CN112017993B - 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 - Google Patents

Abstract

本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够提供在副产物向排气部的堆积发展前将其去除的技术。所提供的技术中，具有在使压力调节用的阀开闭从而维持处理室的处理压力的同时对衬底进行处理的衬底处理工序、和使处理室从处理压力成为大气压的大气压恢复工序，在执行大气压恢复工序时，并行地执行绕过处理室而向压力调节用的阀的下游侧供给规定气体的供给步骤。

Description

半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

在以往的工艺中，由排气配管的流导产生的影响并不那么大，但在近年的与大面积3D化器件相关的工艺中，排气性能的提高受到重视。

例如，专利文献1中公开了不经由处理室而向排气部内供给清洁气体以对排气管进行清洁的技术。另外，专利文献2中公开了在排气管中堆积的累积膜厚达到阈值的情况下执行用于将在排气管中堆积的累积膜厚去除的清洁制程的构成。

但是，这些清洁技术由于在排气部的状态变得异常后执行，因此结果可能会由于排气部的维护导致装置运行率降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-153159号公报

专利文献2：国际公开第2013/146595号小册子

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于提供在副产物向排气部的堆积发展前将副产物去除的技术。

用于解决课题的方案

本发明的一方案提供下述技术：具有在使压力调节用的阀开闭从而维持处理室的处理压力的同时对衬底进行处理的衬底处理步骤、和使所述处理室从所述处理压力成为大气压的大气压恢复步骤，在执行所述大气压恢复步骤时，并行地执行绕过所述处理室而向所述压力调节用的阀的下游侧供给规定气体的供给步骤。

发明效果

根据本发明，能够在副产物向排气部的堆积发展前将副产物去除。

附图说明

图1是示出本发明的一实施方式优选使用的衬底处理装置的立体图。

图2是示出本发明的一实施方式的衬底处理装置的处理炉的纵剖视图。

图3是示出本发明的一实施方式的衬底处理装置使用的控制构成的框图。

图4是示出本发明的一实施方式的工艺制程执行中的辅助泵的电流值、转速、背压的图。

图5是示出本发明的一实施方式的衬底处理装置的排气系统的图。

图6是示出本发明的一实施方式的排气清洁处理的图。

图7是示出图6所示的排气清洁处理的实验例的图。

图8是示出本发明的一实施方式的衬底处理装置使用的工艺制程执行中的控制流程的图。

图9的(A)是示出图8所示的清洁气体设定流量变更处理的控制流程的图。图9的(B)是示出存储部中保存的数据的一例的图。

图10是示出图8、图9的(A)及图9的(B)所示的工艺制程执行中的辅助泵的背压的图。

附图标记说明

100...衬底处理装置

200...晶片(衬底)

217...舟皿(衬底保持件)

244...辅助泵(泵)

具体实施方式

<本发明的一实施方式>

以下，说明本发明的一实施方式。

(1)衬底处理装置的构成

参照图1及图2，说明本发明的一实施方式的衬底处理装置100的构成。

如图1所示，衬底处理装置100具备构成为耐压容器的框体111。在框体111的正面壁开设有开口部以能够进行维护，在该开口部作为使开口部开闭的进入机构设有一对正面维护门104。收纳有硅等晶片(以下也称为衬底)200的晶片盒110作为将晶片200向框体111内外搬送的载体使用。

在框体111的正面壁上，以使框体111内外连通的方式开设有晶片盒搬入搬出口。在晶片盒搬入搬出口设有装载端口114。构成为在装载端口114上载置晶片盒110并进行该晶片盒110的对位。

在框体111内的大致中央部的上部设有旋转式晶片盒架105。构成为在旋转式晶片盒架105上保管多个晶片盒110。

在框体111内的装载端口114与旋转式晶片盒架105之间设有晶片盒搬送装置118。晶片盒搬送装置118构成为，通过在保持有晶片盒110的状态下能够升降的晶片盒升降机118a与晶片盒搬送机构118b的连续动作，在装载端口114、旋转式晶片盒架105、晶片盒开启器121之间相互搬送晶片盒110。

在框体111内的下部，在框体111内的从大致中央部到后端的范围内设有副框体119。在副框体119的正面壁分别设有将晶片200向副框体119内外搬送的一对晶片盒开启器121。

各晶片盒开启器121具备载置晶片盒110的载置台和对晶片盒110的盖进行装拆的盖装拆机构123。晶片盒开启器121构成为，通过盖装拆机构123对载置于载置台上的晶片盒110的盖进行装拆，以使晶片盒110的晶片出入口开闭。

在副框体119内，构成有与设有晶片盒搬送装置118等的搬送空间流体隔绝的移载室124。在移载室124的前侧区域设有晶片移载机构125。晶片移载机构125由能够使晶片200在水平方向上旋转及平移的晶片移载装置125a和使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机125b构成。构成为能够通过该晶片移载装置升降机125b及晶片移载装置125a的连续动作而将晶片200相对于作为衬底保持件的舟皿217进行装填(填充)及卸载(取出)。

如图1及图2所示，在副框体119内，设有使舟皿217升降的舟皿升降机115。在收容舟皿217并使之待机的待机部126的上方设有处理炉202。在舟皿升降机115的升降台连结有臂部。在臂部上水平地组装有盖体219。盖体219以将舟皿217垂直支承并能够封堵处理炉202的下端部的方式构成。

(2)处理炉的构成

如图2所示，处理炉202具备作为反应管的处理管203。处理管203具备作为内部反应管的内管204和在其外侧设置的作为外部反应管的外管205。在形成为上端及下端开口的圆筒形状的内管204内的筒中空部形成有对晶片200进行处理的处理室201。处理室201以能够收容舟皿217的方式构成。

在处理管203的外侧以包围处理管203的侧壁面的方式设有加热器206。加热器206构成为圆筒形状。加热器206通过支承于作为保持板的加热器基座251而垂直组装。

在外管205的下方以与外管205成为同心圆状的方式配设有作为炉口部的歧管209。另外，歧管209形成为上端及下端开口的圆筒形状。需要说明的是，在歧管209与外管205之间设有作为密封构件的O型圈220a。通过歧管209支承于加热器基座251，从而处理管203成为垂直组装的状态。由处理管203、歧管209及盖体219形成反应容器，在反应容器内形成处理室201。

在盖体219的上表面设有与歧管209的下端抵接的作为密封构件的O型圈220b。

在盖体219的中心部附近且在与处理室201相反侧设有使舟皿217旋转的旋转机构254。旋转机构254构成为通过使舟皿217旋转而使晶片200旋转。

盖体219构成为通过在处理管203的外部设置的舟皿升降机115而沿垂直方向升降。构成为能够通过使盖体219升降而将舟皿217向处理室201内外搬送。

主要由旋转式晶片盒架105、舟皿升降机115、晶片盒搬送装置118、晶片移载机构125、舟皿217及旋转机构254构成本实施方式的搬送机构。这些搬送机构分别与搬送控制器11电连接。

舟皿217以分多层保持多张晶片200的方式构成。多张作为绝热构件的绝热板216以水平姿态分多层配置于在舟皿217的下部。

在处理管203内设有作为温度检测器的温度传感器263。主要由加热器206及温度传感器263构成本实施方式的加热机构。在这些加热器206和温度传感器263上电连接有温度控制器12。

在歧管209上以与处理室201连通的方式连接有喷嘴230a、喷嘴230b及喷嘴230c。在喷嘴230a、230b、230c上分别连接有气体供给管232a、232b、232e。

在气体供给管232a、232b上从气流的上游侧起依次分别设有未图示的气体供给源、阀245a、245b、MFC241a、241b、阀243a、243b。在气体供给管232a、232b的比阀243a、243b靠下游侧分别连接有气体供给管232c、232d。在气体供给管232c、232d上从气流的上游侧起依次分别设有未图示的吹扫气体供给源、阀245c、245d、MFC241c、241d、阀243c、243d。

在气体供给管232e上从气流的上游侧起依次设有未图示的清洁气体供给源、阀245e、MFC241e、阀243e。另外，在气体供给管232e的比阀245e靠上游侧连接有气体供给管232f。在气体供给管232f上从气流的上游侧起依次设有阀245f、MFC241f、阀243f，气体供给管232f的下游侧与作为排气系统的排气单元310的作为排气装置的辅助泵244(以下也简称为泵)的上游侧且为作为压力调节部(压力调节用)的APC(Auto Pressure Contoroller：自动压力控制器)阀242的下游侧连接。在气体供给管232e、232f的比阀243e、243f靠下游侧分别连接有气体供给管232g、232h。在气体供给管232g、232h上从气流的上游侧起依次分别设有未图示的吹扫气体供给源、阀245g、245h、MFC241g、241h、阀243g、243h。

需要说明的是，不限定于本实施方式，虽未图示，但也可以将气体供给管232f设置在APC阀242的上游侧，此外，也可以将气体供给管232fl设置在APC阀242的上游侧，将气体供给管232f2设置在APC阀242的下游侧且在泵244的上游侧。

主要由气体供给源(未图示)、阀245a、MFC241a、阀243a、气体供给管232a及喷嘴230a构成本实施方式的处理气体供给系统。主要由气体供给源(未图示)、阀245b、MFC241b、阀243b、气体供给管232b及喷嘴230b构成本实施方式的反应气体供给系统。主要由吹扫气体供给源(未图示)、阀245c、245d、245g、245h、MFC241c、241d、241g、241h、阀243c、243d、243g、243h、气体供给管232c、232d、232g、232h及喷嘴230a、230b构成本实施方式的吹扫气体供给系统。主要由清洁气体供给源(未图示)、阀245e、MFC241e、阀243e、气体供给管232e及喷嘴230c构成本实施方式的清洁气体供给系统。主要由清洁气体供给源(未图示)、阀245f、MFC241f、阀243f及气体供给管232f构成本实施方式的排气清洁气体供给系统。主要由处理气体供给系统、反应气体供给系统、吹扫气体供给系统、清洁气体供给系统及排气清洁气体供给系统构成作为本实施方式的气体供给系统的气体供给单元300。在MFC241a～241h、阀243a～243h及阀245a～245h上电连接有气体供给控制器14。

在歧管209上设有对处理室201的气氛进行排气的排气管231。排气管231配置在由内管204与外管205的间隙形成的筒状空间250的下端部。在排气管231上从气流的上游侧(处理室201侧)起依次设有作为压力检测部的压力传感器245、APC阀242、泵244、压力传感器247及作为第2排气装置的主泵(未图示)。泵244用于加快对处理室201的气氛进行排气的排气速度等辅助主泵(未图示)的动作。作为泵244，能够使用例如增压泵等。压力传感器247测定泵244的背压。例如构成为，若泵244、其前后的排气管231发生堵塞，则能够基于所检测到的压力值的变化立即检测到。像这样配置在泵244的下游侧的传感器只要是能够检测泵244的异常的传感器即可，不限定于压力传感器247。

由排气管231、压力传感器245、APC阀242、泵244及压力传感器247构成排气单元310。需要说明的是，作为排气单元310也可以包含主泵(未图示)。另外构成为，如图2所示，比泵244靠上游侧的排气管231的直径大于比泵244靠下游侧的排气管231的直径。

另外，在APC阀242、压力传感器245上电连接有压力控制器13。另外，在压力传感器247、泵244及主泵(未图示)上电连接有排气控制器15。

即，衬底处理装置100如图2所示，为至少包含框体111、气体供给单元300及排气单元310的构成。

如图2所示，作为控制部的控制器240分别与搬送控制器11、温度控制器12、压力控制器13、气体供给控制器14、排气控制器15连接。

(3)控制器240的构成

参照图3说明控制器240的控制构成。

控制器240主要由CPU(Central Processing Unit：中央处理器单元)等主控制部25、存储器(RAM)、硬盘等存储部28、鼠标、键盘等输入部29、监视器等显示部31构成。需要说明的是，由主控制部25、存储部28、输入部29及显示部31构成能够进行各数据的设定的操作部。

在存储部28中形成有保存装置数据等各种处理数据的数据保存区域32和保存各种程序的程序保存区域33。在此，处理数据为衬底处理装置100对晶片200进行处理时的处理温度、处理压力、处理气体的流量等与衬底处理相关的数据、与所制造的制品衬底的品质(例如成膜的膜厚及该膜厚的累积值等)相关的数据、与衬底处理装置100的构成部件(石英反应管、加热器、阀、MFC等)相关的部件数据等、在衬底处理装置100对晶片200进行处理时使各构成部件动作而产生的数据。需要说明的是，关于装置数据见后述。

在程序保存区域33中保存有包含工艺制程、清洁制程在内的对装置进行控制所需的各种程序。

在此，工艺制程为包含多个步骤的制程，且至少包含在使阀开闭从而维持处理压力的同时对晶片200进行处理的衬底处理步骤(以下也称为成膜工序。)和使处理室201从处理压力成为大气压的大气压恢复步骤(以下也称为大气压恢复工序。)，并且，工艺制程中定义有对晶片200进行处理的处理条件、处理步骤等的制程。另外，在本实施方式中，也可以构成为包含绕过处理室201而向APC阀242的下游侧供给作为规定气体的清洁气体的供给步骤的清洁步骤(以下也称为排气清洁工序。)。

在数据保存区域32中保存与制程文件关联的各种参数。另外，在数据保存区域32中保存上述的各种处理数据。在本实施方式中，蓄积保存各种处理数据中的特别是表示在执行工艺制程的过程中的排气单元310的状态的装置数据。具体来说，作为装置数据，保存泵244的电流值、转速、背压。特别是，保存由构成工艺制程的各步骤中的预先设定的特定步骤中的泵244的电流值、转速、背压组成的组的装置数据的平均值。另外，在数据保存区域32中，保存至少由泵244的电流值、转速、背压组成的组的装置数据种类、表示各装置数据种类的异常的倾向、针对各装置数据种类设定的设定值(次数)所定义的监视参数。另外，作为监视参数，针对各装置数据种类设定阈值。

另外，在数据保存区域32中，针对各装置数据种类，作为装置数据保存预先设定的次数(设定值)、在为连续表示异常的倾向的情况下发生的报警的发生次数、对应于报警的发生次数执行后述的排气清洁工序时的清洁气体的设定流量(以下也称为初始流量。)及报警的限制次数。

另外，在制程文件中，针对各步骤设定有向搬送控制器11、温度控制器12、压力控制器13、气体供给控制器14及排气控制器15等发送的设定值(控制值)、发送时机等。

在显示部31上设有触摸面板。触摸面板构成为对接收针对上述衬底搬送系统、衬底处理系统等进行的操作命令的输入的操作画面进行显示。需要说明的是，操作部为个人计算机、移动电话等操作终端(终端装置)这样至少包含显示部31和输入部29的构成即可。

