CN111961216B - 一种原位生长二维MOFs薄膜的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000012621 metal-organic framework Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 62
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 24
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910021580 Cobalt(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical group [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012923 MOF film Substances 0.000 abstract description 30
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITFZLEDCYFCOEO-UHFFFAOYSA-N Oc1c2ccc(n2)c(O)c2ccc([nH]2)c(O)c2ccc(n2)c(O)c2ccc1[nH]2 Chemical compound Oc1c2ccc(n2)c(O)c2ccc([nH]2)c(O)c2ccc(n2)c(O)c2ccc1[nH]2 ITFZLEDCYFCOEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- SSWSJIKGCHUCLV-UHFFFAOYSA-N triphenylene-1,2,3,4,5,6-hexol Chemical group OC1=C(O)C(O)=C2C3=C(O)C(O)=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1O SSWSJIKGCHUCLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G83/00—Macromolecular compounds not provided for in groups C08G2/00 - C08G81/00
- C08G83/008—Supramolecular polymers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2387/00—Characterised by the use of unspecified macromolecular compounds, obtained otherwise than by polymerisation reactions only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Polymers & Plastics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种原位生长二维MOFs薄膜的方法。本发明是将两片超亲水化处理的基板进行堆叠以形成微孔界面。然后在毛细管力分别驱动下，使金属离子溶液和配体溶液交替循环进入微孔中以实现MOF薄膜的限域生长。在升腾力驱动下以除去微孔中的水分，最终可实现在基板上直接生长MOFs薄膜。通过控制基板的形状、尺寸和循环次数可以实现对MOF薄膜形状、尺寸和厚度进行调控。本发明具有操作容易、设备简单、生产成本低、制备的MOF薄膜形状、尺寸和厚度可控等优势。
Description
技术领域
本发明属于材料领域，具体涉及一种二维多孔材料，特别是涉及一种原位生长二维MOFs薄膜的方法。
背景技术
自从石墨烯被发现以来，各种二维孔状材料得到了爆炸性发展。其中，二维金属有机框架材料(MOFs)由于具有高比表面积、高催化活性、可调的孔结构等优势，在催化、气体储存及分离、传感器、光电器件等领域有着广泛的应用前景。因此，二维MOFs薄膜已经成为国内外研究的热点。
在制备二维MOFs薄膜方面，主要包括旋涂法、超声分散法、气液界面生长法和液液界面生长法等。其中，MOFs较差的溶解性导致旋涂法难以用于制备高质量MOFs薄膜。利用机械力分散或者超声分散难以制备出大面积的MOFs薄膜，因此，这些方法极大的限制了大面积MOFs电子器件的制备。尽管目前可以通过气液界面法(J.Am.Chem.Soc.,139(4),1360-1363.)或液液界面法(Advanced Materials,30(10),1704291.)实现二维MOFs薄膜的制备，但是，需要通过复杂的工艺才能将薄膜转移到电介质上用于制备电子器件。在薄膜转移过程中，很容易导致其破碎。这不仅增加了薄膜的制备成本，更会极大的降低器件的性能。
申请号为202010013773.9的专利报道了利用电化学在铜箔上直接生长MOFs薄膜的方法，并利用高分子薄膜保护法将MOFs薄膜转移到目标基底上，此方法可以有效的保证MOFs薄膜的完整性，但是该方法难以对MOFs薄膜的形状进行有效调控。而目前电子器件多是在圆晶硅片上制备的。此方法难以制备出圆晶级别的MOFs薄膜。目前，开发直接在电介质上生长MOFs薄膜的方法引起了广大化学家和材料学家的极大兴趣。
发明内容
基于目前二维金属有机框架薄膜制备方法存在的各种短板，本发明提供了一种基于毛细管力—升腾力直接在基板上原位生长二维MOFs薄膜的方法。
本发明提供的制备MOFs薄膜的方法，包括：
1)将金属盐分散到水中，得到溶液A；
将配体于水中加入碱溶液，得到均匀的溶液B；
2)将两片超亲水化处理后的基板堆叠；
3)将步骤2)所得堆叠后的两片基板浸没在所述溶液A或溶液B中0.5h-5h(具体可为1h、)后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
4)再将基板浸没在所述溶液B或溶液A中0.5h-5h(具体可为1h、2h)后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
5)重复所述步骤3)-步骤4)若干次，得到所述MOFs薄膜。
上述方法的步骤1)中，所述金属盐选自CuSO4、CoSO4、NiSO4、CuCl2、CoCl2和NiCl2中至少一种；
