书界定。在不背离所主张的本发明的精神及范围的情况下，所属领域的技术人员将明了其它实施例、修改及使用。
在本发明案中标题及章节的使用不意味着限制本发明；每一章节可应用于本发明的任何方面、实施例或特征。
在本发明案通篇中，在将组合物描述为具有、包含或包括特定组份之处或者在将过程描述为具有、包含或包括特定过程步骤之处，预期本发明教示的组合物也基本上由所叙述组份组成或由所叙述组份组成，且本发明教示的过程也基本上由所叙述过程步骤组成或由所叙述过程步骤组组成。
应理解，各步骤的次序或执行特定动作的次序并非十分重要，只要本发明教示保持可操作即可。此外，可同时进行两个或两个以上步骤或动作。
尽管已参考说明性实施例描述了本发明，但所属领域的技术人员将理解，在不背离本发明的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外，可在不背离本发明的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本发明的教示。因此，本文并不打算将本发明限制于用于执行本发明的所揭示特定实施例，而是打算使本发明将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外，除非具体陈述，否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性，而是使用术语第一、第二等来区分一个元素与另一元素。

Claims (10)

1.一种提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于包括：
提供钐钴永磁作为基体材料，所述基体材料为粉末取向成型生坯，所述基体材料的化学式为Sm(CoxFeyCuzZrm)n，其中，0.5<x<0.9，0.01<y<0.1，0.01<z<0.1，0.01<m<0.1，6<n<9；
采用涂覆和/或包覆的方式将低熔点相扩散源施加于所述基体材料表面，之后对所获基体材料进行真空和/或加压热扩散处理；
以及，对热扩散处理后的基体材料进行烧结致密化、时效处理，制得钐钴永磁材料。
2.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于：所述低熔点相扩散源包括稀土-过渡族合金RE-TM、单过渡族金属TM、稀土RE中的任意一种或两种以上的组合。
3.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于：所述RE包括Sm、Yb、Y、La、Ce、Pr、Lu中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述RE包括Sm、Pr、Ce中的任意一种或两种以上的组合。
4.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于：所述TM包括Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zr、Cu、Zn中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述TM包括Fe、Co、Cu、Zr中的任意一种或两种以上的组合。
5.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于：所述低熔点相扩散源为合金、粉体或悬浊液中的任意一种；优选的，所述粉体的粒径为0.01-10μm；优选的，所述悬浊液的粘度为50-700mPa·s。
6.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于包括：将施加有低熔点相扩散源的基体材料于真空度为1×10-1～1×10-5Pa的条件下进行热扩散处理。
7.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于包括：在压力为0.02～0.15MPa的惰性气氛下，对施加有低熔点相扩散源的基体材料进行热扩散处理，或者，对施加有低熔点相扩散源的基体材料施加5～20N的压力并进行热扩散处理。
8.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于，所述热扩散处理包括：在真空或加压条件下，以5～7℃/min的速度升温至350～450℃，保温处理1.5～2.5h，再以5～7℃/min的速度降温至750～850℃，保温处理5.5～6.5h，然后以0.6-0.8℃/min降温至350～450℃，保温处理4.5～5.5h，最后随炉空冷至室温。
9.根据权利要求1所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于包括：将热扩散处理后的基体材料于1140-1250℃进行烧结致密化处理30-90min。
10.根据权利要求9所述的提高钐钴永磁材料磁性能的方法，其特征在于包括：将烧结致密化处理后的基体材料在真空或加压条件下，先于750～850℃，保温处理12～24h，再以0.5～0.7℃/min的速度降温至500～400℃，保温处理4～5h，然后急冷至室温，制得钐钴永磁材料。
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