主控制部25具有下述功能，即，对处理室201的温度、压力、向该处理室201导入的处理气体的流量等进行控制以针对装载于处理室201的晶片200实施规定的处理。另外，主控制部25在构成工艺制程的各步骤中的预先设定的特定步骤结束后，执行绕过处理室201而将规定的气体直接向排气单元310内的包含排气管231在内的部件进行供给的工序，例如，在该工序中对构成包含排气管231在内的排气单元310的部件进行清洁。

也就是说，主控制部25执行存储部28中所存储的控制程序，按照来自输入部29的输入或来自位于外部的主装置等上位控制器的指示，执行在存储部28中所存储的制程(例如作为衬底处理制程的工艺制程、清洁制程等)。另外，主控制部25以获取执行制程过程中的装置数据并将其保存在存储部28的数据保存区域32中的方式进行控制。需要说明的是，清洁制程是定义有对构成处理晶片200的处理室201的部件或在处理室201中配置的部件进行清洁的处理条件、处理步骤等的制程。

具体来说，作为构成工艺制程的预先设定的特定步骤中的装置数据，为与对处理室201的气氛进行排气的排气单元310关联的数据，且能够从由泵244的电流值、转速、背压组成的组中适当选择。选择泵244的电流值、转速、背压中的至少一种装置数据并将其设定为监视参数。另外，作为装置数据，也可以从由泵244的电流值、转速、背压构成的组中选择多个数据，并选择泵244的电流值、转速、背压中的多个装置数据。

另外，主控制部25以一定间隔对由工艺制程的特定步骤中的泵244的电流值、转速、背压组成的组中的至少一种装置数据进行加算。另外，主控制部25将进行加算而算出的装置数据的平均值与前次工艺制程的特定步骤中的泵244的装置数据的平均值进行对比，判定装置数据的平均值的变动是否为监视参数中针对各装置数据种类所定义的表示异常的倾向。

在此，作为表示异常的倾向，主控制部25与前次工艺制程的预先设定的特定步骤中的装置数据的平均值进行对比，在本次的工艺制程的特定步骤中的装置数据的平均值上升至预先设定的值(阈值)以上、例如上升10％以上的情况下，判定为上升倾向。另外，与前次工艺制程的预先设定的特定步骤中的装置数据的平均值进行对比，在本次工艺制程的特定步骤中的装置数据的平均值下降预先设定的值(阈值)以上、例如下降10％以上的情况下，判定为下降倾向。另外，与前次工艺制程的预先设定的特定步骤中的装置数据的平均值进行对比，在本次工艺制程的特定步骤中的装置数据的平均值低于预先设定的值(阈值)、例如为±10％的变动的情况下，判定为无变动。

并且，对于主控制部25而言，在平均值的变动不是表示异常的倾向的情况下、或表示异常的倾向连续而未达到设定值的情况下、即预先设定的表示异常的倾向低于预先设定的次数的情况下，主控制部25执行下述排气清洁工序，其中，工艺制程中的成膜处理后的处理室201的气氛被置换为非活性气体(非活性气体置换)，在处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)的工序中将清洁气体设为预先设定的初始值(初始流量)而向构成排气单元310的部件供给。另外，该清洁气体种类、初始流量例如由在后述的成膜工序中推测为附着于排气管231或泵244的副产物的种类、量来适当确定。需要说明的是，当表示异常的倾向低于预先设定的次数(低于设定值)时，若在特定步骤中的装置数据的平均值的变动判定为正常(无变动)，则主控制部25将对装置数据的平均值的变动表示异常的倾向进行计数的计数器(日文：力ウンタ)设为0。

主控制部25在装置数据的平均值的变动为针对各装置数据种类所定义的表示异常的倾向、且该表示异常的倾向发生连续而连续成为预先设定的次数的情况(达到设定值的情况)下，在向构成排气单元310的部件供给清洁气体之前，进行控制以使得清洁气体的设定流量相对于初始值进行变更。即，主控制部25判定排气管231、泵等排气装置开始堵塞并使清洁气体的量增加。在该情况下，主控制部25进行控制，以使得通过对清洁气体的流量和/或清洁气体的供给时间进行变更来变更清洁气体的流量。另外，主控制部25进行控制，以使得在为平均值的变动表示异常的倾向、且该表示异常的倾向连续了预先设定的次数的情况下进行报警，向主装置、显示部31通知消息并对报警的发生次数进行计数。另外，也可以在工艺制程结束后执行后述的清洁工序(清洁制程)。

另外，主控制部25进行控制，以使得在直至实施对构成排气单元310的部件的更换、检修等维护为止对报警的发生次数进行累积并计数，并对应于报警的发生次数而对清洁步骤中的清洁气体的设定流量进行变更。需要说明的是，在实施了维护后，作为报警的发生次数的累积值的报警计数器被清空为0。

像这样，主控制部25构成为，在工艺制程中的成膜处理工序后的处理室201的气氛被置换为非活性气体(非活性气体置换)的同时处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)的工序中(与该工序并行地)，执行以预先设定的初始流量向构成排气单元310的部件供给清洁气体的清洁步骤。另外，主控制部25构成为，在并行地执行大气压恢复步骤和清洁步骤时，使APC阀242全闭并开始清洁步骤。

另外，主控制部25构成为进行控制，以在检测到异常的情况下发出报警，对应于报警的发生次数而使清洁气体的设定流量从初始值起进行变更，并根据变更后的设定流量与大气压恢复工序并行地执行清洁步骤。并且主控制部25构成为进行控制，以在所累积的报警的发生次数的计数器达到预先设定的限制次数情况下发出报警并向主装置、显示部31通知消息，并且禁止执行下一工艺制程。

需要说明的是，对于监视参数的装置数据种类、作为预先定义的倾向的表示异常的倾向、作为预先设定的次数的设定值(次数)而言，例如能够在操作部中针对各装置数据分别独立地设定。另外构成为，监视参数中定义的上述的装置数据种类等各参数不仅能够由主控制部25的操作部设定，也能够由外部计算机进行远程设定。

搬送控制器11构成为，在各搬送机构所安装的传感器分别示出规定的值、异常的值等时，向控制器240进行相应内容的通知。

温度控制器12构成为，通过对处理炉202的加热器206的温度进行控制而对处理炉202内的温度进行调节，并在温度传感器263示出规定的值、异常的值等时，向控制器240进行相应内容的通知。

压力控制器13构成为，基于由压力传感器245检测到的压力值对APC阀242进行控制，以使得处理室201的压力在期望的时机成为期望的压力，并在压力传感器245示出规定的值、异常的值等时向控制器240进行相应内容的通知。

气体供给控制器14构成为，对MFC241a～241h进行控制，以使得向处理室201内供给的气体的流量在期望的时机成为期望的流量。另外，气体供给控制器14构成为对阀243a～243h、阀245a～245h的开闭进行控制。

排气控制器15构成为对泵244、主泵(未图示)进行控制并进行控制以使得处理室201的气氛向处理室201外排出。另外，排气控制器15构成为，对泵244的电流值、转速、由压力传感器247检测到的泵244的背压进行监视并将其变动向控制器240发送。需要说明的是，排气控制器15构成为对未图示的主泵的电流值、转速、背压也同样地进行监视。

(4)衬底处理装置的动作

接下来，参照图1～图3说明构成衬底处理装置100的各部分的动作。需要说明的是，构成衬底处理装置100的各部分的动作由控制器240控制。

如图1所示，若晶片盒110被供给至装载端口114，则装载端114上的晶片盒110通过晶片盒搬送装置118从晶片盒搬入搬出口向框体111内部搬入。

搬入到框体111内部的晶片盒110通过晶片盒搬送装置118自动地向旋转式晶片盒架105的架板上搬送并被暂时保管。之后，晶片盒110从架板上移载至一个晶片盒开启器121的载置台上。

载置在载置台上的晶片盒110的盖通过盖装拆机构123拆卸，晶片出入口开放。之后，晶片200通过晶片移载装置125a的镊子经由晶片出入口从晶片盒110内拾取并在由未图示的凹口对合装置进行方位匹配后向舟皿217装填(填充)。在舟皿217上装填有晶片200的晶片移载装置125a返回至载置有晶片盒110的载置台，从晶片盒110内取出下一晶片200并向舟皿217装填。

在由该一个(上层或下层)晶片盒开启器121中的晶片移载机构125进行的晶片200的向舟皿217的装填作业中，将另一晶片盒110向另一(下层或上层)晶片盒开启器121的载置台上移载，同时进行基于晶片盒开启器121的晶片盒110的开放作业。

在舟皿217内装填(晶片填充)预先指定张数的晶片200时，执行后述的衬底处理工序。并且，在成膜处理结束时，处理完的晶片200被从舟皿217取出并保存在晶片盒110内(晶片取出)。

在晶片取出后，除了使用凹口对合装置的匹配工序以外，以与上述步骤大致相反的步骤将保存有处理后的晶片200的晶片盒110向框体111外搬出。

(5)衬底处理工序

接下来，详细说明衬底处理工序。在实施衬底处理工序的情况下，主控制部25执行在存储部28的程序保存区域33中保存的工艺制程。

在此，说明作为原料气体使用六氯乙硅烷(Si₂Cl₆、简称：HCDS)气体、作为反应气体使用氨(NH₃)气并在晶片200上形成氮化硅膜(Si₃N₄膜、以下也称为SiN膜)的例子。需要说明的是，在以下的说明中，构成衬底处理装置100的各部分的动作由控制器240控制。

在本实施方式中的衬底处理工序中，通过将非同时进行向处理室201的晶片200供给HCDS气体的工序、从处理室201去除HCDS气体(残留气体)的工序、向处理室201的晶片200供给NH₃气体的工序及从处理室201去除NH₃气体(残留气体)的工序的循环进行规定次数(一次以上)而在晶片200上形成SiN膜。

另外，在本说明书中，使用“衬底”这一词语的情况也与使用“晶片”这一词语的情况含义相同。

(舟皿装载工序)

将多张晶片200装填(晶片填充)至舟皿217后，舟皿217通过舟皿升降机115向处理室201搬入(舟皿装载)。此时，盖体219成为借助O型圈220b气密封堵歧管209的下端的状态。

(准备工序)

通过泵244及主泵(未图示)进行真空排气，以使得处理室201从大气压成为规定的压力。此时，处理室201的压力由压力传感器245测定，基于该测定的压力信息，APC阀242被反馈控制。另外，泵244的背压由压力传感器247测定。泵244及主泵(未图示)至少在直到针对晶片200的处理结束为止的期间始终维持工作的状态。

另外，通过加热器206进行加热以使得处理室201的晶片200成为规定的温度。此时，基于温度传感器263检测到的温度信息对针对加热器206的通电状况进行反馈控制，以使得处理室201成为规定的温度分布。加热器206进行的处理室201的加热至少在直到针对晶片200的处理结束为止的期间持续进行。

另外，使由旋转机构254进行的舟皿217及晶片200的旋转开始。舟皿217在旋转机构254的作用下旋转，从而晶片200旋转。由旋转机构254进行的舟皿217及晶片200的旋转至少在直到针对晶片200的处理结束为止的期间持续进行。

(吹扫工序)

然后，将阀245c、243c、245d、243d、245g、243g打开，从气体供给管230a、230b、230c向处理室201供给N₂气体并从排气单元310排气。N₂气体作为吹扫气体发挥作用。由此处理室201被吹扫。

(成膜工序)

若处理室201的温度稳定为预先设定的处理温度，则依次执行以下两个步骤、即步骤1～2。

[步骤1]

在该步骤中，向处理室201的晶片200供给HCDS气体。

将阀245a、243a打开，使HCDS气体流向气体供给管232a。HCDS气体通过MFC241a通过进行流量调节，经由喷嘴230a向处理室201供给并从排气单元310排气。此时成为向晶片200供给HCDS气体。此时，同时将阀245c、243c打开，N₂气体通过MFC241c进行流量调节，与HCDS气体一起向处理室201供给并从排气管231排气。通过向晶片200供给HCDS气体，从而在晶片200的最外表面上作为第1层形成例如几个原子层的厚度的含硅(Si)层。

在第1层形成后，将阀245a、243a关闭，使HCDS气体的供给停止。此时，APC阀242保持打开，通过泵244、主泵(未图示)对处理室201进行真空排气，将残留在处理室201中的未反应或参与第1层的形成后的HCDS气体从处理室201排出。此时，保持将阀245c、243c打开的状态，维持向处理室201的N₂气体的供给。N₂气体作为吹扫气体起作用，由此能够提高将残留在处理室201中的气体从处理室201排出的效果。

[步骤2]

在步骤1结束后，向处理室201的晶片200、即晶片200上形成的第1层供给NH₃气体。NH₃气体因热量而被活化并向晶片200供给。

在该步骤中，以与步骤1中的阀245a、243a、245c、243c的开闭控制相同的步骤进行阀245b、243b、245d、243d的开闭控制。NH₃气体通过MFC241b进行流量调节，经由喷嘴230b向处理室201内供给并从排气管231排气。此时成为向晶片200供给NH₃气体。供给至晶片200的NH₃气体与步骤1中在晶片200上形成的第1层、即含Si层的至少一部分反应。由此第1层由非等离子体热氮化，变化为第2层即氮化硅层(SiN层)(改质)。

在第2层形成后，将阀245b、243b关闭，使NH₃气体的供给停止。然后，通过与步骤1相同的处理步骤将处理室201中残留的未反应或参与第2层的形成后的NH₃气体、反应副产物从处理室201排出。此时，也可以与步骤1同样地不将处理室201中残留的气体等完全排出。

(实施规定次数)

通过进行规定次数(n次)非同时即不同步进行上述两个步骤的循环，从而能够晶片200上形成规定膜厚的SiN膜。需要说明的是，优选使进行一次上述循环时形成的第2层(SiN层)的厚度小于规定的膜厚并重复进行多次上述的循环，直到层叠第2层(SiN层)而形成的SiN膜的膜厚成为规定的膜厚。

(吹扫工序)

在成膜处理完成后，将阀245c、243c、245d、243d、245g、243g打开，从气体供给管230a、230b、230c向处理室201供给N₂气体并从排气管231排气。N₂气体作为吹扫气体发挥作用。由此，处理室201被吹扫，处理室201中残留的气体、反应副产物被从处理室201去除(吹扫)。之后，执行一边将处理室201的气氛置换为非活性气体(非活性气体置换)一边处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)的工序。与上述大气压恢复工序并行地执行上述的清洁步骤。该清洁步骤的详情见后述。

(舟皿卸载及晶片取出)

盖体219通过舟皿升降机115而下降，处理管203的下端开口。并且，处理完的晶片200以支承于舟皿217的状态被从处理管203的下端搬出到处理管203的外部(舟皿卸载)。处理完的晶片200被从舟皿217取出(晶片取出)。

(6)清洁工序

清洁工序在去除附着于构成处理室201的部件的副产物的情况下实施。在实施清洁工序的情况下，主控制部25执行在存储部28的程序保存区域33中保存的清洁制程。

说明在本实施方式的清洁工序中使用清洁气体对处理室201进行清洁的方法。作为清洁气体能够使用氟(F₂)气体、氟化氢(HF)气体等。

具体来说，在将空的舟皿217搬入处理室201或未将舟皿217搬入处理室201的状态下，处理炉202的下端部由炉口闸门封堵。并且，通过APC阀242进行真空排气以使得处理室201成为规定的清洁压力，并且，通过加热器206进行加热，以使得处理室201成为规定的清洁温度。

然后，在处理室201维持为规定的清洁温度、规定的清洁压力的状态下，开始向处理室201供给清洁气体。

具体来说，在将阀243a～243d、243g、243h、245a～245d、245g、245h关闭以停止向处理室201内供给处理气体、反应气体、非活性气体的状态下，将阀243e、245e打开，使清洁气体流向气体供给管232e。另外，清洁气体通过MFC241e进行流量调节，经由喷嘴230c向处理室201供给并从排气单元310排气。此时，阀245f、243f被关闭。需要说明的是，此时也可以同时将阀245c、243c、245d、243d打开，使N₂气体流向气体供给管232a、232b内。N₂气体通过MFC241c、241d进行流量调节，与清洁气体一起向处理室201供给并从排气管231排气。

即，供给至处理室201的清洁气体在处理室201中上升并从内管204的上端开口流出到筒状空间250内，在筒状空间250中流下后从排气单元310排气。清洁气体在从处理室201中通过时，与附着于处理室201的副产物接触而将其蚀刻去除。若在经过预先设定的处理时间而副产物的去除完成，则将阀245e、243e关闭，停止向处理室201供给清洁气体。

(7)排气清洁工序

在本实施方式的排气清洁工序(清洁步骤)中，工艺制程中的成膜处理工序后的处理室201的气氛被置换为非活性气体(非活性气体置换)，且如后述的图6所示，在处理室201内的压力恢复为常压(大气压恢复)的工序中，向构成排气单元310的部件以预先设定的初始值供给清洁气体。也就是说，如后述的图6所示，由于排气清洁工序被加入到工艺制程，因此工艺制程中的大气压恢复工序构成为能够与清洁步骤并行地执行。由此，每当执行工艺制程，则能够向构成排气单元310的部件供给预先设定的量(初始流量)的清洁气体，因此能够将排气单元310内的副产物去除。此外，在工艺制程中于构成排气单元310的部件处检测到异常的倾向的情况下，能够使清洁气体的设定流量从初始值发生变更而向构成排气单元310的部件供给清洁气体。

另外，本实施方式中的控制器240在检测到由副产物向构成排气单元310的部件附着所引起的配管的封闭、泵的停止等异常的倾向的情况下，发出报警并使清洁气体的设定流量变更、也即，使其增加。此时，通过对应于报警的发生次数而设定恰当的清洁气体量，从而使构成排气单元310的部件的维护周期延长并提高装置的运行率，不仅如此，与以恒定量的清洁气体来实施的情况对比，能够在抑制清洁步骤中的清洁气体的总量的同时，在副产物向构成排气单元310的排气管231、泵244、未图示的主泵等部件的堆积发展前将其去除。

具体来说，主控制部25进行控制，以在工艺制程执行中获取预先设定的特定步骤中的表示排气单元310的状态的装置数据，在根据泵244的电流值、转速、背压而检测到排气单元310中的异常的倾向(预兆)时发出报警，并向主装置、显示部31通知消息。并且，每当报警的发生次数增加，则清洁气体的设定流量增加。也就是说，主控制部25能够对应于报警的发生次数而变更清洁气体的设定流量，并根据变更后的清洁气体的设定流量而与工艺制程的大气压恢复工序并行地自动执行清洁步骤。

例如，主控制部25与成膜处理工序后的大气压恢复工序并行地以初始值的清洁气体流量执行排气清洁工序。并且，如图4所示，在工艺制程执行中获取由泵244的电流值、转速、背压组成的组的装置数据，并在例如成膜处理工序中检测到排气管231的封堵、泵的堵塞的异常的倾向的情况下，主控制部25使清洁气体的流量增加来执行排气清洁工序，以免装置因排气管231的封堵、泵的堵塞而停止。需要说明的是，由泵244的电流值、转速、背压组成的组的装置数据的获取优选泵244承受负载的工序(例如准备步骤)。

在此，使用图2说明本实施方式中的排气清洁工序。首先，在上述的工艺制程中的成膜处理结束且吹扫工序结束后执行大气压恢复工序。此时，主控制部25将阀245c、243c、245d、243d、245g、243g打开，从气体供给管230a、230b、230c向处理室201供给N₂气体。需要说明的是，N₂气体从气体供给管230a、230b、230c中的任一者向处理室201供给即可。此时，APC阀242成为全闭，并且，一边使处理室201成为N₂气体气氛一边使其从处理压力(规定减压)逐渐上升，并在直到成为大气压为止供给N₂气体。需要说明的是，该大气压恢复工序为几分钟左右，例如为5分钟。

然后，与上述的大气压恢复工序并行地，主控制部25在将阀245a、243a、245b、243b、245e、243e、245h、243h关闭而使处理气体、反应气体及清洁气体向处理室201的供给及非活性气体向排气单元310的供给停止的状态下，将阀245f、243f打开，使清洁气体流向气体供给管232f。清洁气体通过MFC241f调节为例如预先设定的流量(初始流量)，并绕过处理室201而向排气单元310供给。需要说明的是，上述的阀动作即使在装置数据的平均值发生变化而检测到异常的情况下也不变，但通过MFC241f调节的流量不同。或者，也可以不改变通过MFC241f调节的流量而改变供给时间。

即，如图2所示，清洁气体经由气体供给管232f并经由排气管231、泵244、压力传感器247及未图示的主泵向框体111外排气。即，清洁气体在从排气单元310内通过时，与附着于排气单元310内的副产物接触并将其蚀刻去除。若经过预先设定的处理时间且副产物的去除完成，则将阀245f、243f关闭，使向排气单元310内的清洁气体的供给停止。在此，处理时间设定为使得排气清洁工序必须在大气压恢复工序中结束的时间。也就是说，排气清洁工序的总时间构成为比大气压恢复工序的总时间短。另外，大气压恢复工序的开始时刻设定为比排气清洁工序中的开始时刻早，大气压恢复工序的结束时刻设定为比排气清洁工序中的结束时刻晚。

此外，使用图5～图7具体地说明本实施方式中的排气清洁工序。

图5是专用于图2中的排气系统(排气线)的图。在此构成为，能够在使APC阀242封闭的状态下，绕过处理室201而直接经由旁通管线从清洁气体供给源向APC阀242的排气侧且为泵244的供给侧的排气管231供给清洁气体(例如作为含氟气体的F₂气、HF气体等)。并且构成为，在泵244的排气侧的排气管231上设有气体浓度检测器(例如FT-IR)，能够至少检测供给清洁气体时的排气管231内的气体浓度。

图6是示出在工艺制程的大气压恢复工序中加入排气清洁工序的一例的图，本实施方式中的将排气清洁工序加入工艺制程的方式当然不限于上述方式。

如图6所示，构成为从清洁气体的供给开始到供给结束落在大气压恢复工序的期间内。另外，通过该构成，能够在每次执行工艺制程时执行排气清洁工序。

以下，使用图5、图6说明排气清洁工序。需要说明的是，在图6中，大气压恢复工序被分为大气压恢复工序1～大气压恢复工序4，但这只是为了容易说明4个工序的排气清洁工序而方便起见所设。

首先，当大气压恢复工序开始时，APC阀242封闭(全闭)且阀245e被关闭。需要说明的是，在本实施方式中，APC阀242及阀245e被关闭直到大气压恢复工序及下一舟皿卸载工序结束。大致同时地，阀243f开放，通过泵244而使得气体供给管232f、APC阀242的排气侧的排气管231被减压(大气压恢复工序1)。也就是说，该工序为作为供给清洁气体前的准备而对气体供给菅232f、排气管231进行减压排气的工序，在本实施方式中进行1分钟。此时也可以将阀245h、243h设为开，从吹扫气体供给源向气体供给管232f、排气管231作为吹扫气体供给非活性气体。需要说明的是，“大致同时地”的含义不仅是指同时，也表示1秒以下时间，在该情况下，表示由于泵244始终动作而阀243f的打开稍微延迟的情况。需要说明的是，自不必说，在大气压恢复工序开始时，阀245f处于闭状态。

接下来，保持APC阀242封闭的状态，阀245f、243f开放，在通过泵244减压的同时，通过MFC241进行了流量控制的清洁气体被向气体供给管232f、APC阀242的排气侧的排气管231供给(大气压恢复工序2)。也就是说，该工序为在如图5所示的状态下向气体供给管232f、APC阀242的排气侧的排气管231供给清洁气体的供给步骤。在图6中作为10分钟的工序来示出。排气清洁工序的总时间只要比大气压恢复工序时间短就没有问题，因此当然不限定于上述时间，也就是说，10分钟只不过是一例。此时也可以将阀245h、243h设为开，从吹扫气体供给源向气体供给管232f、排气管231供给吹扫气体。

在此，在上述的供给步骤期间，进行由在泵244的排气侧设置的气体浓度检测器进行的排气管231内的气体浓度的检测。另外，预先根据清洁气体种类设定检测对象的气体。

接下来，保持APC阀242封闭的状态，阀245f关闭而243f开放，通过泵244减压，以对气体供给管232f、APC阀242的排气侧的排气管231内的清洁气体进行排气(大气压恢复工序3)。也就是说，该工序是为了将所供给的清洁气体的残渣、未反应的气体等去除而对气体供给菅232f、排气管231进行减压排气的工序，在本实施方式中为2分钟10秒。此时，也可以将阀245h、243h设为开，从吹扫气体供给源向气体供给管232f、排气管231供给吹扫气体。

在APC阀242继续封闭的状态下，执行以非活性气体对气体供给管232f、APC阀242的排气侧的排气管231进行吹扫的工序。接下来，保持阀245f关闭的状态，将阀245h、243h设为开，从吹扫气体供给源向气体供给管232f、排气管231供给吹扫气体，并且，继续保持APC阀242封闭且243f开放的状态，通过泵244对气体供给管232f、APC阀242的排气侧的排气管231进行排气(大气压恢复工序4)。也就是说，该工序为向气体供给菅232f、排气管231供给吹扫气体而分别对气体供给菅232f内、排气管231内及泵244进行吹扫的吹扫工序，在本实施方式中进行1.5分钟。吹扫气体只要是非活性气体则气体种类并无特别限定。

需要说明的是，若上述的吹扫工序结束，则阀245f、243f、245h、243h全部关闭，排气清洁工序结束。在此，在图6中，排气清洁工序与大气压恢复工序大致同时结束，但大气压恢复工序必须是在排气清洁工序结束后结束。

在此，针对各工序设定了时间，但实质上优选各工序在设定机间前结束。

另一方面，对于大气压恢复工序而言，由于APC阀242及阀245e为全闭的状态，因此与上述的排气清洁工序完全独立地进行。也就是说，使处理室201恢复为大气压并置换为非活性气体的工序与上述的排气清洁工序并行且独立地进行。在此，例如，即使在大气压恢复工序2的时刻达到大气压，也使非活性气体停止或使未图示的压力调节器工作而经由压力调节器进行排气对处理室201的压力进行微调整以免处理室201被过加压，因此即使APC阀242全闭也不会成为问题。

图7示出在累积膜厚6nm时实施图6的排气清洁工序的情况的实验例。在此，示出作为清洁气体使用作为气体A的HF气体且以10分钟供给2L的情况的实验例。根据图7，使作为副产物的气体B即SiF₄气体的浓度在约4分钟内减少至接近0ppm，能够以气体浓度检测器的SiF₄气体的浓度来确认副产物被去除。像这样，将排气清洁工序加入至制程，每当执行制程时，以该条件向排气管231、泵244供给清洁气体，从而能够将泵244的维护循环(维护周期)提高为2倍以上。

在上述实验例的情况下，在大约6分钟内以无副产物的状态向排气管231、泵244供给清洁气体，但泵244的维护周期能够提高至2倍以上，而若能够变更清洁的条件，则能够期待进一步的维护周期的改善。例如，在上述实验例的情况下，若能够将清洁气体的流量从2L减少为1L或将供给清洁气体的时间从10分钟缩短至5分钟，则能够进一步改善泵244的维护周期。像这样，若能够变更清洁条件，则能够期待进一步的效果。

接下来，基于图8～图10说明控制器240的排气清洁工序的执行动作。主控制部25构成为与图10所示的大气压恢复工序并行地执行排气清洁工序。如图10所示，仅是在排气清洁工序中供给清洁气体、在吹扫工序中供给非活性气体这样供给不同的气体，辅助泵的背压即通过未图示的主泵真空抽吸而成为大致相同的压力。

在工艺制程中，在从大气压开始进行真空抽吸的准备工序中，泵244的背压急剧上升，泵244被施加负载。以下说明将该准备工序设为上述特定步骤的例子。

如图8所示，主控制部25从工艺制程开始时起获取工艺制程执行中的装置数据(步骤S10)。具体来说，作为装置数据，至少以规定间隔获取工艺制程执行中的表示泵244的电流值、转速、背压的数据。

然后，判定执行中的制程是否为预先设定的特定步骤(步骤S11)。具体来说，判定是否为图10所示的准备工序(慢速泵送(Slow Pump)工序)。

在判定为非特定步骤的情况下(步骤S11中为“否”)返回步骤S10的处理，在判定为是特定步骤的情况下(步骤S11中为“是”)，对在特定步骤中以规定间隔获取到的装置数据进行加算(步骤S12)。需要说明的是，也可以仅获取特定步骤中的装置数据。