所述金属盐在溶液A中的浓度为0.001mol/L-0.1mol/L；具体为0.005mol/L、0.01mol/L或0.05mol/L；
所述配体选自四羧基苯基卟啉(也即TCPP)、六羟基三苯和四羟基卟啉中至少一种；
所述配体在溶液B中的浓度为0.001mol/L-0.1mol/L；具体为0.0025mol/L、0.005mol/L或0.025mol/L；
所述碱溶液选自氨水、四甲基氢氧化铵水溶液、氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液和三乙胺中至少一种；碱溶液的作用是助溶；
所述氨水、四甲基氢氧化铵水溶液、氢氧化钠水溶液和氢氧化钾水溶液的浓度为0.001mol/L-1mol/L；具体为0.01mol/L、0.05mol/L、0.2mol/L。
所述步骤2)中，所述基板选自石英片、硅片和蓝宝石片中至少一种；
所述基板的形状选自规则形状和不规则形状中至少一种；
所述规则形状具体选自正方形、长方形和圆形中至少一种；
所述基板的最长边长度为1英寸-8英寸。
所述步骤2)所述超亲水化处理步骤中，超亲水化处理的方法选自食人鱼溶液浸泡法、紫外臭氧光照射法和低温O2等离子体处理法中至少一种；
所述食人鱼溶液浸泡法中，所用食人鱼溶液由浓硫酸和双氧水组成；所述浓硫酸的质量百分浓度具体为98％；所述双氧水的质量百分浓度具体为30％；所述浓硫酸和双氧水的体积比为7:3；浸泡的时间为1h-20h(具体可为10h)；
所述紫外臭氧光照射法中，10min-100min(具体可为50min、80min)；
所述低温O2等离子体处理法中，10s-100s(具体可为100s、150s)。
所述步骤3)中，热台的温度为能够使水挥发；具体为50-90℃；更具体可为60℃、70℃或80℃；
置于热台上除去水的时间为10-100min；具体可为30min、40min、70min或80min。
上述方法中，所述步骤3)和步骤4)中，浸没在溶液A和溶液B的顺序可以颠倒，具体可为如下3a)和4a)或3b)和4b)：
3a)将步骤2)所得堆叠后的两片基板浸没在所述溶液A中0.5h-5h(具体可为1h、)后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
4a)再将基板浸没在所述溶液B中0.5h-5h(具体可为1h、2h)后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
或者，
3b)将步骤2)所得堆叠后的两片基板浸没在所述溶液B中0.5h-5h(具体可为1h、)后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
4b)再将基板浸没在所述溶液A中0.5h-5h(具体可为1h、2h)后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
所述步骤5)中，所述若干次为10次到100次；具体为20、30、40或50次。
另外，上述方法制备得到的MOFs薄膜，也属于本发明的保护范围。
本发明是将两片超亲水化处理的基板进行堆叠以形成微孔界面。然后在毛细管力分别驱动下，使金属离子溶液和配体溶液交替循环进入微孔中以实现MOF薄膜的限域生长。在升腾力驱动下以除去微孔中的水分，最终可实现在基板上直接生长MOFs薄膜。通过控制基板的形状、尺寸和循环次数可以实现对MOF薄膜形状、尺寸和厚度进行调控。
本发明具有如下优点：
本发明制备的二维M2(TCPP)MOFs薄膜具有操作容易、设备简单、尺寸、形状和厚度可控等优点。
附图说明
图1是实施例1循环不同次数MOF薄膜的断面SEM照片。(a)20次，(b)30次，(c)40次，(d)50次，
图2是实施例1不同尺寸石英圆片制备的MOFs薄膜光学照片，(a)8英寸石英片，(b)8英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜，(c)4英寸石英片，(d)4英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜，(e)2英寸石英片，(f)2英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜，(g)1英寸石英片，(h)1英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜。
图3是实施例1不同形状石英片制备的MOFs薄膜光学照片，(a)圆形，(b)长方形。
图4是实施例1制备二维Cu2(TCPP)MOF薄膜AES元素能普，(a)Cu2(TCPP)MOF薄膜AES图，(b)C元素AES mapin图，(c)Cu元素AES mapin图，(d)O元素AES maping图，(e)N元素AESmapin图。
图5是实施例1制备二维Cu2(TCPP)MOF薄膜的冷冻透射电子显微镜照片。
图6是实施例2制备二维Cu2(TCPP)薄膜的光学照片。(a)4英寸硅片照片，(b)4英寸硅片上生长Cu2(TCPP)MOF薄膜照片。
图7是实施例3制备二维Cu2(TCPP)薄膜的光学照片。(a)4英寸蓝宝石照片，(b)4英寸蓝宝石上生长Cu2(TCPP)MOF薄膜照片。
图8是实施例4制备二维Co2(TCPP)薄膜的光学照片。
图9是实施例5制备二维Ni2(TCPP)薄膜的光学照片。
图10中(a)MOFs在基板上生长示意图，(b)为毛细管力-升腾力制备MOF薄膜示意图，(c)为金属离子与配体反应示意图；M为金属离子，代表Cu2+、Co2+和Ni2+中至少一种。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步阐述，但本发明并不限于以下实施例。所述方法如无特别说明均为常规方法。所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径获得。下述实施例所用食人鱼溶液由浓硫酸和双氧水组成；所述浓硫酸的质量百分浓度为98％；所述双氧水的质量百分浓度为30％；所述浓硫酸和双氧水的体积比为7:3。
实施例1
1)首先配制0.005mol/L的CuSO4水溶液(A溶液)，和0.0025mol/L的TCPP水溶液(B溶液)，所用碱溶液为浓度为0.01mol/L的氨水。然后用食人鱼溶液浸泡处理二氧化硅圆片10h，使其具有超亲水性质。
2)两块石英圆片堆叠后浸没到A溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在60℃条件下加热30min以除去水分。进一步将二氧化硅圆片浸没到B溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在60℃条件下加热70min。
3)改变二氧化硅的形状、尺寸和不同循环次数可以达到对MOFs薄膜进行调控的目的。
图1是实施例1循环不同次数MOF薄膜的断面SEM照片。(a)20次，(b)30次，(c)40次，(d)50次；
图2是实施例1不同尺寸石英圆片制备的MOFs薄膜光学照片：
(a)8英寸石英片；
(b)8英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜；
(c)4英寸石英片；
(d)4英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜；
(e)2英寸石英片；
(f)2英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜；
(g)1英寸石英片；
(h)1英寸Cu2(TCPP)MOF薄膜。
由此可得，通过改变基板尺寸可以实现对MOFs薄膜尺寸的控制。
图3是实施例1不同形状石英圆片制备的MOFs薄膜光学照片，(a)圆形，(b)长方形。由此可得通过改变基板形状可以实现对MOFs薄膜尺寸的控制。
图4是实施例1制备二维MOF薄膜AES元素能谱，a)Cu2(TCPP)MOF薄膜AES图，(b)C元素AES maping图，(c)Cu元素AES maping图，(d)O元素AES maping图，(e)N元素AES maping图。说明本方法制备MOF薄膜纯度较高，无其他杂质元素。
图5是实施例1制备二维Cu2(TCPP)MOF薄膜的冷冻透射电子显微镜照片。可以看出明显的方形孔结构。
实施例2
1)首先配制0.01mol/L的CuCl2水溶液(A溶液)，和0.005mol/L的TCPP水溶液(B溶液)，所用碱溶液为浓度为0.2mol/L的氢氧化钠水溶液。然后用紫外臭氧灯处理50min硅片使其具有超亲水性质。
2)两块硅片堆叠后浸没到A溶液中保持2h。然后将其转移到热台上在80℃条件下加热30min以除去水分。进一步将硅片浸没到B溶液中保持2h。然后将其转移到热台上在80℃条件下加热30min。
3)按照上述步骤循环50次即可在硅片上得到均匀的Cu2(TCPP)薄膜。
图6是实施例2制备二维Cu2(TCPP)薄膜的光学照片。(a)4英寸硅片照片，(b)4英寸硅片上生长Cu2(TCPP)MOF薄膜照片。由图可知，该MOF薄膜表面较为均匀。
实施例3
1)首先配制0.05mol/L的CuCl2水溶液(A溶液)，和0.025mol/L的TCPP水溶液(B溶液)，所用碱溶液为浓度为0.05mol/L的氢氧化钾水溶液。然后用O2等离子体处理100s蓝宝石片使其具有超亲水性质。
2)两块蓝宝石堆叠后浸没到A溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在90℃条件下加热30min以除去水分。进一步将蓝宝石片浸没到B溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在90℃条件下加热30min。
3)按照上述步骤循环50次即可在蓝宝石片上得到均匀的Cu2(TCPP)薄膜。
图7是实施例3制备二维Cu2(TCPP)薄膜的光学照片。(a)4英寸蓝宝石照片，(b)4英寸蓝宝石上生长Cu2(TCPP)MOF薄膜照片。由图可知，该MOF薄膜表面较为均匀。
实施例4
1)首先配制0.05mol/L的CoSO4水溶液(A溶液)，和0.025mol/L的TCPP水溶液(B溶液)，所用碱溶液为浓度为0.05mol/L四甲基氢氧化铵水溶液。然后用O2等离子体处理150s二氧化硅圆片使其具有超亲水性质。
2)两块石英圆片堆叠后浸没到A溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在50℃条件下加热80min以除去水分。进一步将二氧化硅圆片浸没到B溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在50℃条件下加热80min。
3)按照上述步骤循环50次即可在二氧化硅圆片上得到均匀的Co2(TCPP)薄膜。
图8是实施例4制备二维Co2(TCPP)薄膜的光学照片。由图可知，该MOF薄膜表面较为均匀。
实施例5
1)首先配制0.005mol/L的NiCl2水溶液(A溶液)，和0.0025mol/L的TCPP水溶液(B溶液)，所用碱溶液为三乙胺0.1mL。然后用紫外臭氧灯处理80min二氧化硅圆片使其具有超亲水性质。
2)两块石英圆片堆叠后浸没到A溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在70℃条件下加热40min以除去水分。进一步将二氧化硅圆片浸没到B溶液中保持1h。然后将其转移到热台上在70℃条件下加热40min。
3)按照上述步骤循环50次即可在二氧化硅圆片上得到均匀的Ni2(TCPP)薄膜。
图9是实施例5制备二维Ni2(TCPP)薄膜的光学照片。由图可知，该MOF薄膜表面是均匀连续的。
Claims (10)
1.一种制备MOFs薄膜的方法，包括：
1)将金属盐分散到水中，得到溶液A；
将配体于水中加入碱溶液，得到均匀的溶液B；
所述金属盐选自CuSO4、CoSO4、NiSO4、CuCl2、CoCl2和NiCl2中至少一种；
所述配体选自四羧基苯基卟啉、六羟基三苯和四羟基卟啉中至少一种；
2)将两片超亲水化处理后的基板堆叠；
3)将步骤2)所得堆叠后的两片基板浸没在所述溶液A或所述溶液B中0.5h-5h后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
4)再将基板浸没在所述溶液B或所述溶液A中0.5h-5h后，将浸没后的基板置于热台上除去水；
5)重复所述步骤3)-步骤4)若干次，得到所述MOFs薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述金属盐在溶液A中的浓度为0.001mol/L-0.1mol/L；所述配体在溶液B中的浓度为0.001mol/L-0.1mol/L；
所述碱溶液选自氨水、四甲基氢氧化铵水溶液、氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液和三乙胺中至少一种；
所述氨水、四甲基氢氧化铵水溶液、氢氧化钠水溶液和氢氧化钾水溶液的浓度为0.001mol/L-1mol/L。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述金属盐在溶液A中的浓度为0.005mol/L、0.01mol/L或0.05mol/L；
所述配体在溶液B中的浓度为0.0025mol/L、0.005mol/L或0.025mol/L。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述基板选自石英片、硅片和蓝宝石片中至少一种；
所述基板的形状选自规则形状和不规则形状中至少一种；
所述基板的最长边长度为1英寸-8英寸。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述规则形状选自正方形、长方形和圆形中至少一种。
6.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述步骤2)所述超亲水化处理步骤中，超亲水化处理的方法选自食人鱼溶液浸泡法、紫外臭氧光照射法和低温O2等离子体处理法中至少一种；
所述食人鱼溶液浸泡法中，浸泡的时间为1h-20h；
所述紫外臭氧光照射法中，10min-100min；
所述低温O2等离子体处理法中，10s-100s。
7.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中，热台的温度为能够使水挥发；
置于热台上除去水的时间为10-100min。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述热台的温度为50-90℃。
9.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述步骤5)中，所述若干次为10次到100次。
10.权利要求1-9任一所述方法制备得到的MOFs薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010829824.5A CN111961216B (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 一种原位生长二维MOFs薄膜的方法 |
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| CN202010829824.5A CN111961216B (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 一种原位生长二维MOFs薄膜的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111961216A CN111961216A (zh) | 2020-11-20 |
| CN111961216B true CN111961216B (zh) | 2022-02-11 |
Family
ID=73389198
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010829824.5A Active CN111961216B (zh) | 2020-08-18 | 2020-08-18 | 一种原位生长二维MOFs薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111961216B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112717730B (zh) * | 2020-12-16 | 2022-03-08 | 天津工业大学 | 一种Cu(II)-四(4-羧苯基)卟啉膜及制备方法 |
| CN115910478B (zh) * | 2022-10-24 | 2023-07-11 | 苏州大学 | 一种导电金属有机骨架薄膜的化学催化合成法 |
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| CN105709610A (zh) * | 2014-11-30 | 2016-06-29 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 支撑型超薄二维层状mof膜及其制备方法 |
| CN105842196A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-08-10 | 山东大学 | 一种表面包覆超薄金属有机框架材料的单层胶体晶体蒸汽传感器及制备方法与应用 |
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| EP3689450A1 (en) * | 2019-01-29 | 2020-08-05 | Ludwig-Maximilians-Universität München | Method for producing a metal organic framework film, metal organic framework film and use of a metal organic framework film |
-
2020
- 2020-08-18 CN CN202010829824.5A patent/CN111961216B/zh active Active
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|---|
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111961216A (zh) | 2020-11-20 |
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| GR01 | Patent grant |