CN111952152A - 裸芯片封装方法 - Google Patents

裸芯片封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111952152A
CN111952152A CN202010773937.8A CN202010773937A CN111952152A CN 111952152 A CN111952152 A CN 111952152A CN 202010773937 A CN202010773937 A CN 202010773937A CN 111952152 A CN111952152 A CN 111952152A
Authority
CN
China
Prior art keywords
double
sided adhesive
bare chip
cleaning
adhesive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010773937.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111952152B (zh
Inventor
汪宁
曹振玲
刘煜文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology
Original Assignee
Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology filed Critical Anhui East China Institute of Optoelectronic Technology
Priority to CN202010773937.8A priority Critical patent/CN111952152B/zh
Publication of CN111952152A publication Critical patent/CN111952152A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111952152B publication Critical patent/CN111952152B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明公开了一种裸芯片封装方法，包括步骤：S1、选择双面胶膜；S2、贴附双面胶膜，形成双面胶封装，使裸芯片处于双面胶封装内；S3、第一次清洗；S4、去除双面胶封装；S5、第二次清洗。本发明的裸芯片封装方法，通过在清洗之前，设置双面胶封装密封裸芯片，双面胶封装对裸芯片起到保护作用，从而可以避免裸芯片清洗过程中受到污染，有助于提高产品质量。