另外，判定特定步骤是否结束(步骤S13)。在判定特定步骤未结束的情况下(步骤S13中为“否”)，返回步骤S11的处理。

在判定为特定步骤结束的情况下(步骤S13中为“是”)，主控制部25算出进行加算而得的装置数据的平均值并保存在存储部28中(步骤S14)。具体来说，以例如1秒周期获取准备工序中的泵244的电流值、转速及背压并分别进行加算。然后将加算而得的数据的累积值除以加算次数，分别运算而算出平均值并保存在存储部28中。

然后，主控制部25将本次计算出的数据的平均值与执行前次工艺制程时算出的数据的平均值进行对比(步骤S15)。具体来说，将本次准备工序中的泵244的电流值、转速及背压的平均值与前次执行的工艺制程的准备工序中的辅助泵244的电流值、转速及背压的平均值分别进行对比。

然后，确认存储部28中存储的监视参数，在判定为本次平均值未相对于前次平均值上升(或下降)(没有异常的倾向)的情况下(步骤S15中为“否”)，将对异常的倾向的连续次数进行计数的连续次数计数器清零(设为0)(步骤S19)，结束处理。具体来说，在对准备工序中的泵244的电流值的平均值是否相对于前次工艺制程的准备工序中的泵244的电流值的平均值是否上升进行判定且判定为未上升的情况下，将连续次数计数器清零。另外，对于泵244的转速的平均值、泵244的背压的平均值也同样地进行对比。

并且，在判定为本次平均值相对于前次平均值上升(下降)(有异常的倾向)的情况下(步骤S15中为“是”)，开始进行连续次数计数器的计数(计数器增量)(步骤S16)。然后，判定是否连续上升(或下降)预先设定的次数(步骤S17)。

在判定为未连续上升(下降)(没有异常的倾向)预先设定的次数的情况下(步骤S17中为“否”)，结束处理，在判定为连续上升(下降)(有异常的倾向)预先设定的次数的情况下(步骤S17中为“是”)，执行后述的清洁气体设定流量变更处理(步骤S18)。然后将连续次数计数器清零(S19)，结束处理。

具体来说，在判定为准备工序中的泵244的电流值的平均值相对于前次工艺制程的执行时所获取的泵244的电流值的平均值上升了的情况下，使连续次数计数器的计数开始，在泵244的电流值以作为监视参数的设定值的规定次数、例如5次连续而为上升倾向的情况下发出报警，并变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量。例如，在准备工序中的泵244的电流值的平均值以第47批次为14.421A、第48批次为14.528A、第49批次为14.596A、第50批次为14.660A、第51批次为15.063A这样5次连续上升情况下(转速6.879krpm、背压1.000kPa)，发出报警，并变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量。需要说明的是，不限定于该次数，构成为只要能够捕捉监视参数的倾向即可，例如设定为3次以上且7次以下。

另外，对于准备工序中的泵244的背压的平均值、泵244的转速的平均值也同样地，在以作为监视参数的设定值的规定次数连续为预先定义为异常倾向的倾向的情况下，发出报警，并变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量。

即，将准备工序中的泵的电流值、转速及背压的平均值中的至少任意一种与前次准备工序中的泵的电流值、转速及背压的平均值进行对比，在以预先设定的次数连续为预先定义为异常倾向的上升或下降的情况下，检测到构成排气单元310的配管的封闭或泵停止的异常的倾向并发出报警，并变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量。

需要说明的是，在本实施方式中，说明了在泵244的电流值、转速及背压的平均值中的至少任意一种相对于前次平均值以预先设定的次数连续上升或下降的情况下变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量的例子，但不限于此，也可以构成为在泵244的电流值、转速及背压的全部平均值相对于前次平均值以预先设定的次数连续上升或下降的情况下发出报警，或者在泵244的电流值、转速及背压的平均值中的任意两种以上(多种)相对于前次平均值以预先设定的次数连续上升或下降的情况下发出报警，并变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量。另外，也可以在由泵244的电流值、转速及背压组成的组中的至少一种装置数据的平均值以规定次数连续偏离阈值的情况下发出报警，并变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量。另外，也可以在泵244的电流值、转速及背压中的各装置数据的平均值以预先设定的次数连续偏离阈值的情况下发出报警，并变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量。通过这些构成，尤其能够掌握排气装置中的装置数据的倾向，能够检测构成排气单元310的部件的异常的倾向。

接下来，使用图9的(A)及图9的(B)说明上述的步骤S18中的清洁气体设定流量变更处理。清洁气体设定流量变更处理对应于检测到异常的倾向的报警的发生次数而变更。

首先，若主控制部25检测到排气单元310的异常的倾向则发出报警(步骤S20)。然后，对用于计数报警的发生次数的报警计数器进行加算(步骤S21)。报警的发出通过在显示部显示存在配管的封闭、泵的堵塞的预兆的内容、提示排气单元310的维护、向主装置通知这些消息等来进行。然后，判定所加算的报警计数器是否为预先设定的限制次数(步骤S22)。然后，在报警计数器达到限制次数的情况下(步骤S22中为“是”)，发出排气管的封闭、泵的堵塞的最终警告(步骤S25)并结束处理。作为最终警告，在显示部显示禁止执行下一工艺制程、应尽早实施排气装置的更换、检修等维护等、或向主装置通知消息。也就是说，在装置数据的异常超过阈值的情况下，发出禁止执行下一工艺制程的最终警告。并且，在实施了维护后，将报警计数器清零。另外，排气清洁工序中的清洁气体的设定流量返回初始值。

另外，在报警计数器未达到限制次数的情况下(步骤S22中为“否”)，基于报警计数器(报警的发生次数)从存储部28获取所设定的清洁气体的流量信息(步骤S23)。需要说明的是，预先在存储部28中保存与报警计数器对应的清洁气体的流量。然后，变更排气清洁工序中的清洁气体的设定流量(步骤S24)，结束处理。需要说明的是，主控制部25在从准备工序的下一步骤到图10所示的大气压恢复步骤前的步骤，判定所获取的装置数据的平均值的变动。因此，在本实施方式中能够与工艺制程的大气压恢复工序并行地执行排气清洁工序。

在像这样检测到装置数据的异常倾向的情况下，在工艺制程的执行中对清洁气体的流量和/或清洁气体的供给时间进行变更，从而对清洁气体的设定流量进行变更以对排气清洁工序进行修正，能够通过修正后的排气清洁工序(变更后的清洁气体的设定流量)执行排气清洁工序。由此，能够在恰当的时机以恰当的清洁气体量去除附着于排气装置的副产物，从而在抑制清洁气体的总量的同时避免排气管的封闭、由泵的堵塞引起的泵转子停止，能够连续执行工艺制程以提高装置运行率。

(8)本实施方式的效果

根据本实施方式，能够获得以下所示的一个或多个效果。

(a)通过将排气清洁工序加入至工艺制程而能够在工艺制程中的每次成膜处理后供给预先设定的流量的清洁气体，能够在副产物向排气装置的堆积发展前将其去除。

(b)通过与工艺制程中的每次成膜处理后的大气压恢复工序并行地实施排气清洁工序，能够在恰当的时机将附着于排气装置的副产物去除，能够提高装置的运行率。

(c)通过高效地捕捉与排气装置相关的监视对象的参数的倾向来检测异常，并使检测到异常的情况下的清洁气体的设定流量增加，从而能够在发生异常前可靠地进行维护，能够提高装置的运行率。

(d)通过捕捉与排气装置相关的监视参数的倾向，从而例如能够在排气管封闭前、泵堵塞而泵转子停止前检测到由附着于排气装置内的副产物引起的堵塞。

(e)能够捕捉监视对象的排气装置的异常的预兆，以发出报警、使显示部31显示消息、在显示部31显示报警的内容或向主装置通知消息的方式，使用户知晓排气管的封闭、由泵的堵塞引起的泵转子停止的预兆。由此，能够在排气管的封闭、由泵的堵塞引起的泵转子停止前可靠地进行构成排气装置的部件的更换、检修等维护。

(f)在工艺制程执行中，能够绕过处理室而向排气部供给清洁气体以进行排气装置内的副产物的去除，无需执行在以往的清洁制程结束后在工艺制程再次开始前进行的预涂布等前处理制程，因此能够显著提高装置运行率。

(g)将构成工艺制程的各步骤中的预先设定的特定步骤中的装置数据的平均值与前次工艺制程执行时所算出的特定步骤中的装置数据的平均值进行对比，从而检测排气管的封闭、由泵的堵塞引起的泵转子停止的预兆，因此也可以在最终警告前不设定阈值。

以上对本发明的实施方式具体地进行了说明，但本发明并非限定于上述的实施方式及实施例，能够在不脱离其要旨的范围内进行多种变更。

另外，在上述实施方式中，说明了在晶片200上成膜的例子。但本发明不限定于这样的方式。例如，在上述实施方式中对供给卤素气体等清洁气体的清洁制程进行了说明，但也可以是供给非活性气体等吹扫气体的吹扫气体制程。另外，作为卤素气体记载了含氟气体，但也可以是含氯气体。

另外，也可以是，在构成排气单元310的部件发生了异常的倾向时，对排气清洁工序中的清洁气体的浓度或气体种类进行变更。

另外，也可以构成为，在大气压恢复工序后的晶片取出、下一工艺制程的晶片填充中将清洁气体的流量设为预先设定的初始值并向构成排气单元310的部件供给。

另外，在上述实施方式中，说明了使用一次对多张衬底进行处理的批量式的作为纵型装置的处理装置进行成膜的例子，但本发明不限定于此。另外，在上述实施方式中，说明了使用具有热壁型处理炉的衬底处理装置形成薄膜的例子，但本发明不限定于此，在使用具有冷壁型处理炉的衬底处理装置形成薄膜的情况下也优选应用。

另外，不限于本实施例的衬底处理装置这样的对半导体晶片进行处理的半导体制造装置等，也能够应用于对玻璃衬底进行处理的LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)制造装置。

Claims (19)

1.半导体器件的制造方法，其具有：在使设于排气管的阀开闭从而维持处理室的处理压力的同时对衬底进行处理的衬底处理工序、在所述衬底处理工序之前将所述处理室调节为所述处理压力的准备工序、使所述处理室从所述处理压力成为大气压的大气压恢复工序、和向所述阀的下游侧供给规定气体的供给工序，

在所述准备工序中，取得与所述处理室的排气关联的排气装置的数据，监视所述排气装置的数据的变动，在所述排气装置的数据连续变动了预先设定的次数从而判定为异常倾向的情况下，在所述供给工序中，与所述大气压恢复工序并行地用根据所述排气装置的数据的变动而被调节的流量供给所述规定气体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在根据所述排气装置的数据的变动而变更所述规定气体的设定流量时，

使得所述供给工序的总时间比所述大气压恢复工序的总时间短。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在并行地执行所述大气压恢复工序和所述供给工序时，

所述大气压恢复工序的开始时刻比所述供给工序的开始时刻早。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在并行地执行所述大气压恢复工序和所述供给工序时，

构成为使得所述压力调节用的阀关闭。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其构成为在所述供给工序中使用的所述规定气体与在所述大气压恢复工序中使用的气体的气体种类不同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述规定气体为清洁气体或吹扫气体。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述清洁气体为含卤素气体或含氯气体。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述吹扫气体为非活性气体。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其构成为能够对在所述供给工序中供给的气体的浓度进行变更。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其构成为每当执行所述衬底处理工序时执行所述供给工序。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，还具有在所述阀的下游侧设置的排气装置，

所述排气装置数据为所述排气装置的电流值、转速、背压中的任意一种以上的数据。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还具有：

对在所述准备工序中收集的所述排气装置数据进行蓄积的工序；以及

根据所蓄积的所述排气装置数据算出所获取的所述排气装置数据的平均值，将算出的所述平均值与在执行前次工艺制程时所算出的指定步骤中的装置数据的平均值进行对比，判定所述平均值的变动，若所述平均值的变动达到预先设定的规定次数，则使所述规定气体的设定流量变更的工序。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其构成为对所述规定气体的流量和/或使所述规定气体流动的时间进行变更来对所述供给工序进行修正，从而使所述规定气体的设定流量变更。

14.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其构成为根据所述排气装置的数据的变动而使所述规定气体的设定流量增加。

15.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其构成为根据所述排气装置的数据的变动而使所述规定气体的浓度增加。

16.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其构成为根据所述排气装置的数据的变动而使所述规定气体的气体种类变更。

17.衬底处理装置，其包含：

对衬底进行处理的处理室；

供给规定气体的供给部；以及

控制部，其构成为使所述供给部及设于排气管的阀执行：在使所述阀开闭从而维持所述处理室的处理压力的同时对衬底进行处理的衬底处理、在所述衬底处理之前将所述处理室调节为所述处理压力的准备处理、使所述处理室从所述处理压力成为大气压的大气压恢复处理、和向所述阀的下游侧供给所述规定气体的供给处理，

所述控制部构成为使得在所述准备处理中，取得与所述处理室的排气关联的排气装置的数据，监视所述排气装置的数据的变动，在所述排气装置的数据连续变动了预先设定的次数从而判定为异常倾向的情况下，在所述供给处理中，与所述大气压恢复处理并行地用根据所述排气装置的数据的变动而被调节的流量供给所述规定气体。

18.计算机可读取的记录介质，其记录有通过控制器使衬底处理装置执行工艺制程的程序，所述工艺制程至少包含在使设于排气管的阀开闭从而维持衬底处理装置的处理室内的处理压力的同时对衬底进行处理的衬底处理步骤、在所述衬底处理步骤之前将所述处理室调节为所述处理压力的准备步骤、使所述处理室内从所述处理压力成为大气压的大气压恢复步骤、和向所述阀的下游侧供给规定气体的供给步骤，

所述计算机可读取的记录介质记录有如下程序：使得在所述准备步骤中，取得与所述处理室的排气关联的排气装置的数据，监视所述排气装置的数据的变动，在所述排气装置的数据连续变动了预先设定的次数从而判定为异常倾向的情况下，在所述供给步骤中，与所述大气压恢复步骤并行地用根据所述排气装置的数据的变动而被调节的流量供给所述规定气体。

19.衬底处理方法，其具有：在使设于排气管的阀开闭从而维持处理室的处理压力的同时对衬底进行处理的衬底处理工序、在所述衬底处理工序之前将所述处理室调节为所述处理压力的准备工序、使所述处理室从所述处理压力成为大气压的大气压恢复工序、和向所述阀的下游侧供给规定气体的供给工序，

在所述准备工序中，取得与所述处理室的排气关联的排气装置的数据，监视所述排气装置的数据的变动，在所述排气装置的数据连续变动了预先设定的次数从而判定为异常倾向的情况下，在所述供给工序中，与所述大气压恢复工序并行地用根据所述排气装置的数据的变动而被调节的流量供给所述规定气体。