Description

裸芯片封装方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体地说，本发明涉及一种裸芯片封装方法。
背景技术
在微波模块加工中，一般装配有裸芯片的模块是直接通过汽相清洗方式清洗，由于裸芯片裸露，无任何封装保护，在清洗完成后，裸芯片表面或多或少会有污渍、水渍残留，这会影响到裸芯片的指标性能以及后续裸芯片焊盘金丝键合强度的可靠性，最终影响产品的质量。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供一种裸芯片封装方法，目的是避免裸芯片清洗过程中受到污染。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：裸芯片封装方法，包括步骤：
S1、选择双面胶膜；
S2、贴附双面胶膜，形成双面胶封装，使裸芯片处于双面胶封装内；
S3、第一次清洗；
S4、去除双面胶封装；
S5、第二次清洗。
所述步骤S1中，选择的双面胶膜为无基材纯胶膜。
所述步骤S2中，所述双面胶封装呈梯形结构，形成容纳裸芯片的密闭空间。
所述密闭空间为梯形。
所述步骤S2中，在显微镜下，用镊子将双面胶膜按梯形形状粘接，使双面胶膜的顶端贴合在裸芯片的上表面上，并使双面胶膜粘接在基板上，形成梯形的双面胶封装。
所述步骤S3中，采用汽相清洗机进行第一次清洗，并设定汽相清洗机的工作模式为蒸浴模式。
所述步骤S4中，在显微镜下，用镊子揭去双面胶封装。
所述步骤S5中，采用等离子清洗机进行第二次清洗。
所述步骤S5中，设置等离子清洗机的射频功率为300W，清洗时间为180s。
本发明的裸芯片封装方法，通过在清洗之前，设置双面胶封装密封裸芯片，双面胶封装对裸芯片起到保护作用，从而可以避免裸芯片清洗过程中受到污染，有助于提高产品质量。
附图说明
本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
图1是本发明裸芯片封装方法的流程图；
图2是本发明保护裸芯片免污染封装结构示意图；
图中标记为：1、基板；2、裸芯片；3、双面胶封装。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
如图1和图2所示，本发明提供了一种裸芯片封装方法，包括如下的步骤：
S1、选择双面胶膜；
S2、贴附双面胶膜，形成双面胶封装，使裸芯片处于双面胶封装内；
S3、第一次清洗；
S4、去除双面胶封装；
S5、第二次清洗。
具体地说，在上述步骤S1中，选用合适型号双面胶膜，根据裸芯片大小选用合适宽度的，裁剪合适长度双面胶膜。
在本实施例中，在上述步骤S1中，双面胶膜选用产品型号为SCOTCH BRAND TAPE3M 467MP的透明双面胶膜，且选择的双面胶膜为无基材纯胶膜，该双面胶膜的厚度为0.05mm，宽度为8mm，颜色透明，胶系为200MP丙烯酸，长期耐温可以达到149℃，这种双面胶膜的粘接强度合适，易于粘接和去除，不会有胶的残留。
如图2所示，在上述步骤S2中，双面胶封装呈梯形结构，形成容纳裸芯片的密闭空间，密闭空间为梯形。
在上述步骤S2中，在显微镜下，用镊子将双面胶膜按梯形形状粘接，使双面胶膜的顶端贴合在裸芯片的上表面上，并使双面胶膜粘接在基板上，形成梯形的双面胶封装，裸芯片刚好在双面胶形成的梯形空间内部，裸芯片处于双面胶封装的内腔体(也即密闭空间)中，裸芯片上表面的四个侧边均与双面胶膜贴合。
在上述步骤S3中，采用汽相清洗机进行第一次清洗，并设定汽相清洗机的工作模式为蒸浴模式。清洗前，将装配有裸芯片的模块倒扣放置在汽相清洗机的内部，此时双面胶封装呈现倒状梯形。设置汽相清洗机的温度为70±5℃，超声关闭，选用的汽相清洗剂的型号为ABOZL CEG CLEANER。清洗过程中，裸芯片一直处于双面胶封装内，受双面胶封装隔绝保护，裸芯片表面不会受到清洗剂的直接污染，并且清洗后，双面胶封装不会出现脱落和倒塌的问题。
在上述步骤S4中，在显微镜下，用镊子揭去双面胶封装，裸芯片以及基板表面无双面胶膜的残留，由于胶的粘接强度合适，易于去除，不会有胶的残留，裸芯片表面由于没有直接接触清洗剂，表面没有水渍、污渍等，该双面胶封装起到很好的裸芯片免污染保护作用。
在上述步骤S5中，采用等离子清洗机进行第二次清洗，选用氩气为清洗气体，设置等离子清洗机的射频功率为300W，清洗时间为180s，并设定等离子清洗机的工作模式为弱清洗模式。将装配有裸芯片的模块放置在等离子清洗机里进行清洗，可以去除裸芯片焊盘的氧化物以及可能残留的双面胶，改善裸芯片焊盘的键合环境，增加键合强度，提高裸芯片键合可靠性。
以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然，本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本发明的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.裸芯片封装方法，其特征在于，包括步骤：
S1、选择双面胶膜；
S2、贴附双面胶膜，形成双面胶封装，使裸芯片处于双面胶封装内；
S3、第一次清洗；
S4、去除双面胶封装；
S5、第二次清洗。
2.根据权利要求1所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S1中，选择的双面胶膜为无基材纯胶膜。
3.根据权利要求1所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述双面胶封装呈梯形结构，形成容纳裸芯片的密闭空间。
4.根据权利要求3所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述密闭空间为梯形。
5.根据权利要求3或4所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S2中，在显微镜下，用镊子将双面胶膜按梯形形状粘接，使双面胶膜的顶端贴合在裸芯片的上表面上，并使双面胶膜粘接在基板上，形成梯形的双面胶封装。
6.根据权利要求1至5任一所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S3中，采用汽相清洗机进行第一次清洗，并设定汽相清洗机的工作模式为蒸浴模式。
7.根据权利要求1至6任一所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S4中，在显微镜下，用镊子揭去双面胶封装。
8.根据权利要求1至7任一所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S5中，采用等离子清洗机进行第二次清洗。
9.根据权利要求8所述的裸芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S5中，设置等离子清洗机的射频功率为300W，清洗时间为180s。
CN202010773937.8A 2020-08-04 2020-08-04 裸芯片封装方法 Active CN111952152B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010773937.8A CN111952152B (zh) 2020-08-04 2020-08-04 裸芯片封装方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010773937.8A CN111952152B (zh) 2020-08-04 2020-08-04 裸芯片封装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111952152A true CN111952152A (zh) 2020-11-17
CN111952152B CN111952152B (zh) 2023-06-06

Family

ID=73339427

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010773937.8A Active CN111952152B (zh) 2020-08-04 2020-08-04 裸芯片封装方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111952152B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101872744A (zh) * 2010-06-03 2010-10-27 清华大学 一种硅衬底上制作化合物半导体mmic芯片的方法
US20120031443A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning device, cleaning method, and composition
CN104475177A (zh) * 2014-12-02 2015-04-01 武汉纺织大学 一种简易高键合强度聚合物微流芯片的制备方法
CN107611008A (zh) * 2017-08-30 2018-01-19 苏州惠华电子科技有限公司 一种用于清除基板及其上的芯片表面的助焊剂的方法
CN108807198A (zh) * 2018-05-25 2018-11-13 南京恒电电子有限公司 一种实现微波混合集成电路射频裸芯片封装的方法
CN109347450A (zh) * 2018-09-13 2019-02-15 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法
CN109451677A (zh) * 2018-12-11 2019-03-08 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种卫通领域35w功率放大模块的加工方法
CN109600934A (zh) * 2018-12-11 2019-04-09 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种ku波段高增益放大器的制作方法
CN110213909A (zh) * 2019-06-27 2019-09-06 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种Ku波段双通道检波模块的制作方法
US20190393088A1 (en) * 2018-06-25 2019-12-26 Semiconductor Components Industries, Llc Method of reducing residual contamination in singulated semiconductor die
CN110842315A (zh) * 2019-11-22 2020-02-28 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种视频放大器生产工艺方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101872744A (zh) * 2010-06-03 2010-10-27 清华大学 一种硅衬底上制作化合物半导体mmic芯片的方法
US20120031443A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning device, cleaning method, and composition
CN104475177A (zh) * 2014-12-02 2015-04-01 武汉纺织大学 一种简易高键合强度聚合物微流芯片的制备方法
CN107611008A (zh) * 2017-08-30 2018-01-19 苏州惠华电子科技有限公司 一种用于清除基板及其上的芯片表面的助焊剂的方法
CN108807198A (zh) * 2018-05-25 2018-11-13 南京恒电电子有限公司 一种实现微波混合集成电路射频裸芯片封装的方法
US20190393088A1 (en) * 2018-06-25 2019-12-26 Semiconductor Components Industries, Llc Method of reducing residual contamination in singulated semiconductor die
CN109347450A (zh) * 2018-09-13 2019-02-15 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种亚太赫兹波段20瓦脉冲功率放大器的加工方法
CN109451677A (zh) * 2018-12-11 2019-03-08 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种卫通领域35w功率放大模块的加工方法
CN109600934A (zh) * 2018-12-11 2019-04-09 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种ku波段高增益放大器的制作方法
CN110213909A (zh) * 2019-06-27 2019-09-06 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种Ku波段双通道检波模块的制作方法
CN110842315A (zh) * 2019-11-22 2020-02-28 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种视频放大器生产工艺方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111952152B (zh) 2023-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101877345B (zh) 半导体装置及金属屏蔽板的制造方法
CN101944562B (zh) 一种去除led芯片电极的方法
CN103345337B (zh) 柔性触摸屏及其制作方法
CN105810590A (zh) 声表面波滤波器晶圆键合封装工艺
CN102222623A (zh) 半导体装置的制造方法
CN103870813B (zh) 指纹传感器和电子设备
US20140138805A1 (en) System for No-Lead Integrated Circuit Packages Without Tape Frame
US7655539B2 (en) Dice by grind for back surface metallized dies
CN106409732B (zh) 一种利用uv实现晶圆与玻璃分离的方法
CN111952152A (zh) 裸芯片封装方法
JP2008053291A (ja) ＳｉＣ半導体素子およびその製造方法
CN108565244A (zh) 减薄工艺的揭膜方法
JP2009212439A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
CN109688710A (zh) 一种蚀刻金手指引线的方法
CN111751177B (zh) 一种覆铜陶瓷基板拉力测试样品制备方法
WO2006008829A1 (ja) 半導体装置の製造方法
CN101425468B (zh) 经过涂敷的引线框
CN203967091U (zh) 晶圆级封装结构
CN111446193A (zh) 一种中央部分去除的玻璃载板
US2873510A (en) Method of manufacturing seals for electric discharge tubes
CN112309834B (zh) 一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法
JPS6048104B2 (ja) 半導体ウエハの分割方法
US20020089041A1 (en) Lead-frame design modification to facilitate removal of resist tape from the lead-frame
CN114804645B (zh) 一种大尺寸超薄玻璃基板的通孔蚀刻方法
CN110600375A (zh) 一种半导体元件制